JPS6042766A - 堆積膜形成法 - Google Patents
堆積膜形成法Info
- Publication number
- JPS6042766A JPS6042766A JP58151027A JP15102783A JPS6042766A JP S6042766 A JPS6042766 A JP S6042766A JP 58151027 A JP58151027 A JP 58151027A JP 15102783 A JP15102783 A JP 15102783A JP S6042766 A JPS6042766 A JP S6042766A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- space
- deposition
- active species
- active
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
- H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、機能性膜、殊に半導体デバイス或いは電子写
真用の感光デバイスなどの用途に有用な堆積膜の形成法
に関する。
真用の感光デバイスなどの用途に有用な堆積膜の形成法
に関する。
例エバアモルファスシリコン膜の形成Ｋｉｄ、真空蒸着
法、プラズマＣＶＤ法、Ｃ’ＶＤ法、反応性スパッタリ
ング法、イオンブレーティング法、光ＣＶＤ法などが試
みられており、一般的には、プラズマＣＶＤ法が広く用
いられ、企業化されている。
法、プラズマＣＶＤ法、Ｃ’ＶＤ法、反応性スパッタリ
ング法、イオンブレーティング法、光ＣＶＤ法などが試
みられており、一般的には、プラズマＣＶＤ法が広く用
いられ、企業化されている。
両年らアモルファスシリコンで構成される堆積膜は電気
的、光学的特性及び、繰返し使用での疲労特性あるいは
使用環境特性、更には均一性、再現性を含めて生産性、
量産性の点において、更に総合的な特性の向上を図る余
地がある。
的、光学的特性及び、繰返し使用での疲労特性あるいは
使用環境特性、更には均一性、再現性を含めて生産性、
量産性の点において、更に総合的な特性の向上を図る余
地がある。
従来から一般化されているプラズマＣＶＤ法によるアモ
ルファスシリコン堆積膜の形成に於ての反応プロセスは
、従来のＣＶＤ法に比較してかなり複雑であり、その反
応機構も不明な点が少なくなかった。又、その堆積膜の
形成パラメーターも多く（例えば、基板温度、導入ガス
の流量と比、形成時の圧力、高周波電力、電極構造１反
応容器の構造、排気速度、プラズマ発生方式など）、こ
れらの多くのパラメータの組み合せによるため、時には
プラズマが不安定な状態になり、形成された堆積膜に著
しい悪影響を与えることが、少なくなかった。そのうえ
、装置特有のパラメーターを装置ごとに選定しなければ
ならず、したがって製造条件を一般化することがむずか
しいというのが実状であった。
ルファスシリコン堆積膜の形成に於ての反応プロセスは
、従来のＣＶＤ法に比較してかなり複雑であり、その反
応機構も不明な点が少なくなかった。又、その堆積膜の
形成パラメーターも多く（例えば、基板温度、導入ガス
の流量と比、形成時の圧力、高周波電力、電極構造１反
応容器の構造、排気速度、プラズマ発生方式など）、こ
れらの多くのパラメータの組み合せによるため、時には
プラズマが不安定な状態になり、形成された堆積膜に著
しい悪影響を与えることが、少なくなかった。そのうえ
、装置特有のパラメーターを装置ごとに選定しなければ
ならず、したがって製造条件を一般化することがむずか
しいというのが実状であった。
一方、アモルファスシリコン膜として電気的。
光学的特性が各用途を＋１分に満足させ得るものを発現
させるためには、現状ではプラズマＣＶＤ法によって形
成することが最良とされている。
させるためには、現状ではプラズマＣＶＤ法によって形
成することが最良とされている。
両生ら、堆積膜の応用用途によっては、大面積化、膜厚
均一性、膜品質の均一性を十分満足させて、再現性のあ
る量産化を図らねばならないため、プラズマＣＶＤ法如
よるアモルファスシリコン堆積膜の形成においては、量
産装置に多大な設備投資が必要となり、またその量産の
為の管理項目も複雑になり、管理許容幅も狭くな如、装
置の調整も微妙であることから、これらのことが今後改
善すべき問題点として指摘されている。
均一性、膜品質の均一性を十分満足させて、再現性のあ
る量産化を図らねばならないため、プラズマＣＶＤ法如
よるアモルファスシリコン堆積膜の形成においては、量
産装置に多大な設備投資が必要となり、またその量産の
為の管理項目も複雑になり、管理許容幅も狭くな如、装
置の調整も微妙であることから、これらのことが今後改
善すべき問題点として指摘されている。
他方通常のＣＶＤ法による従来の技術では、高湿を必要
とし、実用可能な特性を有する堆積膜が得られていなか
った。
とし、実用可能な特性を有する堆積膜が得られていなか
った。
上述の如く、アモルファスシリコン膜の形成に於て、そ
の実用可能な特性、均一性を維持させながら低コストな
装置で量産化できる形成方法を開発することが切望され
ている。
の実用可能な特性、均一性を維持させながら低コストな
装置で量産化できる形成方法を開発することが切望され
ている。
これ等のことは、他の機能性膜、例えば窒化シリコン膜
、炭化シリコン膜、酸化シリコン膜に於ても各々同様の
ことがいえる。
、炭化シリコン膜、酸化シリコン膜に於ても各々同様の
ことがいえる。
本発明は、上述したプラズマＣＶＤ法の欠点を除去する
と同時に、従来の形成方法によらない新規な堆積膜形成
法を提供するものである。
と同時に、従来の形成方法によらない新規な堆積膜形成
法を提供するものである。
本発明の目的は堆積膜を形成する堆積空間（Ａ）に於て
、プラズマ反応を用いないで形成される膜の特性を保持
し、堆積速度の向上を図わながら膜形成条件の管理の簡
素化、膜の量産化を容易に達成させることである。
、プラズマ反応を用いないで形成される膜の特性を保持
し、堆積速度の向上を図わながら膜形成条件の管理の簡
素化、膜の量産化を容易に達成させることである。
本発明は、所望の基板上に所望の堆積膜を形成する堆積
空間内に、５ｉｎＸ、Ｈ＋２（ｎ＝ １．２．−− ）
で表わされるハロゲン化ケイ素を分解することにより得
られる活性種（ａ）と硅素の環状構造を有するシラン化
合物から得られる活性種（ｂ）と水素の活性種との混合
物とを、夫々別々に導入することにより、堆積膜を形成
することを特徴とするものである。
空間内に、５ｉｎＸ、Ｈ＋２（ｎ＝ １．２．−− ）
で表わされるハロゲン化ケイ素を分解することにより得
