JPS61228447A - フオトリソグラフイ用反射型マスク - Google Patents
フオトリソグラフイ用反射型マスクInfo
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- JPS61228447A JPS61228447A JP60068536A JP6853685A JPS61228447A JP S61228447 A JPS61228447 A JP S61228447A JP 60068536 A JP60068536 A JP 60068536A JP 6853685 A JP6853685 A JP 6853685A JP S61228447 A JPS61228447 A JP S61228447A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分舒〕
本発明は、例えば半導体製造における半導体ウェハ焼付
は装置などで使用され、所定パターンの投影を行う投影
光学装置に用いられるマスクあるいはレチクルに関する
ものである。
は装置などで使用され、所定パターンの投影を行う投影
光学装置に用いられるマスクあるいはレチクルに関する
ものである。
従来のりソグラフイ用マスクあるいはレチクル（以下単
に「マスク」と総称する）は、透過光を利用しとそのパ
ターンが投影されるようにしたものである。例えばガラ
スなどの光透過性の基板に対し、クロムなどのしや光物
質によって必要なパターンを形成することによりマスク
が形成される。
に「マスク」と総称する）は、透過光を利用しとそのパ
ターンが投影されるようにしたものである。例えばガラ
スなどの光透過性の基板に対し、クロムなどのしや光物
質によって必要なパターンを形成することによりマスク
が形成される。
このマスクの一方の面側から適宜の光源により光を照射
すると、パターン部分を除いて光が他方の面側に透過す
る。この透過光は、所定の投影光学系に入射し、更には
所定のウェハ上にパターンの投影が行なわれることとな
る。
すると、パターン部分を除いて光が他方の面側に透過す
る。この透過光は、所定の投影光学系に入射し、更には
所定のウェハ上にパターンの投影が行なわれることとな
る。
ところで、以上のようなリングラフィ用マスクにおいて
、 マスク基板上の光が透過すべき部分に塵埃、指紋あるい
は傷などが存在すると、これらによって透過すべき光が
さえぎられるようになる。このため、該塵埃等のパター
ンも投影されることとなり、本来の投影されるべきパタ
ーンに悪影響を与えることとなる。従って、半導体ウェ
ハ１辷形成されるエレメントあるいは回路の不良などを
招き、生産効率が低下することとなる。
、 マスク基板上の光が透過すべき部分に塵埃、指紋あるい
は傷などが存在すると、これらによって透過すべき光が
さえぎられるようになる。このため、該塵埃等のパター
ンも投影されることとなり、本来の投影されるべきパタ
ーンに悪影響を与えることとなる。従って、半導体ウェ
ハ１辷形成されるエレメントあるいは回路の不良などを
招き、生産効率が低下することとなる。
このような不都合を改善するものとして、例えばマスク
からの透過光ではなく反射光を利用することによって塵
埃等による悪影響を防止するようにした露光方式が考え
られる。ところが異物、塵埃等の程度によっては反射光
にフントラストが生じ投影パターンに影響を与えるおそ
れがある。
からの透過光ではなく反射光を利用することによって塵
埃等による悪影響を防止するようにした露光方式が考え
られる。ところが異物、塵埃等の程度によっては反射光
にフントラストが生じ投影パターンに影響を与えるおそ
れがある。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、上記
背景技術の欠点を改善し、塵埃等による投影パターンに
対する不良発生を低減することができる投影光学装置に
使用されるリングラフィ用マスクを提供することをその
目的とするものである。
背景技術の欠点を改善し、塵埃等による投影パターンに
対する不良発生を低減することができる投影光学装置に
使用されるリングラフィ用マスクを提供することをその
目的とするものである。
本発明は、原画パターンを互いに反射率の異なる２つの
領域によって構成するとともに、いずれの領域も実質的
にじゃ光性を有する部材によって形成するようにし、こ
れらによる反射光を利用して原画パターンの投影を行う
ことを技術的要点とするものである。
領域によって構成するとともに、いずれの領域も実質的
にじゃ光性を有する部材によって形成するようにし、こ
れらによる反射光を利用して原画パターンの投影を行う
ことを技術的要点とするものである。
以下、本発明にかかるリソグラフィ用マスクを添附図面
に示す実施例に基づいて詳細に説明する。
