JPH0462062B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0462062B2 JPH0462062B2 JP58035360A JP3536083A JPH0462062B2 JP H0462062 B2 JPH0462062 B2 JP H0462062B2 JP 58035360 A JP58035360 A JP 58035360A JP 3536083 A JP3536083 A JP 3536083A JP H0462062 B2 JPH0462062 B2 JP H0462062B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- light source
- light
- wavelength
- optical element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Light Sources And Details Of Projection-Printing Devices (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は所定のパターンを転写する為の照明光
学系、特にICパターンをマスクからウエハーへ
転写する為のマスク照明光学系に関する。
学系、特にICパターンをマスクからウエハーへ
転写する為のマスク照明光学系に関する。
近年、半導体集積回路は高密度化、高速度化の
要求に従つて、その中に含まれる素子の寸法は微
細化の傾向にあり、ウエハー上に転写する線幅も
数ミクロンから１〜２ミクロン、更にサブミクロ
ンへ移行しつつある。
要求に従つて、その中に含まれる素子の寸法は微
細化の傾向にあり、ウエハー上に転写する線幅も
数ミクロンから１〜２ミクロン、更にサブミクロ
ンへ移行しつつある。
マスクパターンの焼付方法から言えば、マスク
とウエハーを密着させて重ね焼きを行なうコンタ
クト法および、マスクとウエハーを数ミクロンか
ら数十ミクロン離してマスクを照明するプロキシ
ミテイ法からマスク上のパターンを投影光学系を
用いてウエハー面へ転写するプロジエクシヨン
法、さらにステツプアンドリピート法への移行と
なるが、コクタクト法、又はプロキシミテイ法は
スループツトの高さ、焼付装置の完成度から現在
なお、量産用半導体素子の焼付方法として主流と
なつている。
とウエハーを密着させて重ね焼きを行なうコンタ
クト法および、マスクとウエハーを数ミクロンか
ら数十ミクロン離してマスクを照明するプロキシ
ミテイ法からマスク上のパターンを投影光学系を
用いてウエハー面へ転写するプロジエクシヨン
法、さらにステツプアンドリピート法への移行と
なるが、コクタクト法、又はプロキシミテイ法は
スループツトの高さ、焼付装置の完成度から現在
なお、量産用半導体素子の焼付方法として主流と
なつている。
コンタクト法の解像力は前記の焼付方法の中で
最も優れているものの、ウエハー及びマスクの反
り、レジスト層塗布の不均一性から密着性に問題
があり、また直接接触させる事によつて膜面の負
傷が起こり易く、生産の歩留まりを低下させる。
特にパターンが微細化するに従い、膜面の僅かな
損傷も致命的な欠陥となり得るので、微細パター
ンの転写にコンタクト法を用いるのは問題が多
い。一方、プロキシミテイ法はマスクとウエハー
が非接触である為に原理的にはマスク膜面の損傷
は生じ無いが、マスクとウエハーの間で生じる回
折が像に悪影響を与え解像力が不足する。
最も優れているものの、ウエハー及びマスクの反
り、レジスト層塗布の不均一性から密着性に問題
があり、また直接接触させる事によつて膜面の負
傷が起こり易く、生産の歩留まりを低下させる。
特にパターンが微細化するに従い、膜面の僅かな
損傷も致命的な欠陥となり得るので、微細パター
ンの転写にコンタクト法を用いるのは問題が多
い。一方、プロキシミテイ法はマスクとウエハー
が非接触である為に原理的にはマスク膜面の損傷
は生じ無いが、マスクとウエハーの間で生じる回
折が像に悪影響を与え解像力が不足する。
プロキシミテイ法によるパターン像の最小線幅
Ｗは によつて与えられる。（iEEE，ED−28、No.11、
1268〜1278）ここで、Ｓはマスクとレジスト面間
の距離、λは焼付波長である。(1)式からプロキシ
ミテイ法の解像力を上げるためには波長を短くす
るか、ギヤツプ量Ｓを小さくすれば良いことがわ
かるが、ウエハー及びマスクの反りの為にギヤツ
プ量は余り小さくはできず、焼付波長を短くする
のが望ましい。実際、プロキシミテイ法に用いら
れる波長も365nm〜436nmの所謂UV光から
250nm〜290nmのDeepUV光へと短かくなつてき
ている。しかし、光源として用いられる超高圧水
銀ランプあるいはキセノン・マキユリーランプで
は、UV領域のエネルギーに比べ、DeepUV領域
のエネルギーが小さく、フオトレジストの感度も
DeepUV領域では低い為に、DeepUV光を用いた
焼付では露光時間が長くかかりスループツトが低
い。
Ｗは によつて与えられる。（iEEE，ED−28、No.11、
1268〜1278）ここで、Ｓはマスクとレジスト面間
の距離、λは焼付波長である。(1)式からプロキシ
ミテイ法の解像力を上げるためには波長を短くす
るか、ギヤツプ量Ｓを小さくすれば良いことがわ
