JPS6124837B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6124837B2 JPS6124837B2 JP12269879A JP12269879A JPS6124837B2 JP S6124837 B2 JPS6124837 B2 JP S6124837B2 JP 12269879 A JP12269879 A JP 12269879A JP 12269879 A JP12269879 A JP 12269879A JP S6124837 B2 JPS6124837 B2 JP S6124837B2
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- JP
- Japan
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- electrode
- semiconductor laser
- electrodes
- mode
- frequency
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光通信に用いる半導体レーザ装置に関
するものである。
するものである。
第１図は従来のこの種半導体レーザ装置の構成
図で、半導体レーザ１の上面電極２は１つの電極
により構成されている。なお、３はｐ−GaAlAs
層、４は活性層、５はｎ−GaAlAs層、６はｎ−
GaAs層、７は電極である。そのため、半導体レ
ーザの電流−光出力特性の直線性を改善するため
に、発振横モードを基本モードに制限するような
種々の素子構造とした場合、横モードの単一化に
伴つて縦モードも単一化する傾向を有していた。
然し、半導体レーザを用いた多モード光フアイバ
伝送系において、この縦モードの単一化は半導体
レーザの可干渉性に帰因するスペツクルパターン
の変動による波形歪特性、雑音特性を劣化させる
という欠点があつた。
図で、半導体レーザ１の上面電極２は１つの電極
により構成されている。なお、３はｐ−GaAlAs
層、４は活性層、５はｎ−GaAlAs層、６はｎ−
GaAs層、７は電極である。そのため、半導体レ
ーザの電流−光出力特性の直線性を改善するため
に、発振横モードを基本モードに制限するような
種々の素子構造とした場合、横モードの単一化に
伴つて縦モードも単一化する傾向を有していた。
然し、半導体レーザを用いた多モード光フアイバ
伝送系において、この縦モードの単一化は半導体
レーザの可干渉性に帰因するスペツクルパターン
の変動による波形歪特性、雑音特性を劣化させる
という欠点があつた。
本発明はこのような従来の欠点を除去したもの
で、半導体レーザの２つの電極のうち、少なくと
も一方の電極が空間的に分割された複数個の電極
で構成したもので、以下本発明の一実施例を図面
により詳細に説明する。
で、半導体レーザの２つの電極のうち、少なくと
も一方の電極が空間的に分割された複数個の電極
で構成したもので、以下本発明の一実施例を図面
により詳細に説明する。
第２図は本発明半導体レーザ装置の一実施例を
示す構成図で、第１図と同じ部品には同一符号を
付した。図に示すように、一方の電極を縦方向に
空間的に２分割して電極８，９と、電極９には半
導体レーザ変調回路１０によりバイアス及び変調
信号電圧を印加する。ここで変調の上限周波数を
１とする。一方、電極８には高周波電源１１に
より前記周波数１より十分高い周波数２の高
周波電圧を加える。この分割された電極８に加え
られる高周波電圧はキヤリアの空間分布の一部
に、周波数２のじよう乱を与えることになる。
示す構成図で、第１図と同じ部品には同一符号を
付した。図に示すように、一方の電極を縦方向に
空間的に２分割して電極８，９と、電極９には半
導体レーザ変調回路１０によりバイアス及び変調
信号電圧を印加する。ここで変調の上限周波数を
１とする。一方、電極８には高周波電源１１に
より前記周波数１より十分高い周波数２の高
周波電圧を加える。この分割された電極８に加え
られる高周波電圧はキヤリアの空間分布の一部
に、周波数２のじよう乱を与えることになる。
このような高周波のキヤリア分布のじよう乱
は、半導体レーザの軸モード（縦モード）を多軸
化する効果を有する。即ち、単一横及び単一乃至
は数本の軸モードで発振するレーザに対して単一
横モード発振で且つ多軸モード発振を行なわせる
ことができる。なお、レーザ出射光には周波数
２の振動成分が含まぜるが、２は信号周波数
１より十分高いため、受信波形をフイルタを通す
ことにより、信号成分を分離することができる。
は、半導体レーザの軸モード（縦モード）を多軸
