JPS61212819A - 半導体レ−ザ光源装置 - Google Patents
半導体レ−ザ光源装置Info
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- JPS61212819A JPS61212819A JP60053844A JP5384485A JPS61212819A JP S61212819 A JPS61212819 A JP S61212819A JP 60053844 A JP60053844 A JP 60053844A JP 5384485 A JP5384485 A JP 5384485A JP S61212819 A JPS61212819 A JP S61212819A
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- Japan
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- source device
- semiconductor laser
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の分野）
本発明は光ビーム走査装置に用いられる半導体レーザ光
源装置、特に詳細には複数の半導体レーザから射出され
たレーザビームを１点に集束させるようにした半導体レ
ーザ光源装置に関するものである。
源装置、特に詳細には複数の半導体レーザから射出され
たレーザビームを１点に集束させるようにした半導体レ
ーザ光源装置に関するものである。
（発明の技術的背景および先行技術）
従来より、光ビームを光偏向器により偏向しで走査する
光ビーム走査装置が、例えば各種走査記録装置、走査読
取装置等において広く実用に供されている。このような
光ビーム走査装置において光ビームを発生ずる手段の１
つとして、半導体レーザが従来から用いられている。こ
の半導体レーザは、ガスレーザ等に比べれば小型、安価
で消費電力も少なく、また駆動電流を変えることによっ
て直接変調が可能である等、数々の長所を有している。
光ビーム走査装置が、例えば各種走査記録装置、走査読
取装置等において広く実用に供されている。このような
光ビーム走査装置において光ビームを発生ずる手段の１
つとして、半導体レーザが従来から用いられている。こ
の半導体レーザは、ガスレーザ等に比べれば小型、安価
で消費電力も少なく、また駆動電流を変えることによっ
て直接変調が可能である等、数々の長所を有している。
しかしながら、その反面この半導体レーザは、連続発振
させる場合には現状では出力がたかたか２０〜３０′Ｉ
ｒＬＷと小さく、したがって高エネルギーの走査光を必
要とする光ビーム走査装置、例えば感度の低い記録材料
（需属膜、アモルフ・ス膜等のＤＲＡＷｌ料等）に記録
する走査記録装置等に用いるのは極めて困難である。
させる場合には現状では出力がたかたか２０〜３０′Ｉ
ｒＬＷと小さく、したがって高エネルギーの走査光を必
要とする光ビーム走査装置、例えば感度の低い記録材料
（需属膜、アモルフ・ス膜等のＤＲＡＷｌ料等）に記録
する走査記録装置等に用いるのは極めて困難である。
また、ある種の螢光体に放射線（Ｘ線、α線、β線、γ
線、電子線、紫外線等）を照射すると、この放射線エネ
ルギーの一部が螢光体中に蓄積され、この螢光体に可視
光等の励起光を照射すると、蓄積されたエネルギーに応
じて螢光体が輝尽発光を示ずことか知られており、この
ような蓄積性螢光体を利用して、人体等の被写体の放射
線画像情報を一旦蓄積性螢光体からなる層を有する蓄積
性螢光体シートに記録し、この蓄積性螢光体シートをレ
ーザ光等の励起光で走査して輝尽発光光を生ぜしめ、得
られた輝尽発光光を光電的に読み出して画像信号を得、
この画像信号に基づき被写体の放射線画像を写真感光材
料等の記録材料、ＣＲＴ等に可視像として出力させる放
射線画像情報記録再生システムが本出願人により既に提
案されている（特開昭５５−１２４２９号、同５５−１
１６３４０号、同５５−１６３４７２号、同５６−１１
３９へ号、同５６−１０４６４５号など）。このシステ
ムにおいて放射線画像情報が蓄積記録された蓄積性螢光
体シートを走査して画像情報の読取りを行なうのに、半
導体レーザを用いた光ビーム走査装置の使用が考えられ
ているが、蓄積性螢光体を輝尽発光させるためには、十
分に高エネルギーの励起光を該螢光体に照射する必要が
あり、したがって前記半導体レーザを用いた光ビーム走
査装置を、この放射線画像情報記録再生システムにおい
