JPS6123011Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6123011Y2 JPS6123011Y2 JP1981133745U JP13374581U JPS6123011Y2 JP S6123011 Y2 JPS6123011 Y2 JP S6123011Y2 JP 1981133745 U JP1981133745 U JP 1981133745U JP 13374581 U JP13374581 U JP 13374581U JP S6123011 Y2 JPS6123011 Y2 JP S6123011Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- reaction
- electrodes
- thin film
- small
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は反応室内に基板を支持する電極と対向
電極の多数対を収容し、共通のガス源より反応ガ
スを反応室内に供給し、各電極対間に電圧を印加
してグロー放電を発生させて反応ガスを分解して
基板上に、例えば太陽電池用アモルフアスシリコ
ンの薄膜を生成する量産型薄膜製造装置に関す
る。
電極の多数対を収容し、共通のガス源より反応ガ
スを反応室内に供給し、各電極対間に電圧を印加
してグロー放電を発生させて反応ガスを分解して
基板上に、例えば太陽電池用アモルフアスシリコ
ンの薄膜を生成する量産型薄膜製造装置に関す
る。
このような量産型気相成長装置として、例えば
第１図に示す構造が考えられる。すなわち、反応
室１内に電極２と電極３の多数対を収容する。電
極２はヒータを内蔵し、その上に取り付けられる
基板４を加熱できる。この反応室１を排気口５よ
り真空排気し、SiH4のような反応ガスを導入口
６より低圧で導入し、電極２，３間に高周波電源
７または直流電源８を接続して電圧を印加し、グ
ロー放電を発生させる。これにより基板４の上に
アモルフアスシリコン膜を生成できる。しかし、
この装置においては導入口６から流入する反応ガ
スは反応室内で複雑な流れとなるため、各基板４
の上には薄膜が均一に成長しない。
第１図に示す構造が考えられる。すなわち、反応
室１内に電極２と電極３の多数対を収容する。電
極２はヒータを内蔵し、その上に取り付けられる
基板４を加熱できる。この反応室１を排気口５よ
り真空排気し、SiH4のような反応ガスを導入口
６より低圧で導入し、電極２，３間に高周波電源
７または直流電源８を接続して電圧を印加し、グ
ロー放電を発生させる。これにより基板４の上に
アモルフアスシリコン膜を生成できる。しかし、
この装置においては導入口６から流入する反応ガ
スは反応室内で複雑な流れとなるため、各基板４
の上には薄膜が均一に成長しない。
本考案はこれに対し多数の基板上に均一な薄膜
を生成できる量産型薄膜製造装置を提供すること
を目的とする。
を生成できる量産型薄膜製造装置を提供すること
を目的とする。
この目的は反応室を多数の寸法および形状が等
しい小室に区分し、各小室内の対応する位置に対
向電極を収容し、各小室を真空排気可能にするこ
ともに共通の反応ガス源とほぼ等しい抵抗を有す
る流路を介して接続することによつて達成され
る。
しい小室に区分し、各小室内の対応する位置に対
向電極を収容し、各小室を真空排気可能にするこ
ともに共通の反応ガス源とほぼ等しい抵抗を有す
る流路を介して接続することによつて達成され
る。
以下図を引用して本考案の実施例について説明
する。第２図において第１図と共通の部分には同
一の符号が付されている。反応室１は絶縁性の仕
切り壁１１を介して区切られ、多数の同一寸法の
小室１２が形成されている。各小室１２にはそれ
ぞれ高周波電源７または直流電源８によつて電圧
を印加することができる一対の電極２および３が
同様に配置されている。反応ガスは、例えばボン
ベのようなガス源から供給管９と分岐管１０を介
して各小室１２へ供給される。分岐管１０はその
長さなどに対応して管径を選定し、各小室１２の
導入口６に入るまでのガス流に対する抵抗がほぼ
等しくなるようにされている。各小室１２の他側
の排気口５に排気管２０を介して接続される真空
系２１により各小室を同時に真空排気した後、反
応ガスを導入口６より導入し、電極２，３間に電
圧を印加してグロー放電を発生させ、電極２に取
り付けた基板４の上に薄膜を生成する。各小室の
寸法、室内に電極配置、合気系の流路抵抗が同一
であるため、各小室１２の基板４の上には同一條
件で薄膜が生成される。従つて多数の小室の基板
上に薄厚および膜質の均一な薄膜を同時に生成す
ることができる。
する。第２図において第１図と共通の部分には同
一の符号が付されている。反応室１は絶縁性の仕
切り壁１１を介して区切られ、多数の同一寸法の
小室１２が形成されている。各小室１２にはそれ
ぞれ高周波電源７または直流電源８によつて電圧
を印加することができる一対の電極２および３が
同様に配置されている。反応ガスは、例えばボン
ベのようなガス源から供給管９と分岐管１０を介
して各小室１２へ供給される。分岐管１０はその