に示す実施例に基づいて詳細に説明する。
第１図には、本発明にかかるリソグラフィ用マスクに好
適な投影光学装置の一例が示されている。
適な投影光学装置の一例が示されている。
この図において、露光光源１０の背後には楕円鏡１２が
設けられており、露光光源１０の光が集光されるように
なっている。集光された光は、゛干渉フィルタ１４によ
り単色化され、更には、フライアイインテグレータ１６
に入射して均一な照度分布に変換されるようになってい
る。
設けられており、露光光源１０の光が集光されるように
なっている。集光された光は、゛干渉フィルタ１４によ
り単色化され、更には、フライアイインテグレータ１６
に入射して均一な照度分布に変換されるようになってい
る。
フライアイインテグレータ１６の次には、コンデンサレ
ンズ１８が配置されており、均一な照度分布に変換され
た光がほぼ平行光線化されるようになっている。この平
行光線化された光が光路分割を行うハーフプリズム２０
に照明光として入射するように構成されている。なお、
以下の説明にいて、楕円鏡１２．干渉フィルタ１４．フ
ライアイインテグレータ１６及びコンデンサレンズ１８
を照明光学系１００と総称することとする。
ンズ１８が配置されており、均一な照度分布に変換され
た光がほぼ平行光線化されるようになっている。この平
行光線化された光が光路分割を行うハーフプリズム２０
に照明光として入射するように構成されている。なお、
以下の説明にいて、楕円鏡１２．干渉フィルタ１４．フ
ライアイインテグレータ１６及びコンデンサレンズ１８
を照明光学系１００と総称することとする。
ハーフプリズム２０の上方には、マスク２２が配置され
ている。マスク２２は、ガラス基板のパターン面側の端
部が真空チャック２４によって固定支持されている。す
なわち、真空チャック２４に設けられている真空配管２
６により図示しない配気系により配気を行うことにより
真空チャック２４にマスク２２が吸着保持されている。
ている。マスク２２は、ガラス基板のパターン面側の端
部が真空チャック２４によって固定支持されている。す
なわち、真空チャック２４に設けられている真空配管２
６により図示しない配気系により配気を行うことにより
真空チャック２４にマスク２２が吸着保持されている。
なお、本実施例では、マスク２２の下方すなわちガラス
基板のガラス面側から照明光が入射し、パターン面での
反射光を投影に利用するので、これらの照明光の入射あ
るいは反射光を妨げることがないようにするため、マス
ク２２の上面側で支持が行なわれている。
基板のガラス面側から照明光が入射し、パターン面での
反射光を投影に利用するので、これらの照明光の入射あ
るいは反射光を妨げることがないようにするため、マス
ク２２の上面側で支持が行なわれている。
他方、ハーフプリズム２０の下方すなわち、マスク２２
と反対側の位置には、投影光学系（縮小投影レンズ）２
８が配置されており、その下方には、被転写体であるウ
ェハ６０が配置されている。
と反対側の位置には、投影光学系（縮小投影レンズ）２
８が配置されており、その下方には、被転写体であるウ
ェハ６０が配置されている。
尚投影光学系２８としては、縮小投影レンズ以外に、等
倍投影レンズ、等倍ミラープロジェクションなど使用さ
れる。
倍投影レンズ、等倍ミラープロジェクションなど使用さ
れる。
次に、マスク２２について説明する。第２図には、マス
ク２２が示されている。この図において、ガラス基板６
２上には、光に対する反射率の異なるパターン形成体と
しての反射層３４．３６によくって適宜のパターンが形
成されている。反射率の高い高反射層３４は、例えばア
ルミニウム（Ａｔ）の蒸着膜によって形成され、反射率
の低い低反射層３６は、例えばクロム（Ｃｒ）、金（Ａ
ｕ）等の蒸着膜によって形成される。反射層３４．５６
は、その反射率の差が大きいものほど好ましく、また各
層はともに光学的に不透明の材料が使用される０別言す
れば、反射層３４．３６は、光に対する吸収率が異なる
材料で形成される。尚、従来のマスクに対応させるなら
、高反射層３４は透明部、低反射層３６は不透明部に相
当する。
ク２２が示されている。この図において、ガラス基板６
２上には、光に対する反射率の異なるパターン形成体と
しての反射層３４．３６によくって適宜のパターンが形
成されている。反射率の高い高反射層３４は、例えばア
ルミニウム（Ａｔ）の蒸着膜によって形成され、反射率
の低い低反射層３６は、例えばクロム（Ｃｒ）、金（Ａ
ｕ）等の蒸着膜によって形成される。反射層３４．５６
は、その反射率の差が大きいものほど好ましく、また各
層はともに光学的に不透明の材料が使用される０別言す
れば、反射層３４．３６は、光に対する吸収率が異なる
材料で形成される。尚、従来のマスクに対応させるなら
、高反射層３４は透明部、低反射層３６は不透明部に相
