JPS6032055A - 像保持部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明性、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外光線、Ｘ線、ｒ線尋をいう）のような電磁波に感受
性のある電子写真的像保持部材に関する。

従来、電子写真的像保持部材を構成する光導電物質とし
てはＢｅ、Ｏ４０，ＺｎＯ等の無機光導電材料ヤＰυＫ
（ポリビニルカルバゾール）やＴＮＦ（テトラニド四フ
ルオレノン）等に代表される有機光導電物質（ＯＰＯと
いう）が一般的に知られているが、いずれも電子写真的
像保持部材に要求される特質、例えば高感度性、良ＢＡ
Ｈ比（光電流／暗電流）、ム範囲な吸収スペクトル、高
光応答性、高暗抵抗値、＠ｌ返し使用時の安定性無公害
性等のすべてを同時ＫＲｆｔすものは存在しないのが実
情である。

殊Ｋ、製造コストや無公害性などに注目して、量近続々
と新処方が提案され、実用化されているｏｐｏ系像保持
部材は、種々の改良が加えられた結果潜偉形成や光感度
等のいわゆる電子写真的基本特性に関しては長足の進歩
を見せている反面、機械的ないしは光学的、電気的な外
的作用に対するいわゆる繰り返し安定性の面で改良すべ
き点が多々あるのが現状である。

殊に、機械的作用に関しては、像保持部材の表面が有機
系のものであるが故に、わずかの作用力、例えば電子写
真プ四セスに必須表残存トナーのクリー二ング工程にお
けるブレードによ　゛る作用力に対しても容易に傷つき
、繰り返し使用するうちにその傷にトナーが付着してコ
ピー画像が徐々に不鮮明なものＫすること表どから像保
持部材の使用回数が制限されているというような事情が
あった。

この様々ＯＰＯを用いた像保持部材の機械的強度の不運
を補う目的で、種々の表面保護層を設けることが提案さ
れており、例えば同じ有機系のものでも硬度の高いもの
を塗布によって積層させる方法、真空蒸着等の手段で、
無憬層を積層させる方法、さらＫは熱履歴を与えること
Ｋより表面硬化可能な材料を積層させる等積々のものが
提案されている。

しかしながら、これらの方法はいずれも例えば、保護層
としての機能は十分発揮できるもの勾の解像性１画質の
低下や耐久時の特性変化等の電子写真基本特性に対して
好ましくない副作用を招いたり、逆に両立させようとす
ると、どちらも不十分圧なってしまうというよう表非実
用的な結果に終ることが多かった。

上記のような不十分性の原因として＃ｉ機械的強度に優
れ、かつ電気的、光学的な面で電子写真像保持部材の最
表面層の機能を満足する材料が非常に少ないことがまず
あげられるが、かか゛る物質が存在しても、全く光導電
層に損傷を与えないまま自由に、薄くかつ、均一に該物
質を積層させる適当な手段が容易には見い出せないこと
が大きな阻害要因の１つであったことも見逃せない事実
である。

これまで提案されている方法の中で最もポピユラーな塗
布による方法を例にとると、均一に塗布する上で、塗料
スラリーには一定の粘度が要求されるが、粘度の高いも
のを使用すると層り賢 厚が厚くなる傾同にある。確度の高い亀のの多くは、非
光導電性である関係上、保護層が必要以上に厚いとこれ
が光導電の阻害因子として働き、画質の低下を招く結果
となることが多かった。

別の例えば真空蒸着等の手段によって８１０゜等の無機
薄膜を作成する場合を例にとると、通常この種の方法で
良質な膜を堆積させるためＫは、基板の温度をある和度
昇温させることが必須となるが、　ＯＦ２層は加熱に対
して弱いものが多く、保！８層形成時に熱的損傷を被る
場合が多い。又、真空蒸着、スパッタリング等は膜形成
原子の基板面への入射に関し指向性があシ、均−大面積
化が帷しいという難点も有している。

