JPS6120331A - レジストベ−ク装置 - Google Patents
レジストベ−ク装置Info
- Publication number
- JPS6120331A JPS6120331A JP59141814A JP14181484A JPS6120331A JP S6120331 A JPS6120331 A JP S6120331A JP 59141814 A JP59141814 A JP 59141814A JP 14181484 A JP14181484 A JP 14181484A JP S6120331 A JPS6120331 A JP S6120331A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hot plate
- clean room
- baking
- resist
- exhaust vent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置等の製造工程において、プレート・
ウェハー等の基板に塗布されたレジスト等の被膜をベー
ク処理する装置に関する。
ウェハー等の基板に塗布されたレジスト等の被膜をベー
ク処理する装置に関する。
半導体装置を製造するためには微細なパターンを所定の
位置に正確に形成する必要があり、この様なパターンは
一般にフォトリングラフィによって形成される。
位置に正確に形成する必要があり、この様なパターンは
一般にフォトリングラフィによって形成される。
フォトリングラフィは通常、以下の方法で行なわれる。
パターンの形成すべきフォトマスク用のメタルプレート
やシリコンウェハー等の基板上に感光性の７オトレジス
トを塗布し、ベーク後との７オトレジストを紫外線にて
霧光する。次に上記フォトレジストを現像すると、基板
上にレジストパターンが形成されて所望部分の基板が露
出するので、この部分をエツチングして所望のパターン
を形成するのである。
やシリコンウェハー等の基板上に感光性の７オトレジス
トを塗布し、ベーク後との７オトレジストを紫外線にて
霧光する。次に上記フォトレジストを現像すると、基板
上にレジストパターンが形成されて所望部分の基板が露
出するので、この部分をエツチングして所望のパターン
を形成するのである。
このフォトリングラフィにおいて、ベーク処理はフォト
レジストと基板の密着性を向上させフォトレジスト中に
含まれる溶剤、例えばエチル・セロソルブ・アセテート
やキシレン等を蒸発させる目的で行なう。
レジストと基板の密着性を向上させフォトレジスト中に
含まれる溶剤、例えばエチル・セロソルブ・アセテート
やキシレン等を蒸発させる目的で行なう。
上記ベーク処理のためのベーク装置としては、温風を循
環させるオーブンや赤外線を利用した装置が一般的であ
ったが、ベーク時間が長いことや基板上のレジストに対
する温度均一性が十分でないこと等の欠点を有していた
、このため、短時間でベークでき温度均一性のよいベー
ク装置としてホットプレートによる方法が実用化されつ
つある。
環させるオーブンや赤外線を利用した装置が一般的であ
ったが、ベーク時間が長いことや基板上のレジストに対
する温度均一性が十分でないこと等の欠点を有していた
、このため、短時間でベークでき温度均一性のよいベー
ク装置としてホットプレートによる方法が実用化されつ
つある。
この方法は第１図に示す様にヒーター１４で熱せられた
ガラスや金属のプレートｌｌ上にレジスト１２を塗布し
た基板１３を載せて処理するためベーク時間が短かくて
よく、また枚葉式であるため基板間の熱履歴や基板内の
温度均一性に優れている。
ガラスや金属のプレートｌｌ上にレジスト１２を塗布し
た基板１３を載せて処理するためベーク時間が短かくて
よく、また枚葉式であるため基板間の熱履歴や基板内の
温度均一性に優れている。
しかしながらクリーンルーム内にホットプレートを設置
するとホットプレートから発する熱がクリーンルーム内
の温度バランスに影響を及はした９、基板上のレジスト
中に含まれている有機溶剤が蒸発してクリーンルーム内
の雰囲気を汚染する。
するとホットプレートから発する熱がクリーンルーム内
の温度バランスに影響を及はした９、基板上のレジスト
中に含まれている有機溶剤が蒸発してクリーンルーム内
の雰囲気を汚染する。
また、ホットプレート全体をカバーで櫟うとカバー内の
清浄性が悪くなり、さらに熱がこもって温度分布が不均
一になってホットプレートベークの長所が十分発揮でき
なくなるという不都合があった。
清浄性が悪くなり、さらに熱がこもって温度分布が不均
一になってホットプレートベークの長所が十分発揮でき
なくなるという不都合があった。
本発明は上記のレジストのベークを行なうホットプレー
ト方式においてクリーンルーム内に悪影響を及ぼさず、
十分その性能を発揮できる様に改良した装置でおる。
ト方式においてクリーンルーム内に悪影響を及ぼさず、
十分その性能を発揮できる様に改良した装置でおる。
すなわち、本発明はホットプレートの片ａｔたは両側圧
排気孔を有する側壁を具備し、咳排気孔からホットプレ
ート側を排気するようＫしたベーク装置を提供するもの
である。
排気孔を有する側壁を具備し、咳排気孔からホットプレ
ート側を排気するようＫしたベーク装置を提供するもの
である。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第２図は本発明の実施例を示す要部断面図である。図に
おいて、ヒーター２４を有するホットプレート２１の両
側にホットプレート上面より２０〜５０ｃＩＬ高い側壁
２５をつくる。この側壁はホットプレート側に排気孔２
６があいた、例えば透明塩ビ製の中空の箱でホットプレ
ートと反対側の一部からダクト２７によりクリンルーム
の外へ排気する。レジスト２２が塗布された基板２３を
ホットプレートに載せるとレジスト中の有機溶剤が蒸発
するが排気孔から排気されてクリーンルームを汚染する
ことはない。本方法ではホットプレート全体を覆った場
合とは異なりホットプレートの熱がこもって基板のベー
ク条件が不均一になることもなく、不要な熱はクリーン
ルームに影響を及はさずにクリーンルームの外へ導かれ
る。
おいて、ヒーター２４を有するホットプレート２１の両
側にホットプレート上面より２０〜５０ｃＩＬ高い側壁
２５をつくる。この側壁はホットプレート側に排気孔２
６があいた、例えば透明塩ビ製の中空の箱でホットプレ
ートと反対側の一部からダクト２７によりクリンルーム
の外へ排気する。レジスト２２が塗布された基板２３を
ホットプレートに載せるとレジスト中の有機溶剤が蒸発
