JPS61239135A - 差圧伝送器 - Google Patents
差圧伝送器Info
- Publication number
- JPS61239135A JPS61239135A JP8112385A JP8112385A JPS61239135A JP S61239135 A JPS61239135 A JP S61239135A JP 8112385 A JP8112385 A JP 8112385A JP 8112385 A JP8112385 A JP 8112385A JP S61239135 A JPS61239135 A JP S61239135A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- sensors
- pressure chamber
- differential pressure
- transmitter
- Prior art date
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
- G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L13/00—Devices or apparatus for measuring differences of two or more fluid pressure values
- G01L13/02—Devices or apparatus for measuring differences of two or more fluid pressure values using elastically-deformable members or pistons as sensing elements
- G01L13/025—Devices or apparatus for measuring differences of two or more fluid pressure values using elastically-deformable members or pistons as sensing elements using diaphragms
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0001—Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means
- G01L9/0002—Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means using variations in ohmic resistance
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、「発明の目的」
〔産業上の利用分野〕
本発明は、静水圧により抵抗値が変化する半導体材料を
用いて、過大圧力が加わっても破壊されることのない差
圧伝送器に関するものである。
用いて、過大圧力が加わっても破壊されることのない差
圧伝送器に関するものである。
第３図にオリフィスを使用した流量の一般的な計測手段
を示す。同図において、１１はオリフィス、１２はパイ
プ、１３は液体、１４は導圧管、１５はバルブ、１６は
差圧伝送器、１１は差圧センサである。オリフィス１１
を使用して、液体１３の流量を計測する場合・は、オリ
フィス１１の上流の圧力ＰＨと下流の圧力ＰＬを第３図
のような構成で差圧伝送器に導き、そこでＰＨとＰＬの
差圧を測定する。そして、（１）式の演算により流ＩＱ
を求めることができる。
を示す。同図において、１１はオリフィス、１２はパイ
プ、１３は液体、１４は導圧管、１５はバルブ、１６は
差圧伝送器、１１は差圧センサである。オリフィス１１
を使用して、液体１３の流量を計測する場合・は、オリ
フィス１１の上流の圧力ＰＨと下流の圧力ＰＬを第３図
のような構成で差圧伝送器に導き、そこでＰＨとＰＬの
差圧を測定する。そして、（１）式の演算により流ＩＱ
