JPS61239721A - 昇圧回路 - Google Patents
昇圧回路Info
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- JPS61239721A JPS61239721A JP60077547A JP7754785A JPS61239721A JP S61239721 A JPS61239721 A JP S61239721A JP 60077547 A JP60077547 A JP 60077547A JP 7754785 A JP7754785 A JP 7754785A JP S61239721 A JPS61239721 A JP S61239721A
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- Japan
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- capacitor
- output
- high voltage
- clock signal
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
- G11C8/08—Word line control circuits, e.g. drivers, boosters, pull-up circuits, pull-down circuits, precharging circuits, for word lines
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Electronic Switches (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、電子機器にクロック信号を供給する電源の昇
圧回路に於いて、第1のドライバの出力でキャパシタの
一端の電位を押し上げて高圧を発生させ、その高圧出力
を第2のドライバを介して出力端に送出すると共に該出
力端と電源ラインとの間に電荷補給用トランジスタを介
挿し前記高圧と同期して該電源ラインからも電圧を供給
するごとに依り、より一層の高圧クロック信号を得られ
るように、或いは、前記キャパシタを小型化することが
できるようにしたものである。
圧回路に於いて、第1のドライバの出力でキャパシタの
一端の電位を押し上げて高圧を発生させ、その高圧出力
を第2のドライバを介して出力端に送出すると共に該出
力端と電源ラインとの間に電荷補給用トランジスタを介
挿し前記高圧と同期して該電源ラインからも電圧を供給
するごとに依り、より一層の高圧クロック信号を得られ
るように、或いは、前記キャパシタを小型化することが
できるようにしたものである。
本発明は、例えば半導体記憶装置など電子機器にクロッ
ク信号を供給する電源に於ける昇圧回路の改良に関する
。
ク信号を供給する電源に於ける昇圧回路の改良に関する
。
従来、例えば半導体記憶装置に於けるワード線にクロッ
ク信号を供給するには、同一形式の二つのドライバ及び
キャパシタを用いて電源電圧以上の高い電圧を得ている
。
ク信号を供給するには、同一形式の二つのドライバ及び
キャパシタを用いて電源電圧以上の高い電圧を得ている
。
第3図は従来例を解説する為の要部回路説明図である。
図に於いて、DI及びD2は同一形式のドライバ、Cは
高圧発生用キャパシタ、φ及びRはクロック信号、OT
は出力端、V e Cは正側電源レベル、N1はノード
をそれぞれ示している。
高圧発生用キャパシタ、φ及びRはクロック信号、OT
は出力端、V e Cは正側電源レベル、N1はノード
をそれぞれ示している。
この従来例に於いては、ドライバD1及びD2はクロッ
ク信号φ及びRで駆動されるようになっている。
ク信号φ及びRで駆動されるようになっている。
ドライバD2が動作するのと同時、または、それ以前に
ドライバD1でキャパシタCの一端に於ける電位を押し
上げてノードN1に高圧を発生させる。
ドライバD1でキャパシタCの一端に於ける電位を押し
上げてノードN1に高圧を発生させる。
この場合、キャパシタCが高圧の電源のような働きをし
て、その電荷をドライバD2に依って出力端OTに送出
し、高圧のクロック信号を得るようにしている。
て、その電荷をドライバD2に依って出力端OTに送出
し、高圧のクロック信号を得るようにしている。
第3図に見られる従来例に於いては、キャパシタCに蓄
積された電荷が出力の全てであり、従って、小型化或い
は高集積化或いは高密度化などの要求からキャパシタC
の面積を小さくすると出力電圧は低下することになり、
また、より以上の高′ 圧を得る為にはキャパ
シタCの面積を大きくする必要がある。
積された電荷が出力の全てであり、従って、小型化或い
は高集積化或いは高密度化などの要求からキャパシタC
の面積を小さくすると出力電圧は低下することになり、
また、より以上の高′ 圧を得る為にはキャパ
シタCの面積を大きくする必要がある。
本発明は、回路に極めて簡単な改変を施すことに依り、
第3図に見られる従来例と比較して、キャパシタCの面
積が同一であれば更に高圧を発生させることができるよ
うに、また、発生させる電圧が同一であればキャパシタ
Cを小型のものにすることができるようにする。
第3図に見られる従来例と比較して、キャパシタCの面
積が同一であれば更に高圧を発生させることができるよ
うに、また、発生させる電圧が同一であればキャパシタ
Cを小型のものにすることができるようにする。
本発明一実施例を解説する為の図である第1図及び第2
図を借りて説明する。
図を借りて説明する。
