JPS612155A - 露光用板状物 - Google Patents
露光用板状物Info
- Publication number
- JPS612155A JPS612155A JP60099568A JP9956885A JPS612155A JP S612155 A JPS612155 A JP S612155A JP 60099568 A JP60099568 A JP 60099568A JP 9956885 A JP9956885 A JP 9956885A JP S612155 A JPS612155 A JP S612155A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- aligner
- marks
- pellets
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は露光用板状物などに関する。
半導体装置の成造において、フォトエツチング（写真食
刻）に用いるフォトマスクは最終寸法の１０倍大の寸法
をもつレチクル（マスク原版）なリピータ（ステップ・
アンド・リピート機構と縮小投影機構を有する）により
１０分の１に縮小したパターンを複数配列したマスタマ
スクを作成し、さらに密着プリンタによりワークマスク
を作成し、このワークマスクを介してフォトレジストの
塗布された半導体表面に複数のチップに対応する所要ツ
バターンを焼付けるのが一般的である。最近はレチクル
から１：１のマスクを作成し、このマスクからウェハへ
１０分の１縮小結像したパターンを直接に焼付ける方法
が採られ、このためリピータとプロジェクタを結合した
縮小マスク・ウェハ・アライナ−が用いられる。この縮
小マスク・ウェハ・アライナ−に用いるマスクには、現
在、レチクル（マスク原版）を使用するようになってお
り。
刻）に用いるフォトマスクは最終寸法の１０倍大の寸法
をもつレチクル（マスク原版）なリピータ（ステップ・
アンド・リピート機構と縮小投影機構を有する）により
１０分の１に縮小したパターンを複数配列したマスタマ
スクを作成し、さらに密着プリンタによりワークマスク
を作成し、このワークマスクを介してフォトレジストの
塗布された半導体表面に複数のチップに対応する所要ツ
バターンを焼付けるのが一般的である。最近はレチクル
から１：１のマスクを作成し、このマスクからウェハへ
１０分の１縮小結像したパターンを直接に焼付ける方法
が採られ、このためリピータとプロジェクタを結合した
縮小マスク・ウェハ・アライナ−が用いられる。この縮
小マスク・ウェハ・アライナ−に用いるマスクには、現
在、レチクル（マスク原版）を使用するようになってお
り。
このレチクルは第１図に示すようにマスク・ガラス板１
の中央にデバイス・パターン２を、左右に位置合せ用の
規準線マーク３を、上部にデータ用のネーム４を有する
ものである。しかし、このようなレチクルをそのまま用
いることは（１）縮小アライナ−の処理時間が長いこと
（１：１アライナ−では３分／枚・ウェハであるのに対
し１：１０縮小アライナ−では３０分／枚・ウニノー
） （２＋そのレチクルにゴミやキズが付くとそれを使
用したウェハは全部不良となる等の問題点がある。又、
従来のレチクルでは位置合せ用の規準線の間隔ａが固定
されており、これをステンプアンド・リピートしてウェ
ハ上に縦横に配列して焼込んだ場合に第２図に示すよう
にマークがデバイスパターンに干渉することが問題とな
っている。
の中央にデバイス・パターン２を、左右に位置合せ用の
規準線マーク３を、上部にデータ用のネーム４を有する
ものである。しかし、このようなレチクルをそのまま用
いることは（１）縮小アライナ−の処理時間が長いこと
（１：１アライナ−では３分／枚・ウェハであるのに対
し１：１０縮小アライナ−では３０分／枚・ウニノー
） （２＋そのレチクルにゴミやキズが付くとそれを使
用したウェハは全部不良となる等の問題点がある。又、
従来のレチクルでは位置合せ用の規準線の間隔ａが固定
されており、これをステンプアンド・リピートしてウェ
ハ上に縦横に配列して焼込んだ場合に第２図に示すよう
にマークがデバイスパターンに干渉することが問題とな
っている。
尚、従来のデバイスパターンの周辺領域に位置合わせの
マークを持つ露光用マスクについては特開昭５１−１４
０５７５に記載されている。
マークを持つ露光用マスクについては特開昭５１−１４
０５７５に記載されている。
本発明は上記した従来技術の問題を解決するためになさ
れたものである。したがってこの発明の一つの目的は縮
小アライナ−の処理時間を短縮でき、ゴミ等による歩留
り低下を少なくし得るマスクすなわち露光用板状物の提
供にあり、他の目的は合せマークの干渉のないマスクの
提供などにある。
れたものである。したがってこの発明の一つの目的は縮
小アライナ−の処理時間を短縮でき、ゴミ等による歩留
り低下を少なくし得るマスクすなわち露光用板状物の提
供にあり、他の目的は合せマークの干渉のないマスクの
提供などにある。
上記目的を達成するためこの発明は、１ペレット乃至複
数ペレットに対応する複数倍大のパターンが形成され、
ペレットの境界領域に対応する部分に位置合せ用マーク
が形成されているマスクに関することなどを要旨とする
。
数ペレットに対応する複数倍大のパターンが形成され、
ペレットの境界領域に対応する部分に位置合せ用マーク
が形成されているマスクに関することなどを要旨とする
。
以下、一実施例にそって本発明を説明する。
第３図に本発明による縮小マスク・アライナ−用のマス
クの一つの実施例が示される。このマス。
クの一つの実施例が示される。このマス。
りはマスク板において、アライナ−の縮小レンズの有効
視野（ウニ・・上でＭＡＸｌ ４φ ）５の中に４個の
１０倍大のデバイス・パターン（メモリー用パターン）
２．２．２．２を配置しである。このマスクにおいて位
置合せ用の規準線マーク３がペレットの境界部であるス
クライブ線６上に設けてあり、このことによりステップ
・アンド・リピート時に上記マークがデバイス・パター
ンを横切ることがなく、第４図に示すようにウェハ上に
デバイスパターンとマークとが干渉することのないパタ
ーンを形成することができる。ネームは従来通り、デバ
イスパターンの形成せられない有効視野の一部に印字プ
リント又は自動印字付き自動マスク現像機により設ける
ことができる。
視野（ウニ・・上でＭＡＸｌ ４φ ）５の中に４個の
１０倍大のデバイス・パターン（メモリー用パターン）
２．２．２．２を配置しである。このマスクにおいて位
置合せ用の規準線マーク３がペレットの境界部であるス
クライブ線６上に設けてあり、このことによりステップ
・アンド・リピート時に上記マークがデバイス・パター
ンを横切ることがなく、第４図に示すようにウェハ上に
デバイスパターンとマークとが干渉することのないパタ
ーンを形成することができる。ネームは従来通り、デバ
イスパターンの形成せられない有効視野の一部に印字プ
リント又は自動印字付き自動マスク現像機により設ける
ことができる。
第５図は縮小マスク・アライナ−用マスクに１ペレット
分のパターンを形成した場合の例を示し、第６図は、縮
小マスク・アライナ−用マスクに３個のペレットに対応
するパターンを形成した場合を示す。これらの場合にも
スクライプ線上に位置合せマークを形成しである。
分のパターンを形成した場合の例を示し、第６図は、縮
小マスク・アライナ−用マスクに３個のペレットに対応
するパターンを形成した場合を示す。これらの場合にも
スクライプ線上に位置合せマークを形成しである。
上記した本発明の一実施例によるマスクを使用すること
で例えば第３．図の場合縮小アライナ−の処理時間が従
来の３０分／枚から３０Ｘ１／４＝７５分／枚と高速化
される。又、レチクルにゴミ等が付着する機械も１／４
となりプロセス歩留りの向上が期待できる。なお精度の
面において、１５μｍプロセス製品のマスク・ウエノ・
・アライナ−に本発明の一実施例によるマスクは最も適
合する。
で例えば第３．図の場合縮小アライナ−の処理時間が従
来の３０分／枚から３０Ｘ１／４＝７５分／枚と高速化
される。又、レチクルにゴミ等が付着する機械も１／４
となりプロセス歩留りの向上が期待できる。なお精度の
面において、１５μｍプロセス製品のマスク・ウエノ・
・アライナ−に本発明の一実施例によるマスクは最も適
合する。
ところで、位置合せ用マークをデバイスパターンと干渉
させないためにスクライプ線上に入れる場合に、第１図
に示したレチクルからパターンジェネレータを用いて縮
小マスク・ウエノ・・アライナ−用マスクを形成する場
合に、（１）デバイスごとに位置が異なるためにパター
ンの入力を変更させろ必要がある、（２）縮小アライナ
−用マスクにおいて第７図に示すようにマスク板（ガラ
ス板）端面かもの精度（Ｘ、Ｙ）が悪く、現在の技術で
±２玉の誤差が生じる。
させないためにスクライプ線上に入れる場合に、第１図
に示したレチクルからパターンジェネレータを用いて縮
小マスク・ウエノ・・アライナ−用マスクを形成する場
合に、（１）デバイスごとに位置が異なるためにパター
ンの入力を変更させろ必要がある、（２）縮小アライナ
−用マスクにおいて第７図に示すようにマスク板（ガラ
ス板）端面かもの精度（Ｘ、Ｙ）が悪く、現在の技術で
±２玉の誤差が生じる。
そこで本発明の一実施例による縮小マスク・ウェハ・ア
ライナ−用マスクの装造法においては、パターンジェネ