られる活性種（ａ）と硅素の環状構造を有するシラン化
合物から得られる活性種（ｂ）と水素の活性種との混合
物とを、夫々別々に導入することにより、堆積膜を形成
することを特徴とするものである。
本発明の方法では、所望の堆積膜を形成する堆積空間（
７Ｖ）でプラズマを使用しないので、堆積膜の形成パラ
メータ二が導入する活性種の導入量、基板及び堆積空間
内の温度、堆積空間内の内圧となり、したがって堆積膜
形成のコントロールが容易になり、再現性、量産性のあ
る堆積膜を形成させることができる。
７Ｖ）でプラズマを使用しないので、堆積膜の形成パラ
メータ二が導入する活性種の導入量、基板及び堆積空間
内の温度、堆積空間内の内圧となり、したがって堆積膜
形成のコントロールが容易になり、再現性、量産性のあ
る堆積膜を形成させることができる。
本発明では、堆積空間（Ａ）に導入される分解空間ＣＢ
）からの活性種は、その寿命が１５０秒以上あるものが
、所望に従って選択されて使用され、この活性種の構成
要素が堆積空間（Ａ）で形成させる堆積膜を構成する主
成分を構成するものとなる。又、分解空間（Ｃ）から導
入される活性種は短寿命の゛ものである。この活性種は
堆積空間（Ａ）で堆積膜を形成する際、同時に分解空間
（Ｂ）から堆積空間（Ａ）に導入され、形成される堆積
膜の主構成成分となる構成要素を含む活性種と化学的に
相互作用する。その結果、所望の基板上に所望の堆積膜
が容易に形成される。
）からの活性種は、その寿命が１５０秒以上あるものが
、所望に従って選択されて使用され、この活性種の構成
要素が堆積空間（Ａ）で形成させる堆積膜を構成する主
成分を構成するものとなる。又、分解空間（Ｃ）から導
入される活性種は短寿命の゛ものである。この活性種は
堆積空間（Ａ）で堆積膜を形成する際、同時に分解空間
（Ｂ）から堆積空間（Ａ）に導入され、形成される堆積
膜の主構成成分となる構成要素を含む活性種と化学的に
相互作用する。その結果、所望の基板上に所望の堆積膜
が容易に形成される。
本発明の方法によれば、堆積空間（Ａ）内でプラズマを
生起させないで、形成される堆積膜はエツチング作用或
いは、その他の例えば異常放電作用などによる悪影響を
受けることは実質的にない。
生起させないで、形成される堆積膜はエツチング作用或
いは、その他の例えば異常放電作用などによる悪影響を
受けることは実質的にない。
又、本発明によれば堆積空間（Ａ）の雰囲気温度、基板
温度を所望に従って任意に制御することにより、より安
定したＣＶＤ法とすることができる。
温度を所望に従って任意に制御することにより、より安
定したＣＶＤ法とすることができる。
本発明の方法が従来のＣＶＤ法と違う点の１つは、あら
かじめ堆積空間（Ａ）とは異なる空間に於いて活性化さ
れた活性種を使うことである。
かじめ堆積空間（Ａ）とは異なる空間に於いて活性化さ
れた活性種を使うことである。
このことにより、従来のＣＶＤ法より堆積速度を飛躍的
に伸ばすことが出来、加えて堆積膜形成の際の基板温度
も一層の低温化を図ることが可能になり、膜品質の安定
した堆積膜を工業的に大量に、しかも低コストで提供出
来る。
に伸ばすことが出来、加えて堆積膜形成の際の基板温度
も一層の低温化を図ることが可能になり、膜品質の安定
した堆積膜を工業的に大量に、しかも低コストで提供出
来る。
本発明の方法では、分解空間（Ｃ） Ｋ導入する原料ガ
スとして環状構造を有するシラン化合物を用いることに
より、活性種に分解するときの分解速度を大幅に向上さ
せることができ、また分解を低エネルギーでおこなうこ
とができる。
スとして環状構造を有するシラン化合物を用いることに
より、活性種に分解するときの分解速度を大幅に向上さ
せることができ、また分解を低エネルギーでおこなうこ
とができる。
また、従来に比べて、堆積膜を形成する際の堆積速度を
飛躍的に向上させることができる。したがって、堆積膜
の形成において、安定でしかも量産化を容易にすること
ができるものである。
飛躍的に向上させることができる。したがって、堆積膜
の形成において、安定でしかも量産化を容易にすること
ができるものである。
本発明に於て、分解空間（Ｂ）に導入される原材料とし
ては、一般式５ｉｎＸ２ｎ＋２（ｎ：□、 ２．１．−
、）で表わされるもの、例えばＳｉＦ、 、 Ｓｉ、
Ｆ６．５ｉ３Ｆ、 。
ては、一般式５ｉｎＸ２ｎ＋２（ｎ：□、 ２．１．−
、）で表わされるもの、例えばＳｉＦ、 、 Ｓｉ、
Ｆ６．５ｉ３Ｆ、 。
Ｓ’２ｃｌｓ ＊ Ｓ’ｔＣｌｓＦｓなどが挙げられる
。
。
上述したものに、分解空間（Ｂ）で熱、光、放電などの
分解エネルギーを加えることにより、活性種が生成され
る。
分解エネルギーを加えることにより、活性種が生成され
る。
この活性種を堆積空間（Ａ）へ導入する０この際、活性
種の寿命が１５０秒以上あることが必要で、堆積効率及
び堆積速度の上昇を促進させ、堆積空間（Ａ）に於て、
分解空間（Ｃ）から導入される活性種との活性化反応の
効率を増し、その際、必要であれば、プラズマなどの放
電エネルギーを使用しないで、堆積空間内あるいは基板
上に熱、光などのエネルギーを与えることで、所望の堆
積膜の形成が達成される。
種の寿命が１５０秒以上あることが必要で、堆積効率及
び堆積速度の上昇を促進させ、堆積空間（Ａ）に於て、
分解空間（Ｃ）から導入される活性種との活性化反応の
効率を増し、その際、必要であれば、プラズマなどの放
電エネルギーを使用しないで、堆積空間内あるいは基板
上に熱、光などのエネルギーを与えることで、所望の堆
積膜の形成が達成される。
本発明に於いて、分解空間（Ｃ）に導入され、活性種を
生成させる原料としては硅素の環状構造を有するシラン
化合物、例えば（ＳｉＨｔ）ｓ−（ＳｉＨ，）、 、
（ＳｉＨ，）、、 （ＳｉＨ，）、・５４Ｈ−８ＬＨ８
など、あるいは、水素および高次鎖状シラン化合物、も
しくはＳｉＨ４との併用が挙げられる。
生成させる原料としては硅素の環状構造を有するシラン
化合物、例えば（ＳｉＨｔ）ｓ−（ＳｉＨ，）、 、
（ＳｉＨ，）、、 （ＳｉＨ，）、・５４Ｈ−８ＬＨ８
など、あるいは、水素および高次鎖状シラン化合物、も
しくはＳｉＨ４との併用が挙げられる。
本発明に於て堆積空間（Ａ）に於ける分解空間（Ｂ）か
ら導入される活性種の量と分解空間（Ｃ）から導入され
る活性種の量の割合は、堆積条件。
ら導入される活性種の量と分解空間（Ｃ）から導入され
る活性種の量の割合は、堆積条件。
活性種の種類などで決められるが、１０：１〜１：１０
（導入流禁比）が適当であり、８：２〜４：６が好まし
い。
（導入流禁比）が適当であり、８：２〜４：６が好まし
い。
本発明に於て分解空間（Ｂ）、及び分解空間（Ｃ）で活
性種を生成させる方法としてＦｉ、各々の条件、装置を
