JPS6120401A - Micro strip line - Google Patents
Micro strip lineInfo
- Publication number
- JPS6120401A JPS6120401A JP13993884A JP13993884A JPS6120401A JP S6120401 A JPS6120401 A JP S6120401A JP 13993884 A JP13993884 A JP 13993884A JP 13993884 A JP13993884 A JP 13993884A JP S6120401 A JPS6120401 A JP S6120401A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microstrip line
- strip line
- micro strip
- matching
- slot
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 abstract description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
- H01P3/08—Microstrips; Strip lines
- H01P3/081—Microstriplines
Landscapes
- Waveguides (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高電力を伝送するマイクロストリップラインに
関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a microstrip line for transmitting high power.
近年、固体化技術が進み、Ｖ）ＩＦ 、 ｗ帯において
出力電力数百Ｗの固体化電力増巾器が実用化されている
。第３図は従来の固体化電力増巾器のブロックダイアグ
ラム、第４図は実装パターン図を示すもので、１，１４
はインビダンス変換トランス、２．１３は整合用及び直
流阻止コンデンサ、３，４，５゜１２は整合用コンデン
サ、６は入力整合用マイクロストリップライン、７．１
０はバイパスコンデンサ、８はバイアス供給用及び整合
用マイクロストリップライン、９は高周波高出力トラン
ジスタ、１１はコンフタ電圧供給用及び整合用マイクロ
ストリップライン、２１は入力端子からのマイクロスト
リップライン、２２は出力端子へのマイクロストリップ
ラインである。また、１５は出力整合用マイクロストリ
ップライン、１６は出力整合用マイクロストリップライ
ン、１７は出力整合用マイクロストリップラインである
。増巾素子として出力１．００Ｗ以上で使用できるトラ
ンジスタ９が用いられ、その入出力回路の整合回路には
誘電体基板としてプリント基板を使用したマイクロスト
リップラインと積層セラミックコンデンサを組み合せて
構成していた。In recent years, solid-state technology has advanced, and solid-state power amplifiers with an output power of several hundred W in the V) IF and W bands have been put into practical use. Figure 3 shows a block diagram of a conventional solid-state power amplifier, and Figure 4 shows a mounting pattern.
is an impedance conversion transformer, 2.13 is a matching and DC blocking capacitor, 3, 4, 5゜12 is a matching capacitor, 6 is a microstrip line for input matching, 7.1
0 is a bypass capacitor, 8 is a microstrip line for bias supply and matching, 9 is a high frequency high output transistor, 11 is a microstrip line for converter voltage supply and matching, 21 is a microstrip line from the input terminal, 22 is the output This is a microstrip line to the terminal. Further, 15 is a microstrip line for output matching, 16 is a microstrip line for output matching, and 17 is a microstrip line for output matching. A transistor 9 that can be used with an output of 1.00 W or more was used as an amplifying element, and its input/output matching circuit was constructed by combining a microstrip line using a printed circuit board as a dielectric substrate and a multilayer ceramic capacitor. .
しかしながら、出力電−力数士Ｗ以上で使用するトラン
ジスタはその出力インピーダンスが数Ω以下と非常に低
いため、コレクタ側のマイクロストリップラインには大
電流が流れる。又よく知られているように第５図の如く
マイクロストリップラインのふちに電界が集中するだめ
、高周波電流はマイクロストリップラインのふちに集中
して流れる。そのため導体損により発熱し、マイクロス
トリップラインを形成しているプリント基板の信頼性を
いちじるしく劣化させるという欠点を有していた・
本発明の目的はかかる欠点を除去し、構造が簡単で、か
つ高性能なマイクロストリップラインを提供するもので
ある。However, since the output impedance of a transistor used at an output power of several Ω or more is very low, ie, several ohms or less, a large current flows through the microstrip line on the collector side. Furthermore, as is well known, since the electric field is concentrated at the edge of the microstrip line as shown in FIG. 5, the high frequency current flows concentrated at the edge of the microstrip line. As a result, heat is generated due to conductor loss, which significantly deteriorates the reliability of the printed circuit board forming the microstrip line.The purpose of the present invention is to eliminate this drawback, and to achieve a simple structure and high performance. This provides a high-performance microstrip line.
本発明は第１図、第２図に示すように、マイクロストリ
ップラインのインピーダンスを変えることなく、該マイ
クロストリップライン１６ 、１７の中心導体に１本以
上のスロットライン１６ａ＋ １７ａ＋ １７ｂを形成
したものである。As shown in FIGS. 1 and 2, the present invention forms one or more slot lines 16a+ 17a+ 17b in the center conductor of the microstrip lines 16 and 17 without changing the impedance of the microstrip lines. be.
