JPS60122799A - 半導体ウエハの熱処理方法 - Google Patents
半導体ウエハの熱処理方法Info
- Publication number
- JPS60122799A JPS60122799A JP10458184A JP10458184A JPS60122799A JP S60122799 A JPS60122799 A JP S60122799A JP 10458184 A JP10458184 A JP 10458184A JP 10458184 A JP10458184 A JP 10458184A JP S60122799 A JPS60122799 A JP S60122799A
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- JP
- Japan
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- box
- oxygen
- core tube
- heater
- container
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/005—Oxydation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はウェット酸素雰囲気中での酸化処理または拡散
処理を行なう技術に関するものである。
処理を行なう技術に関するものである。
たとえば、熱処理技術に関してはElectronic
Integrated C1rcuits (J、 A
11ison著)の48頁〜50頁に紹介されている。
Integrated C1rcuits (J、 A
11ison著)の48頁〜50頁に紹介されている。
半導体装置等の製造圧おける半導体薄板(ウェハ)の酸
化・拡散プロセスにおいては、熱酸化膜の生成や高精度
のデポジション濃度、拡散の深さを得るために、水素(
H2)、酸素(0,)の直接反応によるウェット酸素生
成法()ぐ−ンニング法)が一般に採用されている。こ
の種のウェット酸素生成法としては第1図に示すように
ノくイロジェニツク用水素燃焼機構が知られている。す
なわち、炉の石英ガラスからなる炉心管(プロセスチュ
ーブ)1の細い尾管2に石英ガラスからなる水素供給管
3を相互のすり合せ面を介して気密状態で挿入して、炉
心管1内忙水素(H2)を供給するようにする。また1
尾管2と平行に炉心管1の閉塞端に枝管4を作り、この
枝管4を介して炉心管1内に酸素(02)を供給する。
化・拡散プロセスにおいては、熱酸化膜の生成や高精度
のデポジション濃度、拡散の深さを得るために、水素(
H2)、酸素(0,)の直接反応によるウェット酸素生
成法()ぐ−ンニング法)が一般に採用されている。こ
の種のウェット酸素生成法としては第1図に示すように
ノくイロジェニツク用水素燃焼機構が知られている。す
なわち、炉の石英ガラスからなる炉心管(プロセスチュ
ーブ)1の細い尾管2に石英ガラスからなる水素供給管
3を相互のすり合せ面を介して気密状態で挿入して、炉
心管1内忙水素(H2)を供給するようにする。また1
尾管2と平行に炉心管1の閉塞端に枝管4を作り、この
枝管4を介して炉心管1内に酸素(02)を供給する。
また、炉心管1の外周には均熱管やヒータ等からなるヒ
ータ部5が配設され、炉心管1内の処理室6を適宜な温
度に加熱している。そして、ウェハに酸化膜を形成する
場合には、所定の温度に加熱されている処理室6内に図
示しない熱処理治具等を用いてシリコンウェハを入れ、
その後、枝管4から酸素を処理室6内に供給するととも
に水素供給管3かも処理室6内に水素を入れる。処理室
6内が所定温度に達していることと、水素および酸素が
それぞれ所定の比率で処理室6内に送られることから、
水素および酸素は爆発することなく燃焼(図中炎7を示
す)して水蒸気(図中点で示す。)となり、水蒸気を含
む酸素すなわちウェット酸素を炉心管1の中央方向に供
給し、ウエノ・表面に熱酸化(St、、)膜を形成させ
ることが行なわれている。
ータ部5が配設され、炉心管1内の処理室6を適宜な温
度に加熱している。そして、ウェハに酸化膜を形成する
場合には、所定の温度に加熱されている処理室6内に図
示しない熱処理治具等を用いてシリコンウェハを入れ、
その後、枝管4から酸素を処理室6内に供給するととも
に水素供給管3かも処理室6内に水素を入れる。処理室
6内が所定温度に達していることと、水素および酸素が
それぞれ所定の比率で処理室6内に送られることから、
水素および酸素は爆発することなく燃焼(図中炎7を示
す)して水蒸気(図中点で示す。)となり、水蒸気を含
む酸素すなわちウェット酸素を炉心管1の中央方向に供
給し、ウエノ・表面に熱酸化(St、、)膜を形成させ
ることが行なわれている。
しかし、このような機構ではつぎのような欠点がある。
(1)細長い炉心管は一般に直列に並んだ3本のヒータ
A、B、Cによって温度制御され、第2図で示すように