考慮して放電エネルギー、熱エネルギー、光エネルギー
などの励起エネルギーが使用される。
性種を生成させる方法としてＦｉ、各々の条件、装置を
考慮して放電エネルギー、熱エネルギー、光エネルギー
などの励起エネルギーが使用される。
次に本発明の堆積膜製造方法によって形成される電子写
真用像形成部材の典型的な例を挙げて本発明を説明する
。
真用像形成部材の典型的な例を挙げて本発明を説明する
。
第１図は、本発明によって得られる典型的な光導電部材
の構成例を説明する為の模式図である。
の構成例を説明する為の模式図である。
第１図に示す光導電部材１００は、電子写真用像形成部
材として適用させ得るものであって、光導電部材用とし
ての支持体１０１の上に、必要に応じて設けられる中間
層１０２と表面層１０４、光導電層１０３とで構成され
る層構造を有している。
材として適用させ得るものであって、光導電部材用とし
ての支持体１０１の上に、必要に応じて設けられる中間
層１０２と表面層１０４、光導電層１０３とで構成され
る層構造を有している。
支持体１０１としては、導電性でも電気絶縁性であって
も良い。導電性支持体としては、例えば、ＮｉＣｒ、ス
テｙ Ｌ／ ス、、 ｋｌ 、 Ｃｒ 、 Ｍｏ 、
Ａｕ 。
も良い。導電性支持体としては、例えば、ＮｉＣｒ、ス
テｙ Ｌ／ ス、、 ｋｌ 、 Ｃｒ 、 Ｍｏ 、
Ａｕ 。
Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ等の金属又は
これ等の合金が挙げられる。
これ等の合金が挙げられる。
電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。
ス
ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。
ボｌＪ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の
合成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。
合成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。
セラミック、紙等が通常使用される０とれ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面が導電
処理され、該導電処理された表面側に他の層が設けられ
るのが望ましい。
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面が導電
処理され、該導電処理された表面側に他の層が設けられ
るのが望ましい。
例えば、ガラスであれば、その表面がＮｉＣｒ 。
Ａｅ、 Ｃｒ、Ｍｏ、 Ａｕ、 Ｉｒ、 Ｎｂ、 Ｔａ
、 Ｖ、 Ｔｉ 、 Ｐｔ、 Ｐｄ。
、 Ｖ、 Ｔｉ 、 Ｐｔ、 Ｐｄ。
Ｉｎ２Ｏ，、８ｎＯｔ、 ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ，＋ Ｓｎ
Ｏ，）等の薄膜を設けること１・てよって導電処理され
、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルムで
あれば、ＮｉＣｒ 、 Ａｌ２ 、 Ａｇ 、 Ｐｂ
、 Ｚｎ 、 Ｎｉ 、 Ａｕ 、 Ｏｒ 、 Ｍｏ
、 Ｉｒ 。
Ｏ，）等の薄膜を設けること１・てよって導電処理され
、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルムで
あれば、ＮｉＣｒ 、 Ａｌ２ 、 Ａｇ 、 Ｐｂ
、 Ｚｎ 、 Ｎｉ 、 Ａｕ 、 Ｏｒ 、 Ｍｏ
、 Ｉｒ 。
Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ等の金属で真空蒸着、電子
ビーム蒸着、スパッタリング等で処理し、又は前記金属
でラミネート処理して、その表面が導電処理される。支
持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等、任意
の形状とし得、所望によって、その形状は決定されるが
、例えば、第１図の光導電部材ｌＯＯを電子写真用僧形
成部材トして使用するのであれば連続高速複写の場合に
は、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。
ビーム蒸着、スパッタリング等で処理し、又は前記金属
でラミネート処理して、その表面が導電処理される。支
持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等、任意
の形状とし得、所望によって、その形状は決定されるが
、例えば、第１図の光導電部材ｌＯＯを電子写真用僧形
成部材トして使用するのであれば連続高速複写の場合に
は、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。
中間層１０２は例えばシリコン原子及び炭素原子又は窒
素原子又は酸素原子又はハロゲン原子（Ｘ）を含む、非
光導電性のアモルファス材料で構成され、支持体１０１
の側から光導電層１０３中へのキャリアの流入を効果的
に阻止し且つ電磁波の照射によって光導電層１０３中に
生じ、支持体１０１の側に向って移動するフォトキャリ
アの光導電層１０３の側から支持体１０１の側への通過
を容易に許す機能を有するものである。
素原子又は酸素原子又はハロゲン原子（Ｘ）を含む、非
光導電性のアモルファス材料で構成され、支持体１０１
の側から光導電層１０３中へのキャリアの流入を効果的
に阻止し且つ電磁波の照射によって光導電層１０３中に
生じ、支持体１０１の側に向って移動するフォトキャリ
アの光導電層１０３の側から支持体１０１の側への通過
を容易に許す機能を有するものである。
中間層１０２を形成する場合には、光導電層１０３の形
成まで連続的に行うことが出来る。
成まで連続的に行うことが出来る。
その場合には、中間層形成用の原料ガスを、必要に応じ
てＨｅ、Ａｒ等の稀釈ガスと所定量の混合比で混合して
、各々を所定の分解空間（Ｂ）と分解空間（Ｃ）とに導
入し、所望の励起エネルギーを夫々の空間に加えて、各
々の活性種を生成させ、それらを支持体１０１の設置し
である真空堆積用の堆積空間（Ａ）に導入し、導入され
た各々の活性種の作用で前記支持体１０１上に中間Ｆｉ
ｚ １０２を形成させれば良い。
てＨｅ、Ａｒ等の稀釈ガスと所定量の混合比で混合して
、各々を所定の分解空間（Ｂ）と分解空間（Ｃ）とに導
入し、所望の励起エネルギーを夫々の空間に加えて、各
々の活性種を生成させ、それらを支持体１０１の設置し
である真空堆積用の堆積空間（Ａ）に導入し、導入され