かるが、ウエハー及びマスクの反りの為にギヤツ
プ量は余り小さくはできず、焼付波長を短くする
のが望ましい。実際、プロキシミテイ法に用いら
れる波長も365nm〜436nmの所謂UV光から
250nm〜290nmのDeepUV光へと短かくなつてき
ている。しかし、光源として用いられる超高圧水
銀ランプあるいはキセノン・マキユリーランプで
は、UV領域のエネルギーに比べ、DeepUV領域
のエネルギーが小さく、フオトレジストの感度も
DeepUV領域では低い為に、DeepUV光を用いた
焼付では露光時間が長くかかりスループツトが低
い。
プロキシミテイ法で効率良くパターンの転写を
行なう為には、高解像力を必要としないあらいパ
ターンに対しては焼付波長としてUV光を用い、
高い解像力を必要とするパターンには、DeepUV
光を用いれば良く、従来はUV照明光学系と
DeepUV照明光学系の焼付波長の異なる２種類の
照明光学系を用いてこれを行つてきた。
行なう為には、高解像力を必要としないあらいパ
ターンに対しては焼付波長としてUV光を用い、
高い解像力を必要とするパターンには、DeepUV
光を用いれば良く、従来はUV照明光学系と
DeepUV照明光学系の焼付波長の異なる２種類の
照明光学系を用いてこれを行つてきた。
本発明の目的は同一の照明光学系を用いた照度
ムラを僅少に保ちつつUV領域からDeepUV領域
における広い波長域での焼付波長の選択が行なえ
る照明光学系を供給することにあり、この目的を
達成するために、本発明ではマスクを照明する光
の波長を変化せしめる波長選択手段とマスクを照
明する光の波長変化にかかわらず２次光源の中心
から射出する光のマスクに対する入射角を一定に
維持するように２次光源と集光レンズ間の光路長
を調整する調整手段とを有しており、例えば、２
次光源発生用の多光束発生用光学素子を光軸方向
に移動（光学的に同等の作用を持たせる場合を含
む）すること、及び波長選択用素子を入れ変える
ことによつて、簡単に波長を変えて焼付けること
が可能となつた。
ムラを僅少に保ちつつUV領域からDeepUV領域
における広い波長域での焼付波長の選択が行なえ
る照明光学系を供給することにあり、この目的を
達成するために、本発明ではマスクを照明する光
の波長を変化せしめる波長選択手段とマスクを照
明する光の波長変化にかかわらず２次光源の中心
から射出する光のマスクに対する入射角を一定に
維持するように２次光源と集光レンズ間の光路長
を調整する調整手段とを有しており、例えば、２
次光源発生用の多光束発生用光学素子を光軸方向
に移動（光学的に同等の作用を持たせる場合を含
む）すること、及び波長選択用素子を入れ変える
ことによつて、簡単に波長を変えて焼付けること
が可能となつた。
以下、第１図に従つて本発明の実施例を説明す
る。図中１は光源、２は光源から放射された光束
を効率良く集光する為の楕円ミラーで、その第１
焦点に光源１が位置するように配置され、光源か
ら放射された光束をその第２焦点に集光してい
る。３は多層干渉薄膜の様な波長選択用ミラー、
４は楕円ミラーの第１焦点から放射し、楕円ミラ
ー２、波長選択用ミラー３によつて反射されてき
た光束をコリメートする為の発散性コリメーター
レンズで、その後側焦点は楕円ミラーの第２焦点
に一致している。５はマスク面上に照射されるエ
ネルギーを制御する為のシヤツターである。６は
配光特性の均一な二次光源を形成する為の多光束
発生用光学素子で、集光性コリメーターレンズ８
とともにマスク面９を均一に照明するものであ
る。７は照明光学系全体をコンパクトにまとめる
為の平面ミラー、８はマスク面９を所望の集光角
でムラ無く照明する為の集光性コリメーターレン
ズで、該集光性コリメーターレンズの前側焦点位
置は多光束発生用光学素子６により形成された二
次光源に一致している。９は転写すべきパターン
が描かれたマスク面、１０はマスク面から数μ〜
数十μの距離を保ち、マスク面に平行に配置され
たウエハー面より成る。
る。図中１は光源、２は光源から放射された光束
を効率良く集光する為の楕円ミラーで、その第１
焦点に光源１が位置するように配置され、光源か
ら放射された光束をその第２焦点に集光してい
る。３は多層干渉薄膜の様な波長選択用ミラー、
４は楕円ミラーの第１焦点から放射し、楕円ミラ
ー２、波長選択用ミラー３によつて反射されてき
た光束をコリメートする為の発散性コリメーター
レンズで、その後側焦点は楕円ミラーの第２焦点
に一致している。５はマスク面上に照射されるエ
ネルギーを制御する為のシヤツターである。６は
配光特性の均一な二次光源を形成する為の多光束
発生用光学素子で、集光性コリメーターレンズ８
とともにマスク面９を均一に照明するものであ
る。７は照明光学系全体をコンパクトにまとめる
為の平面ミラー、８はマスク面９を所望の集光角
でムラ無く照明する為の集光性コリメーターレン
ズで、該集光性コリメーターレンズの前側焦点位
置は多光束発生用光学素子６により形成された二
次光源に一致している。９は転写すべきパターン
が描かれたマスク面、１０はマスク面から数μ〜
数十μの距離を保ち、マスク面に平行に配置され
たウエハー面より成る。
光源１から発散した光束は楕円ミラー２により
無駄無く集められ、波長選択用ミラー３で所望の
波長域のみが取り出される。次に、発散性コリメ
ーターレンズ４により平行光束となつて多光束発
