JPS61242999A - 炭化珪素単結晶基板の製造方法 - Google Patents
炭化珪素単結晶基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS61242999A JPS61242999A JP60084236A JP8423685A JPS61242999A JP S61242999 A JPS61242999 A JP S61242999A JP 60084236 A JP60084236 A JP 60084236A JP 8423685 A JP8423685 A JP 8423685A JP S61242999 A JPS61242999 A JP S61242999A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- single crystal
- carbide single
- silicon
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は炭化珪素（ＳｉＣ）の単結晶基板を製造する方
法に関するものであり、特に大面積の炭化珪素単結晶基
板を作製する場合に生ずる内部応力をホウ素の微量添加
により緩和してそりやひび割れ等のない炭化珪素単結晶
を成長させる技術に関するものである。
法に関するものであり、特に大面積の炭化珪素単結晶基
板を作製する場合に生ずる内部応力をホウ素の微量添加
により緩和してそりやひび割れ等のない炭化珪素単結晶
を成長させる技術に関するものである。
〈従来技術〉
珪素（Ｓｔ）半導体を初めとして、砒化ガリウム（Ｇａ
Ａｓ）やリン化ガリウム（ＧａＰ）等の化合物半導体材
料を用いたダイオード、トランジスタ。
Ａｓ）やリン化ガリウム（ＧａＰ）等の化合物半導体材
料を用いたダイオード、トランジスタ。
ＩＣ，ＬＳ１．発光ダイオード、半導体レーザ。
ＣＯＤ等の半導体素子がエレクトロニクスの各種分野で
広く実用に供せられている。一方、炭化珪素半導体はこ
れらの半導体材料に比べて禁制帯幅が広く（２２〜＆３
ｅＶ）また熱的、化学的及び機械的に極めて安定で、放
射線損傷にも強いという特徴をもっている。従って、炭
化珪素を用いた半導体素子は他の半導体材料を用いた素
子では使用困難な高温、大電力、放射線照射等の苛酷な
条件下で使用することができ、高い信頼性と安定性を呈
する素子として広範な分野での応用が期待される。
広く実用に供せられている。一方、炭化珪素半導体はこ
れらの半導体材料に比べて禁制帯幅が広く（２２〜＆３
ｅＶ）また熱的、化学的及び機械的に極めて安定で、放
射線損傷にも強いという特徴をもっている。従って、炭
化珪素を用いた半導体素子は他の半導体材料を用いた素
子では使用困難な高温、大電力、放射線照射等の苛酷な
条件下で使用することができ、高い信頼性と安定性を呈
する素子として広範な分野での応用が期待される。
このように炭化珪素半導体素子は広範な応用分野が期待
されながら未だ実用化が阻まれている原因は、生産性を
考慮した工業的規模での量産に必要となる高品質で大面
積の炭化珪素単結晶を得るための結晶成長技術の確立が
遅れていることにある。従来、研究室規模で、昇華再結
晶法（レーリー法とも称される）等により成長させた炭
化珪素単結晶を用いであるいはこの単結晶上に気相成長
法や液相成長法でエピタキシャル成長させた炭化珪素単
結晶膜を用いてダイオードやトランジスタを製作するこ
とが試みられている。この技術はＲ，Ｂ 、Ｃａｍｐｂ
ｅｌｌ ａｎｄ Ｈ−−ＣｌＣｈａｎｇ。
されながら未だ実用化が阻まれている原因は、生産性を
考慮した工業的規模での量産に必要となる高品質で大面
積の炭化珪素単結晶を得るための結晶成長技術の確立が
遅れていることにある。従来、研究室規模で、昇華再結
晶法（レーリー法とも称される）等により成長させた炭
化珪素単結晶を用いであるいはこの単結晶上に気相成長
法や液相成長法でエピタキシャル成長させた炭化珪素単
結晶膜を用いてダイオードやトランジスタを製作するこ
とが試みられている。この技術はＲ，Ｂ 、Ｃａｍｐｂ
ｅｌｌ ａｎｄ Ｈ−−ＣｌＣｈａｎｇ。
”５ｉｌｉｃｏｎ Ｃａｒｂｉｄｅ Ｊｕｎｃｔｉｏ
ｎＤｅｖｉｃｅｓ” 、ｉｎ ”５ｅｒｎｉｃｏｎｄ
ｕｃｔｏｒｓ ａｎｄＳｅｍｆｍｅｔａｌｓ”＃ｅｄｓ
、Ｒ，に、Ｗｉｌｌａｒｄｓｏｎａｎｄ Ａ−Ｃ−Ｂｅ
ｅｒ（Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ。
ｎＤｅｖｉｃｅｓ” 、ｉｎ ”５ｅｒｎｉｃｏｎｄ
