JPS6122865B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6122865B2
JPS6122865B2 JP55020255A JP2025580A JPS6122865B2 JP S6122865 B2 JPS6122865 B2 JP S6122865B2 JP 55020255 A JP55020255 A JP 55020255A JP 2025580 A JP2025580 A JP 2025580A JP S6122865 B2 JPS6122865 B2 JP S6122865B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
resin
solid
lid
manufacturing
Prior art date
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Expired
Application number
JP55020255A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS56116649A (en
Inventor
Isamu Kitahiro
Kazufumi Ogawa
Yoshiko Yasuda
Taketoshi Yonezawa
Shigeru Kondo
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2025580A priority Critical patent/JPS56116649A/ja
Publication of JPS56116649A publication Critical patent/JPS56116649A/ja
Publication of JPS6122865B2 publication Critical patent/JPS6122865B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W95/00—Packaging processes not covered by the other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
    • H—ELECTRICITY
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    • H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置の製造方法、とくに半導体
デバイスを収納した容器の封止方法に関するもの
で、封止工程での特性変動を防止することを目的
とする。
特に光導電膜を表面に形成した固体撮像素子、
さらには表面に光学フイルターを接着した固体撮
像素子を収納した容器の封止工程における特性変
動を防止することを目的とする。
半導体素子を収納した容器の従来よりの封止に
関し、特にセラミツクパツケージと呼ばれている
収納容器に関して第１図をもとに説明する。第１
図はセラミツクパツケージ１に半導体デバイス２
を接着剤３で固定し、金属細線４でデバイス２上
の電極と外部リード間を接続したものに関し、封
止した構造を示した。
第１図Ａはガラス蓋５を樹脂８で接着した例で
あり、ガラス蓋５及びパツケージ１の一部に形成
されたメタライズ層７，６は特になくとも良い。
別の方法としてメタライズ層６，７の間に薄い軟
金属（例えばインジユーム箔）を挿入し、加圧封
止することもできる。
第１図Ｂは金属板１１の中央部を抜いておきそ
の部分にガラス板１２を予じめ貼付けた蓋を用
い、低融点半田１３で封じた例である。
以上述べた従来例において、蓋の周辺部のみ樹
脂接着剤で封止する方法は比較的低温（例えば
100℃程度）で樹脂を硬化させうるが、耐水耐湿
性が弱く、一般のMOS ISIでは問題ない場合も
あるが、光導電膜付固体撮像素子では大きい問題
となる。さらに有機モザイクフイルターを貼付け
た固体撮像素子では80℃以上に温度を上げること
ができないため、この方法を採用することができ
ない。また、同様の理由により低融点半田法もフ
イルター付固体撮像素子を収納した容器の封止法
として用いることはできない。
本発明の上記従来例の欠点を完全になくした方
法を提供するもので、第２図に一実施例の断面構
造図を工程順に示す。紫外線硬化型接着剤として
は一般によく知られている変成アクリレートを主
成分とするものが使用される。前記接着剤は
10000μｍ／cmの紫外線を照射することにより10
〜15secで硬化させることができる。
第２図Ａは収納容器２１の所定部にフイルター
２４を接着剤２５で接着固定した固体撮像素子２
２を固定した状態を示す。
第２図Ｂは紫外線硬化型樹脂２７を充填した状
態を示したが、樹脂の面は固体撮像素子より充分
上にでていることが望ましい。
次に第２図Ｃに示す如くガラス蓋２８をかぶせ
紫外線２９を照射すれば全体が硬化し、封視工程
を完了する。ガラス蓋２８とフイルター２４との
ギヤツプは小さい程硬化が早く、0.5mm以下が望
ましい。
第３図は第二の実施例により封止した場合であ
り紫外線硬化型樹脂３１が固体撮像素子上と、封
止部にのみ塗布されて硬化した例である。この場
合は、第２図Ｂの工程で樹脂２７を充填する際、
第３図の３１で示す部分にのみ樹脂を滴下すれば
良い。このとき樹脂は多少多くしておき、ガラス
蓋を押えた時接着面よりあふれる位が良い。
この場合、第２図Ｂに示す樹脂塗布工程が異な
つている他は全て同様の製造工程で製作される。
本発明の製造法によれば、温度を上げないため
半導体デバイスの特性変動が全くない。さらに、
本発明の製造法を光検出素子を含む半導体デバイ
スや、光学フイルターを接着した固体撮像素子の
パツケージングに用いた場合、蓋を兼ねたガラス
板とデバイスとの間が紫外線硬化型樹脂で埋めら
れるため、その場合は表面反射が防止でき透過光
の損失がなくなる。特に紫外線硬化型樹脂として
その屈折率がガラスに近いものを選択すれば効果
は非常に大きい。
【図面の簡単な説明】
第１図Ａ，Ｂは従来の封止法を説明するための
図、第２図Ａ，Ｂ，Ｃは本発明の一実施例を説明
するための図、第３図は本発明の他の実施例を説
明するための図である。 ２１……収納容器、２２……固体撮像素子、２
３……デバイス接着材、２４……フイルター、２
５……接着剤、２６……金属細線、２７……紫外
線硬化型樹脂、２８……ガラス蓋、２９……紫外
線。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 半導体デバイスを収納容器に接着・固定、該
    デバイス上の電極と外部リードとを電気的に接続
    した後、少なくとも前記デバイスと該収納容器の
    蓋を兼ねたガラス板との間に紫外線硬化型樹脂を
    介在させ、前記ガラス板を通して紫外線を照射す
    ることにより前記樹脂を硬化させることを特徴と
    する半導体装置の製造方法。 ２ 半導体デバイスが表面に光学フイルターを接
    着した固体撮像素子であることを特徴とする特許
    請求の範囲第１項に記載の半導体装置の製造方
    法。
JP2025580A 1980-02-19 1980-02-19 Manufacturing of semiconductor device Granted JPS56116649A (en)

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JPS56116649A JPS56116649A (en) 1981-09-12
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