本発明の第１の目的は、繰に返し耐久性に優れ且つ電子
写真的特性に優れ九像保持部材、特にｏｐｃ系像保持部
材を提供することＫある。

本発明の第２の目的は、像保持部材を電子写真プロセス
に適用した際、電子写真プ四セスにおける接触工程（例
えばブレードによりクリーニング工程、ジャンピング現
像工程など）での耐擦傷性を向上させた像保持部材を提
供することにある。

本発明の第５の目的は、繰９返しの電子写真プロセスに
おける良質のコピー画質を得ることができる像保持部材
を提供することにある。

本発明は、上Ｖの諸点に鑑み成されたものであって、特
Ｋ　ＯＰＯ系像保持部材の表面保護層として珪素原子、
水素原子および炭素原子を主成分トシタアモルファスフ
イルム（θ−８ｂ：Ｏ：Ｈフィルムという）が好適であ
り、これが機械的強度の点で優れかつ、ｏｐｔ、層が持
つ本来の電子写真的基本特性も損なわれないものである
ことを見出した点に基づいている。

本発明の像保持部材は、製造１稈においてｏｐｃ系像保
持部材上への上記ａ−８ｉ：Ｏ：Ｈフィルムの作製が原
材料の撰定と、作成条件の最適化によって下部層を成す
前記０ＰＣＷｌを何ら損なうことなく行なわれ得る点に
も特徴を有している。

本発明の像保持部材で用いる感光層としては、光導電性
物質をバインダに分散させることによって形成したもの
、電荷発生層と電荷輸送層とに機能分離した積層構造を
有するものあるいは光導電性物質を光導電性バインダに
分散させることによって形成したものなどが挙げられる
。

本発明の好ましい異体例では、電荷発生層と電荷輸送層
を有する積層構造からなる感光層を用いた像保持部材が
適している。この像保持部材で用いる電荷発生層として
は、スーダンレッド、ダイアンブルー、ジエナスグリー
ンＢなどのアゾ顔料、アルコールイエｐ−、ピレンキノ
ン、インダンスレンブリリアントノ（イオレットＲＲＰ
などのキノン顔料、キノシアニン顔料、ペリレン顔料、
インジゴ、チオインジゴ等のインジゴ顔料、インドファ
ーストオレンジトナーなどのビスベンゾイミダゾール顔
料、銅フタロシアニンなどの７タロシアニン顔料、キナ
クリドン顔料、スクエアリック酸メチン染料、ビリリウ
ム染料あるいはチアピリリウム染料とボリアリレートか
らなる共晶体等の電荷発生物鍜（光導電性物質）をポリ
エステル、ポリスチレン、ポリＪＪＸ化ビニル、ポリ酢
酸ビニル、アクリル、ポリビニルピロリドン、ポリビニ
ルブチ？　＋　７ｔ／。

メチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロー
スなどのバインダー樹脂に分散させて、電荷輸送層ある
いは基体上に塗布して形成させたものが従来よシ知られ
ている。あるいは、セレン蒸着層、セレン−チルｊＬＩ
ＨＩ層、アモルファスシリコンフィルムを用いることが
できる。

かかる電荷発生層の膜厚は５μ以下、好ましくは０．０
１〜１μが望ましい。

電荷輸送層は、電荷輸送物質をバインダとともに被膜に
形成され、電荷発生層と電気的に接続させて設けられる
。電荷輸送物質としては、正孔輸送物質と電子輸送物質
があり、具体的な電子輸送物質としては、例えばクロル
アニル。

プ目モアニルなどのアニル系化合物類、テトラシアノエ
チレン、テトジシアノキノジメタンなどのシアノ系化合
物類、２，４．７−　トリニトロ−９−フルオレノン、
２．４，５．７−チトラニトロフルオレノン、２，４．
７−）ジニトロ−９−ジシアノメチレンフルオレノンな
どのニトロ７）Ｌ／オレノン系化合物類、　２，４，５
．７−チトラニトロキサントン、２，４．８−　）リニ
ト四チオキサントンなどのニトロキサントン系化合物類
として知られている電子受容性物質やこれら電子吸引物
質を高分子化したものなどを用いることができる。

正孔輸送物質としては、アントラセン、ピレンなどの多
環芳香族化合物、Ｎ−エチルカルバゾール、Ｎ−イソプ
ロピルカルバゾールなどのカルバゾール類、２ｔ５−ビ
ス（ｐ−ジエチルアミノフェニル）　−１，５，４−オ
キサジアゾール）どのオキサジアゾール化合物類、１−
フェニル−１−（ｐ−ジエチルアミノスチリ＃　）　−
５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピッゾリン、１−
〔ビリジルー（２）　）　−５−（Ｔ）−ジエチルアミ
ノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピ
ラゾリン、１−（キノリル−（２）　）　−！１−（ｐ
−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミ
ノフェニル）ピラゾリンなどのピラゾリン化合物類、ト
リフェニルアミンなどのボリアリールアミン類、ポリ−
Ｎ−ビニルカルバゾール、ハロゲン化ボ９−１１ニビニ
ルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアント
ラセン、ポリビニルアクリジン、ポリ−９−ビニルフェ
ニルアントラセン、ビレンーホムアルデヒド樹脂などの
有機光導電性ポリマー類がある。電荷輸送物質は、ここ
に記載したものに限定されるものではなく、その使用に
際しては電荷輸送物質を１種類あるいは２種類以上混合
し、て用いることができる。但し電子輸送性物質と正孔
輸送性物質を混合した場合には、電荷移動吸収が可視部
に生じ露光して４１電荷輸送層の下部にある電荷発生層
に光が届かなくなることがあシ、この組合せは避けるこ
とが望ましい。電荷輸送層の膜厚は５〜３０μ好ましく
け８〜２０μである。

バインダーとしてはアクリル系樹脂、ポリスチレン、ポ
リエステル、ポリカーボネート、セ／Ｉ／目−ス誘導体
などを用いることができる。低分子の正孔輸送性物質の
バインダーには先に述べたポリ−Ｎ−ビニルカルバゾー
ルなどの正孔輸送性ポリマーをバインダーに用いること
ができる。一方低分子の電子輸送性物質のバインダーに
はσ８Ｐ　４１２２１１５にある様な電子輸送性モノ！
−の重合体を用いることができる。

電荷発生層と電荷輸送層の構成順序社、画像形成機能の
面からは特に制約はないが、機械強ｌ！［あるいは帯電
性の面から、基体の上に電荷発生ｒ−を設け、この上に
電荷輸送層をオーバーコートするケースが好ましい。

又、本発明の好ましい具体例では、電磁波を受けて電荷
を発生する機能をもつ光導電性物質（例えば前述した電
荷発生物質）を電荷輸送マトリクス（特にポリビニルカ
ルバゾール、ポリビニルアントラセンなどの電荷輸送機
能を有する有機光導電性ポリマー）中に分散することＫ
よつ−ても感光層を形成することができる。

この場合のｏｐａ層全層厚層厚５〜３０μ好ましくは８
〜２０μが望ましい。ｏｐｃＭの構成には、前記した様
な基本構成以外に、必要に応じて他の機１ｊ目付与のだ
めの層を積層させることも可能である。代表的なものと
しては密着性同上の意味で導電性支持体とａｐＣ層の間
にカゼイン、ポリビニルアルコール、水溶性ポリエチレ
ン、ニトロセル目−スなどの接着層を設けることが一般
的に行なわれる。

本発明の像保持部材の感光層を支持する基体では、導電
性でも電気絶縁性であっても良い。

基体自体が導電性となっているものとしては、例えばＮ
ｉ０ｒ、ステンレス、ＡＪ、Ｏｒ、Ｍｏ、Ａｕ。

Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ　、　Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｃｔ等の金属又は
これ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性基体としては、ポリエステル、ポリエチレン
、ボリカーボ＄−ト、セルローズアセテート、ポリプロ
ピレン、ポリ塩化ビニル。

ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス、セラミック、紙
等が通常使用される。これ等の電気絶縁性支持体は、好
適には少なくともその一方の表面が導電処理され、該導
電処理された表面＠に他の層が設けられるのが望ましい
。

すなわち、例えばガラスであれば、その表面に、Ｎｉ０
ｒ、ＡＪ、Ｏｒ、Ｍｏ、ＡｕＪｒ、Ｎｄ、Ｔａ、Ｎｒ　
、Ｔｉ、Ｐｔ。

Ｉｎ、Ｏ，，８ｎＯ，、工Ｔｏ（Ｉｎ、　Ｏ，＋　８ｎ
Ｏ，）等から成る薄膜を設けることによって導電性が付
与され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィ
ルムであれば、Ｎｉ０ｒ　、ＡＩ、ＡＰ、Ｐｂ、Ｚｎ、
Ｎｉ、Ａｕ、Ｏｒ、Ｍｏ。

Ｔｒ、Ｎｌ）、Ｔａ、Ｖ、　’ｒｉ、Ｐｔ等の金属の薄
膜を真空蒸着。

α吊ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面に設け、
又は前記金属でその表面をラミネート処理して、その表
面に導電性が付与される。

基体の形状としては、所望によって、その形状は決定さ
れるが、例えば電子写真用像保持部材として使用するの
であれば、連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は
円筒状とするのが望ましい。基体の厚さは、所ｆ４通り
の光導電部材が形成される様に適宜決定されるが、光導
電部材として可撓性が要求される場合には、基体として
の機能が十分発揮される範囲内であれば可能な限り薄く
される。しかしながら、このような場合基体の製造上及
び取扱い上、更には機械的強度等の点から、通常は１０
μｍ以上とされる。

このような像保持部材の最表面層を構成する、ケイ素原
子、炭素原子及び水素原子を含んだａ−日１：ＯＪ　フ
ィルムの形成は、下肥一般式（１）で表わされる、所謂
オルガノヒドロゲノシランと称される化合物の一種以上
のガス雰囲気中で放電させて実施される。

一般式（１） ％式％ 式中、Ｒけ置換されていてもよいアルキル基又はアリー
ル基、具体的にはメチル、エチル、プ關ビル、ブチル、
オクチル、ノ、ニル、ヘプタデシルなどの炭素数１〜１
５の直鎖又は分枝鎖状アルキル基、２−クロロエチル、
１−クロロエチル、クロロメチル、ジクロロメチルなど
の置換アルキル基、フェニル、ナフチルなどのアリール
基又ｕ／　ａ　ａ　フェニル、シクロ付フェニル、トリ
クロロフェニルなどの置換アリール基ヲ表わし、ｍは１
〜１５の整数で、ｎは１〜７の整数である。但し、ｎお
よびｍは、２ｎ＋２＞ｆｎの関係を満足している。

本発明の像保持部材で用いるａ−８１：Ｃ：Ｒフィルム
を形成する原料として使用されるオルガノヒドロゲノシ
ランの具体例としては１例えば（Ｈ，８１Ｈ，、（ＯＨ
８）、８１Ｈｔ、（ＯＨ，）、Ｓｉｎ　ＯＨ，８１，Ｈ
，。

