JPS6120401A - マイクロストリツプライン - Google Patents
マイクロストリツプラインInfo
- Publication number
- JPS6120401A JPS6120401A JP13993884A JP13993884A JPS6120401A JP S6120401 A JPS6120401 A JP S6120401A JP 13993884 A JP13993884 A JP 13993884A JP 13993884 A JP13993884 A JP 13993884A JP S6120401 A JPS6120401 A JP S6120401A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microstrip line
- strip line
- micro strip
- matching
- slot
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 abstract description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
- H01P3/08—Microstrips; Strip lines
- H01P3/081—Microstriplines
Landscapes
- Waveguides (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高電力を伝送するマイクロストリップラインに
関する。
関する。
近年、固体化技術が進み、V)IF 、 w帯において
出力電力数百Wの固体化電力増巾器が実用化されている
。第3図は従来の固体化電力増巾器のブロックダイアグ
ラム、第4図は実装パターン図を示すもので、1,14
はインビダンス変換トランス、2.13は整合用及び直
流阻止コンデンサ、3,4,5゜12は整合用コンデン
サ、6は入力整合用マイクロストリップライン、7.1
0はバイパスコンデンサ、8はバイアス供給用及び整合
用マイクロストリップライン、9は高周波高出力トラン
ジスタ、11はコンフタ電圧供給用及び整合用マイクロ
ストリップライン、21は入力端子からのマイクロスト
リップライン、22は出力端子へのマイクロストリップ
ラインである。また、15は出力整合用マイクロストリ
ップライン、16は出力整合用マイクロストリップライ
ン、17は出力整合用マイクロストリップラインである
。増巾素子として出力1.00W以上で使用できるトラ
ンジスタ9が用いられ、その入出力回路の整合回路には
誘電体基板としてプリント基板を使用したマイクロスト
リップラインと積層セラミックコンデンサを組み合せて
構成していた。
出力電力数百Wの固体化電力増巾器が実用化されている
。第3図は従来の固体化電力増巾器のブロックダイアグ
ラム、第4図は実装パターン図を示すもので、1,14
はインビダンス変換トランス、2.13は整合用及び直
流阻止コンデンサ、3,4,5゜12は整合用コンデン
サ、6は入力整合用マイクロストリップライン、7.1
0はバイパスコンデンサ、8はバイアス供給用及び整合
用マイクロストリップライン、9は高周波高出力トラン
ジスタ、11はコンフタ電圧供給用及び整合用マイクロ
ストリップライン、21は入力端子からのマイクロスト
リップライン、22は出力端子へのマイクロストリップ
ラインである。また、15は出力整合用マイクロストリ
ップライン、16は出力整合用マイクロストリップライ
ン、17は出力整合用マイクロストリップラインである
。増巾素子として出力1.00W以上で使用できるトラ
ンジスタ9が用いられ、その入出力回路の整合回路には
誘電体基板としてプリント基板を使用したマイクロスト
リップラインと積層セラミックコンデンサを組み合せて
構成していた。
しかしながら、出力電−力数士W以上で使用するトラン
ジスタはその出力インピーダンスが数Ω以下と非常に低
いため、コレクタ側のマイクロストリップラインには大
電流が流れる。又よく知られているように第5図の如く
マイクロストリップラインのふちに電界が集中するだめ
、高周波電流はマイクロストリップラインのふちに集中
して流れる。そのため導体損により発熱し、マイクロス
トリップラインを形成しているプリント基板の信頼性を
いちじるしく劣化させるという欠点を有していた・ 本発明の目的はかかる欠点を除去し、構造が簡単で、か
つ高性能なマイクロストリップラインを提供するもので
ある。
ジスタはその出力インピーダンスが数Ω以下と非常に低
いため、コレクタ側のマイクロストリップラインには大
電流が流れる。又よく知られているように第5図の如く
マイクロストリップラインのふちに電界が集中するだめ
、高周波電流はマイクロストリップラインのふちに集中
して流れる。そのため導体損により発熱し、マイクロス
トリップラインを形成しているプリント基板の信頼性を
いちじるしく劣化させるという欠点を有していた・ 本発明の目的はかかる欠点を除去し、構造が簡単で、か
つ高性能なマイクロストリップラインを提供するもので
ある。
本発明は第1図、第2図に示すように、マイクロストリ
ップラインのインピーダンスを変えることなく、該マイ
クロストリップライン16 、17の中心導体に1本以
上のスロットライン16a+ 17a+ 17bを形成
したものである。
ップラインのインピーダンスを変えることなく、該マイ
クロストリップライン16 、17の中心導体に1本以
上のスロットライン16a+ 17a+ 17bを形成
したものである。
マイクロストリップライン16 、17にスロットライ