するが排気孔から排気されてクリーンルームを汚染する
ことはない。本方法ではホットプレート全体を覆った場
合とは異なりホットプレートの熱がこもって基板のベー
ク条件が不均一になることもなく、不要な熱はクリーン
ルームに影響を及はさずにクリーンルームの外へ導かれ
る。
また、ホットプレートの上方が開放されているためダス
トを巻き込んでレジスト表面を汚染することがなく、上
方からメンテナンスも行ない易い。
トを巻き込んでレジスト表面を汚染することがなく、上
方からメンテナンスも行ない易い。
以上説明した本発明によれば、ホットプレートの数が多
くなった発熱量の大きい多段式のベーク装置によって多
数の基板を処理する場合でもベークを安全Ｋかつ精度良
く行なえる。
くなった発熱量の大きい多段式のベーク装置によって多
数の基板を処理する場合でもベークを安全Ｋかつ精度良
く行なえる。
第１図は従来のホットプレートの断面図、第２図は本発
明の一実施例の断面図である。 ２１・・・・・・ホットプレート、２２・・・・・・レ
ジスト、２３・−・・・・基板、２４・・・・・・ヒー
ター、２５・・・・・・Ｎ壁、２６・・・・・・孔、２
７・・・・・・ダクト。 代理人 弁理士 内 原 晋、、、、″、〜゛７
ヘパぐ−１，・′ 第１図 第２図
明の一実施例の断面図である。 ２１・・・・・・ホットプレート、２２・・・・・・レ
ジスト、２３・−・・・・基板、２４・・・・・・ヒー
ター、２５・・・・・・Ｎ壁、２６・・・・・・孔、２
７・・・・・・ダクト。 代理人 弁理士 内 原 晋、、、、″、〜゛７
ヘパぐ−１，・′ 第１図 第２図
Claims (1)
- 表面にレジストを塗布した基板をベークするホットプレ
ート式ベーク装置において、該ホットプレートの片側ま
たは両側に排気孔を有する側壁を具備し、該排気孔から
ホットプレート側を排気するようにしたことを特徴とす
るレジストベーク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59141814A JPS6120331A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | レジストベ−ク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59141814A JPS6120331A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | レジストベ−ク装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6120331A true JPS6120331A (ja) | 1986-01-29 |
| JPH0254656B2 JPH0254656B2 (ja) | 1990-11-22 |
Family
ID=15300746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59141814A Granted JPS6120331A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | レジストベ−ク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6120331A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63301522A (ja) * | 1987-01-29 | 1988-12-08 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
| US5516626A (en) * | 1990-04-23 | 1996-05-14 | Tadahiro Ohmi | Resist processing method |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49111482U (ja) * | 1972-11-09 | 1974-09-24 | ||
| JPS5036536A (ja) * | 1973-08-06 | 1975-04-05 | ||
| JPS5735319A (en) * | 1980-08-13 | 1982-02-25 | Hitachi Ltd | Heat treatment device |
| JPS58206123A (ja) * | 1982-05-25 | 1983-12-01 | Toshiba Corp | 半導体製造装置 |
| JPS58196837U (ja) * | 1982-06-24 | 1983-12-27 | 大日本スクリ−ン製造株式会社 | 半導体ウエハの乾燥装置 |
-
1984
- 1984-07-09 JP JP59141814A patent/JPS6120331A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49111482U (ja) * | 1972-11-09 | 1974-09-24 | ||
| JPS5036536A (ja) * | 1973-08-06 | 1975-04-05 | ||
| JPS5735319A (en) * | 1980-08-13 | 1982-02-25 | Hitachi Ltd | Heat treatment device |
| JPS58206123A (ja) * | 1982-05-25 | 1983-12-01 | Toshiba Corp | 半導体製造装置 |
| JPS58196837U (ja) * | 1982-06-24 | 1983-12-27 | 大日本スクリ−ン製造株式会社 | 半導体ウエハの乾燥装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63301522A (ja) * | 1987-01-29 | 1988-12-08 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
| US5516626A (en) * | 1990-04-23 | 1996-05-14 | Tadahiro Ohmi | Resist processing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0254656B2 (ja) | 1990-11-22 |
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