た各々の活性種の作用で前記支持体１０１上に中間Ｆｉ
ｚ １０２を形成させれば良い。
中間層１０２を形成用の原料ガスに成り得るものとして
有効に使用される分解空間（Ｃ）に導入される活性種を
生成する有効な出発物質は。
有効に使用される分解空間（Ｃ）に導入される活性種を
生成する有効な出発物質は。
Ｈ，、ＳｉとＨとを構成原子とする硅素の環状構造を有
するシラン化合物、例えば、（Ｓｔ）（、）、。
するシラン化合物、例えば、（Ｓｔ）（、）、。
（ＳｉＨ２）いあるいはそれらと水素および５ｉ２Ｈ，
。
。
ｓｔ、Ｈ，などの高次鎖状シランもしくは８ｉＨ，と併
用したもの、Ｎを構成原子とする、或いはＮとＨとを構
成原子とする例えば窒素（Ｎｘ）、アンモニア（Ｎ）Ｉ
、）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２） 、アジ化水素（Ｈ
Ｎ、）、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３）等のガス状
の又はガス化し得る窒素、窒化物及びアジ化物等の窒素
化合物、ＣとＨを構成原子とする例えば炭素数１〜５の
飽和炭化水素、炭素数２〜５のエチレン系炭化水素、炭
素数２〜４のアセチレン系炭化水素等、具体的には、飽
和炭化水素としてはメタｙ （Ｃ）ｔ、） 、 工ｐ
ｙ （Ｃ，Ｈ６） 、 ７” 。
用したもの、Ｎを構成原子とする、或いはＮとＨとを構
成原子とする例えば窒素（Ｎｘ）、アンモニア（Ｎ）Ｉ
、）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２） 、アジ化水素（Ｈ
Ｎ、）、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３）等のガス状
の又はガス化し得る窒素、窒化物及びアジ化物等の窒素
化合物、ＣとＨを構成原子とする例えば炭素数１〜５の
飽和炭化水素、炭素数２〜５のエチレン系炭化水素、炭
素数２〜４のアセチレン系炭化水素等、具体的には、飽
和炭化水素としてはメタｙ （Ｃ）ｔ、） 、 工ｐ
ｙ （Ｃ，Ｈ６） 、 ７” 。
パン（Ｃ，Ｈ，） 、 ｎ−ブタ７ （ｎ Ｃ＋Ｈ＋ｏ
）ｅペンタン（Ｃ３Ｈ，ｔ）、エチレン系炭化水素とし
ては、エチレン（ＣｔＬ）−プロピレン（Ｃ−Ｈｅ）−
ブテン−１（Ｃ４Ｈ３）−ブテン−２（Ｃ４ＨＩＩ）
−イソブチレン（Ｃ４Ｈ３）−ペンテン（Ｃ，Ｈ，。）
、アセチレン系炭化水素としては、アセチレン（Ｃ，Ｈ
い、メチルアセチレン（Ｃ−Ｈ４）−ブチン（Ｃ４Ｈ６
）等、更に、これ等の他に例えば、酸素（０２）、オゾ
ン（０，）、−酸化炭素（ＣＯ）Ｓ二酸化炭素（ＣＯＪ
−一酸化窒素（ＮＯ）。
）ｅペンタン（Ｃ３Ｈ，ｔ）、エチレン系炭化水素とし
ては、エチレン（ＣｔＬ）−プロピレン（Ｃ−Ｈｅ）−
ブテン−１（Ｃ４Ｈ３）−ブテン−２（Ｃ４ＨＩＩ）
−イソブチレン（Ｃ４Ｈ３）−ペンテン（Ｃ，Ｈ，。）
、アセチレン系炭化水素としては、アセチレン（Ｃ，Ｈ
い、メチルアセチレン（Ｃ−Ｈ４）−ブチン（Ｃ４Ｈ６
）等、更に、これ等の他に例えば、酸素（０２）、オゾ
ン（０，）、−酸化炭素（ＣＯ）Ｓ二酸化炭素（ＣＯＪ
−一酸化窒素（ＮＯ）。
二酸化窒素（ＮＯ２）、−酸化二窒素（Ｎ、Ｏ）等を挙
げることが出来る。
げることが出来る。
これらの中間層１０２形成用の出発物質は、所定の原子
が構成原子として、形成される中間層１０２中に含まれ
る様に、層形成の際に適宜選択されて使用される。
が構成原子として、形成される中間層１０２中に含まれ
る様に、層形成の際に適宜選択されて使用される。
一方、中間層１０２を形成する際に分゛解空間（Ｂ）に
導入されて活性種を生成し得る出発物質としては、Ｓｉ
Ｆ４．８４．Ｆ’、等が有効なものとして挙げられ、こ
れ等は高温下で容易にＳｉｒ、の如き活性種を生成する
。
導入されて活性種を生成し得る出発物質としては、Ｓｉ
Ｆ４．８４．Ｆ’、等が有効なものとして挙げられ、こ
れ等は高温下で容易にＳｉｒ、の如き活性種を生成する
。
中間層１０２の層厚としては、好ましくは、３Ｏ−１０
０ＯＡ、より好適には５０〜６ｏｏλとされるのが望ま
しい。
０ＯＡ、より好適には５０〜６ｏｏλとされるのが望ま
しい。
光導電層１０３は、電子写真用僧形成部材としての機能
を十分に発揮することができるような光導電特性を持つ
ように、シリコン原子を母体とし、ハロゲン（Ｘ）を含
み、必要に応じて水素（Ｈ）ヲ含ｔｒアモルファスシリ
コンａ−８ｉＸ（Ｈ）で構成される。光導電層１０３の
形成も、中間層１０２と同様に、分解空間（Ｂ）Ｋ Ｓ
ｉＦ、、Ｓｉ、Ｆ、ｆｚ トｃｒ）原料ガスが導入され
、高温下にてこれ等を分解することで活性種が生・成さ
れる。この活性種は堆積空間（Ａ）に導入される。他方
、分解空間（Ｃ）には（ＳｉＨｔ）ａ、 （Ｓ’Ｈ２）
４１ （Ｓ’Ｈ２）ａ などの原料ガスが導入され、所
定の励起エネルギーにより活性種が生成される。この活
性種は堆積空間（Ａ）に導入され、分解空間（Ｂ）から
の活性種と化学的相互作用を起し、所望の光導電層１０
３が堆積される。
を十分に発揮することができるような光導電特性を持つ
ように、シリコン原子を母体とし、ハロゲン（Ｘ）を含
み、必要に応じて水素（Ｈ）ヲ含ｔｒアモルファスシリ
コンａ−８ｉＸ（Ｈ）で構成される。光導電層１０３の
形成も、中間層１０２と同様に、分解空間（Ｂ）Ｋ Ｓ
ｉＦ、、Ｓｉ、Ｆ、ｆｚ トｃｒ）原料ガスが導入され
、高温下にてこれ等を分解することで活性種が生・成さ
れる。この活性種は堆積空間（Ａ）に導入される。他方
、分解空間（Ｃ）には（ＳｉＨｔ）ａ、 （Ｓ’Ｈ２）
４１ （Ｓ’Ｈ２）ａ などの原料ガスが導入され、所
定の励起エネルギーにより活性種が生成される。この活
性種は堆積空間（Ａ）に導入され、分解空間（Ｂ）から
の活性種と化学的相互作用を起し、所望の光導電層１０
３が堆積される。
光導電層１０３の層厚としては、適用するものの目的に
適合させて所望に従って適宜決定される。
適合させて所望に従って適宜決定される。
第１図に示される光導電層１０３の層厚としては、光導
電層１．０３の機能及び中間層１０２の機能が各々有効
に活されてる様に中間層１０２との層厚関係に於いて適
宜所望に従って決められるものであり、通常の場合、中
間層１０２０層厚に対して数百〜数千倍以上の層厚とさ
れるのが好ましいものである。
電層１．０３の機能及び中間層１０２の機能が各々有効
に活されてる様に中間層１０２との層厚関係に於いて適
宜所望に従って決められるものであり、通常の場合、中
間層１０２０層厚に対して数百〜数千倍以上の層厚とさ
れるのが好ましいものである。
具体的な値としては、好ましくけ１〜１００μ、より好
適には２〜５０μの範囲とされるのが望ましい。
適には２〜５０μの範囲とされるのが望ましい。