ｕｃｔｏｒｓ ａｎｄＳｅｍｆｍｅｔａｌｓ”＃ｅｄｓ
、Ｒ，に、Ｗｉｌｌａｒｄｓｏｎａｎｄ Ａ−Ｃ−Ｂｅ
ｅｒ（Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ。
Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ、１９７１）ｖｏｗ ７．Ｐａｒｔ
ＢＣｈａｐ ９．Ｐ６２５〜Ｐ６８３ に記載
されている。
ＢＣｈａｐ ９．Ｐ６２５〜Ｐ６８３ に記載
されている。
しかしながらこれによって作製された単結晶は小面積の
ものしか得られず、また、寸法、形状を制御することが
困難であり、炭化珪素結晶に存在する結晶多形の制御及
び不純物濃度の制御も容易でなく、従ってこれらの炭化
珪素単結晶を用いて半導体素子を製造する技術は工業的
規模での実用的製造方法にはほど遠い。
ものしか得られず、また、寸法、形状を制御することが
困難であり、炭化珪素結晶に存在する結晶多形の制御及
び不純物濃度の制御も容易でなく、従ってこれらの炭化
珪素単結晶を用いて半導体素子を製造する技術は工業的
規模での実用的製造方法にはほど遠い。
最近、本発明者らは、珪素単結晶基板上に気相成長法（
ＣＶＤ法）で良質の大面積炭化珪素単結晶を成長させる
方法を確立し、特願昭５８−７６８４２号にて出願して
いる。この方法は珪素単結晶基板上に低温ＣＶＤ法で炭
化珪素薄膜を形成した後昇温してＣＶＤ法で炭化珪素単
結晶を成長させる技術であり、安価で入手の容易な珪素
単結晶基板を用いて結晶多形、不純物濃度１寸法。
ＣＶＤ法）で良質の大面積炭化珪素単結晶を成長させる
方法を確立し、特願昭５８−７６８４２号にて出願して
いる。この方法は珪素単結晶基板上に低温ＣＶＤ法で炭
化珪素薄膜を形成した後昇温してＣＶＤ法で炭化珪素単
結晶を成長させる技術であり、安価で入手の容易な珪素
単結晶基板を用いて結晶多形、不純物濃度１寸法。
形状等が制御された大面積で高品質の炭化珪素単結晶膜
を供給することができるとともに貴意形態にも適し、高
い生産性が期待される製造方法である。さらに、上記発
明により可能となった珪素基板上の炭化珪素膜を用いて
ダイオード、トランジスタを初めとする各種半導体素子
を製作する方法についても特許出願がなされている（特
願昭５８−２４６５１１号、同５ｇ−２４９９８１号、
同５８−２５２１５７号）。
を供給することができるとともに貴意形態にも適し、高
い生産性が期待される製造方法である。さらに、上記発
明により可能となった珪素基板上の炭化珪素膜を用いて
ダイオード、トランジスタを初めとする各種半導体素子
を製作する方法についても特許出願がなされている（特
願昭５８−２４６５１１号、同５ｇ−２４９９８１号、
同５８−２５２１５７号）。
上記発明で得た珪素基板上の炭化珪素膜を各種用途に使
用する場合、炭化珪素膜にそりやひび割れがあると実用
的見地から好ましくなく、その利用範囲も非常に限定さ
れたものとなる。従って、作製される炭化珪素膜にはそ
りやひび割れ等が生じないように管理することが必要と
なるが、珪素と炭化珪素の格子定数Ｃ単位結晶格子の大
きさ）には２０％もの相違があり、また熱膨張係数も異
なるため、珪素基板上に作製される炭化珪素膜には特に
大面積のものにおいて反りやひび割れが生じ易い傾向に
あり、充分なる信頼性は確保されていないというのが実
情である。
用する場合、炭化珪素膜にそりやひび割れがあると実用
的見地から好ましくなく、その利用範囲も非常に限定さ
れたものとなる。従って、作製される炭化珪素膜にはそ
りやひび割れ等が生じないように管理することが必要と
なるが、珪素と炭化珪素の格子定数Ｃ単位結晶格子の大
きさ）には２０％もの相違があり、また熱膨張係数も異
なるため、珪素基板上に作製される炭化珪素膜には特に
大面積のものにおいて反りやひび割れが生じ易い傾向に
あり、充分なる信頼性は確保されていないというのが実
情である。
〈発明の目的〉
本発明は上述の問題点に鑑み、珪素単結晶基板上にＣＶ
Ｄ法により炭化珪素単結晶を製造する過程において、ボ
ロン田）元素を応力緩和材として利用することにより、
反りやひび割れのない炭化珪素単結晶膜を得ることので
きる製造方法を提供することを目的とする。
Ｄ法により炭化珪素単結晶を製造する過程において、ボ
ロン田）元素を応力緩和材として利用することにより、
反りやひび割れのない炭化珪素単結晶膜を得ることので
きる製造方法を提供することを目的とする。
〈実施例〉
本発明は珪素基板上にＣＶＤ法で炭化珪素単結晶を結晶