を求めることができる。
Ｑ−Ｋ ＪこＰｓ−〒−１）ｍコ／Ｈ（１）Ｑ：流量
に：定数
ＰＨ：上流側圧力
ＰＬ：下流側圧力
第３図のような従来の差圧伝送器の構成で問題となるの
は、差圧（ＰＨＰＬ）が小さくても、ＰＨ，ＰＬが高圧
の場合、バルブ操作によっては、差圧伝送器１６の差圧
センサ１７に高圧が印加される場合があり得ることであ
る。例えば、ＰＨ−１０１ｂａｒ ｒｐＬ−１００ｂａ
ｒの場合、差圧は１ ｂａｒであっても、バルブ操作
によっては、その１００倍の１００ ｂａｒが差圧とし
て差圧伝送器１６に印加されてしまい、その結果、破壊
されてしまうことがある。
は、差圧（ＰＨＰＬ）が小さくても、ＰＨ，ＰＬが高圧
の場合、バルブ操作によっては、差圧伝送器１６の差圧
センサ１７に高圧が印加される場合があり得ることであ
る。例えば、ＰＨ−１０１ｂａｒ ｒｐＬ−１００ｂａ
ｒの場合、差圧は１ ｂａｒであっても、バルブ操作
によっては、その１００倍の１００ ｂａｒが差圧とし
て差圧伝送器１６に印加されてしまい、その結果、破壊
されてしまうことがある。
そのようなことを防ぐため、従来では、過大圧保護機構
を設けるようにしている。
を設けるようにしている。
第４図は、過大圧保１！機構を設けた差圧伝送器の構成
例を示した図である。この第４図の構成では、過大差圧
（逆圧も含めて）が印加されると、同図に示すオーバー
ロード保護バルブ２０が移動してボディ２９に設けられ
た穴を塞ぐため、高圧側と低圧側が均等圧化し、シリコ
ンセンサ２２が保護されるようになっている。
例を示した図である。この第４図の構成では、過大差圧
（逆圧も含めて）が印加されると、同図に示すオーバー
ロード保護バルブ２０が移動してボディ２９に設けられ
た穴を塞ぐため、高圧側と低圧側が均等圧化し、シリコ
ンセンサ２２が保護されるようになっている。
しかし、第４図のような差圧伝送器は、過大圧保護機構
が複雑となり、特性誤差要因、コストアップ等で問題点
が多い。
が複雑となり、特性誤差要因、コストアップ等で問題点
が多い。
本発明の目的は、同一種類の静水圧センサを２個用いて
、過大圧保護機構を特に設けずとも、過大圧による損傷
を受けない差圧伝送器を提供することである。
、過大圧保護機構を特に設けずとも、過大圧による損傷
を受けない差圧伝送器を提供することである。
口、「発明の構成」
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、上記問題点を解決するために、仕切りにより
、その両側に低圧室と高圧室を形成したボディを備え、
この低圧室と高圧室に測定対象の流体の圧力を導き、こ
の低圧室内と高圧室内にそれぞれに静水圧に対応して抵
抗の変化特性を有する半導体材料からなる静圧センサを
配置する。そして、静圧センサの抵抗の変化を演算して
、低圧室と高圧室との差圧に対応した信号を得るように
したものである。
、その両側に低圧室と高圧室を形成したボディを備え、
この低圧室と高圧室に測定対象の流体の圧力を導き、こ
の低圧室内と高圧室内にそれぞれに静水圧に対応して抵
抗の変化特性を有する半導体材料からなる静圧センサを
配置する。そして、静圧センサの抵抗の変化を演算して
、低圧室と高圧室との差圧に対応した信号を得るように
したものである。
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明に係る差圧伝送器の要部構成例を示し
た図である。同図において、１，２はシールダイアフラ
ムである。３は低圧室、４は高圧室であり、どちらもそ
の内部にｓｌ油等の非圧縮性流体が封入されている。５
は中央部に仕切りのある円柱状のボディであり、この仕
切りの両側に前記した低圧室３と高圧室４が形成される
。なお“、シールダイアフラム１，２はボディ５の両端
面に例えば溶接されている。６，７は静圧センサであり
、静水圧感度のある半導体材料で構成される。
た図である。同図において、１，２はシールダイアフラ
ムである。３は低圧室、４は高圧室であり、どちらもそ
