JPS61223747A

JPS61223747A - 電子写真感光体の製造方法及びその製造装置

Info

Publication number: JPS61223747A
Application number: JP6424685A
Authority: JP
Inventors: Shunichi Ishihara; 俊一石原; Keishi Saito; 恵志斉藤; Toshimichi Oda; 小田　俊理; Isamu Shimizu; 勇清水
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1985-03-28
Filing date: 1985-03-28
Publication date: 1986-10-04
Also published as: JPH0550743B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〈産業上の利用分野〉本発明は、電子写真感光体及びその製造法と製造装置に
関する。

〈従来の技術〉例えば電子写真感光体の光受容層を編成するアモルファ
スシリコン膜の形成には、真空蒸着法、プラズマＣＶＤ
法、ＣＶＤ法９反応性スパッタリング法、イオンブレー
ティング法、光ＣＶＤ法などが試みられており、一般的
には、プラズマＣＶＤ法が広く用いられ、企業化されて
いる。

面乍ら、アモルファスシリコンで構成される光受容層は
電気的、光学的特性及び、繰返し使用での疲労特性或い
は使用環境特性、更には均一性、再現性を含めて生産性
、量産性の点において更に総合的な特性の向上を図る余
地がある。

従来から一般化されているプラズマＣＶＤ法によるアモ
ルファスシリコン系の光受容層の形成に於いての反応プ
ロセスは、従来のＣＶＤ法に比較してかなり複雑であり
、その反応機構も不明な点が少なくなかった。又、その
堆積膜の形成パラメーターも多く（例えば、基板温度。

導入ガスの流量と比、形成時の圧力、高周波電力、電極
構造１反応容器の構造、排気速度。

プラズマ発生方式など）これらの多くのパラメータの組
み合せによる為、時にはプラズマが不安定な状態になり
、形成された堆積膜に著しい影響を与えることが少なく
なかった。そのうえ、装置特有のパラメーターを装置ご
とに選定しければならず、従って製造条件を一般化する
ことがむずかしいというのが実状であった。

一方、アモルファスシリコンから成る光受容層として電
気的、光学的特性が各用途を十分に満足させ得るものを
発現させるには、現状ではプラズマＣＶＤ法によって形
成することが最良とされている。

面乍ら、電子写真感光体の場合には、大面積化、膜厚の
均一性、膜品質の均一性を十分に満足させて、再現性の
ある量産化を図らねばならない為、これまでのプラズマ
ＣＶＤ法によるアモルファスシリコン系光受容層の形成
において　・は、量産装置に多大な設備投資が必要とな
り、またその量産の為の管理項目も複雑になり、管理許
容幅も狭くなり、装置の調整も微妙であることから、こ
れらのことが、今後改善すべき問題点として指摘されて
いる。

他方、通常のＣＶＤ法による従来の技術では、高温を必
要とし、実用可能な特性を有する堆積膜が得られていな
かった。

上述の如く、アモルファスシリコン系光受容層の形成に
於いて、その実用可能な特性、均一性を維持させながら
低コストな装置で量産化できる形成方法を開発すること
が切望されている。

これ等のことは、他の光受容層を構成する層。

例えば窒化シリコン膜、炭化シリコン膜、酸化シリコン
膜に於いても各々同様のことがいえる本発明は、上述し
たプラズマＣＶＤ法による光受容層の欠点を除去すると
同時に、従来の形成方法によらない新規な電子写真感光
体、その製造及び装置を提供するものである。

ぐ発明の目的及び概要〉本発明の目的は、電子写真用の光受容層を形成する成膜
空間に於いて、プラズマ反応を用いないで、形成される
膜の特性を保持し、堆積速度の向上を図りながら、膜形
成条件の管理の簡素化、膜の量産化を容易に達成させる
ことである。

本発明の電子写真感光体は、電子写真用の基体と、該基
体上に設けた光受容層とを有する電子写真感光体に於い
て、前記光受容層が、光受容層の形成に利用される前駆
体と、該前駆体と化学反応する活性種とを成膜空間に導
入するに際して、前記活性種は、前記成膜空間に連絡す
る輸送空間（Ａ）を通じ、前記前駆体は、前記輸送空間
内に設けられ前記成膜空間に連絡する輸送空間（Ｂ）を
通じて、夫々前記成膜空間に導入してこれ等を化学反応
させることにより形成された事を特徴とする。

本発明の電子写真感光体の製造法は光受容層の形成に利
用される前駆体と、該前駆体と化学反応する活性種とを
成膜空間に導入して、該成膜空間内に配されている電子
写真用の基体上に光受容層を形成する電子写真感光体の
製造法に於いて、前記活性種は、前記成膜空間に下流側
で連絡する輸送空間（Ａ）を通じ、前記前駆体は、前記
輸送空間（Ａ）内に設けられ前記成膜空間に連絡する輸
送空間（Ｂ）を通じて夫々、前記成膜空間内に導入する
ことを特徴とする。