本発明の昇圧回路では、クロック信号φが入力されて動
作する第1のドライバDIと、該第1のドライバD1の
出力で一端の電位が上昇せしめられて高圧を発生するキ
ャパシタCと、該キャパシタCの他端から得られる高圧
をクロック信号φとして出力する第2のドライバD2と
、該第2のドライバD2の出力端OT及び電源ラインの
間に接続され且つ前記第1及び第2のドライバDI及び
D2にクロック信号φに依って同期して駆動される電荷
補給用トランジスタQとを存してなる構成を採っている
。
作する第1のドライバDIと、該第1のドライバD1の
出力で一端の電位が上昇せしめられて高圧を発生するキ
ャパシタCと、該キャパシタCの他端から得られる高圧
をクロック信号φとして出力する第2のドライバD2と
、該第2のドライバD2の出力端OT及び電源ラインの
間に接続され且つ前記第1及び第2のドライバDI及び
D2にクロック信号φに依って同期して駆動される電荷
補給用トランジスタQとを存してなる構成を採っている
。
〔作用]
前記手段に依ると、キャパシタCから出力される高圧は
電荷補給用トランジスタQを介して供給される正側電源
レベルVCCで更に高圧化することができるので、より
高圧のクロック信号を利用したり、或いは、キャパシタ
Cの面積を縮小することが可能である。
電荷補給用トランジスタQを介して供給される正側電源
レベルVCCで更に高圧化することができるので、より
高圧のクロック信号を利用したり、或いは、キャパシタ
Cの面積を縮小することが可能である。
第1図は本発明一実施例の要部回路説明図を表し、第3
図に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは
同じ意味を持つものとする。
図に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは
同じ意味を持つものとする。
図に於シ1て、Qは電荷補給用トランジスタを示してい
る。
る。
第2図は第1図に示した回路の要所に於けるレベルの時
間に対する推移を表す線図であり、第1図に於いて用い
た記号と同記号は同部分に関するレベルの変化を指示し
ている。
間に対する推移を表す線図であり、第1図に於いて用い
た記号と同記号は同部分に関するレベルの変化を指示し
ている。
本実施例に於いて、トランジスタQはドライバD1及び
D2を駆動するクロック信号φがゲートに印加されるよ
うになっているから、それ等ドライバD1及びD2と同
期して動作する。
D2を駆動するクロック信号φがゲートに印加されるよ
うになっているから、それ等ドライバD1及びD2と同
期して動作する。
従って、ドライバD2の出力端OTにキャパシタCから
の高圧出力に依るクロック信号を正側電源レベルV c
cに依って更に高圧化して送出することが可能である。
の高圧出力に依るクロック信号を正側電源レベルV c
cに依って更に高圧化して送出することが可能である。
本実施例に依れば、第3図に関して説明した従来例に比
較すると1かに高圧のクロック信号を送出することがで
き、また、然程の高圧が必要でなければキャパシタCの
容量が少なくても良く、従って、その面積を小さくする
ことができる。
較すると1かに高圧のクロック信号を送出することがで
き、また、然程の高圧が必要でなければキャパシタCの
容量が少なくても良く、従って、その面積を小さくする
ことができる。
尚、第2図に於いては比較の為、トランジスタQが存在
しない場合のノードN1に於けるレベルを一点鎖線で、
また、同じく出力端OTに於けるレベルを破線でそれぞ
れ表している。
しない場合のノードN1に於けるレベルを一点鎖線で、
また、同じく出力端OTに於けるレベルを破線でそれぞ
れ表している。
本発明の昇圧回、路では、従来の昇圧回路に於けるキャ
パシタからの高圧をクロック信号として送出する第2の
ドライバに於ける出力端と電源ラインとの間に電荷補給
用トランジスタを介挿し、その電荷補給用トランジスタ
を第1及び第2のドライバを駆動するクロック信号と同
じそれを以て同期して駆動するようにしている。
パシタからの高圧をクロック信号として送出する第2の
ドライバに於ける出力端と電源ラインとの間に電荷補給
用トランジスタを介挿し、その電荷補給用トランジスタ
を第1及び第2のドライバを駆動するクロック信号と同
じそれを以て同期して駆動するようにしている。
このようにすることに依り、第1のドライバでキャパシ
タに於ける一端の電位が押し上げられることに依り他端
から得られる高圧出力は第2のドライバの出力端に於い
て電荷補給用トランジスタから供給される正側電源レベ
ルに依って更に高圧のクロック信号として送出されるも
のである。
タに於ける一端の電位が押し上げられることに依り他端
から得られる高圧出力は第2のドライバの出力端に於い
て電荷補給用トランジスタから供給される正側電源レベ
ルに依って更に高圧のクロック信号として送出されるも
のである。
従って、従来技術に依る昇圧回路で得られるクロック信
号よりも温かに高圧のそれを供給することが可能であり
、また、然程の高圧を必要としなければ、キャパシタを
小さなもので済ますことができる。
号よりも温かに高圧のそれを供給することが可能であり
、また、然程の高圧を必要としなければ、キャパシタを
小さなもので済ますことができる。
第1図は本発明一実施例の要部回路説明図、第2図は第
1図に見られる回路の要所に於けるレベルの時間に対す
る推移を示す線図、第3図は従来例の要部回路説明図を
それぞれ表している。 図に於いて、Dl及びD2は同一形式のドライバ、Cは
高圧発生用キャパシタ、φ及びRはクロック信号、OT
は出力端、V ccは正側電源レベル、N1はノード、
