JPS61220325A - Ｘ線リゾグラフイの露光装置 - Google Patents
Ｘ線リゾグラフイの露光装置Info
- Publication number
- JPS61220325A JPS61220325A JP60059655A JP5965585A JPS61220325A JP S61220325 A JPS61220325 A JP S61220325A JP 60059655 A JP60059655 A JP 60059655A JP 5965585 A JP5965585 A JP 5965585A JP S61220325 A JPS61220325 A JP S61220325A
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- Japan
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
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- Health & Medical Sciences (AREA)
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- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は集積回路の製造等に用いられるｘｓｌリゾグラ
フィ用の露光装置に関するものである・このような露光
装置の光源として一般に通常のｘＩＩ管を用−るが−最
近ではプラズマ線源あるーはシンクロトロン放射光等も
利用されて−る・しかしこれらは線源装置が複雑で大型
に＆る口また被写体く被着したレジス）Ｋよる吸収を大
きくすると共に拡散を小さくして解像度を向上するため
Ｋｔｊ１５ム程度以上の波長の軟Ｘ線またけ超軟Ｘ線を
利用しなければならな−が１これらはベリリウムのよう
なＸ線管の惣村で吸収されてしまう。従ってＸ線管を使
用することなく、露光装置の筐体中に電子線の発生源と
その電子線のターゲットとを直怖収容して、この筐体を
Ｘ線管と同様に１ｏ４ト一ル程度以上の高真空に排気す
る必要があったＤしかし！線しジストを塗布した被写体
とＸ＠マスクおよびこれらを取付けてその精密な位置調
整を行う機構等を収容した大型の筐体を上述のような高
真空に排気するためには極めて長時間を要すると共に！
体の製作も困難で集積回路等を能率よく製造することが
で１１斥◇口°従って本発明はこのような欠点がなく−
Ｌかもｆｒ、ｌ単な構成によシ超軟Ｉ線またけ軟Ｘ線を
発生させて−これを被写体に照射することのできる装置
を提供するものである〇本発明の露光装置は比較的低真
空に排気される密閉筐体中に高真空に排気されたＸ線管
とこのＸ線管における第１のターゲラ）か゛ら窓を透し
て放射される比較的短波長のｘＨで励起されて１ａｆｆ
ｉ程度以上の軟Ｘ＠または超軟Ｘ線を発生する第２のタ
ーゲットとを収容し、この＠２のターゲットで励起され
た螢光Ｘ線が所望のパターンのマスクを介して被写体に
入射するようＫしたものである。
フィ用の露光装置に関するものである・このような露光
装置の光源として一般に通常のｘＩＩ管を用−るが−最
近ではプラズマ線源あるーはシンクロトロン放射光等も
利用されて−る・しかしこれらは線源装置が複雑で大型
に＆る口また被写体く被着したレジス）Ｋよる吸収を大
きくすると共に拡散を小さくして解像度を向上するため
Ｋｔｊ１５ム程度以上の波長の軟Ｘ線またけ超軟Ｘ線を
利用しなければならな−が１これらはベリリウムのよう
なＸ線管の惣村で吸収されてしまう。従ってＸ線管を使
用することなく、露光装置の筐体中に電子線の発生源と
その電子線のターゲットとを直怖収容して、この筐体を
Ｘ線管と同様に１ｏ４ト一ル程度以上の高真空に排気す
る必要があったＤしかし！線しジストを塗布した被写体
とＸ＠マスクおよびこれらを取付けてその精密な位置調
整を行う機構等を収容した大型の筐体を上述のような高
真空に排気するためには極めて長時間を要すると共に！
体の製作も困難で集積回路等を能率よく製造することが
で１１斥◇口°従って本発明はこのような欠点がなく−
Ｌかもｆｒ、ｌ単な構成によシ超軟Ｉ線またけ軟Ｘ線を
発生させて−これを被写体に照射することのできる装置
を提供するものである〇本発明の露光装置は比較的低真
空に排気される密閉筐体中に高真空に排気されたＸ線管
とこのＸ線管における第１のターゲラ）か゛ら窓を透し
て放射される比較的短波長のｘＨで励起されて１ａｆｆ
ｉ程度以上の軟Ｘ＠または超軟Ｘ線を発生する第２のタ
ーゲットとを収容し、この＠２のターゲットで励起され
た螢光Ｘ線が所望のパターンのマスクを介して被写体に