本発明の電子写真感光体の製造装置は光受容層の形成に
利用される前駆体と該前駆体と化学反応する活性種とを
成膜室に導入して該成膜室内に配されている電子写真用
の基体上に光受容層を形成する電子写真感光体の製造装
置に於いて前記活性種を生成する活性化室と、該活性化
室の下流に設けた輸送路（Ａ）と、前記前駆体を生成す
る前駆体化室と該前駆体化室の下流であって前記輸送路
（Ａ）の内部に設けた輸送路（Ｂ）と、前記輸送路（Ａ
）、（Ｂ）の夫々と連絡する成膜室とを有する事を特徴
とする。

丘記した様に１本発明に於いては、所望の電子写真用の
光受容層を形成する成膜空間と、前駆体及び活性種とを
夫々生成する空間とが区分けされ且つ前駆体と活性種と
を生成する空間が異なっていると共に成膜空間ではプラ
ズマ放電を利用しない為に膜形成条件の制御が著しく容
易になり、層品質の管理が容易になる。

本発明に於いては、活性種は輸送空間（Ａ）を通じて、
又、前駆体は輸送空間（Ｂ）を通じて夫々成膜空間に導
入されるが、輸送空間（Ｂ）の輸送空間（Ａ）内での開
放位置を種々変化させることによって、前駆体の輸送空
間（Ａ）内での滞留時間を適宜設定することが出来る。

この場合、前駆体の輸送空間（Ｂ）に於いて輸送速度も
前記の滞留時間を制御する為の管理パラメーターの１つ
として選択することが出来る。

本発明に於いては、輸送空間（Ａ）、及び輸送空間（Ｂ
）の成膜空間への開放位置は、活性種や前駆体の寿命に
応じて適宜決められる。

本発明の場合、前駆体としては比較的長寿命のものを、
活性種としては、前駆体に較べれば短寿命のものを夫々
使用するので、輸送空間（Ａ）の成膜空間への開放位置
は、成膜空間に近い方が好ましい。

輸送空間（Ａ）の成膜空間への開放口部及び輸送空間（
Ｂ）の輸送空間（Ａ）への開放口部はノズル状、或はオ
リフィス状とされているのが望ましい、殊にノズル状と
されている場合には、ノズル開口を成膜空間内に配され
ている基体の成膜表面近傍に位置付けることによって、
成膜効率と原料消費実効々率を著しく上げることが出来
る。

本発明に於いては、活性種は、輸送空間（Ａ）にその上
流で連絡する活性化空間で、前駆体は、輸送空間（Ｂ）
にその上流で連絡する前駆体化空間で夫々、生成される
が、これ等に本発明は限定されるものではなく、例えば
、輸送空間（Ａ）は活性化空間を、輸送空間（Ｂ）は前
駆体化空間を夫々兼用することも出来る。

殊に、両輸送空間が、夫々活性化空間、前駆体化空間を
兼用する場合には、活性化手段と前駆体化手段とを別々
に設けることなく、同一の手段で兼用することも出来る
。

例えば、輸送空間（Ａ）と輸送空間（Ｂ）とを二重ガラ
ス管構造とし、外側ガラス管の周囲にマイクロ波プラズ
マ装置を設けることによって、輸送方向に対して、同位
置で活性種と前駆体とを同時に生成することが出来る。

本発明に於いては輸送空間（Ａ）と輸送空間（Ｂ）と、
その開放口部は成膜空間の内部に位置しているのが好ま
しい。

本発明に於いては、輸送空間（Ａ）と、該輸送空間（Ａ
）の内部に設けた輸送空間（Ｂ）とから成る二重空間構
造体は成膜装置に、１つに限らず、複数設けることによ
って、夫々の二重空間構造体に導入する活性種及び前駆
体の種類を変えることで、異なる特性を有する堆積層の
夫々を成膜空間内に配されている基体上に形成すること
が出来る。

この場合、例えば基体上の異なる位置に、堆積層の夫々
を別個に同時に形成開始することも出来るし、或は、先
ず基体上に堆積層（Ａ）を形成し、次いで堆積層（Ｂ）
、（Ｃ）−−−−−−−−（Ｎ）と、順にＮ層の堆積層
が積層された層構造となる様に層形成することも出来る
。具体的には、電子写真用としての光受容層が、基体側
より順に電萄注入防止層、光導電層１表面層の３層構造
である場合には、先ず、二重空間構造体（Ａ）を用いて
電荷注入防止層を基体上に形成し、次いで二重空間構造
体（Ｂ）、（Ｃ）を夫々用いて、順に光導電層、表面層
の夫々を予め形成されている層の上に形成することが出
来る。勿論この場合各層の形成は、各層の基体全面上へ
の形成が終了した後に次の層を形成開始するだけではな
く、各層の形成開始を所望時間遅延させるだけで、その
後は、場所的な各層の形成遅延はあるが、時間的には各
層の形成を同時進行的に行うことも出来る。各層の形成
は、夫々別個の成膜空間に於いて行うことも出来るが、
本発明の特徴を最大限に活用するのであれば、同一の成
膜空間に於いて、同時進行的に特性の異なる層の夫々を
形成することが出来る。

