JPS60136254A - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS60136254A JPS60136254A JP58243343A JP24334383A JPS60136254A JP S60136254 A JPS60136254 A JP S60136254A JP 58243343 A JP58243343 A JP 58243343A JP 24334383 A JP24334383 A JP 24334383A JP S60136254 A JPS60136254 A JP S60136254A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- transparent resin
- resin
- state imaging
- imaging device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/50—Encapsulations or containers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明（ま固体ｆＶ＆啄装置、特に低価格の固体撮像装
置ｉｔおよびその製造方法に関するものである。
置ｉｔおよびその製造方法に関するものである。
第１図に従来の同体撮像装置な示て。この固体撮像装置
はいわゆるセラミックパッケージのものであって、金属
配線膜４ヶ介してセラミック部材１．３を積層に重ねあ
わせ、金田配判）換４の考出した部分にリード２を接続
している。固体撮像索子６は、ベースのセラミック部材
１の底％ｌ（に有、１幾・汲漸剤半田材などからなるマ
ウント材５により接着固定されており、この固定撮像素
子６のパッド部は金属配線膜４と、金またはアルミニウ
ム線のボンディングワイヤ７により重環的に接続さｔ’
している。さらに固体撮像索子６の光入射面には、透光
性ガラス９を設はセラミック部材３に有簿接着剤、半田
材などからｌ仁るシール材８により気密封止されている
。
はいわゆるセラミックパッケージのものであって、金属
配線膜４ヶ介してセラミック部材１．３を積層に重ねあ
わせ、金田配判）換４の考出した部分にリード２を接続
している。固体撮像索子６は、ベースのセラミック部材
１の底％ｌ（に有、１幾・汲漸剤半田材などからなるマ
ウント材５により接着固定されており、この固定撮像素
子６のパッド部は金属配線膜４と、金またはアルミニウ
ム線のボンディングワイヤ７により重環的に接続さｔ’
している。さらに固体撮像索子６の光入射面には、透光
性ガラス９を設はセラミック部材３に有簿接着剤、半田
材などからｌ仁るシール材８により気密封止されている
。
このように従来の１占１体撮１宋装置は、≠光性の良好
なかつ平滑性のよい高級な光学ガラス欠円いセラミック
に有機接着剤、低１声虫点ガラスなどのシール剤により
気密封止するために、部品コストが旨く、かつ製造工数
が多いという問題があった。したがって固体撮像素子が
低価格となっても、固体撮像装置全体として製造コス）
Ｙ下げることが困難であった。
なかつ平滑性のよい高級な光学ガラス欠円いセラミック
に有機接着剤、低１声虫点ガラスなどのシール剤により
気密封止するために、部品コストが旨く、かつ製造工数
が多いという問題があった。したがって固体撮像素子が
低価格となっても、固体撮像装置全体として製造コス）
Ｙ下げることが困難であった。
本発明は上記事情乞考慮してプよされたもので。
固体撮１象装置として特性劣化ン招くことなく低価格で
製造することかできる固体撮像装置およびその製造方法
乞提供することを目的とする。
製造することかできる固体撮像装置およびその製造方法
乞提供することを目的とする。
この目的ヲ達成するために本発明による固体撮１俊装置
は、入射した光信号欠′藏気信号に変換する固体・順像
累子の少なくとも光入射面を平滑面７有でる透明４４脂
にて樹脂封＋Ｌしたことを特徴とする。
は、入射した光信号欠′藏気信号に変換する固体・順像
累子の少なくとも光入射面を平滑面７有でる透明４４脂
にて樹脂封＋Ｌしたことを特徴とする。
また本発明による固体撮１逮装置の製造方法は。
入射した光悩号乞屯気信号に変俳する固体撮像素子の少
１：ｃ くとも光入射面上に透明樹脂を流入させ。
１：ｃ くとも光入射面上に透明樹脂を流入させ。
この透明樹脂表面ン金型の平滑面で押圧することにより
、１司体撮像素子の少なくとも光入射面乞透明樹脂にて
樹脂耐重てることを特徴とてる。
、１司体撮像素子の少なくとも光入射面乞透明樹脂にて
樹脂耐重てることを特徴とてる。
本発明の筆１の実施例による固体撮（オ装置を第２図に
示ｆ。セラミック部材１の四部にはマウント材５により
固体撮像素子６が固着されており。
示ｆ。セラミック部材１の四部にはマウント材５により
固体撮像素子６が固着されており。
さらに周辺部に金属配線膜４乞介してセラミック部材３
が設けられている。これらセラミック部材１．３により
形成されている凹部は透明樹脂１１により充填され、そ
の表面は平滑な面となっている。
が設けられている。これらセラミック部材１．３により
