JPS6120318A - 縦型拡散炉 - Google Patents
縦型拡散炉Info
- Publication number
- JPS6120318A JPS6120318A JP14039684A JP14039684A JPS6120318A JP S6120318 A JPS6120318 A JP S6120318A JP 14039684 A JP14039684 A JP 14039684A JP 14039684 A JP14039684 A JP 14039684A JP S6120318 A JPS6120318 A JP S6120318A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- boat
- sub
- core
- quartz tube
- crystal tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体ウェハーを熱処理する縦型拡散炉に関す
る。
る。
近年、半導体ウェーハが大口径化し、6インチ以上のつ
l−ハも用いられてさらに大口径化されようとしている
。大口径のつI−八を熱処理する場合には、その拡散炉
の炉心管も太くする必要がある。このように炉心管が太
くなると、炉心管を横に置く横型拡散炉の場合、炉心管
が自重により変形Jるおそれがある。また、横型拡散炉
ではダストレベルを低くするため半導体ウェハーを収納
したボートを炉心管にソフトランディングする装置が必
要て゛ある。このため、炉心管の自重による変形が少な
く、ソフトランディング装置の不要な縦型拡散炉が、大
口径の半導体ウェーへの炉として有望である。
l−ハも用いられてさらに大口径化されようとしている
。大口径のつI−八を熱処理する場合には、その拡散炉
の炉心管も太くする必要がある。このように炉心管が太
くなると、炉心管を横に置く横型拡散炉の場合、炉心管
が自重により変形Jるおそれがある。また、横型拡散炉
ではダストレベルを低くするため半導体ウェハーを収納
したボートを炉心管にソフトランディングする装置が必
要て゛ある。このため、炉心管の自重による変形が少な
く、ソフトランディング装置の不要な縦型拡散炉が、大
口径の半導体ウェーへの炉として有望である。
第12図に従来の縦型拡散炉を示す。基本的には横型拡
散炉を縦にした構造であり、炉心管である石英管1の周
囲に加熱部である抵抗加熱ヒータ2が設りられている。
散炉を縦にした構造であり、炉心管である石英管1の周
囲に加熱部である抵抗加熱ヒータ2が設りられている。
半導体ウェーハを収納したボート3は、駆動部4により
駆動され、石英管1の下端の開口部から挿入される。
駆動され、石英管1の下端の開口部から挿入される。
抵抗加熱ヒータ2により石英管1が800〜1000℃
の高温に加熱され、石英管1の中央付近は拘熱領域で±
1℃以下の誤差範囲で制御される。しかし石英管1の開
口部を離れると急激に温度が下降する。かかる温度分布
を第13図に示1゜炉に半導体ウェーハを収納しl〔ボ
ート3を挿入する速度は、半導体ウェーハの反りや結晶
欠陥が発生しないような速度でな(ブればならない。こ
の速度はウェーへの口径が大きくなればなるほど遅くす
る必要がある。。ウェーハは通常ボートの進行方向と垂
直に置かれるが、炉から出し入れする場合、ウェーハ周
辺の温度変化が先行し、中心部との間に温度差を生ずる
。この温度差は、ウェーハの口径が大きくなればなるほ
ど大ぎくなり、それだけゆっくりと出し入れする必要が
ある。
の高温に加熱され、石英管1の中央付近は拘熱領域で±
1℃以下の誤差範囲で制御される。しかし石英管1の開
口部を離れると急激に温度が下降する。かかる温度分布
を第13図に示1゜炉に半導体ウェーハを収納しl〔ボ
ート3を挿入する速度は、半導体ウェーハの反りや結晶
欠陥が発生しないような速度でな(ブればならない。こ
の速度はウェーへの口径が大きくなればなるほど遅くす
る必要がある。。ウェーハは通常ボートの進行方向と垂
直に置かれるが、炉から出し入れする場合、ウェーハ周
辺の温度変化が先行し、中心部との間に温度差を生ずる
。この温度差は、ウェーハの口径が大きくなればなるほ
ど大ぎくなり、それだけゆっくりと出し入れする必要が
ある。
また温度勾配が急であればそれだけ出し入れの速度はゆ
っくりとしなければならない。温度勾配をゆるやかにす
るには炉心管である石英管の長さを長くすればよいが、
縦型拡散炉では、クリーンルームの天井の高さに限度が
あるため、石英管をそれほど長くすることはできない。
っくりとしなければならない。温度勾配をゆるやかにす
るには炉心管である石英管の長さを長くすればよいが、
縦型拡散炉では、クリーンルームの天井の高さに限度が