更には、本発明の方法によれば、従来のプラズマＣＶＤ
法と異なり、成膜空間と活性化空間及び前駆体化空間と
が夫々分離されている為、成膜空間の内壁からの汚染物
や成膜空間内に残留する残留ガスの影響を実質的になく
すことが出来るという特徴がある。

尚、本発明での「前駆体」とは、形成される堆積膜の原
料には成り得るがそのままのエネルギー状態では堆積膜
を形成することが全く又は殆ど出来ないものを云う、「
活性種」とは、前記前駆体と化学的相互作用を起して例
えば前駆体にエネルギーを与えたり、前駆体と化学的に
反応したりして、前駆体を堆積膜を形成することが出来
る状態にする役目を荷うものを云う。

従って、活性種としては、形成される堆積膜を構成する
構成要素に成る構成要素を含んでいても良く、或はその
様な構成要素を含んでいなくとも良い。

本発明では、成膜空間に導入される輸送空間からの前駆
体は、その寿命が好ましくは０．０１秒以上、より好ま
しくは０．１秒以上、最適には１秒以上もあるが、所望
に従って選択されて使用され、この前駆体の構成要素が
成膜空間で形成される堆積膜を構成する主成分を構成す
るものとなる。又、輸送空間（Ａ）より成膜空間に導入
される活性種は、その寿命が好ましくは１０秒以下、よ
り好ましくは８秒以下、最適には５秒以下のものである
。この活性種は成膜空間で堆積膜を形成する際、同時に
輸送空間（Ｂ）から成膜空間に導入され、形成される堆
積膜の主構成成分となる構成要素を含む前記前駆体と化
学的に相互作用する。その結果、所望の基体上に所望の
堆積膜が容易に形成される。

本発明の方法によれば、成膜空間内でプラズマを生起さ
せないで形成される堆積膜は、エツチング作用、或はそ
の他の例えば異常放電作用等による悪影響を受けること
はない。

又、本発明によれば成膜空間の雰囲気温度。

基体温度を所望に従って任意に制御する事により、より
安定したＣＶＤ法とする事ができる。

本発明の方法が従来のＣＶＤ法と違う点の１つは、予め
成膜空間とは異なる空間に於いて生成された活性種及び
前駆体を使うことである。

このことにより、従来のＣＶＤ法に較べて堆積速度を飛
躍的に伸ばすことが出来ると同時に品質の高い膜を得る
ことが出来、加えて堆積膜形成の際の基体温度も一層の
低温化を図ることが可能になり、膜品質の安定した堆積
膜を工業的に大量に、しかも低コストで提供出来る。

本発明に於いて活性化空間（Ａ）で生成される活性種は
放電、光、熱等のエネルギーで或ｔ±それ等の併用によ
って生成されるばかりでＩｆなく、触媒などとの接触、
或いは添加により生成されてもよい。

本発明に於いて、前駆体化空間（Ｂ）に導入されて前駆
体を生成する原材料としては、硅素原子に電子吸引性の
高い原子又は原子団、或ｔ±極性基が結合しているもの
が利用される。その様なものとしては１例えばＳｔ　ｎＸ２ｎ＋２　（ｎ＝１．２．３−−−−−−、
Ｘ＝Ｆ、ＣＭ、Ｂｒ、　Ｉ）　。

（Ｓｉ　Ｘ２）　ｎ　（ｎ≧３．Ｘ＝Ｆ、ＣＭ、Ｂｒ、
Ｉ）　。

５ｉｎＨＸ２ｎ＋１　（ｎ＝１，２．３−−一−−，Ｘ
＝Ｆ、ＣＪｌ、Ｂｒ、Ｉ）。

Ｓ　ｉ　ｎＨ２Ｘ２　ｎ　（ｎ＝　１　、２　、３＝−
−−。

ｘ＝ｐ、ｃｉ、Ｂｒ＋Ｉ）　　などが挙げられる。

具体的には例えばＳｉＦ４．　　（Ｓ［Ｆ２）　５゜（
ＳｉＦ２）６．　　（ＳｉＦ２）ａ、　Ｓｉ２Ｆ６．　
ＳｉＨＦ３゜５ＩＨ２Ｆ２．　５ｉＣＪ２４（ＳｉＣｚ
２）ｓ、　　ＳｉＢｒ４゜（ＳｉＢｒ２）ｓ　などのガ
ス状態の又は容易にガス化し得るものが挙げられる。又
、ＳｉＨ２（Ｃ６Ｈ５）　２　。