マイクロストリップライン１６ 、１７にスロットライ
ン１６ａ＋ １７ａ＋ １７ｂを入れることにより、マ
イクロストリップラインのふちを流れる電流を減少させ
、ひいては導体損による発熱が抑えられる。By inserting the slot lines 16a+17a+17b into the microstrip lines 16 and 17, the current flowing through the edges of the microstrip lines is reduced, and heat generation due to conductor loss is suppressed.
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。 Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
第６図は厚さ１．６１１１誘電率５．１のガラスエポキ
シ基板上のマイクロストリップライン３ｏの一部にスロ
ット３０ａを切ったマイクロストリップラインである。FIG. 6 shows a microstrip line in which a slot 30a is cut in a part of a microstrip line 3o on a glass epoxy substrate having a thickness of 1.6111 and a dielectric constant of 5.1.
ｐ マイクロストリップラインの特性インピーダンスはＺ。p The characteristic impedance of the microstrip line is Z.
は次式で表わされる。is expressed by the following equation.
但し、ε７．・・・実効誘電率 Ｗ・・・線路幅 ｈ ・・・基板の厚さ 上式は通常よく知れている。However, ε7. ...Effective dielectric constant W...Line width h...Thickness of the board The above formula is usually well known.
この式より厚さ１．６ｍｌ誘電率５．１のガラスエポキ
シ基板を用いたマイクロストリップラインの特性インピ
ーダンスｚ０は第７図の通りである。第７図かられかる
ように、特性インピーダンス２゜が丸缶の線路幅は特性
インピーダンスＺ。時の線路幅の１より狭い。From this equation, the characteristic impedance z0 of a microstrip line using a glass epoxy substrate with a thickness of 1.6 ml and a dielectric constant of 5.1 is as shown in FIG. As can be seen from Figure 7, the line width of a round can with a characteristic impedance of 2° is the characteristic impedance Z. It is narrower than 1 of the track width at the time.
例えば、第６図のマイクロストリップライン３０の巾は
第７図より７．−翼にした時は２５Ωである。For example, the width of the microstrip line 30 in FIG. 6 is 7. -When used as a wing, it is 25Ω.
又５０Ωのマイクロストリップラインの幅は２．８關で
ある。そこで、マイクロストリップライン３０の中にマ
イクロストリップライン３１ 、３２の巾が両方共２．
１３ａｉ＋になるようにスロット３０ａを切ってもマイ
クロストリップライン３０のインピーダンスがかわらな
いことはあきらかである。Also, the width of the 50Ω microstrip line is 2.8 degrees. Therefore, the width of both the microstrip lines 31 and 32 in the microstrip line 30 is 2.
It is clear that the impedance of the microstrip line 30 does not change even if the slot 30a is cut so that the impedance becomes 13ai+.
第１図は本発明の第１の実施例であり、上述の原理に基
づいて高周波高出力トランジスタのコレクタ側の整合回
路のマイクロストリップライン１６に１本のスロツ）
１６ａを入れることによシ整合状態をかえないで電流を
２分配したものである。そのため、マイクロストリップ
ラインのふちに流れる電流を減少させることができ、し
いては導体損による発熱を抑えることができ、信頼性を
大巾に向上されることができる。FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention, in which one slot is formed in the microstrip line 16 of the matching circuit on the collector side of the high frequency, high output transistor based on the above-mentioned principle.
16a, the current is divided into two parts without changing the matching state. Therefore, the current flowing at the edge of the microstrip line can be reduced, heat generation due to conductor loss can be suppressed, and reliability can be greatly improved.
第２図は本発明の第２の実施例であり、整合回路のマイ
クロストリップライン１７に２本のスロット１７ａ、１
７ｂを入れたものである。この場合も、第１図と同様な
効果を得ることができる。FIG. 2 shows a second embodiment of the present invention, in which two slots 17a and 1 are provided in the microstrip line 17 of the matching circuit.
7b is included. In this case as well, the same effect as in FIG. 1 can be obtained.
尚、２本以上のスロットを入れても同様の効果を得るこ
とができることは明らかである。It is clear that the same effect can be obtained even if two or more slots are inserted.
本発明は以上説明したように、マイクロストリップライ
ンに特性インピーダンスを変えないスロットを１本又は
複数本人れることにより、プリント基板の温度上昇を抑
えた高信頼な高周波高出力トランジスタ回路を提供でき
る効果がある。As explained above, the present invention has the effect of providing a highly reliable high-frequency, high-output transistor circuit that suppresses the temperature rise of the printed circuit board by providing one or more slots that do not change the characteristic impedance in the microstrip line. be.
