JPS6124781B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電子銃に短絡放電が生じた際、その放
電電流値を抑制できる陰極線管の内装導電被膜に
関する。

従来カラー受像管等の陰極線管において、その
ガラスバルブ内壁面に黒鉛などを塗布して内装導
電被膜を設け、この導電被膜を導電路として、電
子銃電極に高電圧を供給していた。電子銃は、真
空外囲器すなわちガラスバルブの中に入れて封止
する際、付着したごみ例えば衣服のせんいくず
や、破損脱落する恐れのある突起等をあらかじめ
極力除去して、封止後にいわゆる管内異物が生じ
ないように注意し、さらに排気後に、いわゆるノ
ツキング工程において、十分大容量の電源によつ
て定格値を上回る高電圧を印加し、せんいくず等
が付着していた場合には放電を生じさせて、放電
をひきおこす原因となつたくず等を焼失させるの
が通例となつている。しかし、この様にしても、
まだごみ等を除去し切れず、また管内の他部分か
ら、ごみや脱落くずなどが電子銃部分に移動して
来ることもあつて、陰極線管として完成後使用
中、たとえばカラー受像管をカラーテレビジヨン
受信機に取付けて使用中に、比較的狭い間隔で配
列された電極間に、高電圧が印加されている。電
子銃部分で、短絡放電が生ずることがある。従来
内装導電被膜は主として黒鉛を塗布して形成して
いたが、この黒鉛を用いた内装導電被膜は電気抵
抗が低いので、電子銃電極に短絡放電が生ずる
と、この内装導電被膜を通して大電流が流れ、そ
のため陰極線管を使用している装置、たとえばカ
ラーテレビジヨン受信機回路、特にトランジスタ
素子、集積回路等を損傷することがあつた。

この問題に対して従来既に、内装黒鉛導電被膜
の一部を高抵抗物質で置換することが、例えば米
国特許第4018717号などで提案され、該高抵抗物
質部分で放電電流ピーク値を抑制することが試み
られていたが、具体的には抵抗値のばらつきが大
きく、必ずしも適切な効果が得られていなかつ
た。

本発明の目的は、放電電流ピーク値抑制に実際
に顕著に作用する、陰極線管の内装導電被膜を提
供することにある。

上記目的を達成するために本発明においては、
内装導電被膜の一部を、V₂O₅、BaO、P₂O₅を主
成分とし比抵抗10⁵〜10¹²Ω一cmの半導体ガラス
を用いて形成し、給電路に0.3〜30MΩの抵抗を
挿入することとした。なお折角このような高抵抗
部分を設けても、もし電子管封止切り後の真空度
の維持、向上に常用されるフラツシユゲツタのゲ
ツタ膜に、この高抵抗部分が覆われてしまうと、
効果が無くなるから、従来からゲツタの飛散範囲
を制限するのに用いられていた方法、例えばゲツ
タシールドを用いる方法などを併用して、実効的
には内装導電被膜の抵抗値がゲツタフラツシユの
影響を受けないようにしておかなければならな
い。半導体ガラスを用いて形成する高抵抗部分の
抵抗値が0.3MΩ未満の場合は、放電電流が過大
となり、陰極線管を取付けて使用している装置や
その回路素子などが障害を受ける。逆に高抵抗部
分の抵抗値が30MΩを超過すると、電子銃の高電
圧電極に僅少ではあるが、常時流れている電流の
ために、高抵抗部分に生ずる電圧降下が、電極に
印加すべき高電圧に対比して無視できない大きな
値となつてしまう。

以下、90゜偏向、20形カラー受像管（フアンネ
ルはJ510BE1）についての実施例を説明するが、
偏向角度、バルブ径には、本質的には影響されな
いことは勿論である。

実施例 第１図は本発明の一実施例図である。図中、１
はパネル、２はフアンネル、３はフアンネル部内
装黒鉛被膜、４は高電圧供給電極（アノードボタ
ン）、５は高抵抗半導体ガラス被膜、６はネツク
部内装黒鉛被膜、７は電子銃、８はリフアレンス
ラインである。フアンネル２のリフアレンスライ
ン８から12〜42mmの間に、20μｍ厚、比抵抗４×
10⁴Ω一cmの高抵抗半導体ガラス被膜５を形成さ
せると、アノードボタン４と電子銃７との間に
3MΩの抵抗が得られる。本発明者の実験の結果
によれば、それ自身の比抵抗が10⁶〜10¹²Ω一cm
の半導体ガラスを、微粉末にしてバインダと混合
焼成した半導体ガラス膜の比抵抗は10³〜10⁹Ω一
cm程度となる。これはバインダ中の有機物の分解
残渣の影響によるものと思われる。この実施例に
用いた半導体ガラスは、モル％でV₂O₅60％、
BaO10％、P₂O₅30％の組成のものを、ニトロセ
ルローズ1.3g、酢酸ブチル100gの組成のピークル
に、１：１に混合し、24〜48時間ローリング混合
したものを、刷毛によつて塗布した。なお本発明
に係る半導体ガラスは低融点で、熱膨脹係数がカ
ラー受像管のガラスバルブによく適合しているの
で、高抵抗半導体ガラス被膜５は材料液を塗布す
るだけで、他に特殊な設備など追加する必要もな
く、容易に形成することができる。

なお第１図に示した様に、リフアレンスライン
８の近くに帯状に高抵抗半導体ガラス被膜５を形
成させる代りに、第２図に示すように、アノード
ボタン４の周囲に高抵抗半導体ガラス被膜５を形
成させてもよい。ただしこの場合は、けい光面を
走査するビーム電流は、常時相当流れていて、こ
の電流の回路に、アノードボタン４を取りまく高
抵抗半導体ガラス被膜５による高抵抗が挿入され
ると不工合になるので、けい光面やシヤドウマス
クとアノードボタン４との間は、金属製接触片な
どで直接バイパスさせなければならない。

以上説明したように本発明によれば、陰極線管
の高電圧供給端子と電子銃高電圧電極との間に、
極めて容易に適当な値の高抵抗を挿入することが
でき、電子銃電極に短絡放電が生じた時にも、こ
の陰極線管を取付けて使用している装置の部品な
どが損傷しないようにできる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例図、第２図は本発明
の他の実施例図である。 ２……フアンネル、４……アノードボタン、５
……高抵抗半導体ガラス被膜、７……電子銃。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 電子銃電極に高電圧を供給するための導電路
   としてガラスバルブ内壁面に設けた陰極線管の内
   装導電被膜において、この導電被膜の一部を、
   V₂O₅、BaO、P₂O₅を主成分とし比抵抗10⁶〜10¹²
   Ω―cmの半導体ガラスを用いて形成することによ
   つて、前記導電路に0.3〜30MΩの抵抗を挿入し
   たことを特徴とする陰極線管の内装導電被膜。