第１図に示す光導電部材の光導電層中に含有されるｌ］
又はＸのＭは（Ｘ＝Ｆなどのハロゲン原子）好ましくは
１〜４０ ａｔｏｍｉｃ ９ｉ； 、より好適には５〜
３０ ａｔｏｍｌｃ％とされるのが望マージい。
又はＸのＭは（Ｘ＝Ｆなどのハロゲン原子）好ましくは
１〜４０ ａｔｏｍｉｃ ９ｉ； 、より好適には５〜
３０ ａｔｏｍｌｃ％とされるのが望マージい。
第１図の光導電部材の表面層１０４は必要に応じて中間
層１０２．及び光導電層１０３と同様に形成される。シ
リコンカーバイド膜テあれば、例えば、分解空間（Ｂ）
に５ｉＦ４を１分解空間（Ｃ）に（ＳｉＨ２）、とＣ艮
とＨ２あるいは（Ｓｉｌ（、）、と５ｉＨ２（ＣＨ，）
２などの原料ガスを導入し、各々、分解エネルギーで励
起させて夫々の活性種を夫々の空間で生成し、それ等を
別々に堆積空間（Ａ）へ導入させることにより表面層１
０４が堆積される０又、表面層１０４としては、窒化シ
リコン、酸化シリコン膜などのバンドギャップの広い堆
積膜が好ましく、光導電層１０３から表面層１０４へそ
の膜組成を連続的に変えることも可能である。表面層１
０４の層厚は好ましくは０．０１μ〜５μ、より好まし
くは、０．０５μ〜１μの範囲が望ましいｂ 光導電層１０３を必要に応じてｎ型又はｐ型とするには
、層形成の際に、ｎ型不純物又は、ｎ型不純物、或いは
両不純物を形成される層中にその量を制御し乍らドーピ
ングしてやる事によって成される。
層１０２．及び光導電層１０３と同様に形成される。シ
リコンカーバイド膜テあれば、例えば、分解空間（Ｂ）
に５ｉＦ４を１分解空間（Ｃ）に（ＳｉＨ２）、とＣ艮
とＨ２あるいは（Ｓｉｌ（、）、と５ｉＨ２（ＣＨ，）
２などの原料ガスを導入し、各々、分解エネルギーで励
起させて夫々の活性種を夫々の空間で生成し、それ等を
別々に堆積空間（Ａ）へ導入させることにより表面層１
０４が堆積される０又、表面層１０４としては、窒化シ
リコン、酸化シリコン膜などのバンドギャップの広い堆
積膜が好ましく、光導電層１０３から表面層１０４へそ
の膜組成を連続的に変えることも可能である。表面層１
０４の層厚は好ましくは０．０１μ〜５μ、より好まし
くは、０．０５μ〜１μの範囲が望ましいｂ 光導電層１０３を必要に応じてｎ型又はｐ型とするには
、層形成の際に、ｎ型不純物又は、ｎ型不純物、或いは
両不純物を形成される層中にその量を制御し乍らドーピ
ングしてやる事によって成される。
光導電層中にドーピングされる不純物としては、ｎ型不
純物として、周期律表第■族Ａの元素、例えば、Ｂ 、
、ｋｌ 、 Ｇａ 、 Ｉｎ 、 ’ｒ／等が好適な
ものとして挙げられ、ｎ型不純物としては、周期律表第
Ｖ族Ａの元素、例えばＮ、Ｐ、Ａｓ、 Ｓｂ、Ｂｉ等が
好適なものとして挙げられるが、殊にＢ。
純物として、周期律表第■族Ａの元素、例えば、Ｂ 、
、ｋｌ 、 Ｇａ 、 Ｉｎ 、 ’ｒ／等が好適な
ものとして挙げられ、ｎ型不純物としては、周期律表第
Ｖ族Ａの元素、例えばＮ、Ｐ、Ａｓ、 Ｓｂ、Ｂｉ等が
好適なものとして挙げられるが、殊にＢ。
Ｇａ 、 Ｐ、 Ｓｂ等が最適である。
本発明に於いて所望の伝導型を有する為に光導電層１０
３中にドーピングされる不純物の量は、所望される電気
的・光学的特性に応じて適宜決定されるが、周期律表第
■族Ａの不純物の場合３ Ｘ １０ ａｔｏｍｉｃ％以
下の量範囲でドーピングしてやれば良く、周期律表第■
族Ａの不純物の場合には５ Ｘ １０ 、 ａｔｏｍｉ
ｃ％以下の量範囲でドーピングしてやれば良い。
３中にドーピングされる不純物の量は、所望される電気
的・光学的特性に応じて適宜決定されるが、周期律表第
■族Ａの不純物の場合３ Ｘ １０ ａｔｏｍｉｃ％以
下の量範囲でドーピングしてやれば良く、周期律表第■
族Ａの不純物の場合には５ Ｘ １０ 、 ａｔｏｍｉ
ｃ％以下の量範囲でドーピングしてやれば良い。
光導電層１０３中に不純物をドーピングするには、ｊ−
形成の際に不純物導入用の原料物質をガス状態で分解空
間（Ｂ）あるいは（Ｃ）中に導入してやれば良い。その
際には、分解空間（Ｂ）の方ではなく、分解空間（Ｃ）
方へ導入し、そこからその活性種を堆積空間（Ａ）に導
入する方が好ましい。この様な不純物導入用の原料物質
としては、常温常圧でガス状態の又は、少なくとも層形
成条件下で容易にガス化し得るものが採用される。
形成の際に不純物導入用の原料物質をガス状態で分解空
間（Ｂ）あるいは（Ｃ）中に導入してやれば良い。その
際には、分解空間（Ｂ）の方ではなく、分解空間（Ｃ）
方へ導入し、そこからその活性種を堆積空間（Ａ）に導
入する方が好ましい。この様な不純物導入用の原料物質
としては、常温常圧でガス状態の又は、少なくとも層形
成条件下で容易にガス化し得るものが採用される。
その扉な不純物導入用の出発物質として具体的には、Ｐ
ＨＨｔ ＰＪ（４、ＰＦ３ 、 ＰＦ５ ｅ ＰＣｌ５
＊ ＡｓＨ＋＋ ＊ ＡｓＦ５５ＡｓＦ、 、 Ａｓ
Ｃｌ！、 、 ＳｂＨ，、ＳｂＦ、 、 １３ｉＨ，、
ＢＦ、 、 ＢＣｌ！、 、 ＢＢｒ、。
ＨＨｔ ＰＪ（４、ＰＦ３ 、 ＰＦ５ ｅ ＰＣｌ５
＊ ＡｓＨ＋＋ ＊ ＡｓＦ５５ＡｓＦ、 、 Ａｓ
Ｃｌ！、 、 ＳｂＨ，、ＳｂＦ、 、 １３ｉＨ，、
ＢＦ、 、 ＢＣｌ！、 、 ＢＢｒ、。
Ｂ２Ｆｌｌａ 、Ｂ＜Ｈｌｏ−ＢＪ（ｏ 、ＢｓＨｕ、
ＢａＨ＋ｏ、”ａＨ＋ｙ、 ＡｌＣｌ５ ＊等を挙げる
ことが出来る。
ＢａＨ＋ｏ、”ａＨ＋ｙ、 ＡｌＣｌ５ ＊等を挙げる
ことが出来る。
実施例１
第２図に示す装置使い、以下の如き操作によってドラム
状の電子写真用像形成部材を作成したＯ 第２図において、ｌは堆積空間（Ａ） ｓ ２は分解空
間（１３）、３は分解空間（Ｃ）、４は電気炉、５は固
体Ｓｉ粒、６はＳｉ−坑の導入管、７は活性種導入管、
８は電気炉、９は活性種の原料物質導入管、ｌＯは活性
種導入管、１１はモーター、１２は加熱ヒーター、１３
は吹き出し管、１４は吹き出し管、１５はＭシリンダー
、１６ｑ排気パルプを示している。
状の電子写真用像形成部材を作成したＯ 第２図において、ｌは堆積空間（Ａ） ｓ ２は分解空
間（１３）、３は分解空間（Ｃ）、４は電気炉、５は固
体Ｓｉ粒、６はＳｉ−坑の導入管、７は活性種導入管、
８は電気炉、９は活性種の原料物質導入管、ｌＯは活性
種導入管、１１はモーター、１２は加熱ヒーター、１３
は吹き出し管、１４は吹き出し管、１５はＭシリンダー
、１６ｑ排気パルプを示している。
堆積空間（Ａ）１にＭシリンダー１５をつり下げその内
側に加熱ヒーター１２を備え、モーター１１によシ回転
できるようにし、分解空間（Ｂ）２からの活性種を導入
する導入管７を経て、吹き出し管１３と、分解空間（Ｃ
）３からの活性種を導入する導入管１０を経て、吹き出
し管１４を備える。