て画像情報読取りのために使用することも極めて難しい
。
線、電子線、紫外線等）を照射すると、この放射線エネ
ルギーの一部が螢光体中に蓄積され、この螢光体に可視
光等の励起光を照射すると、蓄積されたエネルギーに応
じて螢光体が輝尽発光を示ずことか知られており、この
ような蓄積性螢光体を利用して、人体等の被写体の放射
線画像情報を一旦蓄積性螢光体からなる層を有する蓄積
性螢光体シートに記録し、この蓄積性螢光体シートをレ
ーザ光等の励起光で走査して輝尽発光光を生ぜしめ、得
られた輝尽発光光を光電的に読み出して画像信号を得、
この画像信号に基づき被写体の放射線画像を写真感光材
料等の記録材料、ＣＲＴ等に可視像として出力させる放
射線画像情報記録再生システムが本出願人により既に提
案されている（特開昭５５−１２４２９号、同５５−１
１６３４０号、同５５−１６３４７２号、同５６−１１
３９へ号、同５６−１０４６４５号など）。このシステ
ムにおいて放射線画像情報が蓄積記録された蓄積性螢光
体シートを走査して画像情報の読取りを行なうのに、半
導体レーザを用いた光ビーム走査装置の使用が考えられ
ているが、蓄積性螢光体を輝尽発光させるためには、十
分に高エネルギーの励起光を該螢光体に照射する必要が
あり、したがって前記半導体レーザを用いた光ビーム走
査装置を、この放射線画像情報記録再生システムにおい
て画像情報読取りのために使用することも極めて難しい
。
そこで上記の通り光出力が低い半導体レーザから十分高
エネルギーの走査ビームを得るために、複数の半導体レ
ーザを使用し、これらの半導体レーザから射出されたレ
ーザビームを１本に合成することが考えられる。このよ
うに複数のレーザビームを合成Ｊる半導体レーザ光源装
置として、例えば第４図に示されるように、ビーム射出
軸が互いに平行となるように複数の半導体レーザ１１．
１２．１３．１４を配置するとともに、これら半導体レ
ーザ１１．１２．１３．１４から射出された各レーザビ
ーム３１．３２．３３．３４をそれぞれコリメータレン
ズ２１．２２．２３．２４によって平行ビームとした上
で集束レンズ６に通し、該集束レンズ６によって１点に
集束させるようにしたものが考えられている。なおこの
第４図の装置において、平面鏡４１．４２．４３．４４
によって互いに間隔を狭められたレーザビーム３１〜３
４はガルバノメータミラー等の光偏向器５によって偏向
され、集束レンズ６によってスポットＳに集束されて、
被走査面７上を走査する。
エネルギーの走査ビームを得るために、複数の半導体レ
ーザを使用し、これらの半導体レーザから射出されたレ
ーザビームを１本に合成することが考えられる。このよ
うに複数のレーザビームを合成Ｊる半導体レーザ光源装
置として、例えば第４図に示されるように、ビーム射出
軸が互いに平行となるように複数の半導体レーザ１１．
１２．１３．１４を配置するとともに、これら半導体レ
ーザ１１．１２．１３．１４から射出された各レーザビ
ーム３１．３２．３３．３４をそれぞれコリメータレン
ズ２１．２２．２３．２４によって平行ビームとした上
で集束レンズ６に通し、該集束レンズ６によって１点に
集束させるようにしたものが考えられている。なおこの
第４図の装置において、平面鏡４１．４２．４３．４４
によって互いに間隔を狭められたレーザビーム３１〜３
４はガルバノメータミラー等の光偏向器５によって偏向
され、集束レンズ６によってスポットＳに集束されて、
被走査面７上を走査する。
ところで上記構成の半導体レーザ光源装置においては、
集束レンズ６やビーム走査のための光偏向器５の大型化
を回避し、また集束レンズ６の収差の影響を少なくする
ために、各レーザご−ム３１〜３４を、互いにできるだ
け近接し、そして−線に揃った状態で光偏向器５および
集束レンズ６に入射させることが望まれる。そこで各半
導体レーザ１１〜１４とコリメータレンズ２１〜２４を
、光軸間隔を変える方向（第４図の矢印Ｘ方向）および
それと直角な方向く同じくＹ方向）に位置調整可能とし
、各レーザビーム３１〜３４の射出位置を微調整するこ
とが考えられる。しかしこれらの半導体レーザ１１〜１
４やコリメータレンズ２１〜２４には通常、それぞれの
光軸を互いに平行に揃えるための調整機構が取り（ｔ
Ｉ）られるようになっており、したがってさらに上記の
ような位置調整機構を付加すると、この部分は極めて複
雑かつ大型化してしまう。
集束レンズ６やビーム走査のための光偏向器５の大型化
を回避し、また集束レンズ６の収差の影響を少なくする
ために、各レーザご−ム３１〜３４を、互いにできるだ