形成されている凹部は透明樹脂１１により充填され、そ
の表面は平滑な面となっている。
この固体撮像装置は次のようにして製造される、セラミ
ック部材１，３Ｚ金属配線膜４ン介して積層にはねあわ
せ、金属配線膜４の露出部にリード２を接続する。次に
固体撮像素子６を有機接着剤、半田材などからなるマウ
ント材５によりセラミック部材１の底部に４ザ着、固定
し１次に金又はアルミニウム線のボンディングワイヤ７
により、固体撮１象素子６のパッド部と４：４配線膜４
欠ボンディングして′ぺ気的に接続する。その後、固体
撮１象亦子６が固着された凹部に透明ｍ ＩｔＴ １１
ン流入させて充填する。この透明何１ｌ１１￥ＩＩＫて
固体撮像素子６欠封止するわけであるが、透明樹脂１１
が固化するｊｉｉ丁に透明樹脂１１０表面を非常に平滑
な金型面で抑圧する。このように平滑な面で押圧するこ
とにより、透明樹脂１１の表面を従来用いていたガラス
表面程度に平滑化てることができる。したがってガラス
のかわりに７秀明樹脂乞用いても、入射光が不均一にな
ることがなく、特性劣化馨招くことがない。
ック部材１，３Ｚ金属配線膜４ン介して積層にはねあわ
せ、金属配線膜４の露出部にリード２を接続する。次に
固体撮像素子６を有機接着剤、半田材などからなるマウ
ント材５によりセラミック部材１の底部に４ザ着、固定
し１次に金又はアルミニウム線のボンディングワイヤ７
により、固体撮１象素子６のパッド部と４：４配線膜４
欠ボンディングして′ぺ気的に接続する。その後、固体
撮１象亦子６が固着された凹部に透明ｍ ＩｔＴ １１
ン流入させて充填する。この透明何１ｌ１１￥ＩＩＫて
固体撮像素子６欠封止するわけであるが、透明樹脂１１
が固化するｊｉｉ丁に透明樹脂１１０表面を非常に平滑
な金型面で抑圧する。このように平滑な面で押圧するこ
とにより、透明樹脂１１の表面を従来用いていたガラス
表面程度に平滑化てることができる。したがってガラス
のかわりに７秀明樹脂乞用いても、入射光が不均一にな
ることがなく、特性劣化馨招くことがない。
本発明のボ２の実施例による固体撮像装置を第３図に示
す。この固体撮１象装置は外部リードのないいわばチッ
プキャリアともいうべき固体撮凶装ａである。金属配Ｍ
；）ζ！１２，１３火有するガラスエポキシ積層板１６
上に固着された固体撮像素子６欠敗り［ηイむようにプ
ラスチックなどの枠１４を設ける。
す。この固体撮１象装置は外部リードのないいわばチッ
プキャリアともいうべき固体撮凶装ａである。金属配Ｍ
；）ζ！１２，１３火有するガラスエポキシ積層板１６
上に固着された固体撮像素子６欠敗り［ηイむようにプ
ラスチックなどの枠１４を設ける。
このＩ＋１４内により形成された凹部は平滑な面乞有−
「る透明１ｓｔｊ ｕ旨１１により充填されている。
「る透明１ｓｔｊ ｕ旨１１により充填されている。
この固体撮１象装置は次のよ５ＫＬ、て製造される。
まず、金属配線膜１２，１３χ有するガラスエポキシ償
層板Ｉ６に固体撮像素子６乞有機接着剤などのマウント
剤５により接着固定し、さらに金また（・まアルミニウ
ム線のボンディングワイヤ７により、金属配緋膜１２と
固体撮像素子６のパッド部と７電気的に接続する。次に
プラスチックなどの枠１４”７ガラス工ボキシ積層板１
６上に、固体撮１ぼ素子６を囲むように配置し、固着て
る。その後、この枠１４内にス光明樹脂１５乞流し込み
充填する。この透明樹脂１５が固化てるｍ１７に表面を
非常に平滑な金型面で１（ｖ圧し、透明樹１Ｊｉ￥１５
の表面欠平滑化でる。この平滑化によりガラスと同様の
平滑度が実現でき、透明」信脂ン用いたことによる特性
劣化はない。
層板Ｉ６に固体撮像素子６乞有機接着剤などのマウント
剤５により接着固定し、さらに金また（・まアルミニウ
ム線のボンディングワイヤ７により、金属配緋膜１２と
固体撮像素子６のパッド部と７電気的に接続する。次に
プラスチックなどの枠１４”７ガラス工ボキシ積層板１
６上に、固体撮１ぼ素子６を囲むように配置し、固着て
る。その後、この枠１４内にス光明樹脂１５乞流し込み
充填する。この透明樹脂１５が固化てるｍ１７に表面を
非常に平滑な金型面で１（ｖ圧し、透明樹１Ｊｉ￥１５
の表面欠平滑化でる。この平滑化によりガラスと同様の
平滑度が実現でき、透明」信脂ン用いたことによる特性
劣化はない。
さらに本発明の第３の実施例による固体撮像装置を第４
図に示す。これは樹脂モールドタイプの固体撮像装置で
ある。リードフレーム２１のマウントｔηｌ５１８ Ｋ
固着された固体撮１オ素子６はボンディングワイヤ２Ｏ
にてインナリード２１と小；気的に接置光されている。
図に示す。これは樹脂モールドタイプの固体撮像装置で
ある。リードフレーム２１のマウントｔηｌ５１８ Ｋ
固着された固体撮１オ素子６はボンディングワイヤ２Ｏ
にてインナリード２１と小；気的に接置光されている。
そして全体が透明位↑）１イ２２ｖｃよりモールドされ
ており、この方明樹脂２２の光入射面は一トνに平滑に
なっている。この透明イ＠脂２２の光入射面以外は黒い
樹脂路でモールドされており、光入射面以外から光が入
射しないようになっている−この１閏体Ｊ１像装・Ｉ？
は次のようにして一製造されろ−まずリードフレーム１