側に加熱ヒーター１２を備え、モーター１１によシ回転
できるようにし、分解空間（Ｂ）２からの活性種を導入
する導入管７を経て、吹き出し管１３と、分解空間（Ｃ
）３からの活性種を導入する導入管１０を経て、吹き出
し管１４を備える。
分解空間（Ｂ）２に固体８１粒５を詰めて、電気炉４に
より加熱し、１１００℃に保ち、Ｓｉを溶融し、そこへ
ボンベからＳｉＦ、の導入管６により、Ｓｉ１％を吹き
込むことにより、ＳｉＦ、の活性種を生成させ、導入管
７を経て、堆積空間（Ａ）１の吹き出し管１３へ導入す
る。一方、分解空間（Ｃ）３に導入管９から（ＳｉＨ２
）ａ を導入し、電気炉８により３００℃に加熱し、Ｓ
ｉＨ，、ＳｉＨ、ＳｉＨ，、Ｈなどの活性種を生成させ
、導入管１０から吹き出し管１４へ導入子る。このとき
、導入管１０の長さは、装置上、可能な限り短縮し、そ
の活性種の有効効率を落さないようにする。堆積空間（
Ａ）内のＭシリンダーは２８０℃にヒーター１２により
加熱、保持され、回転させ、排ガスは排気パルプ１６を
通じて排気される。このようにして光導電層１０３が形
成されるが、同様に中間層１０２、表面層１０４も形成
される。
より加熱し、１１００℃に保ち、Ｓｉを溶融し、そこへ
ボンベからＳｉＦ、の導入管６により、Ｓｉ１％を吹き
込むことにより、ＳｉＦ、の活性種を生成させ、導入管
７を経て、堆積空間（Ａ）１の吹き出し管１３へ導入す
る。一方、分解空間（Ｃ）３に導入管９から（ＳｉＨ２
）ａ を導入し、電気炉８により３００℃に加熱し、Ｓ
ｉＨ，、ＳｉＨ、ＳｉＨ，、Ｈなどの活性種を生成させ
、導入管１０から吹き出し管１４へ導入子る。このとき
、導入管１０の長さは、装置上、可能な限り短縮し、そ
の活性種の有効効率を落さないようにする。堆積空間（
Ａ）内のＭシリンダーは２８０℃にヒーター１２により
加熱、保持され、回転させ、排ガスは排気パルプ１６を
通じて排気される。このようにして光導電層１０３が形
成されるが、同様に中間層１０２、表面層１０４も形成
される。
実施例２
一般的なプラズマＣＶＤ法により、 Ｓｉｇ とＳｉＨ
４およびＨ７から第２図の堆積空間（Ａ） １に１３．
５６ＭＨｚの高周波装置を備えて光導電層１０３を形成
した。
４およびＨ７から第２図の堆積空間（Ａ） １に１３．
５６ＭＨｚの高周波装置を備えて光導電層１０３を形成
した。
実施例３
実施例１と′１司様に堆積膜を形成するが、分解空間（
Ｃ）３に導入する原料ガスを３ｉＨ４と（ＳｉＨ，）。
Ｃ）３に導入する原料ガスを３ｉＨ４と（ＳｉＨ，）。
として、電気炉によって加熱する代わりに１３．５６Ｍ
Ｈｚのプラズマ反応を発生させ、プラズマ状態を作り、
各種シランの活性種及びＨの活性種を吹き出し管１４へ
導入して、ドラム状の電子写真用像形成部材を作成した
。
Ｈｚのプラズマ反応を発生させ、プラズマ状態を作り、
各種シランの活性種及びＨの活性種を吹き出し管１４へ
導入して、ドラム状の電子写真用像形成部材を作成した
。
実施例４
実施例１と同様に堆積膜を形成するが、分解空間（Ｃ）
に導入する原料ガスを（Ｓ ’Ｈｔ）＜ ｓ （８’Ｈ
Ｊａ ｗルとし、電気炉で３２０℃に加熱し、各種のシ
ランの活性種及び水素の活性種を生成させて、ドラム状
の電子写真用像形成部材を作成した。
に導入する原料ガスを（Ｓ ’Ｈｔ）＜ ｓ （８’Ｈ
Ｊａ ｗルとし、電気炉で３２０℃に加熱し、各種のシ
ランの活性種及び水素の活性種を生成させて、ドラム状
の電子写真用像形成部材を作成した。
実施例５
実施例Ｉと同様に堆積膜を形成するが、分解空間（１３
）に導入する原料ガスを５ｉ２Ｆ、とし、また分解空間
（Ｃ）に導入する原料ガスを（ＳｉＨ，）５としｓ ’
ｒｌｌ：気炉によって３００℃に加熱し、各種シランの
活性種及び水素の活性種を生成させ、ドラム状の電子写
真用像形成部材を作成した。
）に導入する原料ガスを５ｉ２Ｆ、とし、また分解空間
（Ｃ）に導入する原料ガスを（ＳｉＨ，）５としｓ ’
ｒｌｌ：気炉によって３００℃に加熱し、各種シランの
活性種及び水素の活性種を生成させ、ドラム状の電子写
真用像形成部材を作成した。
実施例６
実施例】と同様に堆積膜を形成するが、分解空間（Ｃ）
に心入する原料ガスをＳｉ、Ｉ丸／（Ｓｉｌ（、）。
に心入する原料ガスをＳｉ、Ｉ丸／（Ｓｉｌ（、）。
とし、＠ｉ電気炉３１０℃に加熱し、各種シランの活性
種及び水素の活性種を生成させて、ドラム状の電子写真
用像形成部材を作成した。
種及び水素の活性種を生成させて、ドラム状の電子写真
用像形成部材を作成した。
上記した実施例１，２，３，４．５．６のドラム状の電
子写真用像形成部材の製造条件と性能を第１表に示す。
子写真用像形成部材の製造条件と性能を第１表に示す。
実施例１，３，４，５．．６の中間層１０２は分解空間
（Ｂ）にＳ Ｉ Ｉ”４、分解空間（Ｃ）に（ＳｉＨ２
）ａ／Ｈ２／ＮＯ／）１３２Ｈ，（容量％でＮｏ ２％
、Ｂ、Ｈ６０，２％）を各々導入し各々の励起エネルギ
ーで活性種を生成し、堆積空間（Ａ）へ導入して形成し
、中間層１０２の層厚は２’０００人とする。
（Ｂ）にＳ Ｉ Ｉ”４、分解空間（Ｃ）に（ＳｉＨ２
）ａ／Ｈ２／ＮＯ／）１３２Ｈ，（容量％でＮｏ ２％
、Ｂ、Ｈ６０，２％）を各々導入し各々の励起エネルギ
ーで活性種を生成し、堆積空間（Ａ）へ導入して形成し
、中間層１０２の層厚は２’０００人とする。
実施例２の場合も実施例１．３と同様な組成の（Ｓ ＋
Ｈ，）、 ／Ｈｔ ／Ｎ Ｏ／ Ｂ２Ｈ６のガスを用い
てプラズマＣＶＤ法で中間層１０２を形成し、その層厚
を２０００人とする。
Ｈ，）、 ／Ｈｔ ／Ｎ Ｏ／ Ｂ２Ｈ６のガスを用い
てプラズマＣＶＤ法で中間層１０２を形成し、その層厚
を２０００人とする。
実施例１，３，４，５．６の表面層１０４は、分解空間
（Ｂ）にＳｉＦ、を導入し、また分解空間（Ｃ）には（
ＳｉＨ，）Ｓ／Ｃ１（４／Ｈ，を容量比１０：１００：
５０で導入し、各々の励起熱エネルギーで活性種を生成
し、堆積空間（Ａ）へ導入して形成し、表面層１０４の
層厚は１０００スとする。
（Ｂ）にＳｉＦ、を導入し、また分解空間（Ｃ）には（
ＳｉＨ，）Ｓ／Ｃ１（４／Ｈ，を容量比１０：１００：
５０で導入し、各々の励起熱エネルギーで活性種を生成
し、堆積空間（Ａ）へ導入して形成し、表面層１０４の
層厚は１０００スとする。
実施例２の場合も（ＳｉＨ２）ＩＩ ／ＣＨ，／Ｈｚを
同組成で導入し、プラズマＣＶＤ法で表面層１０４を形
成し、その層厚をｌ ＯＯ０人とする。
同組成で導入し、プラズマＣＶＤ法で表面層１０４を形
成し、その層厚をｌ ＯＯ０人とする。
実施例１，２，３，４，５．６のドラム状の電子写真用
像形成部材を、■帯電、露光、転写。
像形成部材を、■帯電、露光、転写。
によるカールソンプロセスに於いて、θトナーによる熱
定着方式の複写装置に装着し、全面暗部、全面明部ある