け近接し、そして−線に揃った状態で光偏向器５および
集束レンズ６に入射させることが望まれる。そこで各半
導体レーザ１１〜１４とコリメータレンズ２１〜２４を
、光軸間隔を変える方向（第４図の矢印Ｘ方向）および
それと直角な方向く同じくＹ方向）に位置調整可能とし
、各レーザビーム３１〜３４の射出位置を微調整するこ
とが考えられる。しかしこれらの半導体レーザ１１〜１
４やコリメータレンズ２１〜２４には通常、それぞれの
光軸を互いに平行に揃えるための調整機構が取り（ｔ
Ｉ）られるようになっており、したがってさらに上記の
ような位置調整機構を付加すると、この部分は極めて複
雑かつ大型化してしまう。
、（発明の目的）
そこで本発明は、集束レンズに入射させる互いに平行な
複数のレーザビームの位置を、簡単に調整する・ことが
できる半導体レーザ光源装置を提供することを目的とす
るもので゛ある。
複数のレーザビームの位置を、簡単に調整する・ことが
できる半導体レーザ光源装置を提供することを目的とす
るもので゛ある。
（発明の構成）
本発明の半導体レーザ光源装置は、前述したように複数
の半導体レーザから射出されコリメートされた上で互い
が平行とされた各レーザビームを集束レンズにより１点
に合成する半導体レーザ光源装置において、上記各レー
ザビームのそれぞれの光路に、該ビームに対する傾きを
変更可能に支持された平行平面板を配設したことを特徴
とづ−るものである。
の半導体レーザから射出されコリメートされた上で互い
が平行とされた各レーザビームを集束レンズにより１点
に合成する半導体レーザ光源装置において、上記各レー
ザビームのそれぞれの光路に、該ビームに対する傾きを
変更可能に支持された平行平面板を配設したことを特徴
とづ−るものである。
（実施態様）
以下、図面に示す実施態様に基づいて本発明の詳細な説
明する。
明する。
第１．２および３図は本発明の半導体レーザ光源装置の
一実施憇様を示すものである。第１図に示されるように
、−例として４つの半導体レーデ１１．１２．７３．１
４は互いにビーム射出軸を平行に揃えて配置され、これ
らの半導体レーザ１１．１２．１３．１４のそれぞれに
λ１してコリメータレンズ２１．２２．２３．２４と、
反Ｑ・１鏡４１．４２．４３．４４が設ＣＪられている
。各半導体レーザ１１．１２．１３．１４から射出され
ｌこレーザビーム３１．３２．３３．３４は、」二記］
リメータレンズ２１．２２．２３．２４によって平行ビ
ームとされ、これらの平行ビームは上記反射鏡４１．４
２．４３．４４において反射し、図中矢印へ方向に往復
回動する光偏向器５に」；り偏向される。偏向されたレ
ーザビーム３１〜３４は共通の集束レンズ６に入則し、
該集束レンズ６により１つの合成ビームスボッ１〜Ｓに
集中されるとともに、それぞれがとのスポラ１− Ｓに
おいて集束される。したがつ【上記スポットＳが照射さ
れる位置に被走査面７を配置ずれば、該被走査面７は、
各半導体レーザ１１〜１４からＩ＝Ｊ Ｈｊされたレー
ザビーム３１〜３４が合成されて高エネルギーとなった
走査ビームによって矢印Ｂ方向に走査される。なお通常
上記被走査面７は平面とされ、そのｌζめに集束レンズ
６どして１゛θレンズが用いられる。
一実施憇様を示すものである。第１図に示されるように
、−例として４つの半導体レーデ１１．１２．７３．１
４は互いにビーム射出軸を平行に揃えて配置され、これ
らの半導体レーザ１１．１２．１３．１４のそれぞれに
λ１してコリメータレンズ２１．２２．２３．２４と、
反Ｑ・１鏡４１．４２．４３．４４が設ＣＪられている
。各半導体レーザ１１．１２．１３．１４から射出され
ｌこレーザビーム３１．３２．３３．３４は、」二記］
リメータレンズ２１．２２．２３．２４によって平行ビ
ームとされ、これらの平行ビームは上記反射鏡４１．４
２．４３．４４において反射し、図中矢印へ方向に往復
回動する光偏向器５に」；り偏向される。偏向されたレ
ーザビーム３１〜３４は共通の集束レンズ６に入則し、
該集束レンズ６により１つの合成ビームスボッ１〜Ｓに
集中されるとともに、それぞれがとのスポラ１− Ｓに
おいて集束される。したがつ【上記スポットＳが照射さ
れる位置に被走査面７を配置ずれば、該被走査面７は、
各半導体レーザ１１〜１４からＩ＝Ｊ Ｈｊされたレー
ザビーム３１〜３４が合成されて高エネルギーとなった
走査ビームによって矢印Ｂ方向に走査される。なお通常
上記被走査面７は平面とされ、そのｌζめに集束レンズ
６どして１゛θレンズが用いられる。
ここで本発明装置の特徴部分として、コリメータレンズ