の内部にｓｌ油等の非圧縮性流体が封入されている。５
は中央部に仕切りのある円柱状のボディであり、この仕
切りの両側に前記した低圧室３と高圧室４が形成される
。なお“、シールダイアフラム１，２はボディ５の両端
面に例えば溶接されている。６，７は静圧センサであり
、静水圧感度のある半導体材料で構成される。
この静圧センサ６．７は、それぞれ低圧室３と高圧室４
に設置される。８，９はハーメチックシール部であり、
静圧センサ６．７へ電気的に接続されたリード線６＋
、７＋をボディ５の外部に取出すためのものである。１
０は静圧センサ６．７の温度を検出する温度検出素子、
１０１はこの温度検出素子１０における電気信号を取出
すリード線である。
に設置される。８，９はハーメチックシール部であり、
静圧センサ６．７へ電気的に接続されたリード線６＋
、７＋をボディ５の外部に取出すためのものである。１
０は静圧センサ６．７の温度を検出する温度検出素子、
１０１はこの温度検出素子１０における電気信号を取出
すリード線である。
第２図は第１図で示した各リード線６＋ ＋ ７＋＋１
０１が接続される電気回路であり、この回路の出力端子
から差圧に対応した信号を得ることができる。第２図に
おいて、Ｅは定電圧源、Ｕは増幅器である。Ｒ＋ 、Ｒ
２は第１図で示した静圧センサ６．７の抵抗である。即
ち、静圧センサ６は抵抗Ｒ１であり、静圧センサ７は抵
抗Ｒ２で表わされる。もっとも、上記と逆にして、静圧
センサ６を抵抗Ｒ２とし、静圧センサ７は抵抗Ｒ１とし
ても本発明は成立する。Ｃは対数変換器、Ｄは除算器、
Ｆは加算器である。
０１が接続される電気回路であり、この回路の出力端子
から差圧に対応した信号を得ることができる。第２図に
おいて、Ｅは定電圧源、Ｕは増幅器である。Ｒ＋ 、Ｒ
２は第１図で示した静圧センサ６．７の抵抗である。即
ち、静圧センサ６は抵抗Ｒ１であり、静圧センサ７は抵
抗Ｒ２で表わされる。もっとも、上記と逆にして、静圧
センサ６を抵抗Ｒ２とし、静圧センサ７は抵抗Ｒ１とし
ても本発明は成立する。Ｃは対数変換器、Ｄは除算器、
Ｆは加算器である。
抵抗Ｒ１は増幅器Ｕの反転入力端子に接続され、増幅器
の出力端子と反転入力端子の間には、抵抗Ｒ２が接続さ
れる。抵抗Ｒ＋の他端と増幅器Ｕの非反転入力端子の間
に定電圧源Ｅが接続される。
の出力端子と反転入力端子の間には、抵抗Ｒ２が接続さ
れる。抵抗Ｒ＋の他端と増幅器Ｕの非反転入力端子の間
に定電圧源Ｅが接続される。
増幅器Ｕの出力端子と非反転入力端子は対数変換器Ｃに
接続される。対数変換器Ｃの出力電圧ｅ２と加算器Ｆの
出力電圧は直列に接続されて除算器りに導入される。ま
た、除算器りのもう一つの入力端子には、温度検出素子
１０がらの信号が導入される。
接続される。対数変換器Ｃの出力電圧ｅ２と加算器Ｆの
出力電圧は直列に接続されて除算器りに導入される。ま
た、除算器りのもう一つの入力端子には、温度検出素子
１０がらの信号が導入される。
以上のように構成された第１図の差圧伝送器と第２図の
電気回路とが組合された装置の動作を以下に説明する。
電気回路とが組合された装置の動作を以下に説明する。
第１図、第２図に示した静圧センサを静水圧感度のある
半導体材料で構成するとし、この半導体を真性半導体と
仮定すると静圧センサ６．７〈第２図では抵抗Ｒ＋ 、
Ｒ２＞の導電率σ重、σ２は（２）、（３）式で表わさ
れる。
半導体材料で構成するとし、この半導体を真性半導体と
仮定すると静圧センサ６．７〈第２図では抵抗Ｒ＋ 、
Ｒ２＞の導電率σ重、σ２は（２）、（３）式で表わさ
れる。
σ＋−ｎＬ＋ ・ｅ ・（ｕｅ ＋ｔｌｐ ）
（２）σｚ＝ｎＬｚ ｓｅｅ （μｅ＋μｐ）
（３）ここで、ｅは電子素電荷 ｕｅは電子易動度 μｐは正孔易動度 （２）、（３）式中におけるｎｉｌとｎＬ２はそれぞれ
半導体材料の真性キャリア濃度であり、次式で表わされ
る。
（２）σｚ＝ｎＬｚ ｓｅｅ （μｅ＋μｐ）
（３）ここで、ｅは電子素電荷 ｕｅは電子易動度 μｐは正孔易動度 （２）、（３）式中におけるｎｉｌとｎＬ２はそれぞれ