生用光学素子６の前側端面を照明する。第１図で
は多光束発生用光学素子としてオプテイカルイン
テグレターを用いてあるので、該多光束発生用光
学素子６の後側端面に配光特性の均一な２次光源
が形成されることになり、該２次光源より発散し
た光束は集光性コリメーターレンズ８により平行
光束となつてマスク面９を均一に照明する。
無駄無く集められ、波長選択用ミラー３で所望の
波長域のみが取り出される。次に、発散性コリメ
ーターレンズ４により平行光束となつて多光束発
生用光学素子６の前側端面を照明する。第１図で
は多光束発生用光学素子としてオプテイカルイン
テグレターを用いてあるので、該多光束発生用光
学素子６の後側端面に配光特性の均一な２次光源
が形成されることになり、該２次光源より発散し
た光束は集光性コリメーターレンズ８により平行
光束となつてマスク面９を均一に照明する。
プロキシミテイ法ではマスク面とウエハー面が
非接触で配置されている為、第２図に示す様に２
次光源１１の中心から発散した光線とマスク面９
の法線のなす角（以後この角を主光線の傾き角と
呼ぶ）が大きい場合にはウエハー面上の像の歪み
となるので、主光線の傾き角を小さくおさえるこ
とは設計上極めて重要な項目となつているが、主
光線の傾き角は集光性コリメーターレンズ８の球
面収差、焦点距離及び２次光源１１と集光性コリ
メーターレンズ８の間隔によつて一意的に決ま
り、波長が決まれば集光性コリメーターレンズ８
の焦点距離は決定してしまうので、広い波長域に
おいて主光線の傾き角を小さく保つことはできな
い。本実施例では波長による集光性コリメーター
レンズの焦点距離の変化を補正する為に多光束発
生用光学素子６を光軸に沿つて移動し、該多光束
発生用光学素子６と該集光性コリメーターレンズ
の間隔を可変とすることで広い波長域で主光線の
傾き角を小さく保つことに成功している。第３図
から第５図にはこの作用が示してある。第３図で
は、例えばUV領域で主光線の傾き角を補正した
状態で、簡単の為にコリメーターレンズ８の球面
収差を零とすれば、２次光源とコリメーターレン
ズ８の間隔がコリメーターレンズの焦点距離に等
しい場合に主光線の傾き角は零となる。この状態
で波長選択用ミラー３を交換し、使用波長を
DeepUVにするとコリメーターレンズの焦点距離
はUVの場合よりも短くなり、主光線の傾き角は
大きくなつてマスク上のパターンは縮んでウエハ
ー上に転写される。これを補正する為に多光束発
生用光学素子６を光軸に沿つてコリメーターレン
ズ側に移動し、コリメーターレンズと２次光源の
間隔をコリメーターレンズの焦点距離に等しくし
てやれば主光線の傾き角を小さくすることができ
る。
非接触で配置されている為、第２図に示す様に２
次光源１１の中心から発散した光線とマスク面９
の法線のなす角（以後この角を主光線の傾き角と
呼ぶ）が大きい場合にはウエハー面上の像の歪み
となるので、主光線の傾き角を小さくおさえるこ
とは設計上極めて重要な項目となつているが、主
光線の傾き角は集光性コリメーターレンズ８の球
面収差、焦点距離及び２次光源１１と集光性コリ
メーターレンズ８の間隔によつて一意的に決ま
り、波長が決まれば集光性コリメーターレンズ８
の焦点距離は決定してしまうので、広い波長域に
おいて主光線の傾き角を小さく保つことはできな
い。本実施例では波長による集光性コリメーター
レンズの焦点距離の変化を補正する為に多光束発
生用光学素子６を光軸に沿つて移動し、該多光束
発生用光学素子６と該集光性コリメーターレンズ
の間隔を可変とすることで広い波長域で主光線の
傾き角を小さく保つことに成功している。第３図
から第５図にはこの作用が示してある。第３図で
は、例えばUV領域で主光線の傾き角を補正した
状態で、簡単の為にコリメーターレンズ８の球面
収差を零とすれば、２次光源とコリメーターレン
ズ８の間隔がコリメーターレンズの焦点距離に等
しい場合に主光線の傾き角は零となる。この状態
で波長選択用ミラー３を交換し、使用波長を
DeepUVにするとコリメーターレンズの焦点距離
はUVの場合よりも短くなり、主光線の傾き角は
大きくなつてマスク上のパターンは縮んでウエハ
ー上に転写される。これを補正する為に多光束発
生用光学素子６を光軸に沿つてコリメーターレン
ズ側に移動し、コリメーターレンズと２次光源の
間隔をコリメーターレンズの焦点距離に等しくし
てやれば主光線の傾き角を小さくすることができ
る。
又、照度ムラは２次光源の配光特性と、コンデ
ンサーレンズのコマ収差により決定するが、多光
束発生用光学素子により形成される２次光源の配
光特性は均一であるので、照度ムラの原因となり
得るのはコンデンサーレンズのコマ収差のみであ
る。２次光源とコンデンサーレンズの距離を一定
に保つた場合にはコンデンサーレンズのコマ収差
は波長により変わるので、照度ムラも変化する
が、２次光源の位置を波長によらず常にコンデン
サーレンズの焦点位置に配置することにより、２
次光源から射出した光束がコンデンサーレンズに
入射する角度を波長によらず一定とすることがで
きるのでコマ収差の変化は僅少となり、従つて照
度ムラの変化も僅少である。
ンサーレンズのコマ収差により決定するが、多光
束発生用光学素子により形成される２次光源の配
光特性は均一であるので、照度ムラの原因となり
得るのはコンデンサーレンズのコマ収差のみであ
