JPS61222308A - 逓倍器 - Google Patents

逓倍器

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Publication number
JPS61222308A
JPS61222308A JP6245185A JP6245185A JPS61222308A JP S61222308 A JPS61222308 A JP S61222308A JP 6245185 A JP6245185 A JP 6245185A JP 6245185 A JP6245185 A JP 6245185A JP S61222308 A JPS61222308 A JP S61222308A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
frequency
input side
bpf
input
diode
Prior art date
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Pending
Application number
JP6245185A
Other languages
English (en)
Inventor
Takao Shima
島 隆雄
Yoshiharu Tozawa
義春 戸澤
Masayuki Ishizaki
石崎 正之
Tamio Saito
斉藤 民雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、マイクロ波以上の周波数帯で使用される無線
装置の局部発振器用逓倍器の改良に関するものである。
一般に、15〜30GHz帯の局部発振器には電界効果
トランジスタ(以下FETと省略する)で発振させたも
のをそのまま使用するか、FET又はバイポーラトラン
ジスタで発振させたものを更に例えばバラクタ・ダイオ
ードやステップリカバリ・ダイオードで逓倍して使用す
る場合がある。
この時、FETは20Gl(z程度迄そよ発振が可能で
あるが、発振周波数の近傍の雑音が多い。一方、バイポ
ーラトランジスタは約10GHz以上では発振が困難で
あるが、発振周波数の近傍の雑音はPETよりも低いと
云う様にそれぞれ特徴があるので使い分けている。
第5図はダイオードを用いた逓倍器の基本的ブロック図
を示す。
図において、入力された基本周波数fOの波は中心周波
数foの帯域通過フィルタとして動作する入力側半波長
側面結合型フィルタ(以下入力側BPFと省略する)1
及びこのフィルタとダイオード3との間のインピーダン
スの整合を取る入力整合部2を通ってダイオード3に加
えられ、ここで発生した3foの成分は出力整合部4.
中心周波数3f。
の出力側BPP 5を通って出力される。
尚、この逓倍器は例えば裏面に金又は銅箔を張ったアル
ミナ基板の表面にマイクロストリップ回路で構成され、
入出力側に挿入される帯域通過型フィルタはアルミナ基
板上に容易に実現できる半波長側面結合型が一般に用い
られている。
そこで、このBPFの各段を構成する分布結合線路の伝
達関数を示している基本マトリックスは下記の様になる
第6図(a)はBPFの分布結合線路の図を、第6図(
b)は第6図(a)の等価変換回路を示す。
図において、第6図(alに示す各段の分布結合線路は
第6図(b)に示す様な伝送線路6.8とインピーダン
ス変換部7の縦属接続に変換される。
そして、第5図(b)に示した等価変換回路の基本ここ
で、 Zoe  :偶モードインピーダンス、Zoτ:奇モー
ドインピーダンス、 zo=5コア、 K:イメージインピーダンスでZoに等しい、φ:結合
線路長で(λ/2π)・L・波長短縮率λ:動作波長、 L:結合部の実際の長さを示す。
即ち、Fは伝達関数を示しているのでこの値を求める事
によりBPFの通過帯域特性が判る。
そこで、上記のマトリックスFで解析したBPFを用い
て逓倍器を構成する場合、簡単な回路構成で逓倍効率が
高くする事が要望される。
〔従来の技術〕
例えば、基本人力周波数13GHzの波を3逓倍する逓
倍器を得る為、入力側BPFに必要な性能を下記の様に
定める。即ち、 +1)  基本人力周波数 fo = 13GHz(2
)帯域幅ΔB α=800MHz (3)  イコールリップルα=  0.05dB(4
)段数n=3 これから、上記の基本マトリックスFを利用して通過帯
域を求める。
尚、アルミナ基板上でのマイクロストリップ回路の波長
短縮率(即ち、比誘電率εrに対応する値)は周波数に
無関係に一定とする。
第7図は入力側BPFの通過帯域特性図を示す。
図に示す様に、■は13GHz即ち基本波の通過帯域を
示し、■は39GHz即ち3倍波の通過帯域を示すが、
■における通過帯域は■と同じ< 800 MHzあり
比帯域で1/3である。
この様な通過特性を持つ入力側BPFを第4図に示す逓
倍器に使用した時、ダイオードで発生して入力側に伝搬
する3倍波成分は利用できないので逓倍効率が低下する
事になる。
第8図は逓倍器入力側の従来例のブロック図を示す。
図に示す様に、ダイオード3より入力側に伝搬される3
倍波はこの入力側BPF 1を通過するので、入力整合
部2とダイオード3との間にこの3倍波を点線矢印の様
に再びダイオード3の方に戻して逓倍効率を向上させる
為の阻止回路を挿入しである。
尚、2倍波は入力側BPFの、阻止帯域になっているの
でダイオード3に戻される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、入力整合部に阻止回路を挿入すると逓倍効率は
向上するが回路構成が複雑になる。一方、阻止回路を挿
入しないと逓倍効率が低下すると云う相反する問題点が
ある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記の問題点は、入力側BPFの通過帯域幅を周波数n
foと誘電体基板の実効比誘電率の周波数依存性によっ
て生ずる第ムの通過帯域の中心周波数との差の周波数よ
りも狭くしてなる本発明の逓倍器により解決される。
〔作用〕
本発明は、誘電体基板上でのマイクロストリップ回路の
特性インピーダンスや実効誘電率は動作周波数が高くな
ると、周波数に依存する様になると云う公知の事項をB
PFの設計に適用して帯域幅を決める様にした。
即ち、基本人力周波数foを中心周波数とする3逓倍器
用入力側BPFの通過帯域を実効誘電率を用いて求める
と、基本波の通過帯域と同一の帯域を持つ第2の通過帯
域の中心周波数が3foよりも低い方にシフトするので