入射するようＫしたものである。
すなわちＸ線管から放射されるＸ線は比較的短波長であ
るから、ベリリウム等の窓材による吸収が少なく、この
ためｔｒ４２のターゲットはその一次Ｉ線て有効に励起
されて多量の螢光Ｘ線を発生する＠かつこの螢光Ｘ線は
ｘｓｆｆｉ程度以上の波長をもった軟Ｘ線または超軟Ｘ
線であるから１被写体の表面に被着した炭素を主成分と
する高分子膜のレジストに有効ＫｒＪ＆収される０しか
゛もその被写体およびマスク等を常時類繁忙交換し１か
つその位置調整等の可動機構を収容した筐体性１これを
低真空に排気してＸ線の減衰を防止するだけで足シるＯ
従って被写体の交換時における排気に際しては迅速に所
定の真空度に到達することがでさて能率よく作業を行−
得ると共に装置の構成特に筐体の気密構成を簡単にする
ことができる口 図面は本発明実施例の縦Ｗ１面図で一オイルロータリー
ポンプのような比較的低真空の排気ポンプＩＫ直接連結
された密閉筐体２の内部に＠ｌのターゲット３を有する
Ｘ線管４と、第２のターゲット５と１微小孔６を有する
アパーチュア板７と１任意のパターンを形成したマスク
８と、Ｘ線レジスト９を被着した被写体１０とを収容し
である・なおＸ線管４は高真空の密閉筐体中にターゲッ
ト３および高圧ケーブル１１で筐体外の電源に接続され
た電子線の発生源１２を収容したもので１ターゲツト３
には導管１５によって冷却水が循環してψる◎また窒１
４は例えばベリリウム板で形成されてするが、上記第２
のターゲット５はこれを表面の平滑なアルミニシム（Ａ
Ｚ）％マグネシウム（Ｍ！ｉ）、酸化シリコン（”＝Ｏ
）、酸化アルミニウム（ＡＪ、Ｏ，）、窒化シリコン（
Ｅｌ、Ｍ）あるーはカーボング？ファイト（０）等の板
で形成して一上記窓１４に対向させである０このターゲ
ット５にアパーチュア板フを対設し−その孔６を介して
上記ターゲット５の螢光Ｘ線が照射される位置にマスク
８を設置すると共にこのマスクを通過した螢光Ｘ線が入
射するように被写体ｌＯを配ｋＬｔものである。
るから、ベリリウム等の窓材による吸収が少なく、この
ためｔｒ４２のターゲットはその一次Ｉ線て有効に励起
されて多量の螢光Ｘ線を発生する＠かつこの螢光Ｘ線は
ｘｓｆｆｉ程度以上の波長をもった軟Ｘ線または超軟Ｘ
線であるから１被写体の表面に被着した炭素を主成分と
する高分子膜のレジストに有効ＫｒＪ＆収される０しか
゛もその被写体およびマスク等を常時類繁忙交換し１か
つその位置調整等の可動機構を収容した筐体性１これを
低真空に排気してＸ線の減衰を防止するだけで足シるＯ
従って被写体の交換時における排気に際しては迅速に所
定の真空度に到達することがでさて能率よく作業を行−
得ると共に装置の構成特に筐体の気密構成を簡単にする
ことができる口 図面は本発明実施例の縦Ｗ１面図で一オイルロータリー
ポンプのような比較的低真空の排気ポンプＩＫ直接連結
された密閉筐体２の内部に＠ｌのターゲット３を有する
Ｘ線管４と、第２のターゲット５と１微小孔６を有する
アパーチュア板７と１任意のパターンを形成したマスク
８と、Ｘ線レジスト９を被着した被写体１０とを収容し
である・なおＸ線管４は高真空の密閉筐体中にターゲッ
ト３および高圧ケーブル１１で筐体外の電源に接続され
た電子線の発生源１２を収容したもので１ターゲツト３
には導管１５によって冷却水が循環してψる◎また窒１
４は例えばベリリウム板で形成されてするが、上記第２
のターゲット５はこれを表面の平滑なアルミニシム（Ａ
Ｚ）％マグネシウム（Ｍ！ｉ）、酸化シリコン（”＝Ｏ
）、酸化アルミニウム（ＡＪ、Ｏ，）、窒化シリコン（
Ｅｌ、Ｍ）あるーはカーボング？ファイト（０）等の板
で形成して一上記窓１４に対向させである０このターゲ
ット５にアパーチュア板フを対設し−その孔６を介して
上記ターゲット５の螢光Ｘ線が照射される位置にマスク
８を設置すると共にこのマスクを通過した螢光Ｘ線が入
射するように被写体ｌＯを配ｋＬｔものである。
すなわちＸ線管４Ｆｉ第１のターゲット３から発生する
比較的短波長のｘ＆ｉを窓１４から外部へ放射する◎そ
の短波長のＸ線ａが＠２のターゲット５を励起してｌｓ
ｆ程度以上の波長をもった軟ｘＩ！または超軟Ｘ線すを
発生させる０この螢光Ｘ ［ｈが７４−チェア板）の小
孔６を辿ってマスク８に入射り、 更Ｋｃのマスクのパ
ターンに対応した透過ｘｓＩが被写体１０に被着したレ
ジスト９に入射して１上記パターンをもった変質部を生
じさせる。このように軟Ｘ線またＬ超軟Ｘ＠ｂがマスク
８を通ってレジスト９に入射するから、回折等によるＸ
線の広がシが少なく高い解像度を得ることができると共
にレジストによる吸収も増大する口しかもＸ線管は比較
的短波長のＸ線を放射するからその窓材による吸収が少
なく、効率も同上する口かつ被写体１０等を頻繁に交換
すると共にその位置調整を・行うための精密な機構を収
容した機体２を高真空に排気する必要がな−から、排気
操作を短時間で効率よく行うことができると共に装置の
気密Ｗ造等も簡単である。
比較的短波長のｘ＆ｉを窓１４から外部へ放射する◎そ
の短波長のＸ線ａが＠２のターゲット５を励起してｌｓ
ｆ程度以上の波長をもった軟ｘＩ！または超軟Ｘ線すを
発生させる０この螢光Ｘ ［ｈが７４−チェア板）の小
孔６を辿ってマスク８に入射り、 更Ｋｃのマスクのパ
ターンに対応した透過ｘｓＩが被写体１０に被着したレ
ジスト９に入射して１上記パターンをもった変質部を生
じさせる。このように軟Ｘ線またＬ超軟Ｘ＠ｂがマスク
８を通ってレジスト９に入射するから、回折等によるＸ
線の広がシが少なく高い解像度を得ることができると共
にレジストによる吸収も増大する口しかもＸ線管は比較
的短波長のＸ線を放射するからその窓材による吸収が少
なく、効率も同上する口かつ被写体１０等を頻繁に交換
すると共にその位置調整を・行うための精密な機構を収
容した機体２を高真空に排気する必要がな−から、排気
操作を短時間で効率よく行うことができると共に装置の
気密Ｗ造等も簡単である。
図面は本発明実施例の縦断両回である。なお図にお−て
１１は排気ポンプ、２社筐体−３は第１のターゲット、
４は” Ｍ ｔｋ ｓ ｓは第２のターゲット、６は微
小孔、フはアパーチュア板、８はマスク、９はレジスト
、１ＯＦｉ被写体−１１ｔｉ高圧ナープルー１２は電子
線発生源、１３１−ｊ冷却水導管、１４はＸ線窓である
口 特許出願人 理学電機工業株式会社 ゛刀′□１ 代理人 弁理士益田龍也ｊ、・叫 、 −
１１は排気ポンプ、２社筐体−３は第１のターゲット、
４は” Ｍ ｔｋ ｓ ｓは第２のターゲット、６は微
小孔、フはアパーチュア板、８はマスク、９はレジスト
、１ＯＦｉ被写体−１１ｔｉ高圧ナープルー１２は電子
線発生源、１３１−ｊ冷却水導管、１４はＸ線窓である
口 特許出願人 理学電機工業株式会社 ゛刀′□１ 代理人 弁理士益田龍也ｊ、・叫 、 −
Claims (1)
- 高真空密閉筐体中に比較的短波長のＸ線を発生させる第
１のターゲットおよびこれを励起する電子線の発生源を
収容したＸ線管と、上記Ｘ線管によつて発生したＸ線を
照射されて１５オングストローム程度以上の比較的長波
長の特性Ｘ線を発生する物質を含んだ第２のターゲット
と、任意のパターンを形成して上記第２のターゲットに
対設したＸ線マスクと、Ｘ線レジストを被着して前記第
２のターゲットで発生した特性Ｘ線が上記Ｘ線マスクを
介して入射するように設置される被写体と、上記各部を
収容して比較的低真空の状態に排気される密閉筐体とを
具備したことを特徴とするＸ線リゾグラフィの露光装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60059655A JPS61220325A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | Ｘ線リゾグラフイの露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60059655A JPS61220325A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | Ｘ線リゾグラフイの露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61220325A true JPS61220325A (ja) | 1986-09-30 |
| JPH0130293B2 JPH0130293B2 (ja) | 1989-06-19 |
Family
ID=13119434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60059655A Granted JPS61220325A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | Ｘ線リゾグラフイの露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61220325A (ja) |
-
1985
- 1985-03-26 JP JP60059655A patent/JPS61220325A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0130293B2 (ja) | 1989-06-19 |
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