JPS61222978A - メタライズ用組成物 - Google Patents
メタライズ用組成物Info
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- JPS61222978A JPS61222978A JP6588585A JP6588585A JPS61222978A JP S61222978 A JPS61222978 A JP S61222978A JP 6588585 A JP6588585 A JP 6588585A JP 6588585 A JP6588585 A JP 6588585A JP S61222978 A JPS61222978 A JP S61222978A
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- Japan
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- metal layer
- silver
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はセラミック体にメタライズ金属層を形成するた
めのメタライズ用組成物に関するものである。
めのメタライズ用組成物に関するものである。
（従来の技術）
従来、セラミック体と金属の接合は生もしくは焼結セラ
ミック体表面に、モリブデン−マンガン（ＭＯ−Ｍｎ）
、タングステン（Ｗ）等の高融点金属粉末に有機バイ
ンダー及び溶剤を添加し、ペースト状と成したものをス
クリーン印刷によシ塗布し、これを還元雰囲気中で焼成
して高融点金属とセラミック体とを焼結一体化させメタ
ライズ金属層を被着させるとともに該メタライズ金属層
上に金属をロウ材を介しロウ付けすることによって行な
われている。
ミック体表面に、モリブデン−マンガン（ＭＯ−Ｍｎ）
、タングステン（Ｗ）等の高融点金属粉末に有機バイ
ンダー及び溶剤を添加し、ペースト状と成したものをス
クリーン印刷によシ塗布し、これを還元雰囲気中で焼成
して高融点金属とセラミック体とを焼結一体化させメタ
ライズ金属層を被着させるとともに該メタライズ金属層
上に金属をロウ材を介しロウ付けすることによって行な
われている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし乍ら、この従来のモリブデン−マンガン等を使用
したメタライズ金属層はアルミナ（ＡＩｌｚＯｍ）に代
表される酸化物系セラミックにしか被着せず、法化珪素
（Ｓｉ、Ｃ） 、窒化珪素（Ｓｉ、５Ｎｎ）には被着し
ないことから被着されるセラミック体の材料に大きな制
約を受けるという欠点を有していた。
したメタライズ金属層はアルミナ（ＡＩｌｚＯｍ）に代
表される酸化物系セラミックにしか被着せず、法化珪素
（Ｓｉ、Ｃ） 、窒化珪素（Ｓｉ、５Ｎｎ）には被着し
ないことから被着されるセラミック体の材料に大きな制
約を受けるという欠点を有していた。
（発明の目的）
本発明者等は上記欠点に鑑み種々の実験の結果、ジルコ
ニウムもしくはその水素化物と、銀もしくはその合金の
少なくとも一種との共晶物はセラミックに対して活性が
あり、５ｋｇ／＊ｍ 以上の強度で強固に接合するこ
とを知見した。
ニウムもしくはその水素化物と、銀もしくはその合金の
少なくとも一種との共晶物はセラミックに対して活性が
あり、５ｋｇ／＊ｍ 以上の強度で強固に接合するこ
とを知見した。
本発明は上記知見に基づき、酸化物系、炭化物系及び窒
化物系のすべてのセラミックにメタツイズ金属層を被着
することができるメグライズ用組成物を提供することを
その目的とするものである。
化物系のすべてのセラミックにメタツイズ金属層を被着
することができるメグライズ用組成物を提供することを
その目的とするものである。
本発明のメグライズ用組成物はセラミック体に金属を接
合して成る部品、具体的には外部リード端子が多数ロウ
付けされてなる半導体パッケージや電気回路配線基板等
において、外部リード端子をロウ付けするためのメタラ
イズ金属層の形成に好適に使用される。
合して成る部品、具体的には外部リード端子が多数ロウ
付けされてなる半導体パッケージや電気回路配線基板等
において、外部リード端子をロウ付けするためのメタラ
イズ金属層の形成に好適に使用される。
Ｃ問題点を解決するための手段）
本発明のメグライズ用組成物はジルコニウムもしくはそ
の水素化物３乃至５０重量％と銀もしくはその合金の少
なくとも一種５０乃至９７重量％とから成シ、メタライ
ズ金属層をセラミックに５ｋｇ／屑屑 以上の接合強度
で接合することができることを特徴とするものである。
の水素化物３乃至５０重量％と銀もしくはその合金の少
なくとも一種５０乃至９７重量％とから成シ、メタライ
ズ金属層をセラミックに５ｋｇ／屑屑 以上の接合強度
で接合することができることを特徴とするものである。
本発明のメグライズ用組成物においてはジルコニウムも
しくはその水素化物の量が３重量％未満あるいは５０重
量％以上、銀もしくはその合金の量が５０重量％未満あ
るいは９７重量％以上であるとジルコニウムもしくはそ
の水素化物と銀もしくはその合金とで形成される共晶物
の絶対量が不足し、メタライズ金属層とセラミックとの
接合強度が低下する。
しくはその水素化物の量が３重量％未満あるいは５０重
量％以上、銀もしくはその合金の量が５０重量％未満あ
