JPS61247713A - 有機半導体およびその製造方法 - Google Patents

有機半導体およびその製造方法

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JPS61247713A
JPS61247713A JP8895885A JP8895885A JPS61247713A JP S61247713 A JPS61247713 A JP S61247713A JP 8895885 A JP8895885 A JP 8895885A JP 8895885 A JP8895885 A JP 8895885A JP S61247713 A JPS61247713 A JP S61247713A
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JP
Japan
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halogen
polymer
doping
substituent
hydrogen
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JP8895885A
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English (en)
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Katsuyuki Naito
勝之 内藤
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] 本発明は有機半導体およびその製造方法に関し、更に詳
しくは、有機重合体にドーピング剤をドープしてなる有
機半導体であって、触媒または溶媒を使用することなく
、かつ、特殊なドーピング法を適用することなく容易に
製造することができ、しかも、良好な半導性を備えた有
機半導体とそれを製造する方法に関する。
[発明の技術的背景とその問題点] 近年、各種分野における電子材料の需要の増大に伴ない
、新規な半導体材料の開発が重要な課題となってきてい
る。そのため、無機半導体に加えて、有機半導体につい
ての研究が盛んに進められている。現在までのところ、
ポリアセチレン、ポリフェニレン、ポリピロールなどの
共役系ポリマーに、五フー2化砒素、五フッ化アンチモ
ン、ヨウ素、臭素などのドーピング剤をドープさせたポ
リマーが知られている。これらのポリマーは良好な電導
性を示し、しかも、ドーピング剤のドープ量を変化させ
ることにより絶縁体からP型半導体を経て導電体になる
ことが知られている。
しかしながら、これらのポリマーはその合成時に触媒も
しくは溶媒を必要とするため、半導体デバイス製造プロ
セスに組み込んだ場合、かかる触媒あるいは溶媒が不純
物となって混入し、半導体デバイス自身の特性に悪影響
を及ぼす可能性があるという問題を生ずる。
そのため、合成時に触媒もしくは溶媒を必要としない共
役系ポリマーの研究がさかんに進められており、例えば
ジアセチレン誘導体は触媒および溶媒を使用せず、熱も
しくは電磁波を作用させることにより重合して共役系ポ
リマーを与えることが確認されている。すなわち、ジア
セチレン誘導体は、結晶状態のモノマーであっても固相
で重合して結晶性の共役系ポリマーを生成する場合が多
い。
具体的には、2.4−へキサジイン−1,8−ジトシレ
ートがあげられ、このものの板状結晶は、熱もしくは電
磁波の作用で重合して黄金色の金属光沢を有する結晶性
の共役系ポリマーを生成する。
この結晶性ポリマーは絶縁性物質である。そのため、電
導度を上昇せしめる通常の方法として、ヨウ素のドーピ
ングが行なわれている。
ところが、ヨウ素のドーピングを行なっても上記の結晶
性ポリマーの電導度は上昇しない。その原因について検
討した結果、ポリマーの結晶性が非常に高いためドーピ
ング剤がポリマー中に侵入することが困難であるという
ことが明らかとなった。
そこで、繊維高分子材料研究所の中面らにより、ドーピ
ング重合法や高圧ドーピング重合法が開発されており、
かなり高い電導度を有するポリマーが得られている (
松田宏雄、中面へ部、飯島誠一部、田中芳雄、加藤政雄
、第33口高分子討論会予稿集、第2519頁、198
4年参照)。
しかしながら、上記したごとき方法は1通常のケミカル
ドーピング法と比較するとはるかに繁雑な操作を必要と
するうえ、使用する装置もかなり高価なものになるとい
う問題がある。
[発明の目的] 本発明は、従来のかかる問題を解消し、触媒もしくは溶