成長する場合において、ホウ素（６）不純物を結晶成長
中に添加することにより、反りやひび割れのない炭化珪
素単結晶膜を得るもので、次に実施例を挙げて詳細に説
明する。
成長する場合において、ホウ素（６）不純物を結晶成長
中に添加することにより、反りやひび割れのない炭化珪
素単結晶膜を得るもので、次に実施例を挙げて詳細に説
明する。
添付図面は以下の実施例に用いられる成長装置の構成図
である。水冷式横型二重石英反応管ｌ内に、黒鉛製試料
台２が載置された石英製支持台３を設置し、反応管ｌの
外胴部に巻回されたワークコイル４に高周波電流を流し
てこの試料台２を誘導加熱する。試料台２は水平に設置
してもよく、適当に傾斜させてもよい。反応管ｌの片端
には、ガス流入口となる枝管５が設けられ、二重石英反
応管ｌの外側の石英管内には枝管６．７を介して冷却水
が供給される。反応管１の他端はステンレス鋼製の７ラ
ンジ８で閉塞されかつフランジ周縁に配設された止め板
９．ボルト１０．ナツ）１１゜０−リング１２にてシー
ルされている。フランジ８の中央にはガスの出口となる
枝管１３が設けら九ている。この成長装置を用いて以下
の様に結晶成長を行なった。
である。水冷式横型二重石英反応管ｌ内に、黒鉛製試料
台２が載置された石英製支持台３を設置し、反応管ｌの
外胴部に巻回されたワークコイル４に高周波電流を流し
てこの試料台２を誘導加熱する。試料台２は水平に設置
してもよく、適当に傾斜させてもよい。反応管ｌの片端
には、ガス流入口となる枝管５が設けられ、二重石英反
応管ｌの外側の石英管内には枝管６．７を介して冷却水
が供給される。反応管１の他端はステンレス鋼製の７ラ
ンジ８で閉塞されかつフランジ周縁に配設された止め板
９．ボルト１０．ナツ）１１゜０−リング１２にてシー
ルされている。フランジ８の中央にはガスの出口となる
枝管１３が設けら九ている。この成長装置を用いて以下
の様に結晶成長を行なった。
試料台２上に珪素単結晶基板１４（大きさ１５輯Ｘｉ
５ｆｉ）を載置する、ワークコイル４に高周波電流を流
して黒鉛製試料台２を加熱し、珪素基板１４の温度を９
００〜１２００℃とする。原料ガスとしてモノシラン（
ＳｉＨｉ）ガスとプロパン（Ｃ３Ｈ８） ガスを毎分
αｌ〜０５ｃｃ、 キャリアガスとして水素（Ｈ２）
ガスを毎分１〜５１！、枝管５より数分間供給し、珪素
単結晶基ａ４上に極ぐ薄い炭化珪素膜を成長させる。
５ｆｉ）を載置する、ワークコイル４に高周波電流を流
して黒鉛製試料台２を加熱し、珪素基板１４の温度を９
００〜１２００℃とする。原料ガスとしてモノシラン（
ＳｉＨｉ）ガスとプロパン（Ｃ３Ｈ８） ガスを毎分
αｌ〜０５ｃｃ、 キャリアガスとして水素（Ｈ２）
ガスを毎分１〜５１！、枝管５より数分間供給し、珪素
単結晶基ａ４上に極ぐ薄い炭化珪素膜を成長させる。
次に原料ガスの供給を絶ち、ワークコイル４に流す高周
波電流を増加して珪素単結晶基板１４の温度を１３００
−１４００℃に昇温し、毎分α０５〜α３ｃｃの流量の
モノシランガスおよびプロパンガスと、ホウ素の）添加
用ガスとして毎分αｏＯ５〜α０５ｃｃの流量のジボラ
ン（Ｂ２Ｈ６）ガスを、毎分１〜５１の流量の水素キャ
リアガスとともに流し、極ぐ薄い炭化珪素膜の付いた珪
素基板１４上にＣＶＤ法で炭化珪素を成長させる。
波電流を増加して珪素単結晶基板１４の温度を１３００
−１４００℃に昇温し、毎分α０５〜α３ｃｃの流量の
モノシランガスおよびプロパンガスと、ホウ素の）添加
用ガスとして毎分αｏＯ５〜α０５ｃｃの流量のジボラ
ン（Ｂ２Ｈ６）ガスを、毎分１〜５１の流量の水素キャ
リアガスとともに流し、極ぐ薄い炭化珪素膜の付いた珪
素基板１４上にＣＶＤ法で炭化珪素を成長させる。
１時間の成長で反りやひび割れのない厚さ０５〜３）ｔ
ｍの炭化珪素単結晶膜が得られた。モノシランとプロパ
ンからなる原料ガスを供給することにより、珪素単結晶
基板１４上に炭化珪素の単結晶膜が堆積するが、微量の
ジボランを同時に流すごとにより炭化珪素単結晶膜中に
ホウ素が不純物として添加される・ホウ素は原子半径の
小さい元素であり、炭化珪素単結晶膜中に添加される場
合、その多くは侵入型原子として拡散導入され、応力に
対して炭化珪素の結晶格子を適当に歪ませる等して炭化
珪素膜に反りやひび割れを生じさせることなく応力を緩
和する作用を呈する。ホウ素は多量に添加すると炭化珪
素単結晶層が高抵抗化するので添加量は微量に制御設定
する。侵入型の拡散原子が微量であれば母体結晶の電気
的性質はほとんど変化しない。
ｍの炭化珪素単結晶膜が得られた。モノシランとプロパ
ンからなる原料ガスを供給することにより、珪素単結晶
基板１４上に炭化珪素の単結晶膜が堆積するが、微量の
ジボランを同時に流すごとにより炭化珪素単結晶膜中に
ホウ素が不純物として添加される・ホウ素は原子半径の
小さい元素であり、炭化珪素単結晶膜中に添加される場
合、その多くは侵入型原子として拡散導入され、応力に
対して炭化珪素の結晶格子を適当に歪ませる等して炭化
珪素膜に反りやひび割れを生じさせることなく応力を緩
和する作用を呈する。ホウ素は多量に添加すると炭化珪
素単結晶層が高抵抗化するので添加量は微量に制御設定
する。侵入型の拡散原子が微量であれば母体結晶の電気
的性質はほとんど変化しない。
尚以上の実施例においては、原料ガスとしてモノシラン
■ｉ Ｈ４）及びプロパン（ＣａＨａ）を用いたが他の
原料ガスを用いてもよい。またキャリアガスとしてはＨ
２ガスを用いたが、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス
あるいは他のガスでもよい。
■ｉ Ｈ４）及びプロパン（ＣａＨａ）を用いたが他の
原料ガスを用いてもよい。またキャリアガスとしてはＨ
２ガスを用いたが、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス
あるいは他のガスでもよい。
また、ホウ素不純物ガスもジボラン（Ｂ２Ｈ６）以外の
ホウ素不純物を含むガスを用いてもよい・ＣＶＤ成長法
としては常圧ＣＶＤ法を用いたが減圧ＣＶＤ法を用いる
こともできる。
ホウ素不純物を含むガスを用いてもよい・ＣＶＤ成長法
としては常圧ＣＶＤ法を用いたが減圧ＣＶＤ法を用いる
こともできる。
〈発明の効果〉
本発明を用いれば、結晶性１表面平坦性を損うことなく
反りやひび割れのない大面積の炭化珪素単結晶基板を製
造することが可能となる。このため、炭化珪素材料を用
いた半導体素子を工業的規模で実用化させる場合に極め
て有用である。
反りやひび割れのない大面積の炭化珪素単結晶基板を製
造することが可能となる。このため、炭化珪素材料を用
いた半導体素子を工業的規模で実用化させる場合に極め
て有用である。
添付図面は本発明の１実施例の説明に供する成長装置の
構成図である。 １・・・反応管、 ２・・・試料台、 ３・・・支持台
、４・・・ワークコイル、 ５ 、６ 、７ 、１３
−・・枝管、８・・・７ランジ、 １４・・・珪素単結
晶基板。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）ｌ／
９
構成図である。 １・・・反応管、 ２・・・試料台、 ３・・・支持台
、４・・・ワークコイル、 ５ 、６ 、７ 、１３
−・・枝管、８・・・７ランジ、 １４・・・珪素単結
晶基板。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）ｌ／
９
Claims (1)
- １、珪素基板上に気相成長法により炭化珪素の単結晶を
形成する過程で、微量のホウ素を応力緩和材として、前
記単結晶中に添加することを特徴とする炭化珪素単結晶
基板の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60084236A JPS61242999A (ja) | 1985-04-18 | 1985-04-18 | 炭化珪素単結晶基板の製造方法 |
| DE19863613047 DE3613047A1 (de) | 1985-04-18 | 1986-04-17 | Verfahren zur herstellung eines sic-einkristall-substrats |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60084236A JPS61242999A (ja) | 1985-04-18 | 1985-04-18 | 炭化珪素単結晶基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61242999A true JPS61242999A (ja) | 1986-10-29 |
Family
ID=13824834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60084236A Pending JPS61242999A (ja) | 1985-04-18 | 1985-04-18 | 炭化珪素単結晶基板の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61242999A (ja) |
| DE (1) | DE3613047A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62213251A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-19 | Fujitsu Ltd | ＳｉＣ半導体膜の形成方法 |
| JP2005508821A (ja) * | 2001-05-25 | 2005-04-07 | クリー インコーポレイテッド | バナジウム優位でない半導体炭化ケイ素 |
-
1985
- 1985-04-18 JP JP60084236A patent/JPS61242999A/ja active Pending
-
1986
- 1986-04-17 DE DE19863613047 patent/DE3613047A1/de not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62213251A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-19 | Fujitsu Ltd | ＳｉＣ半導体膜の形成方法 |
| JP2005508821A (ja) * | 2001-05-25 | 2005-04-07 | クリー インコーポレイテッド | バナジウム優位でない半導体炭化ケイ素 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3613047A1 (de) | 1986-11-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59203799A (ja) | 炭化珪素単結晶基板の製造方法 | |
| US5230768A (en) | Method for the production of SiC single crystals by using a specific substrate crystal orientation | |
| JPS60145992A (ja) | 炭化珪素単結晶基板の製造方法 | |
| JPS5820151B2 (ja) | ハツコウダイオ−ドノセイゾウホウホウ | |
| JP3237069B2 (ja) | ＳｉＣ単結晶の製造方法 | |
| KR102177385B1 (ko) | GaN 웨이퍼 제조용 HVPE 장치 및 그에 의한 GaN 웨이퍼 제조 방법 | |
| JPH04193799A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| JP3206375B2 (ja) | 単結晶薄膜の製造方法 | |
| WO2015067029A1 (zh) | 一种制备氮化硼单晶的装置及方法 | |
| JP2017154953A (ja) | 炭化珪素単結晶製造装置 | |
| JPS6120514B2 (ja) | ||
| JPH02180796A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| JPS61291495A (ja) | 炭化珪素単結晶基板の製造方法 | |
| JPS63283014A (ja) | 炭化珪素半導体素子 | |
| JPS63277596A (ja) | 炭化珪素単結晶の成長方法 | |
| JPH0416597A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| JPH0443878B2 (ja) | ||
| JPS6230699A (ja) | 炭化珪素単結晶基板の製造方法 | |
| JPS6045159B2 (ja) | 炭化珪素結晶層の製造方法 | |
| JPS60264399A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| Gao et al. | Research on the Key Problems in the Industrialization of SiC Substrate Materials | |
| JPS5838400B2 (ja) | 炭化珪素結晶層の製造方法 | |
| JPS6115150B2 (ja) | ||
| JPH0327515B2 (ja) | ||
| JPH0364480B2 (ja) |