JPS61215522A - 液晶装置の製造方法 - Google Patents
液晶装置の製造方法Info
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- JPS61215522A JPS61215522A JP5709185A JP5709185A JPS61215522A JP S61215522 A JPS61215522 A JP S61215522A JP 5709185 A JP5709185 A JP 5709185A JP 5709185 A JP5709185 A JP 5709185A JP S61215522 A JPS61215522 A JP S61215522A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、たとえば強誘電性を有する液晶を封入した光
ｌ！窮方式の液晶装置の製造方法に関する。
ｌ！窮方式の液晶装置の製造方法に関する。
背景技術
従来からの液晶を用いた表示装置としては、ツイスト−
ネマティック電界効果型が一般的であり、電子式卓上計
算機、デジタル式時計等に広く用いられている。しかし
液晶材料、セル、駆動方法等の改良にも拘わらず、高速
応答性に欠け、最近特に注目されているテレビ画像表示
、ボータプルコンビエータの表示装置、光シヤツタ装置
としで用いられる場合にはその応答性に問題があった。
ネマティック電界効果型が一般的であり、電子式卓上計
算機、デジタル式時計等に広く用いられている。しかし
液晶材料、セル、駆動方法等の改良にも拘わらず、高速
応答性に欠け、最近特に注目されているテレビ画像表示
、ボータプルコンビエータの表示装置、光シヤツタ装置
としで用いられる場合にはその応答性に問題があった。
そこでこの応答性に関する問題を解決するため、強誘電
性カイラルスメクティ７り液晶を用いた光変調方式の表
示装置が用いられでいるが、一般にこのような強誘電性
液晶物質の特徴であるメモリ性を得るためには、液晶層
の厚みを１〜３μ−確保することが必要とされる。とこ
ろが液晶層の厚みを規定するスペーサとしては、ガラス
繊維、酸化アルミナ粉、ガラスおよびプラスチック製ビ
ーズなどが従来から用いられており、このようなスペー
サでは、通常５μ−以上の厚みとなり、所望の１−３μ
論の寸法を得ることができない、またスペーサ寸法のば
らつきに起因しで、液晶層の厚さを均一に保つことは容
易ではなかった。
性カイラルスメクティ７り液晶を用いた光変調方式の表
示装置が用いられでいるが、一般にこのような強誘電性
液晶物質の特徴であるメモリ性を得るためには、液晶層
の厚みを１〜３μ−確保することが必要とされる。とこ
ろが液晶層の厚みを規定するスペーサとしては、ガラス
繊維、酸化アルミナ粉、ガラスおよびプラスチック製ビ
ーズなどが従来から用いられており、このようなスペー
サでは、通常５μ−以上の厚みとなり、所望の１−３μ
論の寸法を得ることができない、またスペーサ寸法のば
らつきに起因しで、液晶層の厚さを均一に保つことは容
易ではなかった。
発明が解決しようとする問題点
要約すれば、特に強誘電性液晶物を用いる光変調方式の
表示装置においで、従来のスペーサでは液晶層の厚みを
３μ−以下に確保することができず、またその厚みを均
一に保つことができない。
表示装置においで、従来のスペーサでは液晶層の厚みを
３μ−以下に確保することができず、またその厚みを均
一に保つことができない。
したがって高速応答性および双安定性を確保することが
できなかった。
できなかった。
本発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、液晶層の
厚みを３μ−以下とし、かつその厚みを均一化して高速
応答性および双安定性を確保し、これによって表示品質
の向上を図ることができるようにした液晶装置の製造方
法を提供することである。
厚みを３μ−以下とし、かつその厚みを均一化して高速
応答性および双安定性を確保し、これによって表示品質
の向上を図ることができるようにした液晶装置の製造方
法を提供することである。
問題点を解決するための手段
本発明は、一対の相互に対向する電極基板の少なくとも
いずれか一方の表面にシリコン酸化物から成るスペーサ
を形成し、スペーサによって電極基板間の空間が規定さ
れ、この空間内に液晶が封入されでいることを特徴とす
る液晶装置の製造方法である。
いずれか一方の表面にシリコン酸化物から成るスペーサ