レータを使用し、一つのペレットに対応する最終寸法の
複数倍大１例えば１０倍大ノテバイスパターンを有する
レチクル７をつくり、第９図に示すように規準線（位置
合せマーク）のパターン３を有するレチクル８を作り、
１：１光学系とステップアンドリピート機構を有するマ
スク製造装覧を使用し、第１１図に示すように上記テハ
イスパターンを有するレチクル７からこれと同じパター
ンを複数個ならべて焼付けたマスク９をつくり、次いで
第１２図に示すように同じマスク製造装置で上記レチク
ル７を位置合せマークパターンを有するレチクル８と交
換して前記焼付けられたデバイスパターン９の境界部（
スクライプ線上）に位置合せマークのパターンを焼込む
ことでマスク１０をつくる。第１０図はＸＹ′７″−プ
ル１１上で３点のピン１２に位置規定された縮小マスク
・ウェハ・アライナ−・マスクの形態を示すものである
。第１３図はリピート式縮小マスク・ウェハ・アライナ
−を用いて第１３Ａ図のパターンをＸ−Ｙステージ１４
上の半導体ウェア・１３に縮小投影し、第１３Ｂ図に示
す複数配列のパターンをウェハに焼付ける態様を示す。
ライナ−用マスクの装造法においては、パターンジェネ
レータを使用し、一つのペレットに対応する最終寸法の
複数倍大１例えば１０倍大ノテバイスパターンを有する
レチクル７をつくり、第９図に示すように規準線（位置
合せマーク）のパターン３を有するレチクル８を作り、
１：１光学系とステップアンドリピート機構を有するマ
スク製造装覧を使用し、第１１図に示すように上記テハ
イスパターンを有するレチクル７からこれと同じパター
ンを複数個ならべて焼付けたマスク９をつくり、次いで
第１２図に示すように同じマスク製造装置で上記レチク
ル７を位置合せマークパターンを有するレチクル８と交
換して前記焼付けられたデバイスパターン９の境界部（
スクライプ線上）に位置合せマークのパターンを焼込む
ことでマスク１０をつくる。第１０図はＸＹ′７″−プ
ル１１上で３点のピン１２に位置規定された縮小マスク
・ウェハ・アライナ−・マスクの形態を示すものである
。第１３図はリピート式縮小マスク・ウェハ・アライナ
−を用いて第１３Ａ図のパターンをＸ−Ｙステージ１４
上の半導体ウェア・１３に縮小投影し、第１３Ｂ図に示
す複数配列のパターンをウェハに焼付ける態様を示す。
このようにあらかじめ位置合せマークのレチクルを作っ
てデバイスパターン用のレチクルト交換して縮小マスク
・ウェハ・アライナ−用マスク製造装置によりマスクを
製造するこの発明によれば、（１）位置合せマークのパ
ターンを１枚作れば異なる全てのデバイスパターンのマ
スク作成１１ｔ−用できる、（２）位置合せマークの装
入位置はその座標を指示することで自由に入わることが
できる、（３）第１０図に示すようにマスク板（ガラス
）端面からの精度もプレート自体が３点ピンで固定され
るので、従来の誤差±２龍を±０．０５１ｍ程度に減少
することができる。したがってこの発明によれば。
てデバイスパターン用のレチクルト交換して縮小マスク
・ウェハ・アライナ−用マスク製造装置によりマスクを
製造するこの発明によれば、（１）位置合せマークのパ
ターンを１枚作れば異なる全てのデバイスパターンのマ
スク作成１１ｔ−用できる、（２）位置合せマークの装
入位置はその座標を指示することで自由に入わることが
できる、（３）第１０図に示すようにマスク板（ガラス
）端面からの精度もプレート自体が３点ピンで固定され
るので、従来の誤差±２龍を±０．０５１ｍ程度に減少
することができる。したがってこの発明によれば。
パターンジェネレータのソフト変更が不要となり、工数
を低減することができ、又、合せマーク位置の精度を向
上させるためにアライメントの自動化が可能であり、同
時に歩留りを向上できる等の効果が期待される。
を低減することができ、又、合せマーク位置の精度を向
上させるためにアライメントの自動化が可能であり、同
時に歩留りを向上できる等の効果が期待される。
本発明は縮小マスク・ウェア・・アライナ−用のマスク
などに適用される。
などに適用される。
第１図は従来の縮小マスク・ウェア・・アライナ−に用
いるレチクルの形態を示す平面図、第２図は従来のレチ
クル・マスクを用いた場合のウェア１におけるパターン
の形態を示す平面図である。第３図は本発明の一実施例
によるマスクの一例を示す平面図、第４図は本発明の一
実施例によるマスクを用いた場合のウェハにおけるパタ
ーンの形態を示す平面図、第５図及び第６図は本発明に
よるマスクの他の各側を示す平面図である。第７図はマ
スクにおける位置合せマークの形態を示す平面図、第８
図及び第９図は本発明の一実施例で使用するレチクルの
形態を示す平面図、第１０図は本発明の一実施例による