ン16a+ 17a+ 17bを入れることにより、マ
イクロストリップラインのふちを流れる電流を減少させ
、ひいては導体損による発熱が抑えられる。
ン16a+ 17a+ 17bを入れることにより、マ
イクロストリップラインのふちを流れる電流を減少させ
、ひいては導体損による発熱が抑えられる。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第6図は厚さ1.6111誘電率5.1のガラスエポキ
シ基板上のマイクロストリップライン3oの一部にスロ
ット30aを切ったマイクロストリップラインである。
シ基板上のマイクロストリップライン3oの一部にスロ
ット30aを切ったマイクロストリップラインである。
p
マイクロストリップラインの特性インピーダンスはZ。
は次式で表わされる。
但し、ε7.・・・実効誘電率
W・・・線路幅
h ・・・基板の厚さ
上式は通常よく知れている。
この式より厚さ1.6ml誘電率5.1のガラスエポキ
シ基板を用いたマイクロストリップラインの特性インピ
ーダンスz0は第7図の通りである。第7図かられかる
ように、特性インピーダンス2゜が丸缶の線路幅は特性
インピーダンスZ。時の線路幅の1より狭い。
シ基板を用いたマイクロストリップラインの特性インピ
ーダンスz0は第7図の通りである。第7図かられかる
ように、特性インピーダンス2゜が丸缶の線路幅は特性
インピーダンスZ。時の線路幅の1より狭い。
例えば、第6図のマイクロストリップライン30の巾は
第7図より7.−翼にした時は25Ωである。
第7図より7.−翼にした時は25Ωである。
又50Ωのマイクロストリップラインの幅は2.8關で
ある。そこで、マイクロストリップライン30の中にマ
イクロストリップライン31 、32の巾が両方共2.
13ai+になるようにスロット30aを切ってもマイ
クロストリップライン30のインピーダンスがかわらな
いことはあきらかである。
ある。そこで、マイクロストリップライン30の中にマ
イクロストリップライン31 、32の巾が両方共2.
13ai+になるようにスロット30aを切ってもマイ
クロストリップライン30のインピーダンスがかわらな
いことはあきらかである。
第1図は本発明の第1の実施例であり、上述の原理に基
づいて高周波高出力トランジスタのコレクタ側の整合回
路のマイクロストリップライン16に1本のスロツ)
16aを入れることによシ整合状態をかえないで電流を
2分配したものである。そのため、マイクロストリップ
ラインのふちに流れる電流を減少させることができ、し
いては導体損による発熱を抑えることができ、信頼性を
大巾に向上されることができる。
づいて高周波高出力トランジスタのコレクタ側の整合回
路のマイクロストリップライン16に1本のスロツ)
16aを入れることによシ整合状態をかえないで電流を
2分配したものである。そのため、マイクロストリップ
ラインのふちに流れる電流を減少させることができ、し
いては導体損による発熱を抑えることができ、信頼性を
大巾に向上されることができる。
第2図は本発明の第2の実施例であり、整合回路のマイ
クロストリップライン17に2本のスロット17a、1
7bを入れたものである。この場合も、第1図と同様な
効果を得ることができる。
クロストリップライン17に2本のスロット17a、1
7bを入れたものである。この場合も、第1図と同様な
効果を得ることができる。
尚、2本以上のスロットを入れても同様の効果を得るこ
とができることは明らかである。
とができることは明らかである。
本発明は以上説明したように、マイクロストリップライ
ンに特性インピーダンスを変えないスロットを1本又は
複数本人れることにより、プリント基板の温度上昇を抑
えた高信頼な高周波高出力トランジスタ回路を提供でき
る効果がある。
ンに特性インピーダンスを変えないスロットを1本又は
複数本人れることにより、プリント基板の温度上昇を抑
えた高信頼な高周波高出力トランジスタ回路を提供でき
る効果がある。
第1図、第2図は本発明の高周波高出力トランジスタ回
路の実施例を示す実装パターン図、第3図は従来の高周
波高出力トランジスタ回路図、第4図は従来の高周波高
出力トランジスタ回路の実装パターン図、第5図はマイ
クロストリップラインの電流分布図、第6図は特性イン
ピーダンスを変えないでスリットを切ったマイクロスト
リップラインのパターン図、第7図は誘電率5.1、基
板厚さ1−6mのガラスエポキク基板のマイクロストリ
ップラインの特性インピーダンスと線路幅を表した図で
ある。 16、17−Yイクロストリップライン、16a+ 1
7a、17b・・・スロット 特許出願人 日本電気株式会社 第5図 第6図
路の実施例を示す実装パターン図、第3図は従来の高周
波高出力トランジスタ回路図、第4図は従来の高周波高
出力トランジスタ回路の実装パターン図、第5図はマイ
クロストリップラインの電流分布図、第6図は特性イン
ピーダンスを変えないでスリットを切ったマイクロスト
リップラインのパターン図、第7図は誘電率5.1、基
板厚さ1−6mのガラスエポキク基板のマイクロストリ
ップラインの特性インピーダンスと線路幅を表した図で
ある。 16、17−Yイクロストリップライン、16a+ 1
7a、17b・・・スロット 特許出願人 日本電気株式会社 第5図 第6図
Claims (1)
- (1)誘電体基板上に形成された接地導体と中心導体を
有するマイクロストリップラインにおいて、該マイクロ
ストリップラインのインピーダンスを変えることなく、
該マイクロストリップラインの中心導体に1本以上のス