半導体材料の真性キャリア濃度であり、次式で表わされ
る。
ｎ ｔ ＋ −ｎ ｏ ＴＴ ｅＸり （−」狙−）
（４）ｋＴ 」１− ｎ＝ ２ − ｎｏ ＴＴ ｅＸｐ （２に丁
） （Ｓ）ここで、ｎＯは温度、バ
ンドエネルギーに関係しない物質定数 Ｅ ｏ ＋ ＊ Ｅ Ｇ ２はバンドギャップエネルギ
ー半導体材料の静水圧力に対し、抵抗値、即ち、ｎｆｆ
１率が変化するのは、主としてバンドギャップエネルギ
ーＥｏが圧力によって変化するからである。静圧センサ
６．７の抵抗値Ｒ＋ 、Ｒ２は、（６）。
（４）ｋＴ 」１− ｎ＝ ２ − ｎｏ ＴＴ ｅＸｐ （２に丁
） （Ｓ）ここで、ｎＯは温度、バ
ンドエネルギーに関係しない物質定数 Ｅ ｏ ＋ ＊ Ｅ Ｇ ２はバンドギャップエネルギ
ー半導体材料の静水圧力に対し、抵抗値、即ち、ｎｆｆ
１率が変化するのは、主としてバンドギャップエネルギ
ーＥｏが圧力によって変化するからである。静圧センサ
６．７の抵抗値Ｒ＋ 、Ｒ２は、（６）。
（７）式で表わされる。
この静圧センサ６．７を第１図のようにシリコン油の中
に浸し、圧力ＰＨ，ＰＬを与えると、抵抗値Ｒ＋ 、Ｒ
２が変化する。これを第２図の増幅器Ｕで増幅すると、
増幅器Ｕの出力ｅｌは（８）式で表わされる。
に浸し、圧力ＰＨ，ＰＬを与えると、抵抗値Ｒ＋ 、Ｒ
２が変化する。これを第２図の増幅器Ｕで増幅すると、
増幅器Ｕの出力ｅｌは（８）式で表わされる。
ｅ Ｉ−”’ｅ ｇ （８）
Ｒ。
Ｒ。
ｅ、は定電圧源Ｅの電圧
第１図に示す低圧室３と高圧室４内の温度が一様であれ
ば、（８）式は、（６）及び（７）式を使用して（９）
式とｕ１換えることができる。
ば、（８）式は、（６）及び（７）式を使用して（９）
式とｕ１換えることができる。
１Ｂ＋ −６１ｏ−ｅＸｐ（、ＫＴ （ＥＧ ２−Ｅｏ
＋ ） ）・・・（９） 以上のようにして、抵抗比（Ｒ２／Ｒ１）をとることで
、第１の温度の影響（Ｔ−丁）を消去した信号ｅ、を得
ることができる。
＋ ） ）・・・（９） 以上のようにして、抵抗比（Ｒ２／Ｒ１）をとることで
、第１の温度の影響（Ｔ−丁）を消去した信号ｅ、を得
ることができる。
ｅｌを対数変換器Ｃに通すと００式なる信号ｅ２が得ら
れる。
れる。
ｅ２−Ｉｎ Ｉ ｅ＋ ｌ
−へ＋１しくＥＧ２ Ｅｏｌ） ＯΦなお、
Ｉｎ ｅｏ ＝Ａ このｅ２信号に加算器Ｆから−Ａの一定信号を加えると
、除算器りへ転送される信号は、工（Ｅｏ ２− Ｅｏ
＋ ）となる。この信号を温度ＫＴ 検出素子１０からの温度信号（１／Ｔ）で除算すると、
（１１）式で表わされる信号ｅｏｕＬが得られる。
Ｉｎ ｅｏ ＝Ａ このｅ２信号に加算器Ｆから−Ａの一定信号を加えると
、除算器りへ転送される信号は、工（Ｅｏ ２− Ｅｏ
＋ ）となる。この信号を温度ＫＴ 検出素子１０からの温度信号（１／Ｔ）で除算すると、
（１１）式で表わされる信号ｅｏｕＬが得られる。
ｅｏｕＬ−０１’（Ｅｏ２−Ｅｏｌ ） ｅｌ
）即ち、高圧側と低圧側の静圧センサの出力に比例した
信号電圧を得ることができる。また、以上のように第２
の温度の影響も除算により容易に消去できる。
）即ち、高圧側と低圧側の静圧センサの出力に比例した
信号電圧を得ることができる。また、以上のように第２
の温度の影響も除算により容易に消去できる。
第５図と第６図にバンドギャップエネルギーＥＧの圧力
Ｐによる変化の一例を示す。第５図は黒燐の圧力による
抵抗の変化であり、第６図はＩｎＳｂの圧力による抵抗
の変化である。なお、第５図でａ軸、ａ軸の特性は、ａ
軸、ａ軸に平行な電極を形成した場合のものである。
Ｐによる変化の一例を示す。第５図は黒燐の圧力による
抵抗の変化であり、第６図はＩｎＳｂの圧力による抵抗
の変化である。なお、第５図でａ軸、ａ軸の特性は、ａ
軸、ａ軸に平行な電極を形成した場合のものである。
さて、各種の材料における（＋） 丁のデータを第７図
に示す。
に示す。
ここで、圧力差による抵抗値の差異を簡単に説明する。
まず、次式が成立する。
姐 ／Ｒ−よケ
−「 −ｖ／σ１ｖ櫂ト
静圧センサとして黒燐を用いると、