いは全面ハーフトーン部のＡ３サイズの複写を行ない、
画像中に不均一なノイズが発生するか否かについて観察
したものが平均画像欠陥の数である。又、その際にドラ
ムの周方向、母線方向の受容電位の均一性を測定した。
定着方式の複写装置に装着し、全面暗部、全面明部ある
いは全面ハーフトーン部のＡ３サイズの複写を行ない、
画像中に不均一なノイズが発生するか否かについて観察
したものが平均画像欠陥の数である。又、その際にドラ
ムの周方向、母線方向の受容電位の均一性を測定した。
これらの結果は、第１表に示す。
実施例７
第３図において、Ｊ７は回転機構を備えた移動式１４台
、１８は冷却空間、１９は加熱空間、２０は堆積空間を
示している。
、１８は冷却空間、１９は加熱空間、２０は堆積空間を
示している。
本実施例は、第３図に示すように、加熱室１９、堆積空
間２０、冷却室１８から成り、各々の空間に、Ｍシリン
ダー１５を回転機構を備えた移動式置台１７上に置き、
連続的に１つの堆積空間で多数本のドラム状の電子写真
用像形成部材が作成される装置である。本装置を使用し
て、実施例１と同様な作成方法を試みたところ、堆積空
間の温度、Ａｅシリンダーの温度、分解空間（Ｂ）から
の導入管７を経て吹き出し管１３からと、分解空間（Ｃ
）からの導入管１０を経て吹゛き出し管１４かｅの各々
の活性種の吹き出し肴を制御することにより、均一で再
現性のある堆積膜をもつドラム状の電子写真用像形成部
材を低コストで量産することができることが確認された
。
間２０、冷却室１８から成り、各々の空間に、Ｍシリン
ダー１５を回転機構を備えた移動式置台１７上に置き、
連続的に１つの堆積空間で多数本のドラム状の電子写真
用像形成部材が作成される装置である。本装置を使用し
て、実施例１と同様な作成方法を試みたところ、堆積空
間の温度、Ａｅシリンダーの温度、分解空間（Ｂ）から
の導入管７を経て吹き出し管１３からと、分解空間（Ｃ
）からの導入管１０を経て吹゛き出し管１４かｅの各々
の活性種の吹き出し肴を制御することにより、均一で再
現性のある堆積膜をもつドラム状の電子写真用像形成部
材を低コストで量産することができることが確認された
。
プラズマＣＶＤ法では、このように１つの堆積空間内で
、多本数のドラム状の電子写真用像形成部材を作成しよ
うとすると、放電の均一性や製造条件の複雑なパラメー
ターの相互の相乗効果もあって、再現性よく均一な堆積
膜をもつドラム状の電子写真用像形成部材を作成するこ
とが、不可能であった。
、多本数のドラム状の電子写真用像形成部材を作成しよ
うとすると、放電の均一性や製造条件の複雑なパラメー
ターの相互の相乗効果もあって、再現性よく均一な堆積
膜をもつドラム状の電子写真用像形成部材を作成するこ
とが、不可能であった。
第１図は、本発明の方法を用いて作成される光導′声部
材の１実施態様例を説明するために、層構造を示した模
式図である。第２図は、本発明の製造法を具現化するた
めの装置の１例を示す模式的説明図である。第３図は本
発明の製造法が工業的に欧産化可能なことを示す具体的
な装置事例を示したものである。Ａ −−＋ 月 、
− １・・・堆積空間（Ａ）、２・・・分解空間（Ｂ）、３
・・・分解空間（Ｃ）、４・・・電気炉、５・・固体Ｓ
ｉ粒、６・・・ＳＩ Ｆ”４の導入管、７・・・前駆体
導入管、８・・・電気炉、９・・・活性種の原料物質導
入管、１０・・・活性、ＪＪｉｉ導入管、１１・・・モ
ーター、１２・・・加熱ヒーター％ １３・・・吹き出
し管、１４・・・吹き出し管、１５・・・成シリンダー
、１６・・・排気バルブ、１７川回転機構を（ｌｉｆｆ
えた移、動式置台、１８・・・冷却空間、１９・・・加
熱空間、２０・・・堆積空間、１００・・・光導電部栃
、１０１・・・支持体、１０２・・・中間層、１０３・
・・光導電層、１０４・・・表面層。
材の１実施態様例を説明するために、層構造を示した模
式図である。第２図は、本発明の製造法を具現化するた
めの装置の１例を示す模式的説明図である。第３図は本
発明の製造法が工業的に欧産化可能なことを示す具体的
な装置事例を示したものである。Ａ −−＋ 月 、
− １・・・堆積空間（Ａ）、２・・・分解空間（Ｂ）、３
・・・分解空間（Ｃ）、４・・・電気炉、５・・固体Ｓ
ｉ粒、６・・・ＳＩ Ｆ”４の導入管、７・・・前駆体
導入管、８・・・電気炉、９・・・活性種の原料物質導
入管、１０・・・活性、ＪＪｉｉ導入管、１１・・・モ
ーター、１２・・・加熱ヒーター％ １３・・・吹き出
し管、１４・・・吹き出し管、１５・・・成シリンダー
、１６・・・排気バルブ、１７川回転機構を（ｌｉｆｆ
えた移、動式置台、１８・・・冷却空間、１９・・・加
熱空間、２０・・・堆積空間、１００・・・光導電部栃
、１０１・・・支持体、１０２・・・中間層、１０３・
・・光導電層、１０４・・・表面層。
Claims (1)
- 所望の基板上に所望の堆積膜を形成させる堆積空間内に
”’ｎｘ２ｎ＋２ （ｎ ＝＝ １．２．・・・・・・
）で表わされるハロゲン化ケイ素を分解することによっ
て得られる活性種（ａ）と、硅素の環状構造を有するシ
ラン化合物から得られる活性種（ｂ）と水素の活性種と
の混合物とを、夫々、別々に導入することによって、堆
積膜を形成することを特徴とする堆積膜形成法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58151027A JPS6042766A (ja) | 1983-08-18 | 1983-08-18 | 堆積膜形成法 |
| DE19843429899 DE3429899A1 (de) | 1983-08-16 | 1984-08-14 | Verfahren zur bildung eines abscheidungsfilms |
| GB08420725A GB2148328B (en) | 1983-08-16 | 1984-08-15 | Chemical vapour deposition process |
| FR848412872A FR2555614B1 (fr) | 1983-08-16 | 1984-08-16 | Procede pour former un film sur un substrat par decomposition en phase vapeur |
| US07/161,386 US4835005A (en) | 1983-08-16 | 1988-02-22 | Process for forming deposition film |
| US08/469,676 US5910342A (en) | 1983-08-16 | 1995-06-06 | Process for forming deposition film |