ロットラインを形成したことを特徴とするマイクロスト
リップライン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13993884A JPS6120401A (ja) | 1984-07-06 | 1984-07-06 | マイクロストリツプライン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13993884A JPS6120401A (ja) | 1984-07-06 | 1984-07-06 | マイクロストリツプライン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6120401A true JPS6120401A (ja) | 1986-01-29 |
Family
ID=15257166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13993884A Pending JPS6120401A (ja) | 1984-07-06 | 1984-07-06 | マイクロストリツプライン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6120401A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0170801U (ja) * | 1987-10-24 | 1989-05-11 | ||
| US7361845B2 (en) | 2002-01-31 | 2008-04-22 | Nec Electronics Corporation | Wiring line for high frequency |
| JP2011216161A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Nhk Spring Co Ltd | ディスク装置用フレキシャ |
-
1984
- 1984-07-06 JP JP13993884A patent/JPS6120401A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0170801U (ja) * | 1987-10-24 | 1989-05-11 | ||
| US7361845B2 (en) | 2002-01-31 | 2008-04-22 | Nec Electronics Corporation | Wiring line for high frequency |
| JP2011216161A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Nhk Spring Co Ltd | ディスク装置用フレキシャ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4371845A (en) | Modular microwave power divider-amplifier-combiner | |
| JP2513146B2 (ja) | 高効率増幅回路 | |
| JPH0828607B2 (ja) | バラン回路 | |
| JP3504472B2 (ja) | 半導体装置 | |
| EP0117434A1 (en) | Hybrid microwave subsystem | |
| JPS6120401A (ja) | マイクロストリツプライン | |
| JPH07307626A (ja) | マイクロ波高出力増幅器 | |
| US4251784A (en) | Apparatus for parallel combining an odd number of semiconductor devices | |
| JPH11136011A (ja) | マイクロストリップバランおよび高周波電力増幅器 | |
| US11189900B2 (en) | Tapered broadband balun | |
| DaBrecht | Coplanar balun circuits for GaAs FET high-power push-pull amplifiers | |
| US4727351A (en) | High power RF resistor | |
| US6737921B2 (en) | Distributed amplifier and differential distributed amplifier | |
| JPH0191502A (ja) | 誘電体共振器 | |
| CN102349233A (zh) | 包括补偿元件的放大器部件 | |
| JPH0366205A (ja) | 高周波トランジスタの整合回路 | |
| JPS58137314A (ja) | マイクロ波電力増巾器 | |
| JP2003188665A (ja) | マイクロ波高出力増幅器 | |
| JP2001044717A (ja) | マイクロ波用半導体装置 | |
| JP3199556B2 (ja) | 冷却型増幅器 | |
| JPS6173352A (ja) | マイクロ波fet増幅器 | |
| JPH0215363Y2 (ja) | ||
| JPH0366203A (ja) | 高周波トランジスタの整合回路 | |
| JPS6036124B2 (ja) | 並列帰還型マイクロ波発振器 | |
| GB2147472A (en) | RF-solid-state arrangement |