る。２次光源とコンデンサーレンズの距離を一定
に保つた場合にはコンデンサーレンズのコマ収差
は波長により変わるので、照度ムラも変化する
が、２次光源の位置を波長によらず常にコンデン
サーレンズの焦点位置に配置することにより、２
次光源から射出した光束がコンデンサーレンズに
入射する角度を波長によらず一定とすることがで
きるのでコマ収差の変化は僅少となり、従つて照
度ムラの変化も僅少である。
即ち、多光束発生用光学素子を光軸に沿つて移
動し、コリメーターレンズと２次光源の間隔をコ
リメーターレンズの焦点距離になる如く配置して
やれば使用波長による照度ムラの変化を僅少に保
つことができる。第６図から第８図に焼付波長と
して250nm，290nm，400nmを用いた場合の照度
ムラの実測値を示す（１目盛２％）。前述の理由
による通り、多光束発生用光学素子を光軸方向に
動かすことにより照度ムラの変化が僅少に保たれ
ていることが理解できる。なお、実際に多光束発
生用光学素子を移動する替りに透光平板を着脱し
て光路長を変え、見掛上の移動を引起しても良
く、また波長選択用ミラーの交換をフイルターの
交換方式に変えても良い。他に光学素子６とコリ
メーターレンズ８の間に多光束発生用光学素子が
もう一段挿入される場合がある。
動し、コリメーターレンズと２次光源の間隔をコ
リメーターレンズの焦点距離になる如く配置して
やれば使用波長による照度ムラの変化を僅少に保
つことができる。第６図から第８図に焼付波長と
して250nm，290nm，400nmを用いた場合の照度
ムラの実測値を示す（１目盛２％）。前述の理由
による通り、多光束発生用光学素子を光軸方向に
動かすことにより照度ムラの変化が僅少に保たれ
ていることが理解できる。なお、実際に多光束発
生用光学素子を移動する替りに透光平板を着脱し
て光路長を変え、見掛上の移動を引起しても良
く、また波長選択用ミラーの交換をフイルターの
交換方式に変えても良い。他に光学素子６とコリ
メーターレンズ８の間に多光束発生用光学素子が
もう一段挿入される場合がある。
プロジエクシヨン方法による焼付用の照明光学
系としても照明ムラの除去、及び主光線の傾き角
は焼付性能を決定する重要な要因であるが、本発
明によれば同一の照明光学系を用いて、プロジエ
クシヨン方法においても異なる波長での焼付が、
波長選択用ミラーの交換及び多光束発生用光学素
子の光軸方向への移動のみで可能となつた。但
し、プロジエクシヨン方法における主光線の傾き
角は投影光学系の主光線の傾き角と一致させなけ
ればならない。
系としても照明ムラの除去、及び主光線の傾き角
は焼付性能を決定する重要な要因であるが、本発
明によれば同一の照明光学系を用いて、プロジエ
クシヨン方法においても異なる波長での焼付が、
波長選択用ミラーの交換及び多光束発生用光学素
子の光軸方向への移動のみで可能となつた。但
し、プロジエクシヨン方法における主光線の傾き
角は投影光学系の主光線の傾き角と一致させなけ
ればならない。
本発明はコンタクト方法による焼付に用いるこ
ともできる。即ち、コンタクト方法では主光線の
傾き角は重要な要因では無いが、焼付波長を変え
た場合の照度ムラの補正に本発明を用いることが
できるものである。
ともできる。即ち、コンタクト方法では主光線の
傾き角は重要な要因では無いが、焼付波長を変え
た場合の照度ムラの補正に本発明を用いることが
できるものである。
以上の如く本発明によれば、照明光学系の基本
構成を変えること無しに、波長選択用素子の交換
及び多光束発生用光学素子の光軸に沿つた移動と
いう簡単な操作により照度ムラを僅少に保つたま
までUV領域からDeepUV領域の広い波長幅の焼
付が可能となつた。
構成を変えること無しに、波長選択用素子の交換
及び多光束発生用光学素子の光軸に沿つた移動と
いう簡単な操作により照度ムラを僅少に保つたま
までUV領域からDeepUV領域の広い波長幅の焼
付が可能となつた。
第１図は本発明の一実施例で、多光束発生用光
学素子としてオプテイカルインテグレターを用い
た光学断面図。第２図は主光線の傾き角θの定義
を示す図、第３図、第５図は集光性コリメーター
レンズの前側焦点と２次光源の位置が合致したこ
とを示す図、第４図はコリメーターレンズの前側
焦点と２次光源の位置が一致しない場合を示す図
である。第６図から第８図は、２次光源が光軸に
沿つて変化した場合の照度ムラの実測値を示す線
図である。 図中、１は光源、２は楕円ミラー、３は波長選
択用ミラー、６は多光束発生用光学素子、８は集
光性コリメーターレンズ、９はマスク面、１０は
ウエハー面、１１は２次光源である。
学素子としてオプテイカルインテグレターを用い
た光学断面図。第２図は主光線の傾き角θの定義
を示す図、第３図、第５図は集光性コリメーター
レンズの前側焦点と２次光源の位置が合致したこ
とを示す図、第４図はコリメーターレンズの前側
焦点と２次光源の位置が一致しない場合を示す図
である。第６図から第８図は、２次光源が光軸に
沿つて変化した場合の照度ムラの実測値を示す線
図である。 図中、１は光源、２は楕円ミラー、３は波長選
択用ミラー、６は多光束発生用光学素子、８は集
光性コリメーターレンズ、９はマスク面、１０は
ウエハー面、１１は２次光源である。
Claims (1)
- １ マスクのパターンをウエハー上に焼き付ける
ためのマスク照明光学系であつて、光源と、該光