るいは９７重量％以上であるとジルコニウムもしくはそ
の水素化物と銀もしくはその合金とで形成される共晶物
の絶対量が不足し、メタライズ金属層とセラミックとの
接合強度が低下する。
よって、本発明のメグライズ用組成物においてはジルコ
ニウムもしくはその水素化物は３乃至５０重量％の範囲
に、また銀もしくはその合金は５゜乃至９７重量％の範
囲に特定される。
ニウムもしくはその水素化物は３乃至５０重量％の範囲
に、また銀もしくはその合金は５゜乃至９７重量％の範
囲に特定される。
本発明のメグライズ用組成物はジルコニウムもしくはそ
の水素化物の粉末と、銀もしくはその合金の粉末とを混
合し混合粉末状となすか、ジルコニウムもしくはその水
素化物の箔と、銀もしくはその合金の箔とを重ね合せ二
層構造となすか、粉末状のジルコニウムもしくはその水
素化物と箔状の銀もしくはその合金とを組合せるか、あ
るいはその逆の組合せによってメグライズ用組成物とし
て使用される。
の水素化物の粉末と、銀もしくはその合金の粉末とを混
合し混合粉末状となすか、ジルコニウムもしくはその水
素化物の箔と、銀もしくはその合金の箔とを重ね合せ二
層構造となすか、粉末状のジルコニウムもしくはその水
素化物と箔状の銀もしくはその合金とを組合せるか、あ
るいはその逆の組合せによってメグライズ用組成物とし
て使用される。
（実施例）
次に本発明を実施例に基づき説明する。
まず、ジルコニウム（Ｚｒ）もしくはその水素化物（Ｚ
ｒＨｔ）及び銀（Ａｇ）もしくはその合金（例えばＡｇ
−Ｃｕ ）の粉末及び箔を準備し、これを下表に示す
ようだ組み合せ、厚みでメタライズ金属層を得た。次に
これをアルミナ（ＡＩ！２０ｓ） 、炭化珪素（ＳＩＣ
）、窒化珪素（ＳｉｓＮ４）から成るセラミック体表面
に直径５ ｗｔｍの円形状に取着するとともに真空炉中
、約１０００℃の温度で焼成し、セラミック体表面にメ
タライズ金属層を被着させる。そして次に直径５ｎ＊ｍ
、長さ２０ ｍｍのコバーｔｖ （Ｆｅ −Ｎｉ。
ｒＨｔ）及び銀（Ａｇ）もしくはその合金（例えばＡｇ
−Ｃｕ ）の粉末及び箔を準備し、これを下表に示す
ようだ組み合せ、厚みでメタライズ金属層を得た。次に
これをアルミナ（ＡＩ！２０ｓ） 、炭化珪素（ＳＩＣ
）、窒化珪素（ＳｉｓＮ４）から成るセラミック体表面
に直径５ ｗｔｍの円形状に取着するとともに真空炉中
、約１０００℃の温度で焼成し、セラミック体表面にメ
タライズ金属層を被着させる。そして次に直径５ｎ＊ｍ
、長さ２０ ｍｍのコバーｔｖ （Ｆｅ −Ｎｉ。
−Ｃｏ合金）から成る円柱体を銀ロウ材を介してロウ付
けし、しかる后、コパール円柱体を垂直力６ 向に引
っ張り、単位面積当シの接合強度を調べた。
けし、しかる后、コパール円柱体を垂直力６ 向に引
っ張り、単位面積当シの接合強度を調べた。
尚、前記ジルコニウムもしくはその水素化物及び銀もし
くはその合金は粉末状のものを使用する場合、その粒径
を１〜５μｍに調整し、これに有機バインダー及び溶剤
を添加するとともに混線機で１０時間混混線、ペースト
状と々してセフミック体表面に取着した。
くはその合金は粉末状のものを使用する場合、その粒径
を１〜５μｍに調整し、これに有機バインダー及び溶剤
を添加するとともに混線機で１０時間混混線、ペースト
状と々してセフミック体表面に取着した。
また試料番号２４〜２６は本発明品と比較するための比
較試料であシ、従来一般に使用されているモリブデン−
マンガン（Ｍｏ −Ｍｎ）から成るメグライズ用組成物
である。
較試料であシ、従来一般に使用されているモリブデン−
マンガン（Ｍｏ −Ｍｎ）から成るメグライズ用組成物
である。
上記の結果を下表に示す。
（発明の効果）
上記実験結果からも判るように従来のメタライズ用組成
物（Ｍｏ −Ｍｎ ）を使用したメタライズ金属層はア
μミナ（ＡＩ２０ｓ）には被着されるものの炭化珪素（
Ｓ１Ｃ）、窒化珪素（ＳｉｌＮ４）には−切被着されな
いのに対し、本発明のメタライズ用組成物を使用したメ
タライズ金属層はアμミナ（ＡＪ＊（ｈ）炭化珪素（Ｓ
ｉＣ）及び窒化珪素（Ｓｉ−３Ｎ ４ ）のいずれのセ
フミック体にも接合強度５ ｋｇ ／ ｔｎｍ 以上の
強度で被着させることができる。特にジルコニウムもし
くはその水素化物１０乃至３０重量％、銀もしくはその
合金７０乃至９０重量％から成るメタライズ用組成物を
使用したメタライズ金属層はその接合強度が１０に９／
ｊｌｌｌｌｌ 以上と極めて強く、外部リード端子等を
ロウ付けするメタライズ金属層を形成するメタライズ用
組成物として好適である。
物（Ｍｏ −Ｍｎ ）を使用したメタライズ金属層はア
μミナ（ＡＩ２０ｓ）には被着されるものの炭化珪素（
Ｓ１Ｃ）、窒化珪素（ＳｉｌＮ４）には−切被着されな
いのに対し、本発明のメタライズ用組成物を使用したメ
タライズ金属層はアμミナ（ＡＪ＊（ｈ）炭化珪素（Ｓ
ｉＣ）及び窒化珪素（Ｓｉ−３Ｎ ４ ）のいずれのセ
フミック体にも接合強度５ ｋｇ ／ ｔｎｍ 以上の
強度で被着させることができる。特にジルコニウムもし
くはその水素化物１０乃至３０重量％、銀もしくはその
合金７０乃至９０重量％から成るメタライズ用組成物を
使用したメタライズ金属層はその接合強度が１０に９／
ｊｌｌｌｌｌ 以上と極めて強く、外部リード端子等を
ロウ付けするメタライズ金属層を形成するメタライズ用
組成物として好適である。
したがって、本発明のメタライズ用組成物は外部リード
端子が多数ロウ付けされてなる電子部品において、該端