媒を使用することなく、かつ、特殊なドーピング法を適
用することなく容易に製造することができる有機半導体
およびその製造方法の提供を目的とする。
[発明の概要] 本発明者は、上記目的を達成すべく、前述したような触
媒もしくは溶媒を必要とせずに合成することができるジ
アセチレン誘導体ポリマーに焦点を絞り、かかるポリマ
ーの構造とこれにドーピングすべきドーピング剤との組
み合わせについて種々検討を重ねた結果、上記(I)で
示される繰り返し単位を有するものと後述する各種ドー
ピング剤とを組み合せたときに、優れた有機半導体が得
られることを確認して本発明を完成するに到った。
すなわち、本発明の有機半導体は、 次式: (式中、置換基X、YおよびZは同一であっても異なっ
ていてもよく、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子また
は水素と結合して酸となるハロゲン以外の陰性基を表わ
し、該置換基がハロゲン原子である場合は、X、Yおよ
びZのうち、少なくとも1つがハロゲン原子を表わし、
他は水素原子を表わす、そして、x、YおよびZのうち
ハロゲン原子が2つ以上存在する場合は、それらは同一
であっても異なっていてもよい、一方、該置換基が水素
と結合して酸となるハロゲン以外の陰性基である場合は
、x、yおよびZのうちいずれか2つが水素原子を表わ
す、) で示される繰り返し単位を有する重合体と、該重合体中
にドープされた電子供与性物質よりなるドーピング剤と
から成ることを特徴とし、その製造方法は、 次式: (但し、式中、X、YおよびZはそれぞれ上と同じ意味
を有する) で示されるヘキサ−2,4−ジイン誘導体を重合せしめ
、ついで、得られた重合生成物に電子供与性物質よりな
るドーピング剤をドープすることを特徴とする。
本発明の有機半導体は、前述したように式(I)で示、
される繰り返し単位を有するポリマーと、該ポリマーに
ドーピングされたドーピング剤との2成分よりなる。
まず、第1の成分であるポリマーは、式(I)に示すよ
うに、繰り返し単位中に炭素−炭素二重結合と炭素−炭
素三重結合との共役系(エンーイ。
ンの共役系)を有するものであるが、その置換基X、Y
およびZがハロゲン原子を含むものと、水素と結合して
酸となるハロゲン以外の陰性基を含むものとの2種に大
別される。
置換基にハロゲン原子を含むものの場合、ハロゲンとし
てはF、 C1、Or、 Iがあげられ、一方、水素と
結合して酸となるハロゲン以外の陰性基としては、フェ
ノキシ基、スルホニル基、カルボキシル基、カルボナー
ト基、ウレタン基などをあげることができる。これらの
ポリマーは、いずれもその重合度が5〜2000である
ことが好ましい。
ついで、第2の成分である電子供与性物質よりなるドー
ピング剤の具体例としては、アンモニア、メチルアミン
、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、
ジエチルアミン、トリエチルアミン等のアミン類:リチ
ウム、ナトリウム、カリウム、セシウム等のアルカリ金
属;トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、ト
リフェニルホススイン等のホスフィン類;ピリジン、ピ
ロール、チイラン等の複素芳香環化合物;アントラセン
、フェナントレン、ピレン等の縮合多環化合物;テトラ
チアフルバレン、テトラチアテトラセン、テトラフェニ
ルジチアピラニリデン等の含硫黄化合物;テトラメチル
テトラセレナフルバレン等の含セレン化合物などがあげ
られる。
中でも、とくに、アンモニア、ナトリウムは好ましいも
のである。
本発明の有機半導体は次のようにして製造される。
すなわち、上記式(rf)で示されるヘキサ−2,4−
ジイン誘導体を重合せしめ、ついで、得られた重合生成
物にドーピング剤をドープする。
重合反応は、溶媒もしくは触媒を全く使用せず。
式(TI)のヘキサ−2,4−ジイン誘導体を加熱する
か、または紫外線もしくはγ線を照射する乙により容易
に行なうことができる。
まず、置換基にハロゲン原子を含むヘキサ−2.4−ジ
イン誘導体の具体例としては、1.8−ジブロモヘキサ
−2,4−シイ乙1,8−ジクロロヘキサ−2,4−ジ
イン、1,6−シフルオロヘキサー2,4−ジイン、1
.B−ジョードヘキ6−2.a−ジイン、l−ブロモ−
8−クロロヘキサ−2,4−ジイン、1,1−ジブロモ
−6−クロロヘキサ−2,4−ジイン、1.1−ジクロ
ロ−6,6−ジヨードヘキサー2,4−ジイン、 1,
1.1−トリブロモ−6−フルオロヘキサ−2,4−ジ
イン。
1.1,1,8,8.8−ヘキサフルオロヘキサ−2,