あるため、石英管をそれほど長くすることはできない。
また長くなるとボートの移動距離が長くなり、ボートの
出し入れの時間が長くなってしまう。また温度勾配が急
で挿入速度が遅いと、開口部付近の外気の影響を受け、
ウェーハのフラットバンドボルテージvFBの変動等、
ウェーハ特性が変化するという問題があった。
出し入れの時間が長くなってしまう。また温度勾配が急
で挿入速度が遅いと、開口部付近の外気の影響を受け、
ウェーハのフラットバンドボルテージvFBの変動等、
ウェーハ特性が変化するという問題があった。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、炉心部の
長さを長くすることはなく、ゆるやかな温度勾配が実現
でき、ウェーハのそりやスリップの発生が防止できる縦
型拡散炉を提供することを目的とする。
長さを長くすることはなく、ゆるやかな温度勾配が実現
でき、ウェーハのそりやスリップの発生が防止できる縦
型拡散炉を提供することを目的とする。
この発明を達成するために本発明による縦型拡散炉は、
ボート部を包囲し、炉心部の開口端より挿入され、上下
移動可能な副炉心部と、この副炉心部を駆動するa1炉
心駆動部とを備えたことを特徴とする。
ボート部を包囲し、炉心部の開口端より挿入され、上下
移動可能な副炉心部と、この副炉心部を駆動するa1炉
心駆動部とを備えたことを特徴とする。
本発明の一実施例′による縦型拡散炉を第1図に示1゜
炉心管である石英管11は、開口端を下側に設置される
。この石英管11の周囲には抵抗加熱モータ12が設け
られている。半導体ウェーハが多数収納されたボート1
3は、石英管11の開口端の下に位置している。このボ
ート13はボート駆動装置114により、上下に移動で
きるようになっている。この縦型拡散炉の特徴は、石英
管11内を上下移動可能な副石英管15を備えている点
である。この副石英管15は副石英管駆動装置16によ
り、ボート13とは独立に上下移動することが可能であ
る。本実施例では石英管11および副石英管15の長さ
を600mとし、ボート13を320aとする。ウェー
ハを4.76amピッチで並べるとすれば、最大688
枚セラ−7することができる。
炉心管である石英管11は、開口端を下側に設置される
。この石英管11の周囲には抵抗加熱モータ12が設け
られている。半導体ウェーハが多数収納されたボート1
3は、石英管11の開口端の下に位置している。このボ
ート13はボート駆動装置114により、上下に移動で
きるようになっている。この縦型拡散炉の特徴は、石英
管11内を上下移動可能な副石英管15を備えている点
である。この副石英管15は副石英管駆動装置16によ
り、ボート13とは独立に上下移動することが可能であ
る。本実施例では石英管11および副石英管15の長さ
を600mとし、ボート13を320aとする。ウェー
ハを4.76amピッチで並べるとすれば、最大688
枚セラ−7することができる。
この縦型拡散炉の使用方法の一興体例を第2図に示す。
まず副石英管15を石英管11内に収納した位置で抵抗
加熱ヒータ12によりこれら石英管11.12を加熱す
る。半導体ウェーハをボート13に収納し、石英管11
と副石英管12の開口部の下にセットする(第2図(a
))。次に副石英管15を、ボート13を包囲する位置
まで下ケル(tl’+2図(b))。このとき副石英管
12内を高純度ガスで満たし、低い温度にすることが可
能である。したがって副石英管12を下げる場合、高速
で下げても、低温であるので熱歪による結晶欠陥は発生
しない。なぎならウェーへの強度は低温になると飛躍的
に増加するためである。またウェーハを短時間で高純度
ガス雰囲気中に保持できる。
加熱ヒータ12によりこれら石英管11.12を加熱す
る。半導体ウェーハをボート13に収納し、石英管11
と副石英管12の開口部の下にセットする(第2図(a
))。次に副石英管15を、ボート13を包囲する位置
まで下ケル(tl’+2図(b))。このとき副石英管
12内を高純度ガスで満たし、低い温度にすることが可
能である。したがって副石英管12を下げる場合、高速
で下げても、低温であるので熱歪による結晶欠陥は発生
しない。なぎならウェーへの強度は低温になると飛躍的
に増加するためである。またウェーハを短時間で高純度
ガス雰囲気中に保持できる。
第2図(b)における温度分布は、石英餘11を延長し
た場合とばば同じになり、第3図に丞すにうなゆるやか
な温度勾配を示す。次にボート13を徐々に上げていく
(第2図(C))が、温度勾配がゆるやかなため比較的
速く上げることがぐきる。ボート13が石英管11内に
入ると、そこで所定時間も熱処理がおこなわれる(第2
図(d))。
た場合とばば同じになり、第3図に丞すにうなゆるやか