７のマウント部１８に同体撮１４２素子６ンマウント材
１９にて固有する。次にボンデイングワイヤ加により固
体撮像素子６のパッド部とリードフレーム１７のインナ
ーリード２１ヲボンデイングして電気的に接続する。そ
の後、透明樹脂ηにより全坏乞七−ルドてる。この時に
特に固体撮像素子６への光入射方向にあたる透明樹脂２
２の表面を平滑な面を有する金型で押圧し平滑化する。
ており、この方明樹脂２２の光入射面は一トνに平滑に
なっている。この透明イ＠脂２２の光入射面以外は黒い
樹脂路でモールドされており、光入射面以外から光が入
射しないようになっている−この１閏体Ｊ１像装・Ｉ？
は次のようにして一製造されろ−まずリードフレーム１
７のマウント部１８に同体撮１４２素子６ンマウント材
１９にて固有する。次にボンデイングワイヤ加により固
体撮像素子６のパッド部とリードフレーム１７のインナ
ーリード２１ヲボンデイングして電気的に接続する。そ
の後、透明樹脂ηにより全坏乞七−ルドてる。この時に
特に固体撮像素子６への光入射方向にあたる透明樹脂２
２の表面を平滑な面を有する金型で押圧し平滑化する。
その後余分な入射光乞既断てるため、光入射部分ケ残し
て黒い４６・１脂田にてモールドする。その後リードフ
レーム１７のアウターリード２４乞曲げ成型する。
て黒い４６・１脂田にてモールドする。その後リードフ
レーム１７のアウターリード２４乞曲げ成型する。
７；Ｃ＋６ 、本発明は１以上のセラミックタイプ、チ
ップキャリアタイプ、モールドタイプ以外の他のタイプ
のパッケージにも調用することができる。
ップキャリアタイプ、モールドタイプ以外の他のタイプ
のパッケージにも調用することができる。
以上の」川り本発明によれば固体撮像素子としての特性
劣化を招くことｉ：ｃ ＜ ｓ部品コストの低減化と製
造工程数を減少させることができ、固体撮像装置ケ低価
Ｊ？！Ｊで製造することができるとともに。
劣化を招くことｉ：ｃ ＜ ｓ部品コストの低減化と製
造工程数を減少させることができ、固体撮像装置ケ低価
Ｊ？！Ｊで製造することができるとともに。
感度均一性など特性面においても十分良好な固体撮像装
置欠提供することができる。
置欠提供することができる。
第１図は従来の固体撮像装置の断面図、＠２図。
第３図、第４図はそれぞれ本発明の第１．臆２および第
３実施例による固体撮像装置の断面図である。 １．３・・・セラミック部材、２・・・リード、４・・
・金１４配線膜、５・・・マウント１オ、６・・・固体
撮像素子゛。 ７・・・ボンディングワイヤ、８・・・シール拐、９・
・・透光性ガラス、１１・・・透明樹脂、１２．１３・
・・金属配線膜。 １４・・・枠、１５・・・透明樹脂、１６・・・ガラス
エポキシ積層板、１７・・・リードフレーム、１８・・
・マウント１オンマウン−）材、２０・・・ボン′ディ
〉゛グワイヤ、２１・・・イン゛ナーリード、２２・・
・透明樹脂、２３・・・黒い樹脂、湖・・・アウターリ
ード。 出願人代理人 猪 股 清 第１図 第３図 第４図
３実施例による固体撮像装置の断面図である。 １．３・・・セラミック部材、２・・・リード、４・・
・金１４配線膜、５・・・マウント１オ、６・・・固体
撮像素子゛。 ７・・・ボンディングワイヤ、８・・・シール拐、９・
・・透光性ガラス、１１・・・透明樹脂、１２．１３・
・・金属配線膜。 １４・・・枠、１５・・・透明樹脂、１６・・・ガラス
エポキシ積層板、１７・・・リードフレーム、１８・・
・マウント１オンマウン−）材、２０・・・ボン′ディ
〉゛グワイヤ、２１・・・イン゛ナーリード、２２・・
・透明樹脂、２３・・・黒い樹脂、湖・・・アウターリ
ード。 出願人代理人 猪 股 清 第１図 第３図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、入射した光信号乞鍼気信号に変換する固体撮像素子
の少なくとも光入射面乞平滑面を有する透明樹脂にて樹
脂封止したことケ特徴とてる固体撮１家装置。 ２゜入射した光信号を卜廊気信号に変鵬てる固体撮像が
子の少なくとも光入射面上に透明樹脂欠流入させ、この
透明位１１蒲表面な金型の平滑面で押圧することにより
、固体撮像索子の少なくとも九入射面欠ｆ明樹脂にて切
崩封止てることを特ｉ？＆とする固体撮像装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58243343A JPS60136254A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58243343A JPS60136254A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60136254A true JPS60136254A (ja) | 1985-07-19 |
Family