4−ジインなどがあげられ、これらの化合物は公知の方
法(例えば、ジェー・ビー・エルミタージュ他。
ジャーナル・オブ・ケミカル自ソサエティ、 2005
頁、 1958年(J、 B、 Ar+*itage 
et al、 Journal ofChemical
 5ociety、 2005.1958)に記載の方
法)によって製造することができる。
このようにして得られたポリマーは式(1)からも明ら
かなように、その主鎖がエン−インの共役系よりなり、
本来は電子供与性を有するが、側鎖に電子吸引性の基、
すなわち、ハロゲノメチル基を有するため、主鎖の共役
系の電子密度が減少し、その結果、電子供与性が緩和さ
れ、電子受容体(アクセプター)的な性質となる。した
がって、かかるポリマーは前述したような電子供与性物
質からなるドーピング剤を受は入れることができる。す
なわち、電子供与性物質よりなるドーピング剤をドープ
すればn型半導体が得られる。
ついで、置換基に水素原子と結合して酸となる陰性基を
含むヘキサ−2,4−ジイン誘導体の具体例としては、
2,4−へキサジイン−1,6−ジトシレート、2.4
−へキサジイン−1,8−ジプロピオネート、1.8−
ジフェノキシ−2,4−へキサジイン、2.4−へキサ
ジイン−1,8−ジビクレート、2.4−へキサジイン
−1,8−ジ (ジクロロ)アセテート、2.4−へキ
サジイン−1,8−ジ (トリフルオロ)アセテートな
どがあげられ、これらの化合物も前述したような公知の
方法によって製造することができ、また、このものの重
合反応も前述と同様にして行なわせることができる。
このようにして得られたポリマーも、上記と同様その主
鎖がエン−インの共役系よりなるが、置換基X、Yおよ
びZのうちの1つが水素原子と結合して酸となる陰性基
(たとえばXとする)であり、残る2つの置換基がとも
に水素原子であるため、式(I)は次のような共鳴構造
をとるものと考えられる。
xx      xx (I) ←  l   1  ←  nI H2CH2 xe すなわち、主鎖上の共役炭素には若干の正電荷が存在し
、その結果、このポリマーは弱いアクセプターとなって
いる。従来技術では、このような弱アクセプターに■2
などの電子受容性物質をドーゾングしようとしたため電
導度を上昇せしめることができなかったのである。
最後に、ドーピング工程は通常の方法を適用して行なえ
ばよい、すなわち、先ず、ポリマーを成形し、ドーピン
グを行い易い形状、例えば、フィルム状、ペレット状も
しくは粉末状とする0次いで、上記のドーピング剤を気
相または液相にてドーピングする。また、ドーピング剤
が粉末である場合には、ポリマー粉末と所定量のドーピ
ング剤粉末とをよく混合したのち、成形してもよい。
このとき、ドーピング量は、ポリマーの三重結合1モル
に対して0.01〜lOモルであることが好ましく、更
に好ましくは、0.02〜7モルである。ドーピングの
際の諸条件は、ドーピング剤の種類およびドーピング量
との関係から適宜設定すればよいが、通常、温度が一5
0〜70℃、好ましくはO〜50°C1時間が2分間〜
lit!間、好ましくは30分間〜2日間である。
[発明の実施例] 製造例1(ポリマーの製造) 1.6−ジプロモヘキサー2,4−ジイン0.50gを
真空下で内容積30−のガラスアンプル中に封じ込め、
徐々に加熱した。80〜70℃付近で赤色となり、更に
、 120〜130℃で3時間加熱することにより黒色
の固体を得た。この固体をメタノールで洗浄したのち真
空乾燥することによりポリマー0.44gを得た。
得られたポリマーについて、C,H,Brの元素分析を
行いその結果を計算値と共に第1表に示した。
第1表 更に、該ポリマーのフィルムについて、赤外吸収(IR
)スペクトルを測定したところ、1800cm−’付近
に炭素不飽和共役結合に基づく幅広い特性吸収が、 8
00 c m−’付近に炭素−臭素結合の特性吸収が観
測された。
このポリマーをテトラヒドロフランに溶解し、ゲルパー
ミェーションクロマトグラムを測定した。その結果、分
子量2500G(ポリスチレン換算)1分子量分布2.
0のポリマーであることが判明した。
以上の結果から、得られたポリマーが上記式(I)で示
される繰り返し単位を有するものであることが確認され
た。
製造例2(ポリマーの製造) 1.1,1,8,8.8−ヘキサフルオロヘキサ−2,
4−ジイン0.50gを真空下で内容積30−のガラス
アンプル中に封じ込め、室温で3日間放置したところ茶
色の固体が生成した。このものをさらに 100℃で3
時間加熱して茶褐色の固体を得た。この固体をメタノー
ルで洗浄したのち、真空乾燥することにより0.40.
のポリマーを得た。
このポリマーの元素分析の結果を第2表に示した。
第2表 また、 IR分析の結果、1500cm−’付近に炭素
不飽和共役結合に基づく幅広い特性吸収’M、 120
0cm−’付近に炭素−フッ素結合の特性吸収が観測さ
れ、得られたポリマーが上記式(lで示される繰り返し
単位を有するものであることが確認された。
製造例3(ポリマーの製造) 2.4−ヘキサジイン−1,6−ジトシレートの単結晶
(六角形板状1面積的1cW1)を真空下、80℃にお
いて24時間加熱することにより黄金色の金属光沢を有
するポリマー単結晶を得た。
実施例1 製造例1で得られたポリマーの粉末178mgを200
kg/crAの圧力でプレス成形し、直径131.厚さ
0.70mmの円盤状ペレットを作製し、このペレット
の両面に銀ペーストにより電極を形成して厚み方向の抵
抗を測定することにより電導度を算出した0次いで、ド
ーピング剤としてアンモニアを使用し、ペレットを1気
圧のアンモニア蒸気中に1日置くことによりドーピング
を行なった。
アンモニアのドーピング量はペレットの重量増加から、
三重結合1モルに対して0.3モルであることが確認さ
れた。ドーピング後に再び抵抗を測定して電導度を算出
した。
この結果、ドーピング前の電導度は10”Ω−10Il
−1以下であったが、ドーピング後は104Ω−Icm
−1まで上昇し、半導性を示すことがわかった。
実施例2 製造例1で得られたポリマーの粉末20mgをジメチル
スルホキシドl−に溶解したのち、ろ過した。一方、金
蒸着によりガラス板上に厚さ4800人、電極間21■
、長さ1c+sの電極を2木とり、この電極間に上記ポ
リマーのジメチルスルホキシド溶液をキャストし、室温
、空気中で2日間放置し、フィルムを作製した。アンモ
ニアガスの1時間のドーピングにより電導度が10−3
Ω−10■−1のフィルム状半導体が得られた。
実施例3 製造例1で得られたポリマーの粉末150■gとテトラ
チオフルバレンの粉末50mgとをよく混合したのち、
200kg/adの圧力でプレス成形し、直径13■、
厚さ0.81mmの円盤状ペレットを作製した。
このペレットの両面に銀ペーストで電極を形成し、厚さ
方向の抵抗を測定した。その結果、電導度が10″8Ω
“I am−1の半導体であることが確認された。
実施例4 実施例2と同様の方法によって得たフィルムにトリフェ
ニルホスフィンのクロロホルム溶液を塗布し乾燥するこ
とにより、電導度10=Ω−1am4のフィルム成牛1
体が得られた。
実施例5 ドーピング剤としてアントラセンの粉末50■gを使用
し、ペレットの厚さを0.83履■としたほかは。
上記実施例3と同様にして円盤状ペレットを作製し、そ
の抵抗を測定した。その結果、電導度が10−6Ω−′
Cl11−1の半導体であることが確認された。
実施例6 ポリマーとして製造例2で得られたもの152層gを使
用しペレットの厚さを0.88膳1としたほかは、上記
実施例1と全く同様にしてドーピングおよび抵抗の測定
を行った。その結果、ドーピング前の電導度が10″I
3Ω−IC「I以下であったのに対し、ドーピング後は
If)−’Ω−1c「1まで上昇し、良好な半導性を示
した。
実施例7 製造例3で得られたポリマー単結晶(六角形板状)に銀
ペーストで二端子電極を形成した。ついでドーピング剤
としてアンモニアを使用し、上記ポリマー単結晶を1気
圧のアンモニア蒸気中に5時間置くことによりドーピン
グを行なうた。この結果、ドーピング前の電導度は10
4Ω−1c m−1であったが、ドーピング後は104
Ω−1cm−1まで上昇し、良好な半導性を示すことが
確認された。
[発明の効果] 以上の説明から明らかなように、本発明の有機半導体は
良好な半導性を示し、かつ、触媒もしくは溶媒を使用せ
ず、しかも、特殊なドーピング法を適用することなく容
易に製造することができるので、各種半導体デバイスな
どの広い分野での応用が可能であり、その工業的価値は
極めて大である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、次式: ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、置換基X、YおよびZは同一であっても異なっ
    ていてもよく、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子また
    は水素と結合して酸となるハロゲン以外の陰性基を表わ
    し、該置換基がハロゲン原子である場合は、X、Yおよ
    びZのうち、少なくとも1つがハロゲン原子を表わし、
    他は水素原子を表わす。そして、X、YおよびZのうち
    ハロゲン原子が2つ以上存在する場合は、それらは同一
    であっても異なっていてもよい。一方、該置換基が水素
    と結合して酸となるハロゲン以外の陰性基である場合は
    、X、YおよびZのうちいずれか2つが水素原子を表わ
    す。) で示される繰り返し単位を有する重合体と、該重合体中
    にドープされた電子供与性物質よりなるドーピング剤と
    から成ることを特徴とする有機半導体。 2、次式: ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中、置換基X、YおよびZは同一であっても異なっ
    ていてもよく、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子また
    は水素と結合して酸となるハロゲン以外の陰性基を表わ
    し、該置換基がハロゲン原子である場合は、X、Yおよ
    びZのうち、少なくとも1つがハロゲン原子を表わし、
    他は水素原子を表わす。そして、X、YおよびZのうち
    、ハロゲン原子が2つ以上存在する場合は、それらは同
    一であっても異なっていてもよい。一方、該置換基が水
    素と結合して酸となるハロゲン以外の陰性基である場合
    は、X、YおよびZのうちいずれか2つが水素原子を表
    わす。) で示されるヘキサ−2、4−ジイン誘導体を重合せしめ
    、ついで、得られた重合生成物に電子供与性物質よりな
    るドーピング剤をドープすることを特徴とする有機半導
    体の製造方法。
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