JPS6120904A - 光選択透過部材 - Google Patents
光選択透過部材Info
- Publication number
- JPS6120904A JPS6120904A JP14198284A JP14198284A JPS6120904A JP S6120904 A JPS6120904 A JP S6120904A JP 14198284 A JP14198284 A JP 14198284A JP 14198284 A JP14198284 A JP 14198284A JP S6120904 A JPS6120904 A JP S6120904A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- coating layer
- selective transmission
- transparent coating
- transmission member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/44—Mechanical structures for providing tensile strength and external protection for fibres, e.g. optical transmission cables
- G02B6/4401—Optical cables
- G02B6/4415—Cables for special applications
- G02B6/4416—Heterogeneous cables
- G02B6/4422—Heterogeneous cables of the overhead type
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、光学フィルタ、熱線反射板、透明断熱材等に
利用される特定波長領域の光を選択的に透過する光選択
透過部材に関する。
利用される特定波長領域の光を選択的に透過する光選択
透過部材に関する。
従来技術
一般に、この種の光選択透過部材は、方ラス等の基板に
透明被覆層を薄膜として形成してなる。
透明被覆層を薄膜として形成してなる。
ここに、従来にあっては、この透明被覆層としてｒＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ ） 、 ５
ｎＯｚ 。
（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ ） 、 ５
ｎＯｚ 。
５Ｉ１０２ ： Ｓ ｂ、Ｔ ｉｏ２／Ａｇ／Ｔ ｉｏ
ｚ等の酸化物半導体薄膜が用いられている。このような
材料による場合、次のような欠点を有する。まず。
ｚ等の酸化物半導体薄膜が用いられている。このような
材料による場合、次のような欠点を有する。まず。
この種の材料は化学的に不安定、特に還元性雰囲気下に
おいては劣化が進み易く、光の選択透過特性が低下し易
いものである。又、可視光領域の透過率が８０％程度し
かなく、光選択透過部材としてその光損失が大きい。更
に、デバイスを大面積ｆヒした場合に、場所によって選
択透過特性に不均一を生じ易く、特性が不安定となるも
のである。
おいては劣化が進み易く、光の選択透過特性が低下し易
いものである。又、可視光領域の透過率が８０％程度し
かなく、光選択透過部材としてその光損失が大きい。更
に、デバイスを大面積ｆヒした場合に、場所によって選
択透過特性に不均一を生じ易く、特性が不安定となるも
のである。
目的
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、化学的
に安定で光学的特性の劣化がない透明被覆層を備え、可
視光の透過率が高くて光損失の少ない光選択透過部材を
得ることを目的とする。
に安定で光学的特性の劣化がない透明被覆層を備え、可
視光の透過率が高くて光損失の少ない光選択透過部材を
得ることを目的とする。
構成
本発明は、上記目的を達成するため、少なくとも可視光
領域の光線を透過する基板上に形成する透明被覆層を錫
りｎ、鉛Ｐｂ、インジウムＩｎから選択した元素と、炭
素Ｃ２窒素Ｎ、硫黄Ｓから選択した元素とにより形成し
たことを特徴とするものである。
領域の光線を透過する基板上に形成する透明被覆層を錫
りｎ、鉛Ｐｂ、インジウムＩｎから選択した元素と、炭
素Ｃ２窒素Ｎ、硫黄Ｓから選択した元素とにより形成し
たことを特徴とするものである。
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。第
１図は、光選択透過部材の基本構成を示すもので、基板
１の少なくとも一方の面に透明被覆層２を形成してなる
。ここに、基板１はガラス。
１図は、光選択透過部材の基本構成を示すもので、基板
１の少なくとも一方の面に透明被覆層２を形成してなる
。ここに、基板１はガラス。
ポリエステル等の少なくとも可視光領域の光線を十分に
透過させる材料が用いられる。
透過させる材料が用いられる。
しかして１本実施例では、透明被覆層２を酸素を含まな