を形成し、スペーサによって電極基板間の空間が規定さ
れ、この空間内に液晶が封入されでいることを特徴とす
る液晶装置の製造方法である。
作 用
本発明に従えば、スペーサの材料としてシリコン酸化物
を用いるようにしたことによって、液晶層の厚さを３μ
協以下に確保することができ、しかもその厚み精度の向
上を図ることができる。
を用いるようにしたことによって、液晶層の厚さを３μ
協以下に確保することができ、しかもその厚み精度の向
上を図ることができる。
実施例
第１図は、本発明に従う液晶装置１の断面図である。こ
の光変調方式の液晶層ｒ１１１は、２枚の電極基板２，
３の相互に対向する面に透明電極４゜５および配向処理
が施された配向膜６．７を配置し、シール材９を介して
相互に圧着し、シール材９によって規定されるセル空間
内に強誘電性力イラルスメクティック液晶１０を封入し
て構成される。一方の電極基板３上には、スペーサ８が
パターン形成されており、このスペーサ８によって電極
基板２，３闇の液晶層の厚みｄが規定される。透明基板
２．３の外部両面側には、一対の偏光子１１．１２が配
置されており、上下の透明電極４゜５間の所定電圧の印
加、解除によって、たとえば光シヤツタ装置としての８
！能を果すことができる。
の光変調方式の液晶層ｒ１１１は、２枚の電極基板２，
３の相互に対向する面に透明電極４゜５および配向処理
が施された配向膜６．７を配置し、シール材９を介して
相互に圧着し、シール材９によって規定されるセル空間
内に強誘電性力イラルスメクティック液晶１０を封入し
て構成される。一方の電極基板３上には、スペーサ８が
パターン形成されており、このスペーサ８によって電極
基板２，３闇の液晶層の厚みｄが規定される。透明基板
２．３の外部両面側には、一対の偏光子１１．１２が配
置されており、上下の透明電極４゜５間の所定電圧の印
加、解除によって、たとえば光シヤツタ装置としての８
！能を果すことができる。
第２図を参照して、強誘電性カイラルスメクティック液
晶１０の分子１０ａは、矢符ａで示される螺旋軸方向′
に対して、ティルト角度θだけ傾いて配列した螺旋構造
を有している。この液晶分子１０ａは、個々の分子に直
交した方向に自発分極を有している。いま、上下の電極
基板２，３間に、一定の臨界電場以上の電界Ｅを印加す
ると、液晶分子１０ｍの螺旋構造が解消されて、液晶分
子１０ｍは総て同一方向を向く、この液晶分子１０ｍの
゛配列は自発分極によるので、電界の向きＥ、−Ｅによ
って２つの配列方向を持つ、液晶分子１０ａは、細長い
形状をしており、長軸方向と短軸方向で屈折率の異なる
複屈折性を示すため、電極基板２゜３の上下に偏光子１
１．１２を直交配置することで、電界極性によってスイ
ッチングを行なう光変調装置を得ることができる。この
液晶分子１０ｍの配列の変化は、層内での分子の向きが
変わるだけであるので、ツイスト−ネマティック電界効
果型のような層構造の変化を伴うものではなく、したが
って高速応答性を有するものである。
晶１０の分子１０ａは、矢符ａで示される螺旋軸方向′
に対して、ティルト角度θだけ傾いて配列した螺旋構造
を有している。この液晶分子１０ａは、個々の分子に直
交した方向に自発分極を有している。いま、上下の電極
基板２，３間に、一定の臨界電場以上の電界Ｅを印加す
ると、液晶分子１０ｍの螺旋構造が解消されて、液晶分
子１０ｍは総て同一方向を向く、この液晶分子１０ｍの
゛配列は自発分極によるので、電界の向きＥ、−Ｅによ
って２つの配列方向を持つ、液晶分子１０ａは、細長い
形状をしており、長軸方向と短軸方向で屈折率の異なる
複屈折性を示すため、電極基板２゜３の上下に偏光子１
１．１２を直交配置することで、電界極性によってスイ
ッチングを行なう光変調装置を得ることができる。この
液晶分子１０ｍの配列の変化は、層内での分子の向きが
変わるだけであるので、ツイスト−ネマティック電界効
果型のような層構造の変化を伴うものではなく、したが
って高速応答性を有するものである。
さらに、電界を印加しない定常状態においても、液晶分
子１０ａの螺旋ピッチより液晶層の厚さｄを−薄くする
ことで、螺旋を解消することが可能である。この場合に
おいても、液晶分子１０ａの配列方向は２方向を示し、
双安定性を有す、したがっで電界Ｅを印加すれば、すべ
ての液晶分子１０ａは螺旋軸方向ａに対してティルト角
θだけ傾斜した分子配列となり、第２図（２）に示され
るような双安定状態の配向を得ることができるが、電界