源からの光で２次光源を形成する多光束発生用光
学素子と、該多光束発生用光学素子とマスクの間
に設けられ前記２次光源からの光でマスクを照明
する集光レンズと、マスクを照明するウエハー焼
き付け用の光の波長を変化せしめる波長選択手段
と、マスクを照明するウエハー焼き付け用の光の
波長変化にかかわらず前記２次光源の中心から射
出する光のマスクに対する入射角を一定に維持す
るように前記２次光源と前記集光レンズ間の光路
長を調整する調整手段とを有することを特徴とす
る照明光学系。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58035360A JPS59160134A (ja) | 1983-03-04 | 1983-03-04 | 照明光学系 |
| US07/057,668 US4789222A (en) | 1983-03-04 | 1987-06-02 | Illuminating optical system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58035360A JPS59160134A (ja) | 1983-03-04 | 1983-03-04 | 照明光学系 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59160134A JPS59160134A (ja) | 1984-09-10 |
| JPH0462062B2 true JPH0462062B2 (ja) | 1992-10-05 |
Family
ID=12439712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58035360A Granted JPS59160134A (ja) | 1983-03-04 | 1983-03-04 | 照明光学系 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4789222A (ja) |
| JP (1) | JPS59160134A (ja) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4947030A (en) * | 1985-05-22 | 1990-08-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Illuminating optical device |
| US4937619A (en) * | 1986-08-08 | 1990-06-26 | Hitachi, Ltd. | Projection aligner and exposure method |
| JPS6353537A (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-07 | Kyodo Printing Co Ltd | 照明装置 |
| US4939630A (en) * | 1986-09-09 | 1990-07-03 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus |
| JPH0786647B2 (ja) * | 1986-12-24 | 1995-09-20 | 株式会社ニコン | 照明装置 |
| JPS63185023A (ja) * | 1987-01-28 | 1988-07-30 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPS6461716A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-08 | Canon Kk | Illuminator |
| US4907029A (en) * | 1988-08-11 | 1990-03-06 | Actinic Systems, Inc. | Uniform deep ultraviolet radiant source for sub micron resolution systems |
| US7656504B1 (en) | 1990-08-21 | 2010-02-02 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus with luminous flux distribution |
| US5638211A (en) | 1990-08-21 | 1997-06-10 | Nikon Corporation | Method and apparatus for increasing the resolution power of projection lithography exposure system |
| US6967710B2 (en) | 1990-11-15 | 2005-11-22 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
| US6897942B2 (en) * | 1990-11-15 | 2005-05-24 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