長さなどに対応して管径を選定し、各小室１２の
導入口６に入るまでのガス流に対する抵抗がほぼ
等しくなるようにされている。各小室１２の他側
の排気口５に排気管２０を介して接続される真空
系２１により各小室を同時に真空排気した後、反
応ガスを導入口６より導入し、電極２，３間に電
圧を印加してグロー放電を発生させ、電極２に取
り付けた基板４の上に薄膜を生成する。各小室の
寸法、室内に電極配置、合気系の流路抵抗が同一
であるため、各小室１２の基板４の上には同一條
件で薄膜が生成される。従つて多数の小室の基板
上に薄厚および膜質の均一な薄膜を同時に生成す
ることができる。
本考案による薄膜製造装置の電極は電極および
基板面を水平にした上下対向配置でも、電極およ
び基板面を鉛直にした左右対向配置でもよい。後
者の方は基板の電極への取付けが面倒であるが、
反応槽の床面積が小さく、また反応槽壁に付着し
た反応副生成物が剥離して落下する際に基板面に
付着することがないので生成薄膜に欠陥が生じな
いなどの点で有利である。更に、第２図のごとく
反応ガスを上から導入し、下から排気する構造で
あれば、この効果は大きい。
基板面を水平にした上下対向配置でも、電極およ
び基板面を鉛直にした左右対向配置でもよい。後
者の方は基板の電極への取付けが面倒であるが、
反応槽の床面積が小さく、また反応槽壁に付着し
た反応副生成物が剥離して落下する際に基板面に
付着することがないので生成薄膜に欠陥が生じな
いなどの点で有利である。更に、第２図のごとく
反応ガスを上から導入し、下から排気する構造で
あれば、この効果は大きい。
以上述べたように、本考案は反応槽を多数の小
室に区分し、しかも各小室で同一の條件でプラズ
マCVD反応を進行させることによつて多数の基
板上に同質の薄膜を製造するもであり、特に太陽
電池用アモルフアスシリコン膜の量産に極めて有
効に使用できる。
室に区分し、しかも各小室で同一の條件でプラズ
マCVD反応を進行させることによつて多数の基
板上に同質の薄膜を製造するもであり、特に太陽
電池用アモルフアスシリコン膜の量産に極めて有
効に使用できる。
第１図は量産型薄膜製造装置の従来例の配置
図、第２図は本考案の一実施例の配置図である。 １……反応室、２，３……電極、４……基板、
５……排気口、６……導入口、７……高周波電
源、８……直流電源、９……供給管、１０……分
岐管、１２……小室。
図、第２図は本考案の一実施例の配置図である。 １……反応室、２，３……電極、４……基板、
５……排気口、６……導入口、７……高周波電
源、８……直流電源、９……供給管、１０……分
岐管、１２……小室。
Claims (1)
- 反応室内に収容した多数の電極間に電圧を印加
してグロー放電を発生させ、反応室内に供給され
た反応ガスを分解して反応ガスの成分を電極に支
持された基板上に薄膜として生成するものにおい
て、反応室を寸法および形状が等しい多数の小室
に区分して各小室内の対応する位置に対向電極を
収容するとともに、各小室を真空排気可能とし、
かつ共通の反応ガス源とほぼ等しい抵抗を有する
流路を介して接続したことを特徴とする量産型薄
膜製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13374581U JPS5838783U (ja) | 1981-09-09 | 1981-09-09 | 量産型薄膜製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13374581U JPS5838783U (ja) | 1981-09-09 | 1981-09-09 | 量産型薄膜製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5838783U JPS5838783U (ja) | 1983-03-14 |
| JPS6123011Y2 true JPS6123011Y2 (ja) | 1986-07-10 |
Family
ID=29927192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13374581U Granted JPS5838783U (ja) | 1981-09-09 | 1981-09-09 | 量産型薄膜製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5838783U (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6029295B2 (ja) * | 1979-08-16 | 1985-07-10 | 舜平 山崎 | 非単結晶被膜形成法 |
-
1981
- 1981-09-09 JP JP13374581U patent/JPS5838783U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5838783U (ja) | 1983-03-14 |
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