（ＯＨｍ）１８１＊Ｈ４−（ＯＨｓ）ｓ　ｓｌ、ｕ、　
＃　（ＯＨｓ）４日１＊Ｈ＊　＊（ＯＨｍ）ｉ　Ｓ’ｉ
ｔ　Ｈｅ　Ｏ！Ｆｉｇ　８１Ｈ１ｓ（％Ｈｓ　）１　Ｂ
’Ｈｔ’　＊（Ｃｔ　”ｗ　）ｓＳｉ、Ｈ，Ｏ，Ｈ，８
１，Ｈ，、（０，Ｈ，）、　ｓｔ、Ｈ４ｅ　（ｏ、ａ、
　）Ｓ８１２Ｈ３＊　（Ｃ２Ｈ５）４８１１Ｈ１＋　（
０２Ｈｓ）１　Ｂ１１ＦＩ　ｅ　ＯＨｓ＆’ｓ”ｖｅ（
０Ｈｓ）ｔ　５ｉｓＨｅ　ｅｃｃｊＨｓ）ｓ　ＢｌｓＨ
ｗ　ｐｃＣＨｓ）ｈ８１ｓ％　５ＣＣＨｓ）ｓ　”’ｓ
％　等が主なものとして挙げられる。

本発明の像保持部材を製造するに当って使用する上記オ
ルガノヒドロゲノシランは、その分子内に５ｉ−ｃ結合
とともにケイ素原子と直接結合した水素原子を有してい
ることが大きな特徴となっている。そして、仁の５ｉ−
Ｈ結合が比較的弱く、比較的活性に富んだ結合サイトを
提供できるためか、あるいは別の理由によるものなのか
明確ではなりが、フィルム状堆積層中で各構成原子が新
たな結合を形成する際に、好ましい三次元構造を現出す
ることが可能であることは確かであ沙、この仁とが他の
原料を使用して形成した場合と比較した場合Ｋ、本発明
で用いるａ−８ｉ：Ｏ；Ｈフィルムが優れた特性を発揮
する理由に繋がるものと推定される。

前述の方法によってａ−８ｉ：ＯＨＨフィルムの堆積層
を形成する場合には、必ずしも上記オルガノヒドロゲノ
シランが単独で使用される必要はない。これらのオルガ
ノヒドロゲノシランの一種以上と、他の原料ガスとを混
合し、混合比その他の製造条件を適当に制御することに
よって堆積層中に所望の濃度の炭素原子を含有させるこ
ともできる。

とのときに併用される他の原料ガスとしては、堆積層を
ディ素原子、炭素原子及び水素原子だけで構成させる場
合には、ケイ素原子の付加的供給用の原料ガスとして、
ＳｉＨ，，８１，Ｈ，，８１，Ｈ，。

”＋Ｈｔｏ等の水素化ケイ素（シランｆりが好適なもの
として挙げられる。また、ハロゲン原子を共存させる場
合Ｋａ、ハロゲン原子を含むケイ素化合物、具体的Ｋ　
ＦｉＳｉＦ、　、Ｓｉ、？、　、ＳｉＯ４，。

ＳｉＢｒ４等のハロゲン化ケイ素が好ましいものとして
挙げられる。

本発明で用いるａ−８１，二〇二Ｈフィルム中の炭素原
子の含有濃度は、そのフィルムを構成する全原子数に対
して１Ｘ　１　（１’　〜９０　ａｔｏｍｉａ％、好ま
しくは１〜９０％ａｔ　ｏｍ１ｏ％程度が適当である。

本発明で用いるａ−８１：ＯＨＨフィルムの膜厚として
は、一般的に５０Ａ〜１０μが遺しており、好ましくは
５ｏｏＸ〜５μの範囲で用いることができる。

本発明にいう、原料物質のガス雰四気中で放電を生起さ
せることによシ基体上ｉｃ　＆−８１：　Ｏ：Ｈフィル
ムの堆積層を形成する堆積法としては、例えば、グロー
放電法、スパッタリング法あるいはイオンブレーティン
グ法等の放電現象を利用する所謂真空堆積法が挙げられ
る。また、これら真空堆積法に於いては、もちろん所望
によって、原料ガス以外に所謂稀ガス、例えばＨｅ。

Ｈｅ、Ａｒ０１％の希釈ガスが使用されてもよい。

次にグロー放電分解法を用いたａ−８１：ＣＨＨフィル
ムの製造法の例について説明する。

第１５１ＪＫグロー放電分愕法による製造装置を示す。

図中の１０２と１０３のガスボンベには、像保持部材用
のａ、−８にＯ：１１　フィルムの堆積層を形成するた
めの原料ガスが密封されており、その−例として、例え
ば１０２社、（ＯＨ，）　、　８１Ｂ！ガス（純度９９
．９９％）ボンベ、１０５は８１ＥＩ、ガス（純［９９
，９９に）ボンベである。図示されていないがこれら以
外に、必要に応じて所望のガス種のボンベを増設するこ
とが可能である。

これらのガスを反応室１０１に流入させるには、ガスボ
ンベ１０２と１０５の各パルプ１０４と１０５及びリー
クパルプ１０６が閉じられていることを確認し、また、
流入パルプ１０１と１０８、流出パルプ１０９と１１０
及び補助パルプ１１１が開かれていることを確認して、
先づメインパルプ１１２を開いて反応室１０１及びガス
配管内を排気する。次に真空計１１３の読みが約５×１
「・ｔｏｒｒになりへ時点で補助パルプ１１１及び流出
パルプ１０９と１１０を閉じる。続いてガスボンベ１ｏ
２．　Ｚ　秒（”５）ｔｓ１■、ガス、ガスボンベ１０
３より８１Ｈ４ガスをそれぞれパルプ１０４と１０５を
開いて出口圧ゲージ１１４と１１５の圧を１　ｂｙ／ｃ
ｍ”に調整し、流入パルプ１０７と１０８を徐々に開け
て、マス７四−コントローラ１１６〜１１７内に流入さ
せる。引き続いて流出パルプ１０９と１１０及び補助パ
ルプ１１１を徐々に開いて夫々のガスを反応室１０１に
流入させる。このときのこれら各ガス流量の比が所望の
値になるようＫｆｉ出パルプ１０９と１１０を調整し、
また、反応室内の圧力が所望の°値になるように真空計
１１３の読みを見ながらメインパルプ１１２の開口を調
整する。電源１１８を所望の電力に設定して反応室１０
１内にグロー放電を生起させる。また、層形成を行って
いる間は、層形成の均一化を計るために基体シリンダー
１１９をモータ１２０により一定速度で回転させること
が好ましい。

以下、本発明を実施例に従って説明する。

実権例１−比較例１ 同一形状のアルミニウムシリンダーを２本用意し、それ
ぞれ２本のアルミニウムシリンダーの上にラクチツクカ
ゼイン８部、アンモニア水１部、ヒドロキシグロビルメ
チルセルロース樹＠（商品名：メトルーズ６０８１１１
５０．信越化学製）２．５部と水９０部から成る塗布液
を浸漬法により塗布し、８０℃で１０分間乾燥させて１
０μ厚の下引き層を形成した。

次に、それぞれ２本の下引き層を設けたアルミニウムシ
リンダーの上に下記構造式（１）のジスアゾ顔料５．５
部、ポリビニルブチラール樹脂（商品名：エスレツクＢ
ＸＬ積水化学ｆｉ）４．５部、シクロヘキサン５５部と
メチルエチルケトン５５部から成る塗布液を浸漬塗布し
、１００υで、５分間乾燥させて０．１μ厚の電荷発生
層を形成した。

構造式（１） （ジスアゾ顔料） 次いで、下記構造式（２）ヒドラゾン化合物１０部、Ａ
８樹脂（商品名：サンレツクスー０：三便モンナント化
成製）１０部とモノクロルベンゼン７０部から成る塗布
液をやはり浸漬塗布し、１００℃で１時間熱風乾燥に１
２μ厚の電荷輸送層を形成した。

構造式（２） ％式％） 一１上記のように形成されたｏｐｏ層ドラドラム２本ち
１本を第１図に示した真空リアクターにセットし、先に
詳述したグ四−放電分解法に従い下記第１表に示した製
造条件のもとで、ａ−８１：０：Ｈフィルムの表面層を
堆積させて、本発明に係る像保持部材（サンプル１）を
作成した。

第１表 又、とのａ−８に〇：１１フィルムが表面層として形成
していない像保持部材を比較用サンプル１とした。

次に、本発明サンプル１と比較用サンプル１を同一の臘
の複写装置にセットし、同一複写条件の基で画像出しを
行い評価したところ、共に解像性、画質尋の面で十分な
品質を有していることが確認された。

上記のような初期画像の比較を行なった後は複写条件を
固定した１１、引続き連続で画像出しを行いドラムの耐
久性能の比較を行った。１耐久性能の比較は１０００枚
目毎の画像サンプリングを行い両画像の画質を比較する
という形で行なったが、表面層をパ設けずＯＰＯが犀出
している方の比較用ドラムに関しては、６０００枚目程
度から画像に細かいスリ午ズ様のものが現われはじめ、
１０００枚目ではきわめて見ぐるハ しい程度Ｋまで至った。これに対し、表面層を設けた本
発明ドラムの方は、５ｏｏｏｏ枚目租度から、わずかに
キズが認められる状態になったが、その後のキズの増生
は緩やかで、１０万枚の耐久を行った後においても、見
ぐるしさの租度社、前記表面■なしのものに比べるとは
るかに軽微であり実用上良品と評価されるべき水準を維
持していることが確認された。

実施例２〜８ 実施例１の第１表に示し九ａ−８１：Ｏ：Ｈフィルムの
製造灸件に於いて、使用ガスの種類及びその流量を第２
表に示したように種々変えたことを除いては、実施例１
と同様の方法で像保持部材を製造した。これらの像保持
部材についても実施例１と同様の方法で画像出しを行い
耐久性について評価したが、いずれも１０万枚程度まで
の耐久性態を示し実施例１と遜色のない結果が得られた
。

【図面の簡単な説明】

第１図は１本発明の像保持部材を製造する際に用いる製
造装置を示す模式図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　光導電性物質とバインダを含有する感光層の上
   に少なくとも珪素原子、水素原子および炭素原子を主成
   分としたアモルファスフィルムを有することを特徴とす
   る像保持部材。 （２）　前記アモルファスフィルムがオルガノヒドロゲ
   ノシランのガス雰囲気中で放電させて形成された特許請
   求の範囲第１項記載の像保持部材。 （３）　前記オルガノヒドロゲノシラｙが下記一般式（
   １）で示される化合物である特許請求の範囲第２項記載
   の像保持部材。 一般式（１） ％式％ （式中、Ｒは置換されていてもよいアルキル基又はアリ
   ール基を表わす。ｍ　７１−４１〜１５の整数で、ｎは
   １〜７の整数である。但し、ｍおよびｎけ２ｎ＋２）ｍ
   の関係を満足する。）（４）　前記オルガノヒドロゲノ
   シランがＯ１’１３８１Ｈ，。 （ＣＩＩ、）、５ｉＦＩ、、（ＯＲ，）３Ｓ１）１．Ｏ
   １’！、８１．１（、、（ＣＨｓ）ｔ”ｖ　Ｆｌ、、（
   ＣＨｓ　１　ｓ　Ｂ’＊　Ｈｓ、（ＣＨ３）４日１２Ｈ
   ２、（ＯＨｍ）ｗ８１、Ｈ、Ｏ，Ｈ，８１１１，、（Ｏ
   ｔ”ｓ　）ｔ”Ｈｔ、　（Ｃ＊Ｅｓ）ｓＢＬｔ艮０、Ｈ
   翳８１．Ｈ，・　（０！Ｈ霞　）ｔＥｌｌｔＥａ、　（
   ０，Ｈ，）３８１．Ｈ，・（’ｔ’ｓ　）ａ　ｓｌ、ａ
   、、　（’＊ＩＩｇ）＋＋　１３１を八０１１．Ｓｉ、
   Ｈ，、（ＯＲ，）、８１．Ｈ，、（ＯＴｌｓ　）ａ　Ｓ
   ’ａ”＊、（ＣＨｓ）４”’ｓＨ＋および（ＯＨｓ）ｓ
   　５ｉｓＨｓからなる群から少なくとも１種を選択した
   化合物である特許請求の範囲第２項又は第３項記載の像
   保持部材。 （５）　前記アそルファスフイルムの膜厚が５０Ａ〜１
   ０μの範囲である特許請求の範囲第１項記載の像保持部
   材。 （６）　前記アモルファスフィルムの膜厚が５００Ａ〜
   ５μの範囲である特許請求の範囲第５項記載の像保持部
   材。 （７）前記アモルファスフィルムが全原子数に対してｌ
   Ｋ１０−”〜９　Ｑ　ａｔｏｍｉ％の炭素原子を含有し
   ている特許請求の範囲第１項記載の像保持部材。 （８）前記アモルファスフィルムが全原子数に対して１
   〜９　Ｑ　ＩＬｔｏｍｉ％の炭素原子を含有している特
   許請求の範囲第７項記載の像保持部材。 （９）　前記光導電性物質が有機光導、電性物質である
   特許請求の範囲第１項記載の像保持部材。 ＜１０）　前記感光層が電荷発生層と電荷輸送層を有す
   る積層構造からなる特許請求の範囲第１項記載の像保持
   部材。 （１１）前記電荷輸送層が電荷発生層の上にオニバーフ
   ートされた特許請求の範囲第１０項記載の像保持部材。 （１２）前記電荷輸送層が電荷輸送物質とバインダ（１
   Ｓ）前記電荷輸送物質が正孔輸送物質又は電子輸送物質
   である特許請求の範囲第１２項記載の像保持部材。 （１４）前記正孔輸送物質が多環芳香族化合物類、カル
   バゾール化合物類、オキサジアゾール化合物類、ピラゾ
   リン化合物類、ヒドラゾン化合物類および有機光導電性
   ポリマー類からなる群から少なくとも１種を選択した化
   合物である特許請求の範囲第１３項配備の像保持部材。 （１Ｓ）　＃配電子輸送物質がアニル化合物類、シアノ
   系化合物類、ニド０フルオレノン不化合物類およびニト
   ロキサントン系化合物類からなる群から少なくとも１種
   を選択した化合物である特許請求の範囲第１３項記載の
   像保持部材。 （１６）前記電荷発生層がアゾ顔料、キノン顔料、キノ
   シアニン顔料、ペリレン顔料、インジゴ顔料、ビスベン
   ゾイミダゾール顔料、フタロシアニン顔料、キナクリド
   ン顔料、ビリリウム染料又はその共晶錯体、チアビＩＪ
   　１７ウム染料又はその共晶錯体、スクエアリック酸メ
   チン染料、アモルファスシリコン、セレン、セレン−テ
   ルルおよび硫化カドミウムからなる群から少なくとも１
   種を選択した化合物である特許請求の範囲第１０又は第
   １１項記載の像保持部材。 ０７）前記電荷発生層がアゾ顔料とノくイングーを有し
   ている特許請求の範囲第１０項又は第１１配備戦の像保
   持部材。 （横前記アゾ顔料がジスアゾ顔料である特許請求の範囲
   第１７項記載の像保持部材。 （１９）前記、感光層が光導電性物質と電荷輸送ノ（イ
   ングを含有している特許請求の範囲第１項記載の像保持
   部材。 （２０）前記電荷輸送バインダが有機光導電性ポリマー
   類である特許請求の範囲第１９項記載の像保持部材。