子等がロウ付けされるメタライズ金属層の形成に極めて
有用である。
端子が多数ロウ付けされてなる電子部品において、該端
子等がロウ付けされるメタライズ金属層の形成に極めて
有用である。
Claims (1)
- ジルコニウムもしくはその水素化物３乃至５０重量％と
銀もしくはその合金の少なくとも一種５０乃至９７重量
％とから成り、メタライズ金属層をセラミックに５ｋｇ
／ｍｍ＾２以上の接合強度で接合することができるメタ
ライズ用組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60065885A JPH0678196B2 (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | メタライズ用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60065885A JPH0678196B2 (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | メタライズ用組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61222978A true JPS61222978A (ja) | 1986-10-03 |
| JPH0678196B2 JPH0678196B2 (ja) | 1994-10-05 |
Family
ID=13299874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60065885A Expired - Fee Related JPH0678196B2 (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | メタライズ用組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0678196B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6867108B2 (en) * | 2001-04-13 | 2005-03-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wiring line assembly and method for manufacturing the same, and thin film transistor array substrate having the wiring line assembly and method for manufacturing the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6032648A (ja) * | 1983-08-02 | 1985-02-19 | 株式会社東芝 | セラミックスのメタライジング方法及びセラミックスのメタライジング用合金箔 |
| JPS6033280A (ja) * | 1983-07-27 | 1985-02-20 | 株式会社日立製作所 | 金属化ペ−スト及びセラミツクス製品 |
-
1985
- 1985-03-28 JP JP60065885A patent/JPH0678196B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6033280A (ja) * | 1983-07-27 | 1985-02-20 | 株式会社日立製作所 | 金属化ペ−スト及びセラミツクス製品 |
| JPS6032648A (ja) * | 1983-08-02 | 1985-02-19 | 株式会社東芝 | セラミックスのメタライジング方法及びセラミックスのメタライジング用合金箔 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6867108B2 (en) * | 2001-04-13 | 2005-03-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wiring line assembly and method for manufacturing the same, and thin film transistor array substrate having the wiring line assembly and method for manufacturing the same |
| US7276731B2 (en) | 2001-04-13 | 2007-10-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wiring line assembly and method for manufacturing the same, and thin film transistor array substrate having the wiring line assembly and method for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0678196B2 (ja) | 1994-10-05 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |