JPS61244104A - 発振回路 - Google Patents
発振回路Info
- Publication number
- JPS61244104A JPS61244104A JP8581085A JP8581085A JPS61244104A JP S61244104 A JPS61244104 A JP S61244104A JP 8581085 A JP8581085 A JP 8581085A JP 8581085 A JP8581085 A JP 8581085A JP S61244104 A JPS61244104 A JP S61244104A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- base
- emitter
- circuit
- oscillation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 title claims abstract description 18
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路に適した発振回路に関するもの
である。
である。
発振回路の従来例として、無調整水晶発振回路を例にと
って第2図に示す。トランジスタ12のコレクタは電源
端子19に接続され、エミッタは負荷抵抗13を介して
接地されている。トランジスタ12のベースと接地間に
はコンデンサ14と15とが直列接続され、これらコン
デンサ14と15との接続点がトランジスタ12のエミ
ッタに帰還されている。更に、トランジスタ12のベー
スと接地間にはベース直流バイアスを供給する電源18
とともにコンデンサ16と水晶振動子17との直列回路
が接続されている。出力はトランジスタ12のエミッタ
に接続された出力端子20から取り出されている。
って第2図に示す。トランジスタ12のコレクタは電源
端子19に接続され、エミッタは負荷抵抗13を介して
接地されている。トランジスタ12のベースと接地間に
はコンデンサ14と15とが直列接続され、これらコン
デンサ14と15との接続点がトランジスタ12のエミ
ッタに帰還されている。更に、トランジスタ12のベー
スと接地間にはベース直流バイアスを供給する電源18
とともにコンデンサ16と水晶振動子17との直列回路
が接続されている。出力はトランジスタ12のエミッタ
に接続された出力端子20から取り出されている。
かかる第2図に示した従来例では無調整で発振出力を得
られる利点はあったが、この回路を半導体集積回路化す
るには次のような欠点があった。
られる利点はあったが、この回路を半導体集積回路化す
るには次のような欠点があった。
すなわち、コンデンサ14,15.16及び水晶発振子
17を外付部品として接続するため、外付部品数が多く
なり、しかもこれら外付部品接続のための半導体集積回
路の接続ピン数が多くなる欠点があった。さらに、トラ
ンジスタ12のエミッタから出力を取っているので次段
の回路の影響を受けやすいという欠点があった。
17を外付部品として接続するため、外付部品数が多く
なり、しかもこれら外付部品接続のための半導体集積回
路の接続ピン数が多くなる欠点があった。さらに、トラ
ンジスタ12のエミッタから出力を取っているので次段
の回路の影響を受けやすいという欠点があった。
第1のトランジスタと、この第1のトランジスタのベー
スと基準電位間に接続された発振素子と、第1のトラン
ジスタのベース・エミッタ間にベース・コレクタ間が接
続された第2のトランジスタと、第1のトランジスタの
エミッタにベースが接続された第3のトランジスタと、
第3のトランジスタのコレクタに接続された負荷とを有
し、第2および第3のトランジスタの入力容量は第1.
第2のトランジスタと発振素子との回路を発振せしめる
のに十分な値に選定されている。
スと基準電位間に接続された発振素子と、第1のトラン
ジスタのベース・エミッタ間にベース・コレクタ間が接
続された第2のトランジスタと、第1のトランジスタの
エミッタにベースが接続された第3のトランジスタと、
第3のトランジスタのコレクタに接続された負荷とを有
し、第2および第3のトランジスタの入力容量は第1.
第2のトランジスタと発振素子との回路を発振せしめる
のに十分な値に選定されている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
本発明の一実施例を第1図に示す。すなわち、発振器を
構成するトランジスタ2とトランジスタ3とトランジス
タ7及び水晶発振子9で正帰還回路が構成されている。
構成するトランジスタ2とトランジスタ3とトランジス
タ7及び水晶発振子9で正帰還回路が構成されている。
10は電源、1と5は電流源であり、4,6.8は抵抗
であり、9は出力端子である。
であり、9は出力端子である。
トランジスタ7によるコレクタ・ペース間のミラー容量
とベース・エミッタ間容量との合成容量、トランジスタ
3によるベース・エミッタ間容量及び水晶発振子により
、トランジスタ2のベースに正帰還がかかって発振して
おり、この発振出力をトランジスタ2のエミッタよりト
ランジスタ70ベースに入力し、トランジスタ7のコレ
クタより発振出力を取り出している。
とベース・エミッタ間容量との合成容量、トランジスタ
3によるベース・エミッタ間容量及び水晶発振子により
、トランジスタ2のベースに正帰還がかかって発振して
おり、この発振出力をトランジスタ2のエミッタよりト
ランジスタ70ベースに入力し、トランジスタ7のコレ
クタより発振出力を取り出している。
かかる実施例では、発振器を構成するトランジスタ2に
トランジスタ3と7のミラー容量、ベース・エミッタ間
容量を利用した正帰還回路を構成することにより、従来
第2図の正帰還回路でコンデンサを用いた場合と比較し
、半導体集積回路において外付は素子数を減らす効果が
あり、トランジスタ7のコレクタから出力を取り出すこ
とにより、第2図のトランジスタ12のエミッタから出
力したものと比較し、次段の回路の影響を受けにくいと
いう効果がある。
トランジスタ3と7のミラー容量、ベース・エミッタ間
容量を利用した正帰還回路を構成することにより、従来
第2図の正帰還回路でコンデンサを用いた場合と比較し
、半導体集積回路において外付は素子数を減らす効果が
あり、トランジスタ7のコレクタから出力を取り出すこ
とにより、第2図のトランジスタ12のエミッタから出
力したものと比較し、次段の回路の影響を受けにくいと
いう効果がある。
このように、本発明によれば、外付素子数が少く、外部
回路の影響を受けにくい発振回路を得ることができる。
回路の影響を受けにくい発振回路を得ることができる。
第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2図は従来
回路の一例を示す回路図である。 2.3,7.12・・・・・・トランジスタ、4,6゜
8.13・・・・・・抵抗、14,15,16・・・・
・・コンデンサ、9,17・・・・・・水晶発振子、1
,5・・・・・・電流源、10.19・・・・・・電源
端子、18・・・・・・バイアス用電源、11.20・
・・・・・出力端子系 1 凹 ブー 茅 21!1
回路の一例を示す回路図である。 2.3,7.12・・・・・・トランジスタ、4,6゜
8.13・・・・・・抵抗、14,15,16・・・・
・・コンデンサ、9,17・・・・・・水晶発振子、1
,5・・・・・・電流源、10.19・・・・・・電源
端子、18・・・・・・バイアス用電源、11.20・
・・・・・出力端子系 1 凹 ブー 茅 21!1
Claims (1)
- (1)第1のトランジスタと、該第1のトランジスタの
エミッタにベースがまたベースにコレクタが接続された
第2のトランジスタと、前記第1のトランジスタのエミ
ッタにベースが接続された第3のトランジスタと、該第
3のトランジスタのコレクタに接続された出力端子と前
記第1のトランジスタのベースと基準電位との間に接続
された発振素子とを含み前記第2および第3のトランジ
スタの入力容量は前記第1のトランジスタのエミッタ出
力を前記第2のトランジスタを介して前記第1のトラン
ジスタのベースに正帰還せしめるのに十分な値であるこ
とを特徴とする発振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8581085A JPS61244104A (ja) | 1985-04-22 | 1985-04-22 | 発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8581085A JPS61244104A (ja) | 1985-04-22 | 1985-04-22 | 発振回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61244104A true JPS61244104A (ja) | 1986-10-30 |
Family
ID=13869220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8581085A Pending JPS61244104A (ja) | 1985-04-22 | 1985-04-22 | 発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61244104A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS645513U (ja) * | 1987-06-29 | 1989-01-12 |
-
1985
- 1985-04-22 JP JP8581085A patent/JPS61244104A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS645513U (ja) * | 1987-06-29 | 1989-01-12 |
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