、入力側BPFの帯域幅をこのシフト幅よりも狭くする
事により入力側Bl’Fの3倍波に対する減衰量が約3
0dB取れる。
そこで、高調波の阻止回路を入力整合部とダイオードと
の間に挿入しな(ても、入力側BPFにより入力側に伝
搬する高調波を反射させる事ができるので逓倍効率が向
上する。
〔実施例〕
通常、ストリップ線路の伝搬特性を擬イ以TEMモード
としているので特性インピーダンスや実効誘電率の周波
数依存性はない。しかし、マイクロ波帯でも周波数が高
くなると擬似TEMモードよりもハイブリッドモードの
伝搬となるので、これらは周波数依存性を示す様になる
。これは位相速度の分散効果の影響であり、周波数の増
加と共に実効誘電率の値を増加させる。即ち、 実効比誘電率εreffcf)は公知のGesting
erの式を用いると下記の様になる。
sr effci)=′A(tr+ 1) +’A (
εr−1)  (1+10−去 (h /W ) ) = tr −((sr −sr efftb)”J /
 (1+G・ (f/fp))〕 尚、fp=Zo/ 8 πh  (GHz )G−0,
6+0.009 Z。
h :基板の厚さくam)、f:動作周波数(GHz 
)又、基板上のマイクロストリップ回路の波長短縮率は
従来の1//T下でなく 1/F77万f(:与えられ
る。
第4図は波長短縮率と周波数の関係を示す図である。
図はh −0,38mm、  sr =9.7の時(ア
ルミナ基板)の波長短縮率を示し、3倍波の周波数が3
9GH2では基本人力周波数13GHzに比し約5%減
少している。
第3図は上記の実効誘電率を用いて求めた入力側BPF
通過帯域の周波数特性図を示す。
図に示す様に、実効誘電率を考慮して入力側BPFの通
過帯域特性を求めると、第2の通過帯域は39GIIz
より約2GHz低い方シフトする事になり、39GHz
での減衰量は約30dBとなる。
そこで、通過帯域幅ΔB Hzを第2の通過帯域の周波
数シフトΔF R7よりも小さく選べば、入力側に伝搬
して来る3倍波を再びダイオード側に反射させて逓倍効
率を向上させる事ができる。
第1図は本発明の一実施例のブロック図を示す。
図において、入力側BPF 11の通過帯域幅は上記の
様に周波数シフトよりも小さく設定されているので、こ
のBPFと入力整合部を構成している入力整合線路12
によりダイオードへの3倍波の反射及び入力整合が実現
できる。
ここで、入力整合線路12の電気長はλ・χで特性イン
ピーダンスはZIllである。
尚、Zm=圧=Ri?、Roは系の特性インピーダンス
、R1はダイオード3の入力インピーダンスである。
第2図は本発明の別のブロック図を示す。
図に示す様に、入力側BPF 11で3倍波は反射され
が、入力側BPF 11と整合線路12との間にこの部
分のインピーダンスRoに等しい線路13を挿入し、入
力側BPFからダイオード塩の電気長を選ぶ事により3
倍波の反射波の位相をダイオードで発生した3倍波の位
相と一致させる事により逓倍効率を上げる事ができる。
尚、本発明はダイオードの代わりにFET又はバイポー
ラトランジスタの非線形を用いた逓倍器でも全く同様で
ある。
〔発明の効果〕
以上詳細に説明した様に、入力側BPFの通過帯域を狭
く、する事によりダイオードより入力側に伝搬する高調
波を反射させる様にしたので、入力側に阻止回路を挿入
する事なく逓倍効率を向上する事ができると云う効果が
ある。
この為、回路構成が簡単になりコストダウンになる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例のブロック図、第2図は本発
明の別のブロック図、 第3図は実効誘電率を用いて求めた入力側BPPの通過
帯域特性図、 第4図は波長短縮率と周波数との関係図、第5図は逓倍
器の基本的ブロック図、 第6図(a)はBPF分布結合線路図、第6図(′b)
は等価変換回路図、 第7図入力側BPFの通過帯域特性図、第8図は逓倍器
入力側の従来例のブロック図を示す。 図において、 3はダイオード、 4は出力整合部、 5は出力側BPF 。 11は入力側BPF 。 12は入力側整合線路、 ¥F、3  酊 −1#4酊 (α)(b) 茶/、+1!j 秦7fi

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 中心周波数foの入力側半波長側面結合型帯域通過フィ
    ルタを通つた周波数foの入力波を3逓倍した後中心周
    波数3foの出力側半波長側面結合型帯域通過フィルタ
    を通して3倍波を取出す様に誘電体基板上にマイクロス
    トリップ回路で構成された逓倍器において、該入力側半
    波長側面結合型帯域通過フィルタの通過帯域幅を、周波
    数3foと該誘電体基板の実効比誘電率の周波数依存性
    によつて生ずる第2の通過帯域の中心周波数との差の周
    波数よりも狭くした事を特徴とする逓倍器。
JP6245185A 1985-03-27 1985-03-27 逓倍器 Pending JPS61222308A (ja)

Priority Applications (1)

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JP6245185A JPS61222308A (ja) 1985-03-27 1985-03-27 逓倍器

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JPS61222308A true JPS61222308A (ja) 1986-10-02

Family

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JP6245185A Pending JPS61222308A (ja) 1985-03-27 1985-03-27 逓倍器

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06310936A (ja) * 1993-03-26 1994-11-04 Natl Sci Council マルチチャンネル搬送波発生器

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH06310936A (ja) * 1993-03-26 1994-11-04 Natl Sci Council マルチチャンネル搬送波発生器

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