| US5719704A (en) | 1991-09-11 | 1998-02-17 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| US6710855B2 (en) * | 1990-11-15 | 2004-03-23 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
| US6252647B1 (en) | 1990-11-15 | 2001-06-26 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| US6885433B2 (en) * | 1990-11-15 | 2005-04-26 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
| US5673102A (en) * | 1991-02-22 | 1997-09-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Image farming and microdevice manufacturing method and exposure apparatus in which a light source includes four quadrants of predetermined intensity |
| JP3075381B2 (ja) * | 1992-02-17 | 2000-08-14 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び転写方法 |
| JPH05257290A (ja) * | 1992-03-13 | 1993-10-08 | Orc Mfg Co Ltd | 露光用光源装置 |
| JP3316936B2 (ja) * | 1992-10-22 | 2002-08-19 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、及び該露光装置を用いた転写方法 |
| NL9301973A (nl) * | 1992-11-20 | 1994-06-16 | Samsung Electronics Co Ltd | Belichtingssysteem voor een projectiebelichtingsapparaat. |
| KR100234357B1 (ko) * | 1992-11-21 | 1999-12-15 | 윤종용 | 투영노광장치 |
| JP3303436B2 (ja) * | 1993-05-14 | 2002-07-22 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及び半導体素子の製造方法 |
| DE69931690T2 (de) * | 1998-04-08 | 2007-06-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat |
| US6208411B1 (en) | 1998-09-28 | 2001-03-27 | Kla-Tencor Corporation | Massively parallel inspection and imaging system |
| US6867406B1 (en) | 1999-03-23 | 2005-03-15 | Kla-Tencor Corporation | Confocal wafer inspection method and apparatus using fly lens arrangement |
| TW587199B (en) | 1999-09-29 | 2004-05-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic method and apparatus |
| JP6755472B2 (ja) * | 2017-04-17 | 2020-09-16 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 光照射装置 |
| DE102022200457A1 (de) | 2022-01-17 | 2023-07-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage für die optische Lithographie |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2380210A (en) * | 1943-12-14 | 1945-07-10 | Eastman Kodak Co | Telecentric lens system |
| US3988066A (en) * | 1974-01-12 | 1976-10-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Light exposure apparatus for printing |
| US3941475A (en) * | 1974-07-01 | 1976-03-02 | Tamarack Scientific Co., Inc. | Optical microcircuit printing system |