Qは電荷補給用トランジスタをそれぞれ示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 一 本発明一実施例の要部回路説明図 第1図 要所に於けるレベルの推移を示す線図 第2図 第3図
1図に見られる回路の要所に於けるレベルの時間に対す
る推移を示す線図、第3図は従来例の要部回路説明図を
それぞれ表している。 図に於いて、Dl及びD2は同一形式のドライバ、Cは
高圧発生用キャパシタ、φ及びRはクロック信号、OT
は出力端、V ccは正側電源レベル、N1はノード、
Qは電荷補給用トランジスタをそれぞれ示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 一 本発明一実施例の要部回路説明図 第1図 要所に於けるレベルの推移を示す線図 第2図 第3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 クロック信号が入力されて動作する第1のドライバと、 該第1のドライバの出力で一端の電位が上昇せしめられ
て高圧を発生するキャパシタと、 該キャパシタの他端から得られる高圧をクロック信号と
して出力する第2のドライバと、 該第2のドライバの出力端及び電源ラインの間に接続さ
れ且つ前記第1及び第2のドライバに同期して駆動され
る電荷補給用トランジスタとを有してなることを特徴と
する昇圧回路。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60077547A JP2548908B2 (ja) | 1985-04-13 | 1985-04-13 | 昇圧回路 |
| EP86302714A EP0202025B1 (en) | 1985-04-13 | 1986-04-11 | Booster circuit |
| US06/850,330 US4704706A (en) | 1985-04-13 | 1986-04-11 | Booster circuit |
| DE8686302714T DE3672683D1 (de) | 1985-04-13 | 1986-04-11 | Spannungserhoeherschaltung. |
| KR8602786A KR900001818B1 (en) | 1985-04-13 | 1986-04-12 | Booster circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60077547A JP2548908B2 (ja) | 1985-04-13 | 1985-04-13 | 昇圧回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61239721A true JPS61239721A (ja) | 1986-10-25 |
| JP2548908B2 JP2548908B2 (ja) | 1996-10-30 |
Family
ID=13637035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60077547A Expired - Lifetime JP2548908B2 (ja) | 1985-04-13 | 1985-04-13 | 昇圧回路 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4704706A (ja) |
| EP (1) | EP0202025B1 (ja) |
| JP (1) | JP2548908B2 (ja) |
| KR (1) | KR900001818B1 (ja) |
| DE (1) | DE3672683D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63257325A (ja) * | 1987-04-14 | 1988-10-25 | Mitsubishi Electric Corp | 昇圧信号発生回路 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62239399A (ja) * | 1986-04-09 | 1987-10-20 | Nec Corp | 信号発生装置 |
| JPS6437797A (en) * | 1987-08-03 | 1989-02-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | Eprom device |
| JP2607733B2 (ja) * | 1990-05-31 | 1997-05-07 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置の昇圧回路 |
| US5075571A (en) * | 1991-01-02 | 1991-12-24 | International Business Machines Corp. | PMOS wordline boost cricuit for DRAM |
| KR940004516B1 (ko) * | 1991-08-14 | 1994-05-25 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 메모리의 고속 센싱장치 |
| US5255224A (en) * | 1991-12-18 | 1993-10-19 | International Business Machines Corporation | Boosted drive system for master/local word line memory architecture |
| JPH0684354A (ja) * | 1992-05-26 | 1994-03-25 | Nec Corp | 行デコーダ回路 |
| JP2806717B2 (ja) * | 1992-10-28 | 1998-09-30 | 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 | チャージポンプ回路 |
| KR0157334B1 (ko) * | 1993-11-17 | 1998-10-15 | 김광호 | 반도체 메모리 장치의 전압 승압회로 |
| GB9423035D0 (en) * | 1994-11-15 | 1995-01-04 | Sgs Thomson Microelectronics | Voltage boost circuit for a memory device |
| US5946204A (en) * | 1997-12-15 | 1999-08-31 | Pericom Semiconductor Corp. | Voltage booster with reduced Vpp current and self-timed control loop without pulse generator |
| US5847946A (en) * | 1997-12-15 | 1998-12-08 | Pericom Semiconductor Corp. | Voltage booster with pulsed initial charging and delayed capacitive boost using charge-pumped delay line |
| JP3726041B2 (ja) * | 2001-07-24 | 2005-12-14 | エルピーダメモリ株式会社 | 昇圧回路およびその駆動方法 |
| JP4808995B2 (ja) * | 2005-05-24 | 2011-11-02 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体回路装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3976892A (en) * | 1974-07-01 | 1976-08-24 | Motorola, Inc. | Pre-conditioning circuits for MOS integrated circuits |
| JPS5693422A (en) * | 1979-12-05 | 1981-07-29 | Fujitsu Ltd | Level-up circuit |
| JPS57106228A (en) * | 1980-12-24 | 1982-07-02 | Fujitsu Ltd | Semiconductor circuit |
| JPS595488A (ja) * | 1982-07-01 | 1984-01-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| US4521701A (en) * | 1982-09-16 | 1985-06-04 | Texas Instruments Incorporated | High-speed low-power delayed clock generator |
-
1985
- 1985-04-13 JP JP60077547A patent/JP2548908B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-04-11 US US06/850,330 patent/US4704706A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-04-11 DE DE8686302714T patent/DE3672683D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-04-11 EP EP86302714A patent/EP0202025B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-04-12 KR KR8602786A patent/KR900001818B1/ko not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63257325A (ja) * | 1987-04-14 | 1988-10-25 | Mitsubishi Electric Corp | 昇圧信号発生回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4704706A (en) | 1987-11-03 |
| DE3672683D1 (de) | 1990-08-23 |
| EP0202025A2 (en) | 1986-11-20 |
| EP0202025A3 (en) | 1988-08-03 |
| KR860008561A (ko) | 1986-11-17 |
| JP2548908B2 (ja) | 1996-10-30 |
| KR900001818B1 (en) | 1990-03-24 |
| EP0202025B1 (en) | 1990-07-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |