JPS61202013A - 気化式石油スト−ブの気化器ヒ−タ制御装置 - Google Patents
気化式石油スト−ブの気化器ヒ−タ制御装置Info
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- JPS61202013A JPS61202013A JP60043435A JP4343585A JPS61202013A JP S61202013 A JPS61202013 A JP S61202013A JP 60043435 A JP60043435 A JP 60043435A JP 4343585 A JP4343585 A JP 4343585A JP S61202013 A JPS61202013 A JP S61202013A
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- Japan
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- temperature
- heater
- thyristor
- time
- vaporizer
- Prior art date
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- Pending
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-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
- F23N—REGULATING OR CONTROLLING COMBUSTION
- F23N5/00—Systems for controlling combustion
- F23N5/20—Systems for controlling combustion with a time program acting through electrical means, e.g. using time-delay relays
- F23N5/203—Systems for controlling combustion with a time program acting through electrical means, e.g. using time-delay relays using electronic means
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
- F23N—REGULATING OR CONTROLLING COMBUSTION
- F23N2237/00—Controlling
- F23N2237/14—Controlling burners with gasification or vaporizer elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Control Of Resistance Heating (AREA)
- Feeding And Controlling Fuel (AREA)
- Control Of Combustion (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[・発明の技術分野]
この発明は気化式石油ストーブの気化器ヒータ制御装置
に関する。
に関する。
[発明の技術的背景]
気化式石油ストーブは石油を気化させる気化器を設け、
油タンクから供給される石油を気化器で気化させて燃焼
用空気とともにバーナに送込み、燃焼させるようにして
いる。このようなストーブに使用される気化器は気化器
ヒータが埋設されており、この気化器ヒータによって加
熱されるようになっている。
油タンクから供給される石油を気化器で気化させて燃焼
用空気とともにバーナに送込み、燃焼させるようにして
いる。このようなストーブに使用される気化器は気化器
ヒータが埋設されており、この気化器ヒータによって加
熱されるようになっている。
従来、この気化器ヒータの制御は気化器の温度を温度検
出素子で検出し、その検出温度が第7図に示すように予
め設定された気化器温度T’C以下のときにはヒータと
直列に介挿された双方向性3端子サイ1ノスタをオン動
作してヒータをオンし、またT’Cを越えたときには双
方向性3@子サイリスタをオフ動作してヒータをオフす
ることによって行なわれていた。
出素子で検出し、その検出温度が第7図に示すように予
め設定された気化器温度T’C以下のときにはヒータと
直列に介挿された双方向性3端子サイ1ノスタをオン動
作してヒータをオンし、またT’Cを越えたときには双
方向性3@子サイリスタをオフ動作してヒータをオフす
ることによって行なわれていた。
[背景技術の問題点]
このようなヒータの制御用に使用されるサイリスタ1は
比較的大きな電流を制御するため発熱が大ぎく、このた
め第8図に示すように放熱器2に取付けられている。こ
のようなサイリスタ1の温度状態を見ると、第9図にa
で示すように予熱時には一定の連続時間オン動作されて
通電を行なうのでその温度はある程度高くなるが、気化
器の温度が設定温度T’Cに達した後はその温度T’C
を基準に比較的短い周期でオン、オフ動作をくり返すの
で、サイリスタの温度は第9図のbに示すようにおる温
度幅をもって安定するようになる。しかし、何等かの異
常、例えば温度検出素子の動作に異常が生じて気化器の
温度状態と関係なく、サイリスタ1のオン時間が長くな
り、オフ時間が短くなると、第9図のCに示すようにサ
イリスタ1の温度は上昇してしまう。また、温度検出素
子が常に低温状態を検出する方向に故障することがある
とこのとぎにはサイリスタ1が連続してオン状態となる
ため第9図に点線dで示すようにサイリスタ1の温度は
さらに急速に上昇することになる。
比較的大きな電流を制御するため発熱が大ぎく、このた
め第8図に示すように放熱器2に取付けられている。こ
のようなサイリスタ1の温度状態を見ると、第9図にa
で示すように予熱時には一定の連続時間オン動作されて
通電を行なうのでその温度はある程度高くなるが、気化
器の温度が設定温度T’Cに達した後はその温度T’C
を基準に比較的短い周期でオン、オフ動作をくり返すの
で、サイリスタの温度は第9図のbに示すようにおる温
度幅をもって安定するようになる。しかし、何等かの異
常、例えば温度検出素子の動作に異常が生じて気化器の
温度状態と関係なく、サイリスタ1のオン時間が長くな
り、オフ時間が短くなると、第9図のCに示すようにサ
イリスタ1の温度は上昇してしまう。また、温度検出素
子が常に低温状態を検出する方向に故障することがある
とこのとぎにはサイリスタ1が連続してオン状態となる
ため第9図に点線dで示すようにサイリスタ1の温度は
さらに急速に上昇することになる。
従って、従来ではこのような状態が発生してもサイリス
タの温度が最大許容温度を越えないように大きな放熱器
2を使用していた。このため、従来では大きな回路基板
を使用しなければならず、従って回路部を小ざくするこ
とができず、また使用する放熱器がコスト高となるなど
の問題があった。
タの温度が最大許容温度を越えないように大きな放熱器
2を使用していた。このため、従来では大きな回路基板
を使用しなければならず、従って回路部を小ざくするこ
とができず、また使用する放熱器がコスト高となるなど
の問題があった。
[発明の目的]
この発明はこのような問題を解決するために為されたも
ので、気化器ヒータへの通電を制御する半導体スイッチ
ング素子を取付ける放熱器を小さくでき、従って使用す
る回路基板を小さくできるとともにコスト低下を図るこ
とが2できる気化式石油ストーブの気化器ヒータ制御装
置を提供することを目的とする。
ので、気化器ヒータへの通電を制御する半導体スイッチ
ング素子を取付ける放熱器を小さくでき、従って使用す
る回路基板を小さくできるとともにコスト低下を図るこ
とが2できる気化式石油ストーブの気化器ヒータ制御装
置を提供することを目的とする。
[発明の概要]
この発明は、バーナに供給する石油を気化さぜる気化器
を加熱する気化器ヒータと、この気化器ヒータと電源と
の間に直列に介挿され、気化器ヒータへの通電を制御す
る半導体スイッチング素子と、気化器の温度を検出する
温度検出素子と、この温度検出素子が予め設定された所
定温度以下を検出すると半導体スイッチング素子をオン
動作し、また所定温度より高い温度を検出すると半導体
スイッチング素子をオフ動作する通電制御手段と、この
通電制御手段による半導体スイッチング素子のオン動作
時間をカウントするオンタイムカウンタと、このオンタ
イムカウンタのカウント時間が予め設定された半導体ス
イッチング素子の最大許容温度を基に設定された許容最
大連続通電時間を越えたとぎ半導体スイッチング素子を
強制的にオフ動作して気化器ヒータへの通電を停止制御
する通電停止制御手段とを設け、半導体スイッチング素
子への連続通電がその素子の最大許容温度を基に設定さ
れた許容最大連続通電時間を越えたときその素子を強制
的にオフ動作してそれ以上の温度上昇を阻止している。
を加熱する気化器ヒータと、この気化器ヒータと電源と
の間に直列に介挿され、気化器ヒータへの通電を制御す
る半導体スイッチング素子と、気化器の温度を検出する
温度検出素子と、この温度検出素子が予め設定された所
定温度以下を検出すると半導体スイッチング素子をオン
動作し、また所定温度より高い温度を検出すると半導体
スイッチング素子をオフ動作する通電制御手段と、この
通電制御手段による半導体スイッチング素子のオン動作
時間をカウントするオンタイムカウンタと、このオンタ
イムカウンタのカウント時間が予め設定された半導体ス
イッチング素子の最大許容温度を基に設定された許容最
大連続通電時間を越えたとぎ半導体スイッチング素子を
強制的にオフ動作して気化器ヒータへの通電を停止制御
する通電停止制御手段とを設け、半導体スイッチング素
子への連続通電がその素子の最大許容温度を基に設定さ
れた許容最大連続通電時間を越えたときその素子を強制
的にオフ動作してそれ以上の温度上昇を阻止している。
[発明の実施例コ
以下、この発明の実施例を図面を参照して説明する。
第1図は石油ストーブの概略構成を示すもので、油タン
ク11内の石油を電磁ポンプ12によって吸い上げて気
化器13へ供給している。前記気化器13は気化器ヒー
タ14を埋設し、その気化器ヒータ14で加熱されて供
給される石油を気化ざぜ、2ノズル15を介してバーナ
16に供給している。前記気化器13の温度は温度検出
素子としての負特性サーミスタ17で検出している。
ク11内の石油を電磁ポンプ12によって吸い上げて気
化器13へ供給している。前記気化器13は気化器ヒー
タ14を埋設し、その気化器ヒータ14で加熱されて供
給される石油を気化ざぜ、2ノズル15を介してバーナ
16に供給している。前記気化器13の温度は温度検出
素子としての負特性サーミスタ17で検出している。
第2図は気化器ヒータ14の制御回路で、交流電源21
に半導体スイッチング素子である双方向性3端子サイリ
スタ22を直列に介して前記気化器ヒータ14を接続し
ている。
に半導体スイッチング素子である双方向性3端子サイリ
スタ22を直列に介して前記気化器ヒータ14を接続し
ている。
また前記交流電源21にトランス23の一次巻線を接続
している。前記トランス23の二次巻線には仝波整流用
ダイオードブリッジ回路24の入力端子並びにダイオー
ド25.26かうなる全波整流回路の入力端子が接続さ
れている。前記ダイオードブリッジ回路24の出力端子
には平滑コンデンサ27が接続され、その平滑コンデン
サ27にNPN形の第1のトランジスタ28及び抵抗2
9を直列に介してパルストランス30の一次巻線を接続
している。前記パルストランス30の二次巻線はダイオ
ード31を介して前記サイリスタ22のゲート・端子間
に接続されている。なお、前記パルストランス30の一
次巻線にはサージ吸収用のダイオード32が並列に接続
され、前記第1のトランジスタ28のベース・エミッタ
間には抵抗33が接続されている。また、前記平滑コン
デンサ27にはNPN形の第2のトランジスタ34のコ
レクタ・ベースを介して第1の定電圧ダイオード35が
並列に接続されている。なお、前記第2のトランジスタ
34のコレクタ・ベース間には抵抗45が接続されてい
る。前記第2のトランジスタ34のエミッタ・ベースと
第1の定電圧ダイオード35との直列回路に第2の定電
圧ダイオード36と抵抗37との直列回路を並列に接続
している。前記第2の定電圧ダイオード36に前記負特
性サーミスタ17と抵抗38との直列回路を並列に接続
している。なお、前記第2のトランジスタ34のエミッ
タから+Vc電圧を出力している。
している。前記トランス23の二次巻線には仝波整流用
ダイオードブリッジ回路24の入力端子並びにダイオー
ド25.26かうなる全波整流回路の入力端子が接続さ
れている。前記ダイオードブリッジ回路24の出力端子
には平滑コンデンサ27が接続され、その平滑コンデン
サ27にNPN形の第1のトランジスタ28及び抵抗2
9を直列に介してパルストランス30の一次巻線を接続
している。前記パルストランス30の二次巻線はダイオ
ード31を介して前記サイリスタ22のゲート・端子間
に接続されている。なお、前記パルストランス30の一
次巻線にはサージ吸収用のダイオード32が並列に接続
され、前記第1のトランジスタ28のベース・エミッタ
間には抵抗33が接続されている。また、前記平滑コン
デンサ27にはNPN形の第2のトランジスタ34のコ
レクタ・ベースを介して第1の定電圧ダイオード35が
並列に接続されている。なお、前記第2のトランジスタ
34のコレクタ・ベース間には抵抗45が接続されてい
る。前記第2のトランジスタ34のエミッタ・ベースと
第1の定電圧ダイオード35との直列回路に第2の定電
圧ダイオード36と抵抗37との直列回路を並列に接続
している。前記第2の定電圧ダイオード36に前記負特
性サーミスタ17と抵抗38との直列回路を並列に接続
している。なお、前記第2のトランジスタ34のエミッ
タから+Vc電圧を出力している。
前記ダイオード25.26からなる全波整流回路の出力
端子に抵抗39.40の直列回路を接続し、その抵抗3
9.40の接続点をNPN形の第3のトランジスタ41
のベースに接続している。
端子に抵抗39.40の直列回路を接続し、その抵抗3
9.40の接続点をNPN形の第3のトランジスタ41
のベースに接続している。
前記第3のトランジスタ41は+Vc電圧源に抵抗42
を介してそのコレクタ・エミッタが接続されている。
を介してそのコレクタ・エミッタが接続されている。
また、前記+■0電圧源にマイクロコンピュータ43を
接続している。そしてそのマイクロコンピュータ43の
入力端子Ioに前記第3のトランジスタ41のコレクタ
を接続し、入力端子11に前記サーミスタ17と抵抗3
8との接続点を接続し、入力端子VHに前記第2の定電
圧ダイオード36のアノードを接続し、かつ出力端子O
oに前記第1のトランジスタ28のベースを抵抗44を
介して接続している。
接続している。そしてそのマイクロコンピュータ43の
入力端子Ioに前記第3のトランジスタ41のコレクタ
を接続し、入力端子11に前記サーミスタ17と抵抗3
8との接続点を接続し、入力端子VHに前記第2の定電
圧ダイオード36のアノードを接続し、かつ出力端子O
oに前記第1のトランジスタ28のベースを抵抗44を
介して接続している。
前記双方向性3端子サイリスタ22は第3図に氷すよう
に放熱器46に取付けられている。
に放熱器46に取付けられている。
前記マイクロコンピュータ43にはCPU (中央処理
装置)、ROM(リード・オンリー・メモリ)、RAM
(ランダム・アクセス・メモリ)、A/D変換器を有す
るI10ポート、基準クロック発生器などが設けられ、
前記CPUによってROMのプログラムデータに基づい
てRAMや■10ポートの制御が行われるようになって
いる。前記RAMには第4図に示すようにヒータのオン
時間をカウントするオン時間カウンタT1、ヒータのオ
フ時間をカウントするオフ時間カウンタCT2、予め設
定された基準時間をカウントするサイクルタイマCY、
前記サイリスタ22の最大許容温度を基に設定された許
容最大連続通電時間に対応したカウント値MOを格納し
た第1の時間メモリTM1、ヒータの許容最小連続通電
時間に対応したカウント値M1を格納した第2の時間メ
モーリTM2などが設けられている。
装置)、ROM(リード・オンリー・メモリ)、RAM
(ランダム・アクセス・メモリ)、A/D変換器を有す
るI10ポート、基準クロック発生器などが設けられ、
前記CPUによってROMのプログラムデータに基づい
てRAMや■10ポートの制御が行われるようになって
いる。前記RAMには第4図に示すようにヒータのオン
時間をカウントするオン時間カウンタT1、ヒータのオ
フ時間をカウントするオフ時間カウンタCT2、予め設
定された基準時間をカウントするサイクルタイマCY、
前記サイリスタ22の最大許容温度を基に設定された許
容最大連続通電時間に対応したカウント値MOを格納し
た第1の時間メモリTM1、ヒータの許容最小連続通電
時間に対応したカウント値M1を格納した第2の時間メ
モーリTM2などが設けられている。
前記マイクロコンピュータ43のCPUは第5図に示す
プログラム制御を行なう。先ず、オン時間カウンタCT
1をリセットしオンタイムをクリアする。またオフ時間
カウンタCT2をリセットしオフタイムをクリアする。
プログラム制御を行なう。先ず、オン時間カウンタCT
1をリセットしオンタイムをクリアする。またオフ時間
カウンタCT2をリセットしオフタイムをクリアする。
続いて入力端子■1の入力によって気化器13の温度が
その保持温度であるT°C以下になっているか否かを判
断する。
その保持温度であるT°C以下になっているか否かを判
断する。
そしてT℃以下であれば出力端子00にパルス信号を出
力してヒータのオン制御を行ない、かつオフ時間カウン
タCT2をリセットする。続いてサイクルタイマCY=
1か否かを判断する。CY−1であれば基準時間が経過
したと判断してオン時間カウンタCT1を+1インクリ
メントしてサイクルタイマCYをゼロクリアする。また
、CY=Oであればこの処理をパスする。続いてオン時
間カウンタCTrのオンタイムカウント1直が第1の時
間メモリTM1に格納されているカウント値Moよりも
大きいか否かを判断する。そしてカウント値Mo以下で
あればルーチンを気化器13の温度判断に戻す。またカ
ウント値Moよりも大きければ異常有りと判断して出力
端子00へのパルス信号の出力を強制的に禁止し、かつ
ス1−一ブの消火制御を行なう。
力してヒータのオン制御を行ない、かつオフ時間カウン
タCT2をリセットする。続いてサイクルタイマCY=
1か否かを判断する。CY−1であれば基準時間が経過
したと判断してオン時間カウンタCT1を+1インクリ
メントしてサイクルタイマCYをゼロクリアする。また
、CY=Oであればこの処理をパスする。続いてオン時
間カウンタCTrのオンタイムカウント1直が第1の時
間メモリTM1に格納されているカウント値Moよりも
大きいか否かを判断する。そしてカウント値Mo以下で
あればルーチンを気化器13の温度判断に戻す。またカ
ウント値Moよりも大きければ異常有りと判断して出力
端子00へのパルス信号の出力を強制的に禁止し、かつ
ス1−一ブの消火制御を行なう。
また、前記気化器13の温度判断において気化器13の
温度がT℃を越えていると判断したときには出力端子0
(lへのパルス信号の出力を停止してヒータのオフ制御
を行ない、かつオン時間カウンタCTIをリセットする
。続いてサイクルタイマCY=1か否かを判断する。C
Y=1であれば基準時間が経過したと判断してオフ時間
カウンタCT2を+1インクリメントしてサイクルタイ
マCYをゼロクリアする。また、CY=Oであればこの
処理をバスする。続いて再度入力端子■1からの入力に
よって気化器13の温度を判断し、気化器13の温度が
まだT’Cを越えていると判断したときには再度ヒータ
のオフ制御、オン時間カウンタCT1のリセット制御、
サイクルタイマCYの判断、気化器13の温度判断をく
り返し行なう。
温度がT℃を越えていると判断したときには出力端子0
(lへのパルス信号の出力を停止してヒータのオフ制御
を行ない、かつオン時間カウンタCTIをリセットする
。続いてサイクルタイマCY=1か否かを判断する。C
Y=1であれば基準時間が経過したと判断してオフ時間
カウンタCT2を+1インクリメントしてサイクルタイ
マCYをゼロクリアする。また、CY=Oであればこの
処理をバスする。続いて再度入力端子■1からの入力に
よって気化器13の温度を判断し、気化器13の温度が
まだT’Cを越えていると判断したときには再度ヒータ
のオフ制御、オン時間カウンタCT1のリセット制御、
サイクルタイマCYの判断、気化器13の温度判断をく
り返し行なう。
この処理で気化器13の温度がT”C以下になったと判
断すると次にオフ時間カウンタCT2のオフタイムカウ
ント値が第2の時間メモリTM2に格納されているカウ
ント値M1よりも大きいか否かを判断する。そしてカウ
ント値M1より大きければルーチンをヒータのオン制御
に戻す。またカウント値M1以下でおれば異常有りと判
断してヒータのオン制御を行なうことなくスト−ブの消
火制御を行なう。
断すると次にオフ時間カウンタCT2のオフタイムカウ
ント値が第2の時間メモリTM2に格納されているカウ
ント値M1よりも大きいか否かを判断する。そしてカウ
ント値M1より大きければルーチンをヒータのオン制御
に戻す。またカウント値M1以下でおれば異常有りと判
断してヒータのオン制御を行なうことなくスト−ブの消
火制御を行なう。
このような構成の本発明実施例においてはダイオード2
5.26のアノードには仝波整流波形が出力され、これ
によって第3のトランジスタ41が金波波形の略ゼロボ
ルト付近でオフ動作される。
5.26のアノードには仝波整流波形が出力され、これ
によって第3のトランジスタ41が金波波形の略ゼロボ
ルト付近でオフ動作される。
しかして、マイクロコンピュータ43の入力端子Inに
はゼロクロス検出信号が入力される。一方、マイクロコ
ンピュータ43の入力端子VRには第2の定電圧ダイオ
ード36の両端間電圧がA/D変換の基準電圧として入
力され、かつ入力端子11には負特性サーミスタ17の
両端間電圧が入力される。これによりマイクロコンピュ
ータ43は入力端子VRへの入力電圧と入力端子■1へ
の入力電圧との比から気化器13の温度状態を判別する
。そして気化器13の温度が保持温度T’C以下でおれ
ば入力端子Ioに入力されるゼロクロス検出信号に同期
したパルス信号を出力端子Oaに出力する。こうして第
1のトランジスタ28が交流波形がゼロクロスするタイ
ミングでオン動作され、それによってパルストランス3
0の二次巻線にパルス電圧が発生し、サイリスタ22が
オン動作される。こうしてサイリスタ22は交流波形が
ゼロクロスするタイミングでゼロクロススイッチング動
作され、気化器ヒータ14に対して通電制御を行なう。
はゼロクロス検出信号が入力される。一方、マイクロコ
ンピュータ43の入力端子VRには第2の定電圧ダイオ
ード36の両端間電圧がA/D変換の基準電圧として入
力され、かつ入力端子11には負特性サーミスタ17の
両端間電圧が入力される。これによりマイクロコンピュ
ータ43は入力端子VRへの入力電圧と入力端子■1へ
の入力電圧との比から気化器13の温度状態を判別する
。そして気化器13の温度が保持温度T’C以下でおれ
ば入力端子Ioに入力されるゼロクロス検出信号に同期
したパルス信号を出力端子Oaに出力する。こうして第
1のトランジスタ28が交流波形がゼロクロスするタイ
ミングでオン動作され、それによってパルストランス3
0の二次巻線にパルス電圧が発生し、サイリスタ22が
オン動作される。こうしてサイリスタ22は交流波形が
ゼロクロスするタイミングでゼロクロススイッチング動
作され、気化器ヒータ14に対して通電制御を行なう。
気化器ヒータ14への通電が開始されるとオフ時間カウ
ンタCT2がリセットされるとともにオン時間カウンタ
CT1がサイクルタイマCYが基準時間をカウントする
回数をカウントする。そしてこのカウント値が第1の時
間メモリTMIのカウント値Moを越える前に気化器1
3の温度がT℃を越えたと判断されると出力端子Ooか
らのパルス信号の出力が停止され、第1のトランジスタ
28がオフ状態に保持される。しかしてサイリスタ22
は次の半サイクルでオフ動作され、気化器ヒータ14へ
の通電が停止される。
ンタCT2がリセットされるとともにオン時間カウンタ
CT1がサイクルタイマCYが基準時間をカウントする
回数をカウントする。そしてこのカウント値が第1の時
間メモリTMIのカウント値Moを越える前に気化器1
3の温度がT℃を越えたと判断されると出力端子Ooか
らのパルス信号の出力が停止され、第1のトランジスタ
28がオフ状態に保持される。しかしてサイリスタ22
は次の半サイクルでオフ動作され、気化器ヒータ14へ
の通電が停止される。
そしてオン時間カウンタC丁1かリセットされるととも
にオフ時間カウンタC丁2がサイクルタイマCYが基準
時間をカウントする回数をカウントする。そしてこのカ
ウント値が第2の時間メモリTM2のカウント値M1を
越えてから気化器13の温度がT″CC以下ると出力端
子OOから再度パルス信号が出力されてサイリスタ22
がゼロクロススイッチング動作され、気化器ヒータ14
への通電が行われる。このような正常動作を行なってい
るときのサイリスタ22の温度状態を見ると、最初の予
熱時では第6図の′aに示すように気化器13の温度が
低温状態から温度T’Cに達するまでサイリスタ22を
オン動作しなければならす、従ってサイリスタ22のオ
ン時間が比較的長くサイリスタ22の温度はある程度上
昇する。しかしこの温度上昇は最大許容温度に比べてか
なり低くなっている。その後気化器13の温度変化に応
じてサイリスタ22は比較的短い時間でオン、オフをく
り返すので、サイリスタ22の温度は第6図のbに示す
ように低い状態に保持される。なお、この場合前述した
従来のサイリスタの温度状g/第9徊のb)に比べてそ
の温度が若干高くなっているのは従来に比べて放熱器4
6を小さくしているためでおる。
にオフ時間カウンタC丁2がサイクルタイマCYが基準
時間をカウントする回数をカウントする。そしてこのカ
ウント値が第2の時間メモリTM2のカウント値M1を
越えてから気化器13の温度がT″CC以下ると出力端
子OOから再度パルス信号が出力されてサイリスタ22
がゼロクロススイッチング動作され、気化器ヒータ14
への通電が行われる。このような正常動作を行なってい
るときのサイリスタ22の温度状態を見ると、最初の予
熱時では第6図の′aに示すように気化器13の温度が
低温状態から温度T’Cに達するまでサイリスタ22を
オン動作しなければならす、従ってサイリスタ22のオ
ン時間が比較的長くサイリスタ22の温度はある程度上
昇する。しかしこの温度上昇は最大許容温度に比べてか
なり低くなっている。その後気化器13の温度変化に応
じてサイリスタ22は比較的短い時間でオン、オフをく
り返すので、サイリスタ22の温度は第6図のbに示す
ように低い状態に保持される。なお、この場合前述した
従来のサイリスタの温度状g/第9徊のb)に比べてそ
の温度が若干高くなっているのは従来に比べて放熱器4
6を小さくしているためでおる。
また、負特性サーミスタ17の温度特性に異常が生じて
もサイリスタ220オン動作時間に対応するオン時間カ
ウンタCTIのカウント値が第1の時間メモリTfVh
のカウント値M(l以下であり、かつサイリスタ22の
オフ動作時間に対応するオフ時間カウンタCT2のカウ