Ｓ　ｉＨ２（ＣＮ）　２　なども形成される堆積膜の使
用目的によっては使用される。

上述したものに、前駆体化空間で熱、光、放電などの活
性化エネルギーを加えることにより、前駆体が生成され
る。

本発明に於ては、輸送空間（Ａ）内で前駆体と活性種と
が混合され、該混合ガスが成膜空間に導入される。混合
された前駆体と活性種は化学的に相互作用し成膜空間に
予め配されている基体上に堆積膜が形成される。その際
、必要であれば成膜空間内或いは基体上に直に熱、光な
どのエネルギーを与えることで堆積速度を促進し、所望
の堆ａｌｌＩの形成が効率良く達成される。

本発明に於て、活性化空間に導入され活性種を生成させ
る原料としては、　Ｈ２，ＳｉＨ４，ＳｉＨ３Ｆ。

５ｉＨ３ＣＪｌ、　　５ｉＨ３Ｂｒ、　　５ｉＨ３Ｉ　
などの他、Ｈｅ。

Ｎｅ、Ａｒ　等の稀ガスが挙げられる。

本発明に於て、輸送空間（Ａ）で混合される際の前駆体
の量と活性種の量の割合は、堆積条件、前駆体及び活性
種の種類などで適宜所望に従って決められるが、好まし
くはｔｏｏ：１〜１：１ＯＯ（流量比）が適当であり、
より好ましくはｌｏ：１〜１：１０とされるのが望まし
い。

又、本発明に於て輸送空間（Ａ）内への輸送空間（Ｂ）
の開放口の位置は、輸送空間（Ａ）の成膜空間への開放
口の位置より好ましくは０．１ｍｍ〜２００ｍｍが適当
であり、より好ましくは１ｍｍ〜１００ｍｍとするのが
望ましい。

本発明に於て前駆体及び活性種を生成させるエネルギー
としては各々の条件、装置を考慮して放電エネルギー、
熱エネルギー、光エネルギーなどの励起エネルギーが使
用される。

〈実施態様例〉次に本発明の堆積膜製造方法によって形成される電子写
真感光体の典型的な例を挙げて本発明を説明する。

第１図は、本発明によって得られる典型的な電子写真感
光体の構成例を説明する為の図である。

第１図に示す電子写真感光体ｌＯＯは、電子写真用とし
ての支持体１０１の上に、光導電層１０３と、必要に応
じて設けられる中間層１０２と表面層１０４とで構成さ
れる層構造を有している。

支持体１０１としては、導電性でも電気絶縁性であって
も良い、導電性支持体としては、例えば、ＮｉＣｒ、ス
テンレス、ＡＩ、Ｃｒ。

Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ。

Ｐｔ、Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。

ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。

セラミック、等が通常使用される。これ等の電気絶練性
支持体は、好適には少なくともその一方の表面が導電処
理され、該導電処理された表面側に他の層が設けられる
のが望ましし）。

例えばガラスであれば、その表面がＮｉＣｒ。

ＡＭ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ。

Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３，５ｎ０２゜ＩＴＯ
（Ｉ　ｎ２０３＋５ｎ０２）等の薄膜を設ける事によっ
て導電処理され、或はポリエステルフィルム等の合成樹
脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｚ
ｎ、Ｎｉ。

Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ。

Ｔｉ、Ｐｔ等の金属で真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパ
ッタリング等で処理し、又は前記金属でラミネート処理
して、その表面が導電処理される。支持体の形状として
は１円筒状、ベルト状、板状等、任意の形状として得、
所望によって、その形状は決定されるが、例えば、連続
高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするの
が望ましい。

中間層１０２は例えばシリコン原子及び炭素原子又は窒
素原子又は酸素原子又はハロゲン原子（Ｘ）を含む非光
導電性のアモルファス材料で構成され、支持体ｌｏｔの
側から光導電層１０３中へのキャリアの流入を効果的に
阻止し且つ電磁波の照射によって光導電層１０３中に生
じ、支持体１０１の側に向って移動するフォトキャリア
の光導電層１０３の側から支持体１０１の側への通過を
容易に許す機能を有するものである。

中間層１０２を形成する場合には、光導電層１０３の形
成まで連続的に行うことができる。

その場合には、中間層形成用の原料ガスを、必要に応じ
てＨｅ、Ａｒ等の稀釈ガスと所定量の混合比で混合して
も良い。

まず活性種生成用の原料ガスを活性化空間に導入し活性
化エネルギーを作用させて活性化空間内で活性種を生成
することで該活性種を含む雰囲気を形成し、輸送空間（
Ａ）に輸送する。