２１〜２４ど反射鏡４１〜４４との間において、各レー
ザビーム３１〜３４の光路には、それぞれ１ノーザビー
ム３１〜３４か透過覆る平行平面板５１．５２．０３．
５４が配設されている。第２図に示すように平行平面板
５１は、垂直イ１回動φｌ１１６０を中心に回動自在と
された支持具６１に、水平な回動軸６２を中心に回動自
在に支持されている。上記回動軸６０および６２は図示
しない公知の微動回転機構に連結されており、これらの
回動軸６０．６２が回動されれば平行平面板５１は、レ
ーザビーム３７に対Ｊる傾ぎを変えるように回動する。
２１〜２４ど反射鏡４１〜４４との間において、各レー
ザビーム３１〜３４の光路には、それぞれ１ノーザビー
ム３１〜３４か透過覆る平行平面板５１．５２．０３．
５４が配設されている。第２図に示すように平行平面板
５１は、垂直イ１回動φｌ１１６０を中心に回動自在と
された支持具６１に、水平な回動軸６２を中心に回動自
在に支持されている。上記回動軸６０および６２は図示
しない公知の微動回転機構に連結されており、これらの
回動軸６０．６２が回動されれば平行平面板５１は、レ
ーザビーム３７に対Ｊる傾ぎを変えるように回動する。
なお拡大図示しないその他の平行平面板５２〜５４も、
上記平行平面板５１と同様に支持されている。
上記平行平面板５１と同様に支持されている。
第３図の平面図に示すように、平行平面板５１を前記回
動軸６０を中心に回動さゼれば、レーザビーム３１は屈
折し、隣合うレーザビーム３２との間隔が変わるように
なる。したがってこの平行平面板５１の回動位置を調整
することにより、反１）１鏡４１から出射したレーザビ
ーム３１を、隣合うレーザビーム３２とできるだけ近接
し、しかも反射鏡４２によってケラれることがないよう
な位置（第１図におけるＺ方向位置）に設定することが
できる。その他のレーザビーム３２〜３４も、ぞれぞれ
平行平面板５２〜５４の回動位置を調整することにより
、上記と同様に位置調整されうる。
動軸６０を中心に回動さゼれば、レーザビーム３１は屈
折し、隣合うレーザビーム３２との間隔が変わるように
なる。したがってこの平行平面板５１の回動位置を調整
することにより、反１）１鏡４１から出射したレーザビ
ーム３１を、隣合うレーザビーム３２とできるだけ近接
し、しかも反射鏡４２によってケラれることがないよう
な位置（第１図におけるＺ方向位置）に設定することが
できる。その他のレーザビーム３２〜３４も、ぞれぞれ
平行平面板５２〜５４の回動位置を調整することにより
、上記と同様に位置調整されうる。
また平行平面板５１を、前記回動軸６２を中心に回動さ
せれば、レーザご−ム３１の上下位置（第１図における
Ｙ方向位置）を調整することができる。
せれば、レーザご−ム３１の上下位置（第１図における
Ｙ方向位置）を調整することができる。
その他のレーザビーム３２〜３４についても各々平行８
一 平面板５２〜５４を操作することによって上記のＪ：う
に上下位置を調整することができるから、４本のレーザ
ビーム３１〜３４を厳密に一線に揃えることが可能どな
る。
一 平面板５２〜５４を操作することによって上記のＪ：う
に上下位置を調整することができるから、４本のレーザ
ビーム３１〜３４を厳密に一線に揃えることが可能どな
る。
なお、本発明において、集束レンズ６は単レンズであっ
てもＪ：いし、あるいは複数のレンズが組合わせられた
ものであってもよい。
てもＪ：いし、あるいは複数のレンズが組合わせられた
ものであってもよい。
（発明の効果）
以上詳細に説明した通り本発明の半導体レーザ光源装置
によれば、集束レンズや光偏向器に入射する複数のレー
ザビームの間隔を容易に調整可能で、またこれらのレー
ザビームを一線に揃える調整も容易になされうる。しか
も上記調整はレーザビーム光路に配された構造簡単な平
行平面板によってなされるので、半１（ホレーザや」リ
メータレンズまわりの構造が複雑化することがない。
によれば、集束レンズや光偏向器に入射する複数のレー
ザビームの間隔を容易に調整可能で、またこれらのレー
ザビームを一線に揃える調整も容易になされうる。しか
も上記調整はレーザビーム光路に配された構造簡単な平
行平面板によってなされるので、半１（ホレーザや」リ
メータレンズまわりの構造が複雑化することがない。
第１図は本発明の一実施態様による半導体レーザ光源装
置を示す斜視図、 第２図は上記実施態様装置に用いられた平行平面板を詳
しく示す拡大斜視図、 第３図は上記実施態様装置の一部を示す平面図、第４図
は従来の半導体レーザ光源装置の一例を示す斜視図であ
る。 ６・・・集束レンズ １１．１２．１３．１４・・・半導体レーザ２１．２２
．２３．２４・・・コリメータレンズ３１．３２．３３
．３４・・・レーザビーム５１．５２．５３．５４・・
・平行平面板６０、６２・・・平行平面板の回動軸 ６
１・・・支持具ニ 第４ ７ど−）、 ４４４３特開昭Ｇ１−２
１２８１９（５） 図 、 ４２ ４１
置を示す斜視図、 第２図は上記実施態様装置に用いられた平行平面板を詳
しく示す拡大斜視図、 第３図は上記実施態様装置の一部を示す平面図、第４図
は従来の半導体レーザ光源装置の一例を示す斜視図であ
る。 ６・・・集束レンズ １１．１２．１３．１４・・・半導体レーザ２１．２２
．２３．２４・・・コリメータレンズ３１．３２．３３
．３４・・・レーザビーム５１．５２．５３．５４・・
・平行平面板６０、６２・・・平行平面板の回動軸 ６
１・・・支持具ニ 第４ ７ど−）、 ４４４３特開昭Ｇ１−２
１２８１９（５） 図 、 ４２ ４１
Claims (1)
- 複数の半導体レーザから射出されコリメートされた上
で互いが平行とされた各レーザビームを、集束レンズに
より１点に集束させる半導体レーザ光源装置において、
前記各レーザビームのそれぞれの光路に、該ビームに対
する傾きを変更可能に支持された平行平面板が配設され
ていることを特徴とする半導体レーザ光源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60053844A JPS61212819A (ja) | 1985-03-18 | 1985-03-18 | 半導体レ−ザ光源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60053844A JPS61212819A (ja) | 1985-03-18 | 1985-03-18 | 半導体レ−ザ光源装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61212819A true JPS61212819A (ja) | 1986-09-20 |
Family
ID=12954085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60053844A Pending JPS61212819A (ja) | 1985-03-18 | 1985-03-18 | 半導体レ−ザ光源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61212819A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002311358A (ja) * | 2001-04-12 | 2002-10-23 | Ricoh Co Ltd | 光走査方法および装置および画像形成装置 |
| JP2008065045A (ja) * | 2006-09-07 | 2008-03-21 | Ricoh Co Ltd | 光源装置および光走査装置ならびに画像形成装置 |
| US7369287B2 (en) | 2004-10-14 | 2008-05-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Mirror positioning structure for compensation of skew and bow and laser scanning unit employing the same |
| WO2014034428A1 (ja) * | 2012-08-29 | 2014-03-06 | 株式会社フジクラ | 導光装置、製造方法、及び、ｌｄモジュール |
| JP2015111177A (ja) * | 2013-11-15 | 2015-06-18 | 株式会社フジクラ | 導光装置、製造方法、及び、ｌｄモジュール |
| US9774171B2 (en) | 2012-12-27 | 2017-09-26 | Fujikura Ltd. | Multiplexer, multiplexing method, and LD module using outside-reflecting double mirrors |
-
1985
- 1985-03-18 JP JP60053844A patent/JPS61212819A/ja active Pending
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