ント値が第2の時間メモリTM2のカウント値M1より
大きければサイリスタ22の温度は第6図のCに示すよ
うに変化する。しかして、このときの最大温度がサイリ
スタ22の最大許容温度以下になるように放熱器46の
大きさを決めればよい。このようにサイリスタ22の許
容最大連続通電時間と許容最小連続非通電時間と最大許
容温度との関係で放熱器46の大きさを決めることがで
きるので、放熱器46の大きざを最小限に設定でき、従
来に比べてかなり小さくできる。従って、その弁回路基
板も小さくでき、かつコスト低下を図ることができる。
もサイリスタ220オン動作時間に対応するオン時間カ
ウンタCTIのカウント値が第1の時間メモリTfVh
のカウント値M(l以下であり、かつサイリスタ22の
オフ動作時間に対応するオフ時間カウンタCT2のカウ
ント値が第2の時間メモリTM2のカウント値M1より
大きければサイリスタ22の温度は第6図のCに示すよ
うに変化する。しかして、このときの最大温度がサイリ
スタ22の最大許容温度以下になるように放熱器46の
大きさを決めればよい。このようにサイリスタ22の許
容最大連続通電時間と許容最小連続非通電時間と最大許
容温度との関係で放熱器46の大きさを決めることがで
きるので、放熱器46の大きざを最小限に設定でき、従
来に比べてかなり小さくできる。従って、その弁回路基
板も小さくでき、かつコスト低下を図ることができる。
さらに、負特性サーミスタ17の特性異常や断線などに
よってサイリスタ22が許容最大連続通電時間よりも長
く通電されることがあると、このときにはサイリスタ2
2が直ちにオフ動作されてヒータ14への通電が停止さ
れ、消火が行われる。
よってサイリスタ22が許容最大連続通電時間よりも長
く通電されることがあると、このときにはサイリスタ2
2が直ちにオフ動作されてヒータ14への通電が停止さ
れ、消火が行われる。
こうしてサイリスタ22が異常加熱されるのを防止し、
サイリスタ22が破壊されるのを防止する。
サイリスタ22が破壊されるのを防止する。
また、サイリスタ22が許容最小連続非通電時間よりも
短い時間しかオフ動作されないことがあると、このとぎ
にはサイリスタ22のオフ状態がそのまま保持されて消
火が行われる。こうしてサイリスタ22が充分に冷却さ
れる時間がなく、そのために異常加熱されるのを防止し
、サイリスタ22が破壊されるのを防止する。
短い時間しかオフ動作されないことがあると、このとぎ
にはサイリスタ22のオフ状態がそのまま保持されて消
火が行われる。こうしてサイリスタ22が充分に冷却さ
れる時間がなく、そのために異常加熱されるのを防止し
、サイリスタ22が破壊されるのを防止する。
なお、前記実施例においてはサイリスタのオフ時間が許
容最小連続非通電時間よりも短い場合にも気化器ヒータ
14をオフ制御して消火動作を行なうようにしたが必ず
しもこれに限定されるものではなく、サイリスタのオン
動作時間が許容最大連続通電時間よりも長い場合にのみ
気化器ヒータ14をオフ制御して消火動作を行なうもの
であってもよい。
容最小連続非通電時間よりも短い場合にも気化器ヒータ
14をオフ制御して消火動作を行なうようにしたが必ず
しもこれに限定されるものではなく、サイリスタのオン
動作時間が許容最大連続通電時間よりも長い場合にのみ
気化器ヒータ14をオフ制御して消火動作を行なうもの
であってもよい。
また、前記実施例では温度検出素子として負特性サーミ
スタを使用したが必ずしもこれに限定されるものでない
のは勿論である。また、前記実施例では半導体スイッチ
ング素子として双方向性3端子サイリスタを使用したが
必ずしもこれに限定されるものでないのは勿論である。
スタを使用したが必ずしもこれに限定されるものでない
のは勿論である。また、前記実施例では半導体スイッチ
ング素子として双方向性3端子サイリスタを使用したが
必ずしもこれに限定されるものでないのは勿論である。
[発明の効果コ
以上詳述したようにこの発明によれば、気化器ヒータへ
の通電を制御する半導体スイッチング素子を取付ける放
熱器を小ざくでき、従って使用する回路基板を小さくで
きるとともにコスト低下を図ることができる気化式石油
ストーブの気化器ヒータ制御装置を提供できるものであ
る。
の通電を制御する半導体スイッチング素子を取付ける放
熱器を小ざくでき、従って使用する回路基板を小さくで
きるとともにコスト低下を図ることができる気化式石油
ストーブの気化器ヒータ制御装置を提供できるものであ
る。
第1図〜第6図はこの発明の実施例を示すもので、第1
図は気化式石油ストーブの概略構成図、第2図は気化器
ヒータの制御回路図、第3図は双方向性3端子サイリス
タを放熱器に取付けた状態を示す斜視図、第4図はマイ
クロコンピュータにおレブるRAMの主なメモリ構成を
示す図、第5図はマイクロコンピュータのCPLJによ
るヒータ制御を示す流れ図、第6図はサイリスタ温度の
変化特性を示すグラフ、第7図〜第9図は従来例を示す
もので、第7図はヒータ制御を示す流れ図、第8図は双
方向性3端子サイリスタを放熱器に取付けた状態を示す
斜視図、第9図はサイリスタ温度の変化特性を示すグラ
フである。 13・・・気化器、14・・・気化器ヒータ、16・・
・バーナ、17・・・負特性サーミスタ(温度検出素子
)、22・・・双方向性3端子サイリスタ(半導体スイ
ッチング素子)、28・・・第1のトランジスタ、30
・・・パルストランス、43・・・マイクロコンピュー
タ、46・・・放熱器、CT1・・・オン時間カウンタ
、CY・・・サイクルタイマ、TMI・・・第1の時間
メモリ。
図は気化式石油ストーブの概略構成図、第2図は気化器
ヒータの制御回路図、第3図は双方向性3端子サイリス
タを放熱器に取付けた状態を示す斜視図、第4図はマイ
クロコンピュータにおレブるRAMの主なメモリ構成を
示す図、第5図はマイクロコンピュータのCPLJによ
るヒータ制御を示す流れ図、第6図はサイリスタ温度の
変化特性を示すグラフ、第7図〜第9図は従来例を示す
もので、第7図はヒータ制御を示す流れ図、第8図は双
方向性3端子サイリスタを放熱器に取付けた状態を示す
斜視図、第9図はサイリスタ温度の変化特性を示すグラ
フである。 13・・・気化器、14・・・気化器ヒータ、16・・
・バーナ、17・・・負特性サーミスタ(温度検出素子
)、22・・・双方向性3端子サイリスタ(半導体スイ
ッチング素子)、28・・・第1のトランジスタ、30
・・・パルストランス、43・・・マイクロコンピュー
タ、46・・・放熱器、CT1・・・オン時間カウンタ
、CY・・・サイクルタイマ、TMI・・・第1の時間
メモリ。
Claims (1)
- バーナに供給する石油を気化させる気化器を加熱する気
化器ヒータと、この気化器ヒータと電源との間に直列に
介挿され、前記気化器ヒータへの通電を制御する半導体
スイッチング素子と、前記気化器の温度を検出する温度
検出素子と、この温度検出素子が予め設定された所定温
度以下を検出すると前記半導体スイッチング素子をオン
動作し、また所定温度より高い温度を検出すると前記半
導体スイッチング素子をオフ動作する通電制御手段と、
この通電制御手段による前記半導体スイッチング素子の
オン動作時間をカウントするオンタイムカウンタと、こ
のオンタイムカウンタのカウント時間が予め設定された
前記半導体スイッチング素子の最大許容温度を基に設定
された許容最大連続通電時間を越えたとき前記半導体ス
イッチング素子を強制的にオフ動作して前記気化器ヒー
タへの通電を停止制御する通電停止制御手段とを設けた
ことを特徴とする気化式石油ストーブの気化器ヒータ制
御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60043435A JPS61202013A (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 | 気化式石油スト−ブの気化器ヒ−タ制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60043435A JPS61202013A (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 | 気化式石油スト−ブの気化器ヒ−タ制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61202013A true JPS61202013A (ja) | 1986-09-06 |
Family
ID=12663616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60043435A Pending JPS61202013A (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 | 気化式石油スト−ブの気化器ヒ−タ制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61202013A (ja) |
-
1985
- 1985-03-05 JP JP60043435A patent/JPS61202013A/ja active Pending
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