、その中央部は一定の温度分布となる。
A、B、Cによって温度制御され、第2図で示すように
、その中央部は一定の温度分布となる。
また、一定の長さに亘って一定の温度分布となるように
するために1両端部に位置するヒータA9Cによって、
炉心管の両端部は中央部処較べてわずかに温度が高くな
るように制御される。しかし、炉心管の閉塞端部で水素
と酸素を反応させて燃焼させると、炉心管の奥は第2図
の二点鎖線で示すように部分的に温度が上り、炉心管内
の均一な温度分布が損なわれ、酸化膜の生成が不均一と
なる。
するために1両端部に位置するヒータA9Cによって、
炉心管の両端部は中央部処較べてわずかに温度が高くな
るように制御される。しかし、炉心管の閉塞端部で水素
と酸素を反応させて燃焼させると、炉心管の奥は第2図
の二点鎖線で示すように部分的に温度が上り、炉心管内
の均一な温度分布が損なわれ、酸化膜の生成が不均一と
なる。
なお、一般的には中央のヒータBは一定の温度を上下動
するだけの役割しか果たさず、炉心管の両端の温度格差
を是正する作用はしない。
するだけの役割しか果たさず、炉心管の両端の温度格差
を是正する作用はしない。
(2)安全性あるいは適正に酸化膜生成が成されている
か否か等を確かめるために点火(燃焼)状態を確認する
必要があるが、燃焼は炉心管内で行なわれ、炉心管は外
側をヒータ部で取り囲まれていることから5点火(炎7
)を確認するには炉心管の開口部から覗かねばならない
。しかし、炉心管内にはウェハが林立状態等で挿入され
ているため。
か否か等を確かめるために点火(燃焼)状態を確認する
必要があるが、燃焼は炉心管内で行なわれ、炉心管は外
側をヒータ部で取り囲まれていることから5点火(炎7
)を確認するには炉心管の開口部から覗かねばならない
。しかし、炉心管内にはウェハが林立状態等で挿入され
ているため。
点火(燃焼)を確認できにくい難点がある。
(3)水素と酸素の混合比が変化したり、処理室の温度
が低くなって爆発が生じた場合、炉心管は石英ガラスで
形作られているため粉粉に破壊して周辺に飛び散り、危
険であるとともに、ウェハやヒータ部を破損させる欠点
がある。
が低くなって爆発が生じた場合、炉心管は石英ガラスで
形作られているため粉粉に破壊して周辺に飛び散り、危
険であるとともに、ウェハやヒータ部を破損させる欠点
がある。
(4)特に拡散炉の場合などには、反応ガスを供給する
ために、炉心管の閉塞端側には尾管以外に新に枝管を設
けるのが一般的である。しかしながら、上述したもので
は、炉心管の構造が複雑となり。
ために、炉心管の閉塞端側には尾管以外に新に枝管を設
けるのが一般的である。しかしながら、上述したもので
は、炉心管の構造が複雑となり。
製造コストが高くなる。また、炉心管の一端には細くて
折れ易い尾管、枝管が2つもあることから取扱いも従来
の尾管だけの炉心管に較べて面倒である。
折れ易い尾管、枝管が2つもあることから取扱いも従来
の尾管だけの炉心管に較べて面倒である。
したがって、本発明の目的は、処理室内の温度分布を乱
すことのないウェット酸素中での熱処理技術を提供する
ことにある。
すことのないウェット酸素中での熱処理技術を提供する
ことにある。
また、本発明の他の目的は1点火状態が確認し易く、か
つ安全性の高いものを提供することにある。
つ安全性の高いものを提供することにある。
このような目的を達成するために本発明は1反応管の外
部で酸素および水素を燃焼させることにより、ウェハ等
への悪影響を除去することのできる熱処理方法にある。
部で酸素および水素を燃焼させることにより、ウェハ等
への悪影響を除去することのできる熱処理方法にある。
第3図は本発明の一実施例で使用するウェット酸素生成
装置及びそれを有する拡散炉を示す略図である。同図に
は石英ガラスからなる気密性の容器(ボックス)8が示
されている。この容器8は拡散炉のドーピングボックス
9内に収容される。
装置及びそれを有する拡散炉を示す略図である。同図に
は石英ガラスからなる気密性の容器(ボックス)8が示
されている。この容器8は拡散炉のドーピングボックス
9内に収容される。
また、前記容器8は三層構造からなり、最内層ボックス
10は不純物を発生したすせず、また高温にも耐えられ
ることのできるように石英ガラスからなっている。また
、最外層ボックス11は容器内で爆発が起きても破損し
ない強度を有する金属容器、たとえばステンレスからな
っている。また。
10は不純物を発生したすせず、また高温にも耐えられ
ることのできるように石英ガラスからなっている。また
、最外層ボックス11は容器内で爆発が起きても破損し
ない強度を有する金属容器、たとえばステンレスからな
っている。また。
最外層ボックス11と最内層ボックス10との間には断
熱効果を高めるために石英ウール等の断熱材が入れられ
、断熱層12を形作っている。
熱効果を高めるために石英ウール等の断熱材が入れられ
、断熱層12を形作っている。
前記最内層ボックス10にはその上面および側部に複数