当する。
次に、上記実施例の全体的作用について説明する。まず
、露光光源１０から発せられた光は、照明光学、１％１
００により単色の均一な照度分布を有する平行光線に変
換され、右方からハーフプリズム２０に入射する。この
照明光は、ハー７プリズム２０によって上方に光路が変
更され、ガラス面側からマスク２２に入射する。
、露光光源１０から発せられた光は、照明光学、１％１
００により単色の均一な照度分布を有する平行光線に変
換され、右方からハーフプリズム２０に入射する。この
照明光は、ハー７プリズム２０によって上方に光路が変
更され、ガラス面側からマスク２２に入射する。
第３図には、マスク２２の部分が拡大して示されており
、マスク２２の高反射層３４には傷３８があり、低反射
層３６上には異物４０があるものとする。矢印ＦＡの卯
くハーフプリズム２０を介して入射する照明光は、はと
んどがガラス基板６２を通過する。このガラス基板６２
のガラス面側で反射される光は極めて少ない。
、マスク２２の高反射層３４には傷３８があり、低反射
層３６上には異物４０があるものとする。矢印ＦＡの卯
くハーフプリズム２０を介して入射する照明光は、はと
んどがガラス基板６２を通過する。このガラス基板６２
のガラス面側で反射される光は極めて少ない。
照明光は、ガラス基板３２を透過するが、反射層３４．
３６に達すると各層の反射率に対応して矢印ＦＢ、ＦＣ
で示す反対の方向に鏡面反射されることとなる。従って
、傷３８あるいは異物４０があっても、これらの影響を
受けることなく、反射層３４．３６によって照明光の反
射が行なわれる。この反射光は、ハーフプリズム２０を
通過し、更には投影光学系２８を通過してウェハ６０に
結像する。
３６に達すると各層の反射率に対応して矢印ＦＢ、ＦＣ
で示す反対の方向に鏡面反射されることとなる。従って
、傷３８あるいは異物４０があっても、これらの影響を
受けることなく、反射層３４．３６によって照明光の反
射が行なわれる。この反射光は、ハーフプリズム２０を
通過し、更には投影光学系２８を通過してウェハ６０に
結像する。
前述したように、反射層３４．５６は必要なパターン形
状に形成されているため、反射光の強弱がパターンに対
応することとなる。従って、反射光がウェハ６０上に結
像することにより所定のパターンの投影が行なわれるこ
ととなる。この場合、投影光学系２８に関して、ウェハ
３０の表面と、ガラス基板３２と反射Ｊ’ｌ！３４．３
６の境界面とが光学的に共役になっている。
状に形成されているため、反射光の強弱がパターンに対
応することとなる。従って、反射光がウェハ６０上に結
像することにより所定のパターンの投影が行なわれるこ
ととなる。この場合、投影光学系２８に関して、ウェハ
３０の表面と、ガラス基板３２と反射Ｊ’ｌ！３４．３
６の境界面とが光学的に共役になっている。
また、異物４０がガラス基板６２のガラス面側にあると
きは、照明光が散乱されて鏡面反射の成分は少ないこと
に加えて、ガラス基板３２の厚みによる焦点位置のずれ
も作用することとなる。このため、異物４０の像はデフ
ォーカスされ、パターンとして投影されるおそれは少な
い。
きは、照明光が散乱されて鏡面反射の成分は少ないこと
に加えて、ガラス基板３２の厚みによる焦点位置のずれ
も作用することとなる。このため、異物４０の像はデフ
ォーカスされ、パターンとして投影されるおそれは少な
い。
また、上述した場合と反対に、マスク２２の上１下をひ
つくり返して、マスク２２のパターン面側から照明光を
入射させるようにした場合であっても、反射層３４．３
６の表面を鏡面として反射率の差を高めるようにすれば
、異物４０の部分に入射する照明光は散乱されることと
なり、同様の効果を得ることができる。しかしながら、
この方法では、特に高反射層６４の表面上に異物が付着
した場合には、当該異物の部分の照明光が散乱されるこ
ととなり、パターン投影時のコントラストに影響を与え
て好ましくない。このような点から、照明光は第１図に
示すようにマスク２２のうちガラス面側から入射させる
ようにした方がよい。
つくり返して、マスク２２のパターン面側から照明光を
入射させるようにした場合であっても、反射層３４．３
６の表面を鏡面として反射率の差を高めるようにすれば
、異物４０の部分に入射する照明光は散乱されることと
なり、同様の効果を得ることができる。しかしながら、
この方法では、特に高反射層６４の表面上に異物が付着
した場合には、当該異物の部分の照明光が散乱されるこ
ととなり、パターン投影時のコントラストに影響を与え
て好ましくない。このような点から、照明光は第１図に
示すようにマスク２２のうちガラス面側から入射させる
ようにした方がよい。
以上のように、本実施例では、マスク２２からの反射光
を利用するので、照明用の光源は、光量の大きなものが