化する効果を有する。即ち、単一横及び単一乃至
は数本の軸モードで発振するレーザに対して単一
横モード発振で且つ多軸モード発振を行なわせる
ことができる。なお、レーザ出射光には周波数
２の振動成分が含まぜるが、２は信号周波数
１より十分高いため、受信波形をフイルタを通す
ことにより、信号成分を分離することができる。
第３図は本発明の他の実施例で、縦方向に、空
間的に３分割して電極１２，１３，１４とし、電
極１３は高周波信号２を印加するための電極、
１２，１４は変調信号を印加するための電極とす
る。ここで電極１３の役割は前記実施例の電極８
と同様である。
間的に３分割して電極１２，１３，１４とし、電
極１３は高周波信号２を印加するための電極、
１２，１４は変調信号を印加するための電極とす
る。ここで電極１３の役割は前記実施例の電極８
と同様である。
第４図は本発明の他の実施例で、横方向に、空
間的に２分割して電極１５，１６とし、電極１５
には変調信号を印加し、電極１６には高周波信号
２を印加する。ここで電極１６の役割は前記実
施例の電極８と同様である。
間的に２分割して電極１５，１６とし、電極１５
には変調信号を印加し、電極１６には高周波信号
２を印加する。ここで電極１６の役割は前記実
施例の電極８と同様である。
第５図は本発明の他の実施例で、電極内に他の
電極があるように空間的に分割して電極１７，１
８とし、電極１７には変調信号を印加し、電極１
８には高周波信号２を印加する。ここで電極１
８の役割は前記実施例の電極８と同様である。
電極があるように空間的に分割して電極１７，１
８とし、電極１７には変調信号を印加し、電極１
８には高周波信号２を印加する。ここで電極１
８の役割は前記実施例の電極８と同様である。
以上の各実施例に示したように、高周波印加用
の電極は任意の位置におくことができる。また、
電極を複数個に分割した際、そのうちの複数個
を、周波数１より高い周波数２を印加する電
極とし、残りの複数個を、信号周波数１を印加
する電極としてもよい。また、印加する高周波と
しては周波数２のみに限らず、電極毎に異なる
周波数２，３，４……………等を印加して
もよい。
の電極は任意の位置におくことができる。また、
電極を複数個に分割した際、そのうちの複数個
を、周波数１より高い周波数２を印加する電
極とし、残りの複数個を、信号周波数１を印加
する電極としてもよい。また、印加する高周波と
しては周波数２のみに限らず、電極毎に異なる
周波数２，３，４……………等を印加して
もよい。
通常、半導体レーザを用いた光フアイバ伝送系
において、一定距離の多モードフアイバを伝搬し
た光は、各モード各の遅延が異なるため、フアイ
バ断面の一点を通加する各モード間に位相差を生
じ、その干渉効果によりスペツクルが生じる。こ
のスペツクルのパターンは半導体レーザの発振波
長により変化する。そこで発振波長が多数（多軸
モード発振）であると、観測されるスペツクルパ
ターンは各波長により生じるスペツクルパターン
の重ね合せとなるため、スペツクルパターンのコ
ントラストは低下する。
において、一定距離の多モードフアイバを伝搬し
た光は、各モード各の遅延が異なるため、フアイ
バ断面の一点を通加する各モード間に位相差を生
じ、その干渉効果によりスペツクルが生じる。こ
のスペツクルのパターンは半導体レーザの発振波
長により変化する。そこで発振波長が多数（多軸
モード発振）であると、観測されるスペツクルパ
ターンは各波長により生じるスペツクルパターン
の重ね合せとなるため、スペツクルパターンのコ
ントラストは低下する。
然し、本発明のように、半導体レーザの電極を
複数個に分割し、そのうちいくつかに変調信号周
波数の上限より充分高い周波数の電圧を印加する
ことで、半導体レーザの発振モードを横単一で且
つ多軸モード発振とすることができるから、スペ
ツクルパターンは平均化される。従つて半導体レ
ーザを用いた光フアイバ伝送系において、スペツ
クルパターンの変動に帰因する波形歪特性、雑音
特性を改善するという効果がある。また、本発明
は、横単一モードありながら多軸モード発振とす
るのに、従来の製造技術をそのまま応用でき、単
に電極部分を分割するのみで、横単一、縦多モー
ド（多軸モード）発振が達成できるという効果が
ある。その上、スペツクルパターンの変動に基づ
く波形歪の低減効果は特にアナログ伝速系におい
て、その効果が大きく、光フアイバアナログ伝送
系において極めて有用である。
複数個に分割し、そのうちいくつかに変調信号周
波数の上限より充分高い周波数の電圧を印加する
ことで、半導体レーザの発振モードを横単一で且
つ多軸モード発振とすることができるから、スペ
ツクルパターンは平均化される。従つて半導体レ
ーザを用いた光フアイバ伝送系において、スペツ
クルパターンの変動に帰因する波形歪特性、雑音
特性を改善するという効果がある。また、本発明
は、横単一モードありながら多軸モード発振とす
るのに、従来の製造技術をそのまま応用でき、単
に電極部分を分割するのみで、横単一、縦多モー
ド（多軸モード）発振が達成できるという効果が
ある。その上、スペツクルパターンの変動に基づ
く波形歪の低減効果は特にアナログ伝速系におい
て、その効果が大きく、光フアイバアナログ伝送
系において極めて有用である。
第１図は従来における半導体レーザ装置の構成
図、第２図は本発明半導体レーザ装置の一実施例
を示す構成図、第３図、第４図、第５図は同じく
本発明レーザ装置の実施例を示す構成図である。 １……半導体レーザ、２，７……電極、３……
ｐ−GaAlAs層、４……活性層、５……ｎ−
GaAlAs層、６……ｎ−GaAs層、８，１３，１
６，１８……高周波電圧印加用電極、９，１２，
１４，１５，１７……変調信号電圧印加用電極、
１０……半導体レーザ変調回路、１１……高周波
電源。
図、第２図は本発明半導体レーザ装置の一実施例
を示す構成図、第３図、第４図、第５図は同じく
本発明レーザ装置の実施例を示す構成図である。 １……半導体レーザ、２，７……電極、３……
ｐ−GaAlAs層、４……活性層、５……ｎ−
GaAlAs層、６……ｎ−GaAs層、８，１３，１
６，１８……高周波電圧印加用電極、９，１２，
１４，１５，１７……変調信号電圧印加用電極、
１０……半導体レーザ変調回路、１１……高周波
電源。
Claims (1)
- １ 半導体レーザの２つの電極のうち、少なくと
も一方の電極を空間的に複数個に分割し、そのう
ちのいくつかに変調信号周波数の上限より充分高
い周波数の電圧を印加して、半導体レーザの発振
モードを横単一で且つ多軸モード発振とすること
を特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12269879A JPS5646588A (en) | 1979-09-26 | 1979-09-26 | Semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12269879A JPS5646588A (en) | 1979-09-26 | 1979-09-26 | Semiconductor laser device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5646588A JPS5646588A (en) | 1981-04-27 |
| JPS6124837B2 true JPS6124837B2 (ja) | 1986-06-12 |
Family
ID=14842391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12269879A Granted JPS5646588A (en) | 1979-09-26 | 1979-09-26 | Semiconductor laser device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5646588A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59188988A (ja) * | 1983-04-11 | 1984-10-26 | Nec Corp | 半導体レ−ザおよびその駆動方法 |
| JPS63194385A (ja) * | 1987-02-09 | 1988-08-11 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
| JPH01209776A (ja) * | 1987-02-20 | 1989-08-23 | Siemens Ag | レーザ送信器装置 |
| JP3635470B2 (ja) * | 1995-08-25 | 2005-04-06 | 富士通株式会社 | 光送信器用半導体光源および光送信モジュール |
-
1979
- 1979-09-26 JP JP12269879A patent/JPS5646588A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5646588A (en) | 1981-04-27 |
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