のバイブ13が一体的に取り付けられている。すなわち
、−側壁には水素ガスを容器8内に導入する水素供給管
14および酸素ガスを容器8内に導入する酸素供給管1
5が設けられている。
のバイブ13が一体的に取り付けられている。すなわち
、−側壁には水素ガスを容器8内に導入する水素供給管
14および酸素ガスを容器8内に導入する酸素供給管1
5が設けられている。
水素供給管14は最内層ボックス10を貫通して容器内
に延び、その先端は最内層ボックス10の天井の中央の
下方に突出している。また、容器8内の水素供給管14
部分には螺旋形のヒータ16が巻き付けられ、その両端
は最内層ボックス10゜断熱層12.最外層ボックス1
1を貫いて容器外に延び1図示しない所定の電源部に接
続さねて(・る。また、このヒータ16は外側を石英ガ
ラスで被われるとともに、最内層ボックス10には石英
ガラスを介して溶着され、挿入部の気密性が保たれてい
る。抜だ、ヒータ16の螺旋部17の上部は水素供給管
14の先端部のノズル部18の延長上に亘って延び、ノ
ズル部18の周囲を加熱するようになっている。
に延び、その先端は最内層ボックス10の天井の中央の
下方に突出している。また、容器8内の水素供給管14
部分には螺旋形のヒータ16が巻き付けられ、その両端
は最内層ボックス10゜断熱層12.最外層ボックス1
1を貫いて容器外に延び1図示しない所定の電源部に接
続さねて(・る。また、このヒータ16は外側を石英ガ
ラスで被われるとともに、最内層ボックス10には石英
ガラスを介して溶着され、挿入部の気密性が保たれてい
る。抜だ、ヒータ16の螺旋部17の上部は水素供給管
14の先端部のノズル部18の延長上に亘って延び、ノ
ズル部18の周囲を加熱するようになっている。
また、前記ノズル部18に対面する最内層ボックス10
の天井釦は導管19が設けられ、ノズル部18から噴き
出される水素ガスと容器内に充満する酸素ガスとの燃焼
反応によって生じた水蒸気(図中散点で示す。)を容器
8の外に酸素と共に導くようになっている。また、燃焼
圧よる炎20の温度を検出するために、熱電対端子21
が炎20の近傍にまで容器外から侵入している。この熱
電対端子21は内端が閉塞した最内層ボックス10かも
延びる石英ガラスからなる保睡管22で被われている。
の天井釦は導管19が設けられ、ノズル部18から噴き
出される水素ガスと容器内に充満する酸素ガスとの燃焼
反応によって生じた水蒸気(図中散点で示す。)を容器
8の外に酸素と共に導くようになっている。また、燃焼
圧よる炎20の温度を検出するために、熱電対端子21
が炎20の近傍にまで容器外から侵入している。この熱
電対端子21は内端が閉塞した最内層ボックス10かも
延びる石英ガラスからなる保睡管22で被われている。
また、容器8の下部側面には容器底に溜った水を抜く石
英ガラスからなるドレーンパイプ23が取り付けられて
いる。このドレーンパイプ23にはドレーンコック24
が設けられている。
英ガラスからなるドレーンパイプ23が取り付けられて
いる。このドレーンパイプ23にはドレーンコック24
が設けられている。
また、図示しないが、被処理体を処理するための反応ガ
ス供給管が容器8に設けられている。さらに、容器8内
で燃える炎20を容器外から観察できるように一最外層
ボックス11および断熱層12は部分的に取り除かれて
観察窓25が作られている。なお、この観察窓25には
最内層ボックス10が爆発した際保護板となる耐熱性の
優れた透明保護板を取り付けておいてもよい。さらに、
前記最内層ボックス10.断熱層12は最外層ボックス
11から順次取り外しが可能な構造となっている。
ス供給管が容器8に設けられている。さらに、容器8内
で燃える炎20を容器外から観察できるように一最外層
ボックス11および断熱層12は部分的に取り除かれて
観察窓25が作られている。なお、この観察窓25には
最内層ボックス10が爆発した際保護板となる耐熱性の
優れた透明保護板を取り付けておいてもよい。さらに、
前記最内層ボックス10.断熱層12は最外層ボックス
11から順次取り外しが可能な構造となっている。
一方、容器8から突出した導管19は標準型の炉心管2
6の細い尾管27にフッ素樹脂などからなるチューブか
らなる補助導管28を介して連結される。なお、連結部
には一般公知のこの埋1\0イブを連結するコネクタ2
9がそれぞれ用いられる。
6の細い尾管27にフッ素樹脂などからなるチューブか
らなる補助導管28を介して連結される。なお、連結部
には一般公知のこの埋1\0イブを連結するコネクタ2
9がそれぞれ用いられる。
また、コネクタ29および補助導管28の外周にはリボ
ンヒータ30が巻き付けられ、補助導管28内を流れる
水蒸気の水滴化を防止するとともに常に一定温度のウェ
ット酸素が炉心管に供給されるようになっている。また
、図中31は炉心管26を加熱するヒータ部である。
ンヒータ30が巻き付けられ、補助導管28内を流れる
水蒸気の水滴化を防止するとともに常に一定温度のウェ
ット酸素が炉心管に供給されるようになっている。また
、図中31は炉心管26を加熱するヒータ部である。
つぎに、炉心管26にウェット酸素を供給する作業につ
いて説明する。ヒータ16によって水素供給管14のノ
ズル部18の近傍を所定温度に加熱するとともに、容器
8内忙酸素供給管15から酸素ガスを噴射させて酸素を
充満させる。また、ノズル部18から水素ガスを噴射さ
せる。なお、水素ガスおよび酸素ガスの供給量は所定比
となるように供給する。この結果、ノズル部18から噴
射される水素は酸素と反応して燃焼し、水蒸気を発生す
る。そして、容器8内の圧力が高いこともあって、容器
内の水蒸気と酸素と(必要に応じて拡散不純物などの反
応ガスと)とは導管19.補−助導管28を通って炉心
管26内に順次供給される。
いて説明する。ヒータ16によって水素供給管14のノ
ズル部18の近傍を所定温度に加熱するとともに、容器
8内忙酸素供給管15から酸素ガスを噴射させて酸素を
充満させる。また、ノズル部18から水素ガスを噴射さ
せる。なお、水素ガスおよび酸素ガスの供給量は所定比
となるように供給する。この結果、ノズル部18から噴
射される水素は酸素と反応して燃焼し、水蒸気を発生す
る。そして、容器8内の圧力が高いこともあって、容器
内の水蒸気と酸素と(必要に応じて拡散不純物などの反
応ガスと)とは導管19.補−助導管28を通って炉心
管26内に順次供給される。
このような実施例によれば、つぎのような効果を奏する
。
。
(1)炉心管へ供給されるウェット酸素はリボンヒータ
によって常に一定温度に維持されて炉心管に供給される
。このため、炉心管の温度分布は安定するため、品質お
よび信頼性の優れたウェハ処理が行なえ1歩留も向上す
る。
によって常に一定温度に維持されて炉心管に供給される
。このため、炉心管の温度分布は安定するため、品質お
よび信頼性の優れたウェハ処理が行なえ1歩留も向上す
る。
(2)燃焼状態は容器の観察窓から簡単に観察できるこ
とから、炉心管に確実に水蒸気が送らねているか否かを
確認できる。したがって、水蒸気が行なわれていない状
態でウエノ・処理を行なうことも避けられる。
とから、炉心管に確実に水蒸気が送らねているか否かを
確認できる。したがって、水蒸気が行なわれていない状
態でウエノ・処理を行なうことも避けられる。
(3)容器内で爆発が生じても、容器の最外層ボックス
は耐圧性で強度が大きいことから、従来のように容器外
に石英ガラスの破片が飛び散ることもない。したがって
、安全である。また、従来のようにウェハな飛散する石
英ガラス片で破損させるコトモナいので1歩留の低下を
引き起こすこともない。さらに、飛散する石英ガラス片
でヒータ部を破壊させることもないので、熱処理炉装置
各部の寿命も長くなり、製品の処理コストの軽減化にも
繋がる。
は耐圧性で強度が大きいことから、従来のように容器外
に石英ガラスの破片が飛び散ることもない。したがって
、安全である。また、従来のようにウェハな飛散する石
英ガラス片で破損させるコトモナいので1歩留の低下を
引き起こすこともない。さらに、飛散する石英ガラス片
でヒータ部を破壊させることもないので、熱処理炉装置
各部の寿命も長くなり、製品の処理コストの軽減化にも
繋がる。
(4)炉心管は尾管な有する標準品を使用することがで
きることから、設備費も安価となる。
きることから、設備費も安価となる。
第1図は従来の拡散炉の炉心管へウェット酸素を供給す
るウェット酸素生成機構を示す一部断面図、第2図は同
じく炉心管における温度分布な示す温度曲線図、第3図
は本発明に使用するウェット酸素生成装置及びそれを有
する拡散炉を示す断面図である。 1・・・炉心管、3・・・水素供給管、5・・・ヒータ
部。 6・・・処理室、7・・・炎、8・・・容器、10・・
・最内層ボックス% 11・・・最外層ボックス、12
・・・断熱層。 14・・・水素供給管、15・・・酸素供給管、16・
・・ヒータ、18・・・ノズル部、19・・・導管、2
0・・・炎、21・・・熱電対端子、25・・・観察窓
、26・・・炉心管、27・・・尾管、28・・・補助
導管、30・・・リボンヒータ、31・・・ヒータ部。 、/− 代理人 弁理士 高 橋 明 夫 (;\−9
るウェット酸素生成機構を示す一部断面図、第2図は同
じく炉心管における温度分布な示す温度曲線図、第3図
は本発明に使用するウェット酸素生成装置及びそれを有
する拡散炉を示す断面図である。 1・・・炉心管、3・・・水素供給管、5・・・ヒータ
部。 6・・・処理室、7・・・炎、8・・・容器、10・・
・最内層ボックス% 11・・・最外層ボックス、12
・・・断熱層。 14・・・水素供給管、15・・・酸素供給管、16・
・・ヒータ、18・・・ノズル部、19・・・導管、2
0・・・炎、21・・・熱電対端子、25・・・観察窓
、26・・・炉心管、27・・・尾管、28・・・補助
導管、30・・・リボンヒータ、31・・・ヒータ部。 、/− 代理人 弁理士 高 橋 明 夫 (;\−9
