JPS61207023A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造装置に関し、特に水素と酸素
の反応により生成する水蒸気を酸化剤とし、半導体基板
を熱酸化する酸化装置に関するものである。

〔従来の技術〕

従来、水素と酸素の反応により生成する、水蒸気な識化
剤とする、半導体基板の酸化装置、特にプロセスチュー
ブ内での水素と酸素との反応熱の影響を避けるために、
プロセスチューブとは分離した燃焼室と儂えている酸化
装置として以下のようなものが知られている。従来の酸
化装置の構成図を第２図に示す。ここでガスダイリ為−
シ目ン３より供給される水素と酸素は石英製燃焼室５に
導入される。ここで水素と酸素の反応をさせるために、
燃焼室の周囲にはヒーター４が巻かれておシ、燃焼室の
温度を６００℃以上に保つ。燃焼室で生成した水蒸気は
、ヒーター２により一定温度に保たれているプロセスチ
ューブ１へ導入され半導体基板の酸化が実行される。

〔発明が解決しようとする問題点〕

このような従来の酸化装置では、水素と＃ｌ素の点火時
には、爆発的反応が起こシ、燃焼室の圧力が急激に上昇
する。ここで燃焼室は、６００℃以上の高温に耐え得る
素材であり、かつ半導体基板への汚染の危険性のない素
材で造られる必要性が有り、純度の高い、石英製である
ことが望ましい。

しかしながら石英は、機械的強度が弱く、水素と酸素の
点火時には、爆発的反応により石英が破損するという危
険性が有る。

このように、従来の酸化装置は、水素と酸素の点火時に
爆発的反応による燃焼室の破損の危険性を持つという欠
点を有する。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の目的は、かかる従来装置の欠点を除去し、水素
と酸素の爆発的反応による燃焼室内の急激な圧力上昇を
緩和し、燃焼室破損の危険性のない酸化装置を提供する
ことである。

本発明の＊ｔｉは、燃焼室に、プロセスチューブにつな
がる配管の配管径より径が大きく、かつ一定時間開閉す
るバルブを有する排気用の配管を付加することにある。

〔実施例〕

次に本発明の一実施例を図面を参照しつつ詳細に説明す
る。

第１図は、本発明の一実施例を示す酸化装置の構成図で
ある。ここでプロセスチューブ１の周囲にはヒーター２
が巻かれており、プロセスチューブ内の温度を均一に保
つ。またガスダイリューシｌン３は、燃焼室５、または
、プロセスチューブ１に、窒素、ｒＲ素、水素などをガ
ス供給配管９゜１０．１１を通して供給する。

燃焼室５には、プロセスチューブ１に接続されているガ
ス供給管８及び開閉バルブ７を通じ外気に開放されてい
る排気用配管６が接続されている。

ここで排気用配管６は、燃焼室５内の急激な圧力上昇を
緩和するためのものであるため、配管抵抗が小さい必要
があり、配管径はガス供給配管８の配管径より大きい。

本装置での水蒸気酸化は次のように行なわれる。

即ち、ガスダイリューシｌン３より燃焼室に酸素を供給
し、燃焼室内が酸素で満たされると、開閉バルブ７が開
き、次に水素が燃焼室に供給される。

水素の点火時に、燃焼室内の圧力は上昇するが、開閉バ
ルブが開かれているため、ガスは排気用配管６を通り外
気に押し出され燃焼室内の急激な圧力上昇は押えられる
。

水素と酸素の反応が安定すると、開閉バルブは閉じられ
生成した水蒸気はすべてプロセスチューブヘ導入され、
プロセスチューブ内の半導体基板が酸化する。

〔発明の効果〕

以上説明したように、燃焼室に排気用配管を接続するこ
とにより、水素と酸素の爆発的反応による、燃焼室内の
急激な圧力上昇が緩和され、燃゛焼室の破損等の危険か
解消され、酸化装置の安全性が高まる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す酸化装置の構成図であ
り、第２図は従来の酸化装置の構成図である。 １・・・・・・プロセスチューブ、２・・・・・・ヒー
ター、３・・・・・・ガスダイリエーシ層ン、４・・・
・・・ヒー９−１５・・・・・・燃焼室、６・・・・・
−排気用配管、７・・・・・・開閉バルブ、８，９，１
０．１１・・・・・・ガス供給配管。 篤Ｚ図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　水素と酸素をプロセスチューブとは分離した燃焼室で
   反応させる半導体基板の酸化装置において、前記燃焼室
   に、プロセスチューブにつながる配管の配管径より径が
   大きく、かつ、一定時間開閉するバルブを有する排気用
   の配管を付加することを特徴とする半導体装置の製造装
   置。