”ｊｐ” −−２４Ｘ １０− ’ ｅｖ／ ｂａｒＫ
Ｔ −０，０２４５ｅｖ （ａｔ ３００°Ｋ〉従っ
て、 ｔＲ １［／ ｎ＝ −０，０５％、’ｂａｒ・ 例えば、Ｐ
Ｈ−１０１ｂａｒ 、 ＰＬ −１００ｂａｒの場合は
、抵抗の変化はΔＲ２／Ｒ２−−５，０５％ΔＲ＋ ／
Ｒ＋ −−５，００％となり、両者の差は、充分精度良
く検出できる値である。
Ｔ −０，０２４５ｅｖ （ａｔ ３００°Ｋ〉従っ
て、 ｔＲ １［／ ｎ＝ −０，０５％、’ｂａｒ・ 例えば、Ｐ
Ｈ−１０１ｂａｒ 、 ＰＬ −１００ｂａｒの場合は
、抵抗の変化はΔＲ２／Ｒ２−−５，０５％ΔＲ＋ ／
Ｒ＋ −−５，００％となり、両者の差は、充分精度良
く検出できる値である。
第８図は、本発明の別の実施例を示す図である。
第８図が第１図と異なる点は、第１図ではシールダイア
フラムを有し、直接測定対象の流体が静圧センサに触れ
ないような構成としているが、第８図においては、シー
ルダイアフラムを除去し、直接測定対象の流体が静圧セ
ンサに触れるように構成している点である。
フラムを有し、直接測定対象の流体が静圧センサに触れ
ないような構成としているが、第８図においては、シー
ルダイアフラムを除去し、直接測定対象の流体が静圧セ
ンサに触れるように構成している点である。
なお、以上では、温度検出素子１０をパイプの仕切り部
に配置したが、静圧センサと一体化した構成にしても良
い。
に配置したが、静圧センサと一体化した構成にしても良
い。
また、第１図及び第８図の構成によれば、過大圧力ＰＨ
，ＰＬが差圧伝送器に印加されても低圧室や高圧室は堅
固なボディ５の壁に囲まれているため、その内部に配置
された静圧センサ６．７には何等損傷を与えるような外
力は加わらない。従って、第１図、第８図の構成によれ
ば、特に過大圧保護機構を備えなくても良い。
，ＰＬが差圧伝送器に印加されても低圧室や高圧室は堅
固なボディ５の壁に囲まれているため、その内部に配置
された静圧センサ６．７には何等損傷を与えるような外
力は加わらない。従って、第１図、第８図の構成によれ
ば、特に過大圧保護機構を備えなくても良い。
ハ、「本発明の効果」
以上述べたように、本発明によれば、次の効果が得られ
る。
る。
■ 過大圧保護機構を備えなくても良い差圧伝送器を実
現できる。
現できる。
■ 差圧信号の他に静圧、温度信号が得られる。
更にマイクロプロセッサによる補正を行なえば、高精度
の差圧伝送器を実現できる。
の差圧伝送器を実現できる。
第１図は本発明に係る差圧伝送器の要部構成例を示した
図、 第２図は第１図で示した各リード線６ ＋ ＋
７ ＋ 、１０＋が接続される電気回路図、第３図はオ
リフィスを使用した流量の一般的な計測手段を示す図、
第４図は過大圧保護機構を設番ノだ差圧伝送器の構成
例を示した図、 第５図と第６図はバンドギャップエネ
ルギーＥｏの圧力Ｐによる変化の一例を示す図、 第７
図は各種の材料における（＋） 、のデータを示す図、
第８図は本発明の別の実施例を示す図である。 １．２・・・シールダイアフラム、３・・・低圧室、４
・・・高圧室、５・・・ボディ、６，７・・・静圧セン
サ、８゜９・・・ハーメチックシール部、１０・・・温
度検出素子、６１．７＋、１ｏＩ・・・リード線、Ｒ＋
、Ｒ２−抵抗、Ｕ・・・増幅器、Ｃ・・・対数変換器、
Ｄ・・・除算器、Ｆ・・・加算器。 区 ■ ΔＲ／Ｒ（’／、）
図、 第２図は第１図で示した各リード線６ ＋ ＋
７ ＋ 、１０＋が接続される電気回路図、第３図はオ
リフィスを使用した流量の一般的な計測手段を示す図、
第４図は過大圧保護機構を設番ノだ差圧伝送器の構成
例を示した図、 第５図と第６図はバンドギャップエネ
ルギーＥｏの圧力Ｐによる変化の一例を示す図、 第７
図は各種の材料における（＋） 、のデータを示す図、
第８図は本発明の別の実施例を示す図である。 １．２・・・シールダイアフラム、３・・・低圧室、４
・・・高圧室、５・・・ボディ、６，７・・・静圧セン
サ、８゜９・・・ハーメチックシール部、１０・・・温
度検出素子、６１．７＋、１ｏＩ・・・リード線、Ｒ＋