好ましい。この光源としては、例えば超高圧水銀放電灯
、あるいはパルス発光タイプのエキシマレーザが好適で
ある。
を利用するので、照明用の光源は、光量の大きなものが
好ましい。この光源としては、例えば超高圧水銀放電灯
、あるいはパルス発光タイプのエキシマレーザが好適で
ある。
次に、本発明の他の実施例について説明する。
第４図には、本発明の第２実施例によるマスクの断面が
委されている。この図に示すマ、スク５０は、ガラス基
板５２上にまず必要なパターン形状で高反射層５４が形
成され、次にガラス基板５２の全体に高反射層５４を覆
うように低反射層５６が形成された構造となっている。
委されている。この図に示すマ、スク５０は、ガラス基
板５２上にまず必要なパターン形状で高反射層５４が形
成され、次にガラス基板５２の全体に高反射層５４を覆
うように低反射層５６が形成された構造となっている。
なお、高反射層で低反射層５６を覆うように形成しても
よい。
よい。
この第２実施例でも、ガラス基板５２側からみた照明光
に対する反射率は上述した実施例と同様であり、同様の
効果を得ることができる。むしろ、反射層５４．５６の
形成プロセスからすれば一層実用的である。
に対する反射率は上述した実施例と同様であり、同様の
効果を得ることができる。むしろ、反射層５４．５６の
形成プロセスからすれば一層実用的である。
次に、第５図を参照しながら、本発明の第３実施例につ
いて説明する。この実施例のマスク６０は、第１実施例
と比較してガラス基板６２と、反射８６４．６６との間
に１層もしくは接散の層から成る薄膜６８．７０が形成
されている点で異なる０ これらの薄膜６８．７０は高反射層６４に対しては反射
増幅作用を営み、低反射層６６に対しての光である。こ
のため、薄膜６８．７０のガラス基板６２との境界面に
おける第１の反射光と、反射層６４．６６による第２の
反射光とが干渉の原理で全体として反射光が増大したり
、あるいは低下したりする。例えば、第１及び第２の反
射光の位相差が１／２波長の奇数倍であると干渉によっ
て両者が打ち消し合うようになり、反射防止の効果が得
られる。また、位相が１／２波長の偶数倍であると反射
光が強め合い反射増加の効果が得られる。従って、薄膜
６８．７０の膜厚を、照明光の波長や反射層６４．６６
の屈折率を考慮して適宜に設定してやれば、反射増幅、
反射防止の効果を得ることができ、投影パターンのコン
トラストの増加を図ることができる。なお、薄膜は、上
述した第１実施例あるいは第２実施例に対して適用する
ようにしてもよい。
いて説明する。この実施例のマスク６０は、第１実施例
と比較してガラス基板６２と、反射８６４．６６との間
に１層もしくは接散の層から成る薄膜６８．７０が形成
されている点で異なる０ これらの薄膜６８．７０は高反射層６４に対しては反射
増幅作用を営み、低反射層６６に対しての光である。こ
のため、薄膜６８．７０のガラス基板６２との境界面に
おける第１の反射光と、反射層６４．６６による第２の
反射光とが干渉の原理で全体として反射光が増大したり
、あるいは低下したりする。例えば、第１及び第２の反
射光の位相差が１／２波長の奇数倍であると干渉によっ
て両者が打ち消し合うようになり、反射防止の効果が得
られる。また、位相が１／２波長の偶数倍であると反射
光が強め合い反射増加の効果が得られる。従って、薄膜
６８．７０の膜厚を、照明光の波長や反射層６４．６６
の屈折率を考慮して適宜に設定してやれば、反射増幅、
反射防止の効果を得ることができ、投影パターンのコン
トラストの増加を図ることができる。なお、薄膜は、上
述した第１実施例あるいは第２実施例に対して適用する
ようにしてもよい。
次に、本発明の第４実施例を、第６図を参照しながら説
明する。この実施例のマスク７２は、第５図に示す実施
例のマスク６０上に保護層７４を設けたものである。保
護層７４は、例えば金属、ガラス、樹脂等が使用される
。反射層６４．６６はいずれも不透明であるため、保護
層７４を設けることによって格別の不都合は生じない。
明する。この実施例のマスク７２は、第５図に示す実施
例のマスク６０上に保護層７４を設けたものである。保
護層７４は、例えば金属、ガラス、樹脂等が使用される
。反射層６４．６６はいずれも不透明であるため、保護
層７４を設けることによって格別の不都合は生じない。
むしろ反射層６４．６６に傷などが発生することによる
パターンの変化が防止される。
パターンの変化が防止される。
次に、第７図を参照しながら、本発明の第５実施例につ
いて説明する。この実施例によるマスクでは、まず、ガ
ラス基板８２の主表面全体に反射増加層として作用する
薄膜８４が形成され、更にこの上に高反射層８６が全体
に形成される。次に、リソグラフィ技術によって所定の
パターン部分を残して高反射層８６及び薄膜８４のエツ
チングが行なわれる。次に、反射防止層として作用する
薄膜８８が全体に形成され、更にこの上の全体に低反射
層９０が形成される。もちろん、高反射層８６が低反射
層９０を覆うよ゛うに形成されても、全く同様の効果が
得られる。
いて説明する。この実施例によるマスクでは、まず、ガ
ラス基板８２の主表面全体に反射増加層として作用する
薄膜８４が形成され、更にこの上に高反射層８６が全体
に形成される。次に、リソグラフィ技術によって所定の
パターン部分を残して高反射層８６及び薄膜８４のエツ
チングが行なわれる。次に、反射防止層として作用する
薄膜８８が全体に形成され、更にこの上の全体に低反射
層９０が形成される。もちろん、高反射層８６が低反射
層９０を覆うよ゛うに形成されても、全く同様の効果が
得られる。
次に、第８図を参照しながら、本発明の第６実施例につ
いて説明する。この実施例のマスク９２は、第７図に示
すマスク８０とほぼ同様であるが、薄膜８４に対応する
薄膜９４がガラス基板８２の全面に形成されている点で
異なる。＃！ｆ膜９４は、高反射＃８６に対して反射増
加層として作用し、また、低反射層９０に対しては他の
薄膜８８と井筒６実施例のマスク８０．９２は、製作も
容易であり、一層現実的な構造となっている。尚、高反
射層８６が低反射層９０を覆うような構成としても全く
同様の効果が得られる。ただしその場合、薄膜８８と９
４とが２層になった部分では１反射増加作用をもたせる
ことになる。
いて説明する。この実施例のマスク９２は、第７図に示
すマスク８０とほぼ同様であるが、薄膜８４に対応する
薄膜９４がガラス基板８２の全面に形成されている点で
異なる。＃！ｆ膜９４は、高反射＃８６に対して反射増
加層として作用し、また、低反射層９０に対しては他の
薄膜８８と井筒６実施例のマスク８０．９２は、製作も
容易であり、一層現実的な構造となっている。尚、高反
射層８６が低反射層９０を覆うような構成としても全く
同様の効果が得られる。ただしその場合、薄膜８８と９
４とが２層になった部分では１反射増加作用をもたせる
ことになる。
なお、本発明は何ら上記実施例に限定されるものではな
く、基板、反射層、薄膜、あるいは保護膜の組み合せは
種々変更し得るものである。また、使用する材料も上述
したものに限定されるものではなく、マスク、レチクル
のいずれに対しても適用されるものである。特に、パタ
ーン形成体である各反射層の材料は、使用する照明光の
波長すなわち感光剤の感光波長の光に対してしや光性を
有すればよく、その他の波長の光に対しては半透明なも
のであってもよい。
く、基板、反射層、薄膜、あるいは保護膜の組み合せは
種々変更し得るものである。また、使用する材料も上述
したものに限定されるものではなく、マスク、レチクル
のいずれに対しても適用されるものである。特に、パタ
ーン形成体である各反射層の材料は、使用する照明光の
波長すなわち感光剤の感光波長の光に対してしや光性を
有すればよく、その他の波長の光に対しては半透明なも
のであってもよい。
以上説明したように、本発明によるリングラフィ用マス
クによれば、反射率の異なる２つの領域を有し、いずれ
の領域もしや光性の材料で原画パターンを形成し、反射
光によってパターンの投影を行うこととしたので、異物
、塵埃あるいは傷などの影響を受けることなく良好にパ
ターンの投影が行なわれることとなり、マスクの洗浄、
検査などの手間が簡略化されて半導体製造における省力
化、生産性向上を図ることができるという効果がある。
クによれば、反射率の異なる２つの領域を有し、いずれ
の領域もしや光性の材料で原画パターンを形成し、反射
光によってパターンの投影を行うこととしたので、異物
、塵埃あるいは傷などの影響を受けることなく良好にパ
ターンの投影が行なわれることとなり、マスクの洗浄、
検査などの手間が簡略化されて半導体製造における省力
化、生産性向上を図ることができるという効果がある。
第１図は本発明にかかるリソグラフィ用マスクの適用可
能な投影光学装置の一例を示す構成図、第２図の本発明
の一実施例を示す断面図、第６図は第１図の装置におけ
る作用を示す説明図、第４図ないし第８図は本発明の他
の実施例を示す断面図である。 主要部分の符号の説明 ２２．５０，６０，７２，８０．９２・・・マスク、３
２．５２．６２．７２．・・・ガラス基板、３４．５４
，６４，８６・・・高反射層、６６．５６．６６．９０
・・・低反射層。 代理人 弁理士 木 村 三 朗 第２図 〃 第Ｊ図
能な投影光学装置の一例を示す構成図、第２図の本発明
の一実施例を示す断面図、第６図は第１図の装置におけ
る作用を示す説明図、第４図ないし第８図は本発明の他
の実施例を示す断面図である。 主要部分の符号の説明 ２２．５０，６０，７２，８０．９２・・・マスク、３
２．５２．６２．７２．・・・ガラス基板、３４．５４