い還元性透明導電膜として形成するものである。その構
成元素として、錫りｎ、鉛Ｐｂ。
い還元性透明導電膜として形成するものである。その構
成元素として、錫りｎ、鉛Ｐｂ。
インジウムＩｎから選択した元素と、炭素Ｃ２窒素Ｎ、
硫黄Ｓから選択した元素とにより構成するものである。
硫黄Ｓから選択した元素とにより構成するものである。
従って。
５ｎｘＣ１−ｘ、５ｎｘＮｔ−ｘ、５ｎｘＳｔ−ｘ。
ＰｂｘＣｘ−ｘ、ＰｂｘＮｔ−ｘ、ＰｂｘＳｘ−ｘ’。
ＩｎｘＣ１−ｘ、 ＩｎｘＮｔ−ｘ、 Ｉｎｘ５ｔ
−ｘ等を基本材料として構成される。なお、いずれも０
＜ ｘ ＜ １である。そして、必要に応じて水素Ｈ
を含むこれらの水素化物が用いられる。即ち。
−ｘ等を基本材料として構成される。なお、いずれも０
＜ ｘ ＜ １である。そして、必要に応じて水素Ｈ
を含むこれらの水素化物が用いられる。即ち。
Ｓｎ ｘＣ，ｔ−ｘ：Ｈ，Ｓｎ ｘＮ ｔ−ｘ：Ｈ，Ｓ
ｎ ｘ Ｓ １−Ｘ：Ｈ。
ｎ ｘ Ｓ １−Ｘ：Ｈ。
Ｐｂ ＸＣ１−Ｘ：Ｈ，Ｐｂ ｘＮ ｔ−ｘ：Ｈ，Ｐｂ
ｘ Ｓ ｘ−ｘ：Ｈ。
ｘ Ｓ ｘ−ｘ：Ｈ。
Ｉｎ ＸＣ１−Ｘ：Ｈ，Ｉｎ ｘＮ ｔ−ｘ：Ｈ，Ｉｎ
ｘ Ｓ ｔ−ｘ：Ｈである。更に、導電性のコントロ
ールのために。
ｘ Ｓ ｔ−ｘ：Ｈである。更に、導電性のコントロ
ールのために。
必要に応じてｌｐｐｍ〜２０原子％の範囲原子層期律表
■ａ族（ＢＩ ＡＱ、Ｇａ、Ｉ ｎ、 ＴＱ）又は周期
律表Ｖａ族（Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ ｉ）のいずれか
の元素を不純物として含有させてもよい。
■ａ族（ＢＩ ＡＱ、Ｇａ、Ｉ ｎ、 ＴＱ）又は周期
律表Ｖａ族（Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ ｉ）のいずれか
の元素を不純物として含有させてもよい。
、透明被覆層２の膜厚としては、必要に応じて１００〜
１００００オングストローム程度の範囲から適当に選ぶ
。
１００００オングストローム程度の範囲から適当に選ぶ
。
このような透明被覆層２を備えた光選択透過部材によれ
ば、従来の酸化物半導体薄膜によるものに比べ、可視光
領域における透過率が８５％以上と高いものであり、光
損失が少ない。又、赤外光領域においては９０％以上の
反射率を持っているため、優れた特性の透明断熱板とし
て用いることかで′きる。更に、透明被覆層２は導電性
の点でも均一なる良好な特性を有するため、熱線フィル
タ、あるいはヒートミラーとして使用した場合でもほこ
り等が吸着しにり＜１選択透過特性の劣化は少ない。結
局、酸素を含まない還元性の透明被覆層２によれば、化
学的に極めて安定であり、還元雰囲気下でも長期間にわ
たって光学的特性が劣化することがなく、又、大面積化
しても均一な特性のものが得られる。
ば、従来の酸化物半導体薄膜によるものに比べ、可視光
領域における透過率が８５％以上と高いものであり、光
損失が少ない。又、赤外光領域においては９０％以上の
反射率を持っているため、優れた特性の透明断熱板とし
て用いることかで′きる。更に、透明被覆層２は導電性
の点でも均一なる良好な特性を有するため、熱線フィル
タ、あるいはヒートミラーとして使用した場合でもほこ
り等が吸着しにり＜１選択透過特性の劣化は少ない。結
局、酸素を含まない還元性の透明被覆層２によれば、化
学的に極めて安定であり、還元雰囲気下でも長期間にわ
たって光学的特性が劣化することがなく、又、大面積化
しても均一な特性のものが得られる。
ところで１本実施例における透明被覆層２の作製方法と
しては、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、反
応性スパツタリシグ法等が有効である。
しては、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、反
応性スパツタリシグ法等が有効である。
特に、プラズマＣＶＤ法によるのが有効である。
この場合、Ｓｎ（ＣＨ３）４，５ｎ（Ｃｚ Ｈ５）４
。
。
Ｓ ｎ（Ｃ３Ｈ７）４ 、 Ｓ ｎ（Ｃ４）（９’）４
、 Ｐ ｂ（Ｃ２Ｈ５’）４ 、Ｐｂ（Ｃ４Ｈｓ）４
．Ｉｎ（ＣＨ３）３゜Ｉ ｎ（Ｃｚ Ｈ５）３ 、
Ｉ ｎ（Ｃ３Ｈ７）３’、 Ｉ ｎ（Ｃ４Ｈ９）３等
の有機金属化合物を、適当なキャリアガスＨｅ、Ａｒ、
Ｈ２、Ｎ２等で希釈導入し、同時に、炭素含有ガス（Ｃ
Ｈａ 、Ｃ２Ｈｅ 、Ｃ３Ｈａ 、Ｃ２Ｈ４、Ｃ２Ｈ２
に代表される炭化水素系ガス等）、窒素含有ガス（Ｎ２
．ＮＨ３等）。
、 Ｐ ｂ（Ｃ２Ｈ５’）４ 、Ｐｂ（Ｃ４Ｈｓ）４
．Ｉｎ（ＣＨ３）３゜Ｉ ｎ（Ｃｚ Ｈ５）３ 、
Ｉ ｎ（Ｃ３Ｈ７）３’、 Ｉ ｎ（Ｃ４Ｈ９）３等
の有機金属化合物を、適当なキャリアガスＨｅ、Ａｒ、
Ｈ２、Ｎ２等で希釈導入し、同時に、炭素含有ガス（Ｃ
Ｈａ 、Ｃ２Ｈｅ 、Ｃ３Ｈａ 、Ｃ２Ｈ４、Ｃ２Ｈ２
に代表される炭化水素系ガス等）、窒素含有ガス（Ｎ２
．ＮＨ３等）。
硫黄含有ガス（Ｈ２Ｓ等）の中から選択される適当なガ
スを１種以上使用したプラズマＣＶＤ法がとられる（こ
こでは、５ｎｘＣｔ−ｘ：Ｈ等の水素イ由を想定してい
る）。不純物添加の場合には、更にＢｚ Ｈａ 、ＡＱ
ＣＱ３．ＰＨ３、Ａ１１ｌ ８３等のガスが追・加され
る。
スを１種以上使用したプラズマＣＶＤ法がとられる（こ
こでは、５ｎｘＣｔ−ｘ：Ｈ等の水素イ由を想定してい
る）。不純物添加の場合には、更にＢｚ Ｈａ 、ＡＱ
ＣＱ３．ＰＨ３、Ａ１１ｌ ８３等のガスが追・加され
る。
第２図は、このプラズマＣＶＤ法を実施するためのプラ
ズマＣＶＤ装置の概略を示すものである。
ズマＣＶＤ装置の概略を示すものである。
３は反応容器であり、対向電極４，５が上下に設けられ
、ガラス基板１は電極５にセットされることになる。そ
して、この反応容器３内にはバブラー７内の有機金属化
合物がガスボンベ７からのキャリアガス、ガスボンベ８
からの炭素含有ガス等とともに導入される。９は流量計
、１０は圧力計である。このとき、電極４，５間には高
周波電源１１により高周波電圧が印加され、高周波グロ
ー放電が生じ、そのプラズマ中で原料ガスが分解され、
ガラス基板１に透明被覆層２が成膜されることになる。
、ガラス基板１は電極５にセットされることになる。そ
して、この反応容器３内にはバブラー７内の有機金属化
合物がガスボンベ７からのキャリアガス、ガスボンベ８
からの炭素含有ガス等とともに導入される。９は流量計
、１０は圧力計である。このとき、電極４，５間には高
周波電源１１により高周波電圧が印加され、高周波グロ
ー放電が生じ、そのプラズマ中で原料ガスが分解され、
ガラス基板１に透明被覆層２が成膜されることになる。
なお、この成膜処理中、真空ポンプ１２により排気され
１反応容器３内は所定圧力に維持される。
１反応容器３内は所定圧力に維持される。
しかして１本実施例による光選択透過部材は。
良好なる特性を示す光学フィルタ、熱線反射板、透明断
熱材等として応用される。
熱材等として応用される。
効果
本発明は、上述したように少なくとも可視光領域の光線
を透過する基板の少なくとも一方の面に、錫りｎ、鉛Ｐ
ｂ、インジウムＩｎから選択した元素と、炭素Ｃ１窒素
Ｎ、硫黄Ｓから選択して元素とにより構成される透明被
覆層を形成したので。
を透過する基板の少なくとも一方の面に、錫りｎ、鉛Ｐ
ｂ、インジウムＩｎから選択した元素と、炭素Ｃ１窒素
Ｎ、硫黄Ｓから選択して元素とにより構成される透明被
覆層を形成したので。
この透明被覆層が化学的に極めて安定で長期間にわたっ
てその光学的特性が劣化しないため、デバイスを大面積
化しても均一な特性が得られるとともに、可視光に対す
る透過率が高くて光損失の少ないものとすることができ
るものである。
てその光学的特性が劣化しないため、デバイスを大面積
化しても均一な特性が得られるとともに、可視光に対す
る透過率が高くて光損失の少ないものとすることができ
るものである。
図面は本発明の一実施例を示すもので、第１図は光選択
透過部材の構成図、第２図はプラズマＣＶＤ装置の概略
構成図である。
透過部材の構成図、第２図はプラズマＣＶＤ装置の概略
構成図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、少なくとも可視光領域の光線を透過する基板の少な
くとも一方の面に、錫Ｓｎ、鉛Ｐｂ、インジウムＩｎか
ら選択した元素と、炭素Ｃ、窒素Ｎ、硫黄Ｓから選択し
た元素とにより構成される透明被覆層を形成したことを
特徴とする光選択透過部材。 ２、透明被覆層が、水素Ｈを含むことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の光選択透過部材。 ３、透明被覆層が、周期律表IIIａ族又はＶａ族から選
択した元素を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１
項又は第２項記載の光選択透過部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14198284A JPS6120904A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | 光選択透過部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14198284A JPS6120904A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | 光選択透過部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6120904A true JPS6120904A (ja) | 1986-01-29 |
Family
ID=15304640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14198284A Pending JPS6120904A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | 光選択透過部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6120904A (ja) |
-
1984
- 1984-07-09 JP JP14198284A patent/JPS6120904A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Elam et al. | Growth of ZnO/Al2O3 alloy films using atomic layer deposition techniques | |
| US4268711A (en) | Method and apparatus for forming films from vapors using a contained plasma source | |
| US8273177B2 (en) | Titanium-doped indium oxide films | |
| Maruyama et al. | Fluorine‐doped tin dioxide thin films prepared by chemical vapor deposition | |
| US5496582A (en) | Process for producing electroluminescent device | |
| JPS6089573A (ja) | 透明導電膜 | |
| JP2000128698A (ja) | Ｉｔｏ材、ｉｔｏ膜及びその形成方法、並びにｅｌ素子 | |
| JPH11241161A (ja) | 一硫化サマリウムピエゾクロミック薄膜の製法 | |
| EP0275267B1 (en) | Process for photochemical vapor deposition of oxide layers at enhanced deposition rates | |
| Ritala et al. | Ale growth of transparent conductors | |
| US3012902A (en) | Process of reacting a vaporous metal with a glass surface | |
| JP2663471B2 (ja) | 絶縁薄膜の製造方法 | |
| JPS6120904A (ja) | 光選択透過部材 | |
| JPS62287513A (ja) | 透明導電膜およびその製造方法 | |
| US4981712A (en) | Method of producing thin-film electroluminescent device using CVD process to form phosphor layer | |
| Alam et al. | High-rate reactive deposition of indium oxide films on unheated substrate using ozone gas | |
| GB1409340A (en) | Superconducting niobium-gallium alloy | |
| Takemoto et al. | Nucleation mechanism of metal-vapor atoms on photochromic diarylethene surface with a low glass transition temperature | |
| Barbee Jr et al. | Controlled Reactive Sputter Synthesis of Refractory Oxides: SiO x, The Silicon‐Oxygen System | |
| US4040927A (en) | Cadmium tellurite thin films | |
| CA2019923C (en) | Semiconductor film and process for its production | |
| Lee et al. | Hydrogen Plasma Resistive and Highly Textured S n O 2: F/Z n O: I n Bilayer Films Prepared by the Pyrosol Method | |
| ES8504642A1 (es) | Metodo para el deposito de una capa de oxido de estano, sobre un substrato de vidrio, a partir de compuestos de estano en estado gaseoso. | |
| Pilling et al. | Far-infrared reflection-absorption investigation of SnCl4 on silica and Na-modified silica surfaces using the buried metal layer approach | |
| JPH06264223A (ja) | 二酸化けい素膜の成膜方法 |