、Ｒ２−抵抗、Ｕ・・・増幅器、Ｃ・・・対数変換器、
Ｄ・・・除算器、Ｆ・・・加算器。 区 ■ ΔＲ／Ｒ（’／、）
Claims (2)
- （１）測定対象の流体の圧力が導かれる低圧室と高圧室
を有する手段と、 この低圧室内と高圧室内にそれぞれ配置され、静水圧に
対応して抵抗が変化する特性を有する半導体材料からな
る静圧センサと、 前記静圧センサの抵抗の変化を演算し、低圧室と高圧室
との差圧に対応した信号を得る手段とを備えた差圧伝送
器。 - （２）前記各静圧センサの温度を検出する温度検出素子
を差圧伝送器に設け、これにより、温度変化による抵抗
の変化を補正するようにした特許請求の範囲第１項記載
の差圧伝送器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8112385A JPS61239135A (ja) | 1985-04-16 | 1985-04-16 | 差圧伝送器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8112385A JPS61239135A (ja) | 1985-04-16 | 1985-04-16 | 差圧伝送器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61239135A true JPS61239135A (ja) | 1986-10-24 |
| JPH0556458B2 JPH0556458B2 (ja) | 1993-08-19 |
Family
ID=13737610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8112385A Granted JPS61239135A (ja) | 1985-04-16 | 1985-04-16 | 差圧伝送器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61239135A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5461975A (en) * | 1977-10-26 | 1979-05-18 | Hitachi Ltd | Detector of differential pressure, pressure and load |
| JPS54118887U (ja) * | 1978-02-09 | 1979-08-20 | ||
| JPS55112233U (ja) * | 1979-01-31 | 1980-08-07 | ||
| JPS5967433A (ja) * | 1982-10-12 | 1984-04-17 | Tohoku Metal Ind Ltd | 温度圧力検出装置 |
-
1985
- 1985-04-16 JP JP8112385A patent/JPS61239135A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5461975A (en) * | 1977-10-26 | 1979-05-18 | Hitachi Ltd | Detector of differential pressure, pressure and load |
| JPS54118887U (ja) * | 1978-02-09 | 1979-08-20 | ||
| JPS55112233U (ja) * | 1979-01-31 | 1980-08-07 | ||
| JPS5967433A (ja) * | 1982-10-12 | 1984-04-17 | Tohoku Metal Ind Ltd | 温度圧力検出装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0556458B2 (ja) | 1993-08-19 |
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