他方、前駆体化空間で生成された前駆体は、輸送空間（
Ｂ）を介して輸送され輸送空間（Ａ）内に排出され活性
種と混合される。混合された前駆体と活性種は化学的に
相互作用する。

前駆体と活性種を含む混合ガスは、支持体１０１の設置
しである真空堆積用の成膜空間に導入され、必要に応じ
ては、これ等に膜形成用のエネルギーを与える事によっ
て、前記支持体１ｏｔ−ヒに中間層１０２を形成させれ
ば良い。

中間層１０２を形成する為に活性化空間（Ｂ）に導入さ
れる活性種を生成する有効な出発物質は、Ａｒ、Ｈｅ、
Ｎ２．ＳｉとＨとを構成原子とするＳｉＨ４，５ｉＨ３
Ｃ１，ＳｉＨ３Ｆ。

５ｉＨ３Ｂｒ’ｔｆの水素の多いハロゲン化シラン。

Ｎを構成原子とする、あるいはＮとＨとを構成原子とす
る例えば窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、ヒドラ
ジン（Ｈ２ＮＮＨ２）。

アジ化水素（ＮＨ３）、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ
３）等のガス状の又はガス化し得る窒素、窒化物及びア
ジ化物等の窒素化合物。

ＣとＨを構成原子とする例えば炭素数１〜５の飽和炭化
水素、炭素数２〜５のエチレン系炭化水素、炭素数２〜
４のアセチレン系炭化水素等、具体的には、飽和炭化水
素としてはメタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プ
ロパン（Ｃ３Ｈ８）、ｎ−ブタ７　（ｎ−Ｃ４Ｈ１０）
　　。

ペンタン（Ｃ５Ｈ１２）、エチレン系炭化水素としては
、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、プロピレン（Ｃ３ＨＥｌ）、
ブテン−１（Ｃ４Ｈ８）、ブチ７−２　（Ｃ４Ｈ８）、
　イｙブ＋しｙ（Ｃ４ＨＢ）。

ペンテン（ＣｓＨｌｏ）、アセチレン系炭化水素として
は、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン（Ｃ３
Ｈ４）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）。

等、更に、これ等の他に例えば、酸素（０２）。

オゾン（０３）、−酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（Ｃ
Ｏ２）、−酸化窒素（Ｎｏ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、
−酸化二窒素、（Ｎ２０）等を挙げることが出来る。

これらの中間層１０２形成用の出発物質は。

所定の原子が構成原子として、形成される中間層１０２
中に含まれる様に、層形成の際に適宜選択されて使用さ
れる。

一方、中間層１０２を形成する際に前駆体化空間に導入
されて前駆体を生成し得る出発物質としては、ＳｉＦ４
．ＳｉＨ２Ｆ２等が有効なものとして挙げられ、これ等
は活性化エネルギーの作用で容易にＳｉＦ２等の如き長
寿命の前駆体を生成する。

中間層１０２の層厚としては、好ましくは３０〜１００
０人、より好適には５０〜６００又とされるのが望まし
い。

光導電層１０３は、電子写真用像形成部材としての機能
を十分に発揮することができるような光導電特性を持つ
ようにシリコン原子を母体とし、ハロゲン（Ｘ）を含み
、必要に応じて水素原子（Ｈ）を含むアモルファスシリ
コンａ−３ｉ　ｘ　（Ｈ）で構成される。光導電層１０
３の形成も、中間層１０２と同様に、活性化空間（Ｂ）
に、Ｈ２，ＳｉＨ４，ＳｉＨ３Ｆ等の原料ガスが導入さ
れ所定の活性化エネルギーにより活性種が生成され輸送
空間内に満たされる。

該活性化空間内部で生成された活性種は輸送空間（Ａ）
を通じて成膜空間に導入される。他方前駆体化空間には
ＳｉＦ４．５ｉＦ２Ｈ２等の前駆体生成用の出発物質が
導入され、これ等に活性化エネルギーを作用させ前駆体
が生成される。前駆体は輸送空間（Ｂ）を通じてその開
放口位置より下流側で前記の活性種を混合させて化学的
相互作用を起す、前駆体と活性種から成る混合ガスは、
成膜空間内に導入され予め成膜空間に配されている基体
上に堆積膜が形成される。

その結果所望の光導電層１０３が堆積される。光導電層
１０３の層厚としては、適用するものの目的に適合させ
て所望に従って適宜決定される。

第１図に示される光導電層１０３の層厚としては、光導
電層１０３の機能及び中間層１０２の機能が各々有効に
活されている様に中間層１０２との層厚関係に於て適宜
所望に従って決められるものであり、通常の場合、中間
層１０２の層厚に対して数百〜数千倍以上の層厚とされ
るのが好ましいものである。

具体的な値としては、好ましくは１〜１００ル、より好
適には２〜５０ＩＬの範囲とされるのが望ましい。

第１図に示す電子写真感光体の光導電層中に含有される
Ｈの量、又はＨとＸの量の和は（Ｘ＝Ｆ等ハロゲン原子
）好ましくは１〜４０ａｔｏｍｉｃ％、より好適には５
〜３０ａｔ。

ｍｉｃ％とされるのが望ましい、Ｘ単独の量としては、
その下限が好適にはＯ，ＯＯ１ａｔｏｍｉｃ％、より好
適には０．０１ａｔｏｍｌｃ％、最適には０．１ａｔｏ
ｍｉｃ％とされるのが望ましい。

第１図の電子写真感光体の表面層１０４は必要に応じて
中間層１０２．及び光導電層１０３と同様に形成される
。シリコンカーバイド膜であれば、例えば活性化空間に
５ｉＨａとＣＨ４とＨ２或いはＳｉＨ４と５ｉＨ２（Ｃ
）１３）２などを導入し、活性化エネルギーを作用させ
て活性種を生成する。

他方前駆体化空間には５ｉＦａガス等の前駆体生成用の
原料ガスを導入し活性化エネルギーの作用により前駆体
を生成する。前記活性種と前駆体は、混合され化学的に
相互作用しなから成膜空間（Ａ）へ導入される。そして
、表面層１０４が堆積される。又１表面層１０４として
は、窒化シリコン、酸化シリコン膜などのノくンドギャ
ップの広い堆積膜が好ましく、光導電層１０３から表面
層１０４へその膜組成を連続的に変えることも可能であ
る０表面層１０４の層厚は、好ましくは、Ｏ，０ＩＪ１
〜５終、より好ましくは、０．０５ｐ〜１ｐの範囲が望
ましい。

光導電層１０３を必要に応じてｎ型又はｐ型とするには
、層形成の際に、ｎ型不純物又は、ｐ型不純物、或は両
不純物を形成される層中にその量を制御し乍らドーピン
グしてやる事によって成される。

光導電層中にドーピングされる不純物としては、ｐ型不
純物として、周期律表第ｍ族Ａの元素、例えば、Ｂ、Ａ
Ｍ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔ１等が好適なものとして挙げられ、
ｎ型不純物としては１周期律表第Ｖ族Ａの元素、例えば
Ｎ、Ｐ。

Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ等が好適なものとして挙げられるが、
殊にＢ、Ｇａ、Ｐ、Ｓｂ等が最適である。

本発明に於て所望の伝導型を有する為に光導電層１０３
中にドーピングされる不純物の量は、所望される電気的
・光学的特性に応じて適宜決定されるが、周期律表第ｍ
族Ａの不純物の場合３Ｘ　１０−２ａ　ｔ　ｏｍｉ　ｃ
％以下の量範囲でドーピングしてやれば良く、周期律表
第ＶＭＡの不純物の場合には５Ｘ１０−３ａｔｏｍｉｃ
％以下の量範囲でドーピングしてやれば良い。

光導電層１０３中に不純物をドーピングするには、層形
成の際に不純物導入用の原料物質をガス状態で活性化空
間、又は前駆体化空間中に導入してやれば良い、その際
には前駆体の原料ガス或いは、活性種の原料ガスのいず
れかと共に導入する。

この様な不純物導入用の原料物質としては、常温常圧で
ガス状態の又は、少なくとも層形成条件下で容易にガス
化し得るものが採用される。

その様な不純物導入用の出発物質として具体的には、Ｐ
Ｈ３、Ｐ２Ｈ４，ＰＦ３　、ＰＦ５　。

ＰＣｌ３　、ＡｓＨ３、ＡｓＦ３　、ＡｓＦ５゜ＡｓＣ
ＪＬ３．ＳｂＨ３，ＳｂＦ５．ＢｉＨ３゜ＢＦ３　、Ｂ
Ｃｌ３．ＢＢｒ３．Ｂ２Ｈ６。

Ｂ４Ｈ１０，Ｂ５Ｈ９、Ｂ５Ｈ１１，Ｂ６Ｈ１０゜Ｂｓ
Ｈｘ２．Ａ１０文３等を挙げることが出来る。

〈実施例１〉第２図に示す装置を使い、以下の如き操作によりドラム
状の電子写真用像形成部材を作成した。

第２図に於いて、２０１は成膜室（Ａ）、２０２は活性
化室（、Ｂ）、２０３．２０４は活性化エネルギー導入
用及び活性種用原料ガス放出用壁、２０５は堆積膜形成
用の前駆体の原料ガス放出パイプ、２０６は活性化エネ
ルギー源であるマイクロ波電源、２０７は堆積膜形成用
のＡｎシリンダー、２０８はＡｌｌシリンダー加熱用ヒ
ーター、２０９はＡｎシリンダー回転用のモーター、２
１０は排気用バルブ、２１１は堆積膜形成用原料ガス導
入パイプ、２１２は活性種となる原料ガスの導入用のパ
イプである。２１３は活性化室（Ｂ）から成膜室（Ａ）
へ活性種及び前駆体混合ガス導入用のノズルである。

本実施例に於いては原料ガス導入用パイプ２０５の先端
の位置は、ノズル２１３から約７ｃｍのところに設定し
た。

成膜室（Ａ）２０１にＡ見シリンダー２０７をつり下げ
、排気バルブ２１０を開け、成膜室（Ａ）及び活性化室
（Ｂ）を約１Ｏ−５ｔｏｒｒの真空度にした０次にモー
ター２０９を回転し加熱ヒーター２０８によりＡｎシリ
ンダ一温度を約３００００に保持した。まず、電荷注入
阻止層堆積用の原料ガスを活性化室（Ｂ）に導入した。

活性化室（Ｂ）に活性種生成用の原料ガスとして、Ｈ２
とＢ２Ｈ６の混合ガス（Ｂ２Ｈ６／Ｈ２＝３０００ｐｐ
ｍ）５０ＳＣＣＭを導入した。活性化室（Ｂ）に前駆体
生成用の原料ガスとしてＳｉＦ、＊（１００％）を１１
００３ＣＣ導入した。流量が安定してから排気バルブ２
１０を調節して成膜室（Ａ）の内圧を、約０．００２Ｔ
ｏｏｒとした。内圧が一定になってからマイクロ波電源
２０Ｂを動作させ、活性化室に２００Ｗの放電エネルギ
ーを投入した。

この状態で１時間保ち電荷注入阻止層としてのＰ中層を
成膜室（Ａ）２０１内のＡｎシリンダー２０７上に堆積
した。

電荷注入阻止層としてのＰ中層堆積後、活性化室（Ｂ）
の放電を止め、かつ、Ｂ２Ｈ６の導入を止め、モしてＨ
２ガスの流量を３００ＳＣＣＭ、ＳｉＦ４ガスノ流量を
３００３ＣＣＭとした。

活性化室（Ｂ）の内圧を０．００２Ｔｏｒｒとして放電
エネルギー３００Ｗを投入した。

この状態で２時間３０分保持し感光層を２０μｍ堆積し
た０次に活性種の原料としてＨ２２ガスノ流量１００Ｓ
ＣＣＭ、ＣＨ４（７）流量を３００３ＣＣＭ、前駆体の
原料ガスとして、ＳｉＦ４を１０３００Ｍとし、成膜室
（Ａ）の内圧を０．００２Ｔｏｏｒ、放電エネルギー２
００Ｗとした。

この状態で３０分保持し表面層を約５０００人堆積した
。この様にして阻止型のドラム状電子写真用像形成部材
を作成した。この電子写真用像形成部材の電子写真特性
を検討したところ、実用に十分な特性が得られた。

〈実施例２〉第３図及び第４図に示す装置を用いて、以下の如き操作
によりドラム状の電子写真用像形成部材を作製した。

第３図は、第４図における活性化室４０７゜４０８．４
０９を詳細に記したものである。

３０１は活性化室、３０２は前駆体の原料ガス導入用パ
イプ、３０３は活性他室活性化用のマイクロ波電源、３
０４は活性種の原料ガス導入用のパイプ、３０５は活性
種の原料ガスの流量調節バルブ、３０６は前駆体の原料
ガスの流量調節バルブ、３０７は前駆体の原料ガス導入
用のパイプである。

第４図は、ドラム状の電子写真用像形成部材作成用の装
置を示している。第４図の装置は、第３図に示す活性化
室を４０７，４０８゜４０９の３室設置しである。４０
９は電荷注入阻止層として働くＰ中層堆積用の活性化室
である。４０８は感光層堆積用の活性化室である。

４０７は表面電荷注入阻止層堆積用の活性化室である。

４０１は成膜室、４０２はＡ１シリンダー、４０３はＡ
１シリンダー加熱用の赤外ランプ、４０４は赤外ランプ
の反射鏡、４０５はＡｉシリンダーの回転及び上下駆動
用モーター、４０６はＡｉシリンダーとモーターを結ぐ
軸、４１０は排気バルブである。

成膜室４０１内の回転軸４０６にＡＪシリンダー４０２
を取付け、堆積室４０１及び活性化室４０７，４０８，
４０９を１Ｏ−５Ｔｏｒｒｃ７）真空度にした。赤外線
ランプ４０３によりＡｎシリンダ一温度を２９０℃に設
定した。、ＡＩＬシリング−４０２を、活性化室４０９
より下に下げた０次に、活性化室４０７，４０８，４０
９に第１表に示す原料ガスを流し、成膜室４０１の内圧
を約０．００２Ｔｏｒｒとし、各活性化室に第１表に示
したマイクロ波電力を投入した。