な温度勾配を示す。次にボート13を徐々に上げていく
(第2図(C))が、温度勾配がゆるやかなため比較的
速く上げることがぐきる。ボート13が石英管11内に
入ると、そこで所定時間も熱処理がおこなわれる(第2
図(d))。
熱処理が終わり、ボート13を出J揚含、逆に第2図(
b)から第2図(ε1)の順に制御Jればよい。ボート
13が下っても副石英管15ぐ包囲されているので、温
度変化が急激で% <、かつ高純度ガス雰囲気中でV混
返くまぐ冷却Jることb可能どなる。
b)から第2図(ε1)の順に制御Jればよい。ボート
13が下っても副石英管15ぐ包囲されているので、温
度変化が急激で% <、かつ高純度ガス雰囲気中でV混
返くまぐ冷却Jることb可能どなる。
次にこの縦型拡散炉の使用方法の他の貝体例を第4図に
示す。まず副石英管15を石英管11内に収納した位置
で抵抗加熱モータ12により、これら石英管11.12
を加熱する。半導体ウェーハをボート13に収納し、石
英管11と副石英管15の開口部の下にセットする(第
4図(a))。
示す。まず副石英管15を石英管11内に収納した位置
で抵抗加熱モータ12により、これら石英管11.12
を加熱する。半導体ウェーハをボート13に収納し、石
英管11と副石英管15の開口部の下にセットする(第
4図(a))。
次にDj石英管15を、ボート13を包囲する位置まで
下げる(第4図(b))。このときの温度分布は第3図
のようになる。次にボート13を徐々に上げていくわけ
であるが、本具体例では副石英管15も同時に上げてい
く(第4図(C))。副石英管15を同時に上げること
により、ボルト13の熱容量を実質的に増し、高速移動
した際の温度変化をゆるやかにできる。ボート13と陣
1石英管15が石英管11内に入ると、そこで所定時間
熱処理がおこなわれる(第4図(d))。熱処理が終わ
り、ボート13を出す場合は、逆に第4図(d)から第
4図(a)の順に制御する。なお、副石英管15の移動
速度は、ボート13の移動速度、副石英管15およびボ
ート13の熱容量に応じて変化させてもよい。
下げる(第4図(b))。このときの温度分布は第3図
のようになる。次にボート13を徐々に上げていくわけ
であるが、本具体例では副石英管15も同時に上げてい
く(第4図(C))。副石英管15を同時に上げること
により、ボルト13の熱容量を実質的に増し、高速移動
した際の温度変化をゆるやかにできる。ボート13と陣
1石英管15が石英管11内に入ると、そこで所定時間
熱処理がおこなわれる(第4図(d))。熱処理が終わ
り、ボート13を出す場合は、逆に第4図(d)から第
4図(a)の順に制御する。なお、副石英管15の移動
速度は、ボート13の移動速度、副石英管15およびボ
ート13の熱容量に応じて変化させてもよい。
副石英管15の形状は種々の弯形がrI■能である。
例えば第5図に示すように副石英管15の内側にI艮の
突起物17を設けてもよい。これにより副も英管15内
の高純度ガス流の流れがスムーズになる。また第6図の
示すように副石英管15の内側にリング18を複数本設
けてもよい。これによりガス流を変化させて均一化を図
っている。また第7図に示すように螺旋状の帯19を副
石英管15の内側の流れるガス流が螺旋状の軌道を描い
て流れ、熱の均一化が図れるとともに、ガスが均一に供
給される。また2種類のガスを用いた場合、速やかに均
質な混合かできる。また第8図に示すように副石英管1
5の外側に、螺旋状の帯20を設【プてもよい。これに
より副石英管15と石英管11の間のガス流を制御する
ことができる。
突起物17を設けてもよい。これにより副も英管15内
の高純度ガス流の流れがスムーズになる。また第6図の
示すように副石英管15の内側にリング18を複数本設
けてもよい。これによりガス流を変化させて均一化を図
っている。また第7図に示すように螺旋状の帯19を副
石英管15の内側の流れるガス流が螺旋状の軌道を描い
て流れ、熱の均一化が図れるとともに、ガスが均一に供
給される。また2種類のガスを用いた場合、速やかに均
質な混合かできる。また第8図に示すように副石英管1
5の外側に、螺旋状の帯20を設【プてもよい。これに
より副石英管15と石英管11の間のガス流を制御する
ことができる。
また副石英管15、ボート13を上下移動するたりてな
く、回転させるようにしてもよい。これにより熱の均一
化、混合ガスの均質化等がさらに改善される。
く、回転させるようにしてもよい。これにより熱の均一
化、混合ガスの均質化等がさらに改善される。
また副石英管15の断面形状を、第9図に示すような4
角形状等他の形状でもよい。また4角形状の閉じた管の
かわりに、第11図に示すように4枚の板で副炉心部1
5を形成してもよい。断面が円形の場合でも、第10図
に示すように閉じた管ではなく2つの半径部材により副
炉心部15を構成するようにしてもよい。
角形状等他の形状でもよい。また4角形状の閉じた管の
かわりに、第11図に示すように4枚の板で副炉心部1
5を形成してもよい。断面が円形の場合でも、第10図
に示すように閉じた管ではなく2つの半径部材により副
炉心部15を構成するようにしてもよい。
副石英管15と石英管11とは密接するようにしてもよ
い。また副石英管15とボート13を密着させてもよい
。また必要に場合には副石英管15に間口部を設けても
よい。
い。また副石英管15とボート13を密着させてもよい
。また必要に場合には副石英管15に間口部を設けても
よい。
また副石英管を複数にしてそれぞれを独立駆動させても
よい。熱容量正確な調査が可能である。
よい。熱容量正確な調査が可能である。
なお、炉心部および副炉心部の材料としては6英以外の
材料、例えば多結晶シリコンで作り、不純物による汚染
を防止するようにしてもよい。
材料、例えば多結晶シリコンで作り、不純物による汚染
を防止するようにしてもよい。
また副炉心部に別に高純度ガスを導入するガスラインを
設けるようにしてもよい。
設けるようにしてもよい。
(発明の効果)
以上の通り本発明によれば、炉心部の長さを長くするこ
となく、ゆるやかな温度勾配が実現できる。したがって
ボートの移動速度を速くしても、つ〕−ハの反りやスリ
ップを生ずることが4cい。
となく、ゆるやかな温度勾配が実現できる。したがって
ボートの移動速度を速くしても、つ〕−ハの反りやスリ
ップを生ずることが4cい。
また副炉心部を高純瓜ガスで渦た一d−J、うにづれば
、ボートを速やかにI!!¥l純度ガス雰囲気中に入れ
ることが可能であり、外気のWe’ilを受(−Jにク
クツることができる。
、ボートを速やかにI!!¥l純度ガス雰囲気中に入れ
ることが可能であり、外気のWe’ilを受(−Jにク
クツることができる。
さらに副炉心部の移動達磨を変化さけるようにJれば、
全体の熱容量を制御することができ、ウェーハの温すの
変化を精密に制御できる。
全体の熱容量を制御することができ、ウェーハの温すの
変化を精密に制御できる。
さらにまた副炉心部の形状を変化させるJ:うにすれば
、高純度ガスの制御や、ボー1〜形状の変化への対応が
可能である。
、高純度ガスの制御や、ボー1〜形状の変化への対応が
可能である。
第1図は本発明の一実施例による縦型拡散炉の#1断面
図、第2図、第4図はそれぞれ同縦型拡散炉の使用方法
の具体例を示づ図、第3図は同縦型拡散炉の温度分布を
示すグラフ、第5図、第6図、第7図、第8図、第9図
、第10図、第11図はそれぞれ同縦型拡散炉の副炉心
部の変形例を示す図、 第12図は従来の縦型拡散炉の縦断面図、第13図は同
縦型拡散炉の温度分布を示すグラフである。 1.11・・・石英管、2.12・・・抵抗加熱ヒータ
、3.13・・・ボート駆IJI装置、15・・・静1
6英管、16・・・副石英管駆動装置。 出願人代理人 猪 股 清 第1圓 第2図 第3図 石英管イ装置(myn) 第4図 第8図 γ Q− 6失言位[!mmJ
図、第2図、第4図はそれぞれ同縦型拡散炉の使用方法
の具体例を示づ図、第3図は同縦型拡散炉の温度分布を
示すグラフ、第5図、第6図、第7図、第8図、第9図
、第10図、第11図はそれぞれ同縦型拡散炉の副炉心
部の変形例を示す図、 第12図は従来の縦型拡散炉の縦断面図、第13図は同
縦型拡散炉の温度分布を示すグラフである。 1.11・・・石英管、2.12・・・抵抗加熱ヒータ
、3.13・・・ボート駆IJI装置、15・・・静1
6英管、16・・・副石英管駆動装置。 出願人代理人 猪 股 清 第1圓 第2図 第3図 石英管イ装置(myn) 第4図 第8図 γ Q− 6失言位[!mmJ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一端が開口した炉心部と、この炉心部を加熱する加
熱部と、半導体ウェーハを収納し、上下移動自在のボー
ト部と、このボート部を所定速度で上下駆動するボート
駆動部と、前記ボート部を包囲し、前記炉心部の開口端
より挿入され、上下移動自在の副炉心部と、前記ボート
部の上下移動に応じて前記副炉心部を上下駆動する副炉
心駆動部とを備えた縦型拡散炉。 2、特許請求の範囲1項記載の縦型拡散炉において、前
記副炉心駆動部は前記副炉心部を回転駆動することを特
徴とする縦型拡散炉。 3、特許請求の範囲第1項又は第2項記載の縦型拡散炉
において、前記ボート駆動部は前記ボートを回転駆動す
ることを特徴とする縦型拡散炉。 4、特許請求の範囲第1項乃至第3項のいずれかに記載
の縦型拡散炉において、前記炉心部は石英管であること
を特徴とする縦型拡散炉。 5、特許請求の範囲第1項乃至第4項のいずれかに記載
の縦型拡散炉において、前記ボート部および前記副炉心
部は、前記炉心部の下側の開口端より出し入れすること
を特徴とする縦型拡散炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14039684A JPS6120318A (ja) | 1984-07-06 | 1984-07-06 | 縦型拡散炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14039684A JPS6120318A (ja) | 1984-07-06 | 1984-07-06 | 縦型拡散炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6120318A true JPS6120318A (ja) | 1986-01-29 |
Family
ID=15267816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14039684A Pending JPS6120318A (ja) | 1984-07-06 | 1984-07-06 | 縦型拡散炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6120318A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62157136U (ja) * | 1986-03-26 | 1987-10-06 | ||
| JPS647517A (en) * | 1987-06-29 | 1989-01-11 | Nec Corp | Heat treatment device for semiconductor substrate |
| JPH01194415A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-04 | Kokusai Electric Co Ltd | 縦形炉 |
| JPH02289500A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-29 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 縦型熱処理炉 |
| JPH02290490A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-30 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 縦型熱処理炉 |
| JPH04243126A (ja) * | 1991-01-17 | 1992-08-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置及びその制御方法 |
-
1984
- 1984-07-06 JP JP14039684A patent/JPS6120318A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62157136U (ja) * | 1986-03-26 | 1987-10-06 | ||
| JPS647517A (en) * | 1987-06-29 | 1989-01-11 | Nec Corp | Heat treatment device for semiconductor substrate |
| JPH01194415A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-04 | Kokusai Electric Co Ltd | 縦形炉 |
| JPH02289500A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-29 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 縦型熱処理炉 |
| JPH02290490A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-30 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 縦型熱処理炉 |
| JPH04243126A (ja) * | 1991-01-17 | 1992-08-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置及びその制御方法 |
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