ID=17102410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58243343A Pending JPS60136254A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60136254A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61256667A (ja) * | 1985-05-09 | 1986-11-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ |
| JPS62265771A (ja) * | 1986-05-14 | 1987-11-18 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 光電変換素子の封止法 |
| JPS6464254A (en) * | 1987-09-03 | 1989-03-10 | Toshiba Corp | Solid-state image sensor and manufacture thereof |
| JPH0195747U (ja) * | 1987-12-17 | 1989-06-26 | ||
| JPH01176954U (ja) * | 1988-06-01 | 1989-12-18 | ||
| KR20040033193A (ko) * | 2002-10-11 | 2004-04-21 | (주)그래픽테크노재팬 | 이미지 센서용 반도체 칩 패키지 및 제조 방법 |
| WO2006026951A1 (de) * | 2004-09-07 | 2006-03-16 | Infineon Technologies Ag | Halbleitersensorbauteil mit hohlraumgehäuse und sensorchip und verfahren zur herstellung desselben |
| EP1589586A4 (en) * | 2003-01-20 | 2010-10-13 | Sharp Kk | TRANSPARENT RESIN COMPOSITION FOR AN OPTICAL SENSOR FILTER, OPTICAL SENSOR AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF |
-
1983
- 1983-12-23 JP JP58243343A patent/JPS60136254A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61256667A (ja) * | 1985-05-09 | 1986-11-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ |
| JPS62265771A (ja) * | 1986-05-14 | 1987-11-18 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 光電変換素子の封止法 |
| JPS6464254A (en) * | 1987-09-03 | 1989-03-10 | Toshiba Corp | Solid-state image sensor and manufacture thereof |
| JPH0195747U (ja) * | 1987-12-17 | 1989-06-26 | ||
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| WO2004034472A1 (en) * | 2002-10-11 | 2004-04-22 | Graphic Techno Japan Co., Ltd. | Semiconductor chip package for image sensor and method of making the same |
| EP1589586A4 (en) * | 2003-01-20 | 2010-10-13 | Sharp Kk | TRANSPARENT RESIN COMPOSITION FOR AN OPTICAL SENSOR FILTER, OPTICAL SENSOR AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF |
| WO2006026951A1 (de) * | 2004-09-07 | 2006-03-16 | Infineon Technologies Ag | Halbleitersensorbauteil mit hohlraumgehäuse und sensorchip und verfahren zur herstellung desselben |
| US7749797B2 (en) | 2004-09-07 | 2010-07-06 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device having a sensor chip, and method for producing the same |
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