| JPS5330878A (en) * | 1976-09-03 | 1978-03-23 | Fujitsu Ltd | Focus adjusting device in projection type exposure apparatus |
| US4447111A (en) * | 1982-02-25 | 1984-05-08 | Grumman Aerospace Corporation | Achromatic holographic element |
| JPS597359A (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-14 | Canon Inc | 照明装置 |
-
1983
- 1983-03-04 JP JP58035360A patent/JPS59160134A/ja active Granted
-
1987
- 1987-06-02 US US07/057,668 patent/US4789222A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4789222A (en) | 1988-12-06 |
| JPS59160134A (ja) | 1984-09-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0462062B2 (ja) | ||
| US6049374A (en) | Illumination apparatus, a projection exposure apparatus having the same, a method of manufacturing a device using the same, and a method of manufacturing the projection exposure apparatus | |
| US5488229A (en) | Deep ultraviolet microlithography system | |
| JP3275575B2 (ja) | 投影露光装置及び該投影露光装置を用いたデバイスの製造方法 | |
| JP2852169B2 (ja) | 投影露光方法および装置 | |
| JPH09190969A (ja) | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| JP2002075824A (ja) | 複数の光源を使用する照明装置、照明制御装置及び方法、並びに、露光装置 | |
| US5969803A (en) | Large NA projection lens for excimer laser lithographic systems | |
| US5530518A (en) | Projection exposure apparatus | |
| CN100536071C (zh) | 照明光学装置、曝光装置和曝光方法 | |
| US20070211231A1 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
| JP3200244B2 (ja) | 走査型露光装置 | |
| JP2004363448A (ja) | 露光装置 | |
| JP6761306B2 (ja) | 照明光学系、リソグラフィ装置、及び物品製造方法 | |
| JP3710321B2 (ja) | 露光量制御方法、露光装置およびデバイス製造方法 | |
| US20090040497A1 (en) | Exposure apparatus, adjusting method, exposure method, and device fabrication method | |
| JP3392034B2 (ja) | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 | |
| JP3008744B2 (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
| WO2002031870A1 (en) | Projection optical system, aligner comprising the projection optical system, and method for manufacturing apparartus comprising the aligner | |
| JP3811923B2 (ja) | 照明光学系 | |
| JPH0936026A (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 | |
| JP3209220B2 (ja) | 露光方法及び半導体素子の製造方法 | |
| CN105446085B (zh) | 照明光学设备、曝光装置和制造物品的方法 | |
| JP2020140172A (ja) | 照明光学系、露光装置、および、物品の製造方法。 | |
| JP4307039B2 (ja) | 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法 |