活性化室内のマイクロ波による放電状態が安定してから
、Ａｉシリンダー４０２を２．４　ｍ　ｍ　７分の速度
で引き上げた。

このようにして、阻止層約３７ｚｍ、感光層的２０＃Ｌ
ｍ、表面阻止層的０．５ｐｍを有するドラム状の電子写
真用像形成部材を作成した。

この電子写真用像形成部材の電子写真特性を検討したと
ころ実用に十分な特性が得られた。

〈実施例３〉実施例１に於て活性化室２０２に於る前駆体の導入位置
２１３を変化させて、感光層を堆積し電子写真用感光体
材料としての評価を行なった。

活性化室２０２に導入される活性種原料としては、Ｈ２
ガスを用い流量を３００３ＣＣＭとし、同様に前駆体の
原料としてはＳｉＦ４ガスを用い流量を３００３ＣＣＭ
とした。成膜室２０１の内圧は排気バルブ２１０により
０．００２Ｔｏｒｒとした。活性化室２０２内にはマイ
クロ波を３００Ｗ投入し、１時間堆積し電子写真用感光
体材料としての評価を行った。

第２表に示す結果が得られた。

【図面の簡単な説明】

第１図は１本発明の方法を用いて作成される電子写真用
像形成部材の１実施態様則を説明するために層構造を示
した模式図である。第２図、第３図、第４図は、夫々本発明の製造法を具現
化するための装置の１例を示す模式的説明図である。２０１−−−−−−−−−−−一成膜室（Ａ）２０２−
−−−−−−−−一−−活性化室（Ｂ）２０３．２０４
−−−一活性化エネルギー導入壁及び活性種用原料ガス
放出壁２０５−−−−−−−−−−−一前駆体原料ガス放出パ
イプ２０６−−−−−−−−−−−−マイクロ波電源２
０７−−−−−−−−−一−−Ａ　Ａシリンダー２０８
−−−−−−−−−−−一加熱用ヒーター２０９−−−
−−−−−−−−−モーター２１０−〜−−−−−−−
−−−排気バルブ２１１−−−−一−−−−−−−前駆
体原料ガス導入パイプ２１２−−−−−−−−−−−一
活性種原料ガス導入パイプ２１３−−−−−−−−−−
−一活性化室出口と前駆体原料ガス放出口との距離

Claims

【特許請求の範囲】

（１）電子写真用の基体と、該基体上に設けた光受容層
とを有する電子写真感光体に於いて、前記光受容層が光
受容層の形成に利用される前駆体と、該前駆体と化学反
応する活性種とを成膜空間に導入するに際して、前記活
性種は前記成膜空間に連絡する輸送空間（Ａ）を通じ、
前記前駆体は前記輸送空間内に設けられ前記成膜空間に
連絡する輸送空間（Ｂ）を通じて、夫々前記成膜空間に
導入してこれ等を化学反応させることにより形成された
ことを特徴とする電子写真感光体。
（２）光受容層の形成に利用される前駆体と、該前駆体
と化学反応する活性種とを成膜空間に導入して、該成膜
空間内に配されている電子写真用の基体上に光受容層を
形成する電子写真感光体の製造法に於いて、前記活性種
は前記成膜空間に下流側で連絡する輸送空間（Ａ）を通
じ、前記前駆体は、前記輸送空間（Ａ）内に設けられ前
記成膜空間に連絡する輸送空間（Ｂ）を通じて、夫々、
前記成膜空間内に導入することを特徴とする電子写真感
光体の製造法。
（３）前記活性種は、前記輸送空間（Ａ）の上流に設け
た活性化空間に於いて生成される特許請求の範囲第２項
に記載の電子写真感光体の製造法。
（４）前記輸送空間（Ａ）は活性化空間を兼ねている特
許請求の範囲第２項に記載の電子写真感光体の製造法。
（５）前記前駆体は前記輸送空間（Ｂ）の上流に設けた
前駆体化空間で生成される特許請求の範囲第２項に記載
の電子写真感光体の製造法。
（６）前記輸送空間（Ｂ）は、前駆体化空間を兼ねてい
る特許請求の範囲第２項に記載の電子写真感光体の製造
法。
（７）光受容層の形成に利用される前駆体と該前駆体と
化学反応する活性種とを成膜室に導入して該成膜室内に
配されている電子写真用の基体上に光受容層を形成する
電子写真感光体の製造装置に於いて、前記活性種を生成
する活性化室と、該活性化室の下流に設けた輸送路（Ａ
）と、前記前駆体を生成する前駆体化室と、該前駆体化
室の下流であって前記輸送路（Ａ）の内部に設けた輸送
路（Ｂ）と、前記輸送路（Ａ）、（Ｂ）の夫々と連絡する成膜室とを
有する事を特徴とする電子写真感光体の製造装置。