を切ってもこの状態を維持し続ける。これに対して電界
−Ｅを印加すると、すべての液晶分子１０ｍは螺旋軸方
向ａに対してティルト角−θだけ傾斜した分子配列とな
り、第２図（２）に示されるような安定状態の配向を得
ることができるが、電界を切ってもこの状態を維持し続
ける。このように、液晶層の厚さｄを薄くすることで、
高速応答性を得ると同時に、双安定性を得ることができ
る。
子１０ａの螺旋ピッチより液晶層の厚さｄを−薄くする
ことで、螺旋を解消することが可能である。この場合に
おいても、液晶分子１０ａの配列方向は２方向を示し、
双安定性を有す、したがっで電界Ｅを印加すれば、すべ
ての液晶分子１０ａは螺旋軸方向ａに対してティルト角
θだけ傾斜した分子配列となり、第２図（２）に示され
るような双安定状態の配向を得ることができるが、電界
を切ってもこの状態を維持し続ける。これに対して電界
−Ｅを印加すると、すべての液晶分子１０ｍは螺旋軸方
向ａに対してティルト角−θだけ傾斜した分子配列とな
り、第２図（２）に示されるような安定状態の配向を得
ることができるが、電界を切ってもこの状態を維持し続
ける。このように、液晶層の厚さｄを薄くすることで、
高速応答性を得ると同時に、双安定性を得ることができ
る。
以上の複屈折現象を利用した光変調方式では、第２図（
２）における入射光強度Ｉｏと透過光強度Ｉの関係は、
第１式で示され、第２図（３）におけるその関係は第２
式で示される。
２）における入射光強度Ｉｏと透過光強度Ｉの関係は、
第１式で示され、第２図（３）におけるその関係は第２
式で示される。
Ｉ＝０ ・・・（１）
１ ＝（Ｉ ｏ／ ２ ）・（Ｓ ｉｎ”４θ）・（Ｓ
ｉｎ’ｙ −（Δｎ・ｄ／入） ） ・・
・（２）ここでΔｎは強誘電性力イラルスメクティック
液晶１０の屈折率異方性を表わし、ｄは強誘電性力イラ
ルスメクティック液晶層の厚みを表わし、θは強誘電性
カイラルスメクティック液晶１０の螺旋ティルト角度を
表わす。
ｉｎ’ｙ −（Δｎ・ｄ／入） ） ・・
・（２）ここでΔｎは強誘電性力イラルスメクティック
液晶１０の屈折率異方性を表わし、ｄは強誘電性力イラ
ルスメクティック液晶層の厚みを表わし、θは強誘電性
カイラルスメクティック液晶１０の螺旋ティルト角度を
表わす。
第２図（２）に示される状態を、その波長λが４５０ｎ
ｗ＋、５５０ｎ−および６５０ｎｍである場合について
プロットすると第３図に示されるようになり、θ＝π／
８であるときの透過光強度工はΔｎ−ｄと波長人に強く
依存することが明らかである。したがって、可視光波＆
領域においては、Δｎ−ｄは０゜２〜０．３の範囲に設
定する必要があり、これによって色着きのない良好な表
示素子を得ることができる。また、強誘電性カイラルス
メクティック液晶１０の屈折率異方性Δｎは一般的にＯ
９１〜Ｏ６２程度であるので、液晶層の厚みｄの値は１
〜３μ輪が最適である。加えて、双安定状態を得るため
には、液晶層の厚みｄの値を強誘電性カイフルスメクテ
ィック液晶１０の螺旋ピッチより小さくする必要があり
、この点からも、液晶層の厚みｄを１〜３μ−に選ぶの
が適当であることが理解される。
ｗ＋、５５０ｎ−および６５０ｎｍである場合について
プロットすると第３図に示されるようになり、θ＝π／
８であるときの透過光強度工はΔｎ−ｄと波長人に強く
依存することが明らかである。したがって、可視光波＆
領域においては、Δｎ−ｄは０゜２〜０．３の範囲に設
定する必要があり、これによって色着きのない良好な表
示素子を得ることができる。また、強誘電性カイラルス
メクティック液晶１０の屈折率異方性Δｎは一般的にＯ
９１〜Ｏ６２程度であるので、液晶層の厚みｄの値は１
〜３μ輪が最適である。加えて、双安定状態を得るため
には、液晶層の厚みｄの値を強誘電性カイフルスメクテ
ィック液晶１０の螺旋ピッチより小さくする必要があり
、この点からも、液晶層の厚みｄを１〜３μ−に選ぶの
が適当であることが理解される。
上記強誘電性力イラルスメクティック液晶１０の例は、
第１表に示されるとおりである、（以下余白） 第４図は、第１図の切断面線■−ＩＶから見た断面図で
ある。電極基板３上には、その全表面に亘って３μｌ以
ドの均一な厚みを有するスペーサ８が点在して形成され
る。このスペーサ８の厚みによって液晶層の厚みｄが規
定される。スペーサ８は、電気絶縁性を有する光透過膜
、たとえばＳ ｉ ０２などのシリコン酸化膜から成る
。
第１表に示されるとおりである、（以下余白） 第４図は、第１図の切断面線■−ＩＶから見た断面図で
ある。電極基板３上には、その全表面に亘って３μｌ以
ドの均一な厚みを有するスペーサ８が点在して形成され
る。このスペーサ８の厚みによって液晶層の厚みｄが規
定される。スペーサ８は、電気絶縁性を有する光透過膜
、たとえばＳ ｉ ０２などのシリコン酸化膜から成る
。
このようなスペーサ８のパターン形成を行なうにあたっ
ては、その−例として、まず一方の電極基板３上に７オ
トエツチングによってマスク層をパターン形成した後、
蒸着法、スパッタリング、スピンナー塗布法、ＣＶＤ（
化学気相成ｆｋ）法などにより、ＳｉＯ□などから成る
シリコン酸化膜をマスク層のパターニング部分に形成す
る。このシリコン酸化膜の厚みは１〜３μ論（本実施例
では３μ−とする）であり、それぞれ均一である。この
シリコン酸化膜は光透過性を有し、かつ電気絶縁性を有
するのでスペーサとしての材料に好適１ご用いられるこ
とができる。その後、マスク層のパターニング部分に形
成されたシリコン酸化膜以外のマスク層を除去する。こ
れによって第４図に示されるようなドツト形状のシリコ
ン酸化膜が複数個点在して形成されることとなる。
ては、その−例として、まず一方の電極基板３上に７オ
トエツチングによってマスク層をパターン形成した後、
蒸着法、スパッタリング、スピンナー塗布法、ＣＶＤ（
化学気相成ｆｋ）法などにより、ＳｉＯ□などから成る
シリコン酸化膜をマスク層のパターニング部分に形成す
る。このシリコン酸化膜の厚みは１〜３μ論（本実施例
では３μ−とする）であり、それぞれ均一である。この
シリコン酸化膜は光透過性を有し、かつ電気絶縁性を有
するのでスペーサとしての材料に好適１ご用いられるこ
とができる。その後、マスク層のパターニング部分に形
成されたシリコン酸化膜以外のマスク層を除去する。こ
れによって第４図に示されるようなドツト形状のシリコ
ン酸化膜が複数個点在して形成されることとなる。
このように電極基板３上にシリコン酸化膜から成るスペ
ーサ８をパターン形成した後は、配向膜７の配向処理を
行なうとともに、その外縁部１３に周方向に全問に亘っ
てエポキシ系後着剤などのシール材９を塗布する。その
後、もう一方の配向処理が杼なわれた電極基板２と重合
わせ、シール材９によって相互に接着してセル空間を形
成し、そのセル空間内に強誘電性カイラルスメクティッ
ク液晶を封入する。この液晶層の厚みｄは、スペーサ８
の厚みに等しく、シたがって均一かつ３μ−以下である
ため、強誘電性力イラルスメクティック液晶１０の高速
応答性および双安定性が確保されることとなる。したが
って表示品質の優れた光変調方式の液晶装置を得ること
がで終る。
ーサ８をパターン形成した後は、配向膜７の配向処理を
行なうとともに、その外縁部１３に周方向に全問に亘っ
てエポキシ系後着剤などのシール材９を塗布する。その
後、もう一方の配向処理が杼なわれた電極基板２と重合
わせ、シール材９によって相互に接着してセル空間を形
成し、そのセル空間内に強誘電性カイラルスメクティッ
ク液晶を封入する。この液晶層の厚みｄは、スペーサ８
の厚みに等しく、シたがって均一かつ３μ−以下である
ため、強誘電性力イラルスメクティック液晶１０の高速
応答性および双安定性が確保されることとなる。したが
って表示品質の優れた光変調方式の液晶装置を得ること
がで終る。
スペーサ８の形状は、前述のようなドツト形状に限定さ
れず、たとえば長手形状であってもよい。
れず、たとえば長手形状であってもよい。
またスペーサ８の数量、形状および配置パターンはマス
ク層のパターニング態様によって任意に遇よことができ
るので、液晶セルの種類に応じた設計、変更をきわめて
スムーズに行なうことが可能である。
ク層のパターニング態様によって任意に遇よことができ
るので、液晶セルの種類に応じた設計、変更をきわめて
スムーズに行なうことが可能である。
前記実施例では、シリコン酸化物から成るスペーサ８を
強誘電性力イラルスメクティフク液晶を用いた光変調方
式の液晶装置に用いたけれども、これに限定されず、ネ
マティック液晶などを用いた液晶装置に用いるような構
成であってもよい。
強誘電性力イラルスメクティフク液晶を用いた光変調方
式の液晶装置に用いたけれども、これに限定されず、ネ
マティック液晶などを用いた液晶装置に用いるような構
成であってもよい。
効 果
以上のように本発明によれば、スペーサの材料としてシ
リコン酸化物を用いたことによって、液晶層の厚さを３
μ鎗以下に、かつ均一にすることができる。したがって
高速応答性および双安定性が確保され、表示品質の優れ
た液晶装置を得ることがで終る。
リコン酸化物を用いたことによって、液晶層の厚さを３
μ鎗以下に、かつ均一にすることができる。したがって
高速応答性および双安定性が確保され、表示品質の優れ
た液晶装置を得ることがで終る。
第１図は本発明に従う液晶装置１の断面図、第２図は液
晶分子１０ｍを模式的に示した図、第３図は強誘電性力
イラルスメクティック液晶１０の透過光強度工を説明す
るための図、第４図は＃１１図の切断面線ｆｆ−Ｎから
見た断面図である。 １・・・液晶装置、２，３・・・電極基板、４，５・・
・透明電極、８・・・スペーサ、１０・・・強誘電性カ
イフルスメクティック液晶
晶分子１０ｍを模式的に示した図、第３図は強誘電性力
イラルスメクティック液晶１０の透過光強度工を説明す
るための図、第４図は＃１１図の切断面線ｆｆ−Ｎから
見た断面図である。 １・・・液晶装置、２，３・・・電極基板、４，５・・
・透明電極、８・・・スペーサ、１０・・・強誘電性カ
イフルスメクティック液晶
Claims (1)
- 一対の相互に対向する電極基板の少なくともいずれか一
方の表面にシリコン酸化物から成るスペーサを形成し、
スペーサによって電極基板間の空間が規定され、この空
間内に液晶が封入されていることを特徴とする液晶装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5709185A JPS61215522A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 液晶装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5709185A JPS61215522A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 液晶装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61215522A true JPS61215522A (ja) | 1986-09-25 |
Family
ID=13045829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5709185A Pending JPS61215522A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 液晶装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61215522A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5717923A (en) * | 1980-07-04 | 1982-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture for picture image display panel |
| JPS6032055A (ja) * | 1983-08-03 | 1985-02-19 | Canon Inc | 像保持部材 |
| JPS6032025A (ja) * | 1983-08-03 | 1985-02-19 | Fujitsu Ltd | 液晶表示素子用微小スペ−サの製造方法 |
-
1985
- 1985-03-20 JP JP5709185A patent/JPS61215522A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5717923A (en) * | 1980-07-04 | 1982-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture for picture image display panel |
| JPS6032055A (ja) * | 1983-08-03 | 1985-02-19 | Canon Inc | 像保持部材 |
| JPS6032025A (ja) * | 1983-08-03 | 1985-02-19 | Fujitsu Ltd | 液晶表示素子用微小スペ−サの製造方法 |
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