，６４，８６・・・高反射層、６６．５６．６６．９０
・・・低反射層。 代理人 弁理士 木 村 三 朗 第２図 〃 第Ｊ図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 所定基板上の原画パターンに光を照射し、この光の原画
パターンによる反射光によつてパターンの投影が行なわ
れるフォトリソグラフィ用マスクにおいて、 前記原画パターンを、互いに反射率の異なる２つの領域
から構成するとともに、いずれの領域も実質的にしや光
性を有する部材から成ることを特徴とするフォトリソグ
ラフィ用マスク。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6853685A JPH0679157B2 (ja) | 1985-04-02 | 1985-04-02 | フオトリソグラフイ用反射型マスク |
| US06/769,164 US4666292A (en) | 1984-08-24 | 1985-08-23 | Projection optical apparatus and a photographic mask therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6853685A JPH0679157B2 (ja) | 1985-04-02 | 1985-04-02 | フオトリソグラフイ用反射型マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61228447A true JPS61228447A (ja) | 1986-10-11 |
| JPH0679157B2 JPH0679157B2 (ja) | 1994-10-05 |
Family
ID=13376557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6853685A Expired - Fee Related JPH0679157B2 (ja) | 1984-08-24 | 1985-04-02 | フオトリソグラフイ用反射型マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0679157B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5827622A (en) * | 1995-11-02 | 1998-10-27 | International Business Machines Corporation | Reflective lithographic mask |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5396677A (en) * | 1977-02-03 | 1978-08-24 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Reflective mask for forming pattern |
| JPS60120359A (ja) * | 1983-12-05 | 1985-06-27 | Tokyo Optical Co Ltd | 光学マスク基板及びこれを使用する反射型光学マスクの製造方法 |
-
1985
- 1985-04-02 JP JP6853685A patent/JPH0679157B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5396677A (en) * | 1977-02-03 | 1978-08-24 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Reflective mask for forming pattern |
| JPS60120359A (ja) * | 1983-12-05 | 1985-06-27 | Tokyo Optical Co Ltd | 光学マスク基板及びこれを使用する反射型光学マスクの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5827622A (en) * | 1995-11-02 | 1998-10-27 | International Business Machines Corporation | Reflective lithographic mask |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0679157B2 (ja) | 1994-10-05 |
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