マスク作成時のマスクの形態を水子平面図、第１１図及
び第１２図は本発明の一実施例による→スジ作成時の形
態を示す説明図、第１１Ａ図、第１１Ｂ図、第１２Ａ図
、第１２Ｂ図は第１１図及び第１２図における各Ａ。 Ｂ位ＩｔＶｃおけるパターンを示す平面図、第１３図は
縮小マスク・ウェア・・アライナ−によりウェア・にパ
ターンを焼込む形態を示す説明図、第１３Ａ図、第１３
Ｂ図は第１３図におけるＡ、Ｂ位置におけるパターンを
示す平面図である。 １・・・マスク（ガラス）板（又はレチクル）、２・・
・デバイス・パターン、３・・位置合せ用マーク（規準
線）、４・・ネーム、５・・・有効視野を囲む円、６・
・・スクライブ線、７．８・レチクル、９．１０・・・
マスク、１１・Ｘ−Ｙステージ、１２・ピン、１３・・
半導体ウェハ、１４・Ｘ−Ｙステージ。 第 ３ 図 第 ４′ 図第
５ 図 第 ６ 図第 ７ 図
第 ８ 図 １ ９ 。 第１０図 ″／γ
いるレチクルの形態を示す平面図、第２図は従来のレチ
クル・マスクを用いた場合のウェア１におけるパターン
の形態を示す平面図である。第３図は本発明の一実施例
によるマスクの一例を示す平面図、第４図は本発明の一
実施例によるマスクを用いた場合のウェハにおけるパタ
ーンの形態を示す平面図、第５図及び第６図は本発明に
よるマスクの他の各側を示す平面図である。第７図はマ
スクにおける位置合せマークの形態を示す平面図、第８
図及び第９図は本発明の一実施例で使用するレチクルの
形態を示す平面図、第１０図は本発明の一実施例による
マスク作成時のマスクの形態を水子平面図、第１１図及
び第１２図は本発明の一実施例による→スジ作成時の形
態を示す説明図、第１１Ａ図、第１１Ｂ図、第１２Ａ図
、第１２Ｂ図は第１１図及び第１２図における各Ａ。 Ｂ位ＩｔＶｃおけるパターンを示す平面図、第１３図は
縮小マスク・ウェア・・アライナ−によりウェア・にパ
ターンを焼込む形態を示す説明図、第１３Ａ図、第１３
Ｂ図は第１３図におけるＡ、Ｂ位置におけるパターンを
示す平面図である。 １・・・マスク（ガラス）板（又はレチクル）、２・・
・デバイス・パターン、３・・位置合せ用マーク（規準
線）、４・・ネーム、５・・・有効視野を囲む円、６・
・・スクライブ線、７．８・レチクル、９．１０・・・
マスク、１１・Ｘ−Ｙステージ、１２・ピン、１３・・
半導体ウェハ、１４・Ｘ−Ｙステージ。 第 ３ 図 第 ４′ 図第
５ 図 第 ６ 図第 ７ 図
第 ８ 図 １ ９ 。 第１０図 ″／γ
Claims (1)
- １、露光用板状物において、１ペレットあるいは複数ペ
レットに対応する拡大されたデバイスパターンが形成さ
れ、上記ペレットの周辺領域に、対応する部分に少なく
とも位置合わせ用のマークが形成されてなることを特徴
とする露光用板状物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60099568A JPS612155A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | 露光用板状物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60099568A JPS612155A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | 露光用板状物 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4902979A Division JPS55140839A (en) | 1979-04-23 | 1979-04-23 | Mask and its preparation |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS612155A true JPS612155A (ja) | 1986-01-08 |
Family
ID=14250729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60099568A Pending JPS612155A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | 露光用板状物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS612155A (ja) |
-
1985
- 1985-05-13 JP JP60099568A patent/JPS612155A/ja active Pending
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