Claims (1)
- 1、半導体ウニ・・をウェット酸素雰囲気中で熱処理す
るにあたり、反応管の外部で酸素および水素を化合させ
た後、上記反応管に導入することを特徴とする半導体ウ
エノ・の熱処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10458184A JPS60122799A (ja) | 1984-05-25 | 1984-05-25 | 半導体ウエハの熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10458184A JPS60122799A (ja) | 1984-05-25 | 1984-05-25 | 半導体ウエハの熱処理方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15986078A Division JPS5590405A (en) | 1978-12-27 | 1978-12-27 | Forming device for wet oxygen and heat treatment furnace provided with the said device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60122799A true JPS60122799A (ja) | 1985-07-01 |
| JPH0372599B2 JPH0372599B2 (ja) | 1991-11-19 |
Family
ID=14384398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10458184A Granted JPS60122799A (ja) | 1984-05-25 | 1984-05-25 | 半導体ウエハの熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60122799A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4906595A (en) * | 1986-12-08 | 1990-03-06 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device, in which a silicon wafer is provided at its surface with field oxide regions |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5372572A (en) * | 1976-12-10 | 1978-06-28 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacturing device for semiconductor device |
| JPS53123667A (en) * | 1977-04-04 | 1978-10-28 | Mitsubishi Electric Corp | Generator for semiconuctor oxidized film |
-
1984
- 1984-05-25 JP JP10458184A patent/JPS60122799A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5372572A (en) * | 1976-12-10 | 1978-06-28 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacturing device for semiconductor device |
| JPS53123667A (en) * | 1977-04-04 | 1978-10-28 | Mitsubishi Electric Corp | Generator for semiconuctor oxidized film |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4906595A (en) * | 1986-12-08 | 1990-03-06 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device, in which a silicon wafer is provided at its surface with field oxide regions |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0372599B2 (ja) | 1991-11-19 |
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