| US08/477,269 US5645947A (en) | 1983-08-16 | 1995-06-07 | Silicon-containing deposited film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58151027A JPS6042766A (ja) | 1983-08-18 | 1983-08-18 | 堆積膜形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6042766A true JPS6042766A (ja) | 1985-03-07 |
| JPS6253587B2 JPS6253587B2 (ja) | 1987-11-11 |
Family
ID=15509697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58151027A Granted JPS6042766A (ja) | 1983-08-16 | 1983-08-18 | 堆積膜形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6042766A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6199676A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 窒化珪素作製方法 |
| JPS61179868A (ja) * | 1985-02-05 | 1986-08-12 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS61179869A (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-12 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS61288074A (ja) * | 1985-06-17 | 1986-12-18 | Canon Inc | Ｃｖｄ法による堆積膜形成方法 |
-
1983
- 1983-08-18 JP JP58151027A patent/JPS6042766A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6199676A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 窒化珪素作製方法 |
| JPS61179869A (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-12 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS61179868A (ja) * | 1985-02-05 | 1986-08-12 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS61288074A (ja) * | 1985-06-17 | 1986-12-18 | Canon Inc | Ｃｖｄ法による堆積膜形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6253587B2 (ja) | 1987-11-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4835005A (en) | Process for forming deposition film | |
| US4702934A (en) | Electrophotographic photosensitive member, process and apparatus for the preparation thereof | |
| US4657777A (en) | Formation of deposited film | |
| AU594107B2 (en) | Method for preparation of multi-layer structure film | |
| JPS6041047A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPH0647727B2 (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JP2787148B2 (ja) | マイクロ波プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置 | |
| JPS6042765A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS6253587B2 (ja) | ||
| JPH0517312B2 (ja) | ||
| JPS63100183A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS61247020A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS60131971A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS63125679A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JP2537191B2 (ja) | 堆積膜形成法 | |
| US5100749A (en) | Photosensitive member for electrophotography | |
| JPS6331552B2 (ja) | ||
| JPS61291975A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS63223178A (ja) | アモルフアスシリコン系膜の製造方法 | |
| JPS61247018A (ja) | 堆積膜形成法及び堆積膜形成装置 | |
| JPS61247019A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS61223747A (ja) | 電子写真感光体の製造方法及びその製造装置 | |
| JPS62154673A (ja) | 光受容部材 | |
| JPS6056427B2 (ja) | 光導電部材の製造法 | |
| JPS61179869A (ja) | 堆積膜形成法 |