第１図、第２図は本発明の高周波高出力トランジスタ回
路の実施例を示す実装パターン図、第３図は従来の高周
波高出力トランジスタ回路図、第４図は従来の高周波高
出力トランジスタ回路の実装パターン図、第５図はマイ
クロストリップラインの電流分布図、第６図は特性イン
ピーダンスを変えないでスリットを切ったマイクロスト
リップラインのパターン図、第７図は誘電率５．１、基
板厚さ１−６ｍのガラスエポキク基板のマイクロストリ
ップラインの特性インピーダンスと線路幅を表した図で
ある。
１６、１７−Ｙイクロストリップライン、１６ａ＋ １
７ａ、１７ｂ・・・スロット
特許出願人 日本電気株式会社
第５図
第６図1 and 2 are mounting pattern diagrams showing an embodiment of the high frequency, high power transistor circuit of the present invention, FIG. 3 is a diagram of a conventional high frequency, high power transistor circuit, and FIG. 4 is a diagram of a conventional high frequency, high power transistor circuit. Mounting pattern diagram, Figure 5 is a current distribution diagram of a microstrip line, Figure 6 is a pattern diagram of a microstrip line with slits cut without changing the characteristic impedance, and Figure 7 is a dielectric constant of 5.1 and substrate thickness. It is a diagram showing the characteristic impedance and line width of a microstrip line on a 1-6 m glass epoch substrate. 16, 17-Y micro strip line, 16a+ 1
7a, 17b... Slot patent applicant NEC Corporation Figure 5 Figure 6
Claims (1)
有するマイクロストリップラインにおいて、該マイクロ
ストリップラインのインピーダンスを変えることなく、
該マイクロストリップラインの中心導体に１本以上のス
ロットラインを形成したことを特徴とするマイクロスト
リップライン。(1) In a microstrip line having a ground conductor and a center conductor formed on a dielectric substrate, without changing the impedance of the microstrip line,
A microstrip line characterized in that one or more slot lines are formed in the center conductor of the microstrip line.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13993884A JPS6120401A (en) | 1984-07-06 | 1984-07-06 | Micro strip line |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13993884A JPS6120401A (en) | 1984-07-06 | 1984-07-06 | Micro strip line |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6120401A true JPS6120401A (en) | 1986-01-29 |
Family
ID=15257166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13993884A Pending JPS6120401A (en) | 1984-07-06 | 1984-07-06 | Micro strip line |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6120401A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0170801U (en) * | 1987-10-24 | 1989-05-11 | ||
| US7361845B2 (en) | 2002-01-31 | 2008-04-22 | Nec Electronics Corporation | Wiring line for high frequency |
| JP2011216161A (en) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Nhk Spring Co Ltd | Disk drive flexure |
-
1984
- 1984-07-06 JP JP13993884A patent/JPS6120401A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0170801U (en) * | 1987-10-24 | 1989-05-11 | ||
| US7361845B2 (en) | 2002-01-31 | 2008-04-22 | Nec Electronics Corporation | Wiring line for high frequency |
| JP2011216161A (en) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Nhk Spring Co Ltd | Disk drive flexure |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4371845A (en) | Modular microwave power divider-amplifier-combiner | |
| JP2513146B2 (en) | High efficiency amplifier circuit | |
| JPH0828607B2 (en) | Balun circuit | |
| EP0730793A1 (en) | Coplanar waveguide-mounted flip chip | |
| JP3504472B2 (en) | Semiconductor device | |
| EP0117434A1 (en) | Hybrid microwave subsystem | |
| JPH07307626A (en) | Microwave high power amplifier | |
| US4251784A (en) | Apparatus for parallel combining an odd number of semiconductor devices | |
| JPH11136011A (en) | Microstrip balun and high frequency power amplifier | |
| US11189900B2 (en) | Tapered broadband balun | |
| DaBrecht | Coplanar balun circuits for GaAs FET high-power push-pull amplifiers | |
| US4727351A (en) | High power RF resistor | |
| US6737921B2 (en) | Distributed amplifier and differential distributed amplifier | |
| JPH0191502A (en) | Dielectric resonator | |
| JPH0366205A (en) | High frequency transistor matching circuit | |
| JPS58137314A (en) | Microwave power amplifier | |
| JP2003188665A (en) | Microwave high power amplifier | |
| JP2001044717A (en) | Semiconductor device for microwave | |
| JP3199556B2 (en) | Cooled amplifier | |
| JPS6173352A (en) | Microwave fet amplifier | |
| JPH0215363Y2 (en) | ||
| JPH0366203A (en) | Matching circuit for high frequency transistor | |
| JPS6036124B2 (en) | Parallel feedback microwave oscillator | |
| JPH04188904A (en) | Coplanar antenna | |
| GB2147472A (en) | RF-solid-state arrangement |