JPS61248529A - 樹脂層の製造方法 - Google Patents

樹脂層の製造方法

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Publication number
JPS61248529A
JPS61248529A JP60088826A JP8882685A JPS61248529A JP S61248529 A JPS61248529 A JP S61248529A JP 60088826 A JP60088826 A JP 60088826A JP 8882685 A JP8882685 A JP 8882685A JP S61248529 A JPS61248529 A JP S61248529A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
film
resin layer
manufacture
layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP60088826A
Other languages
English (en)
Inventor
Atsuko Iida
敦子 飯田
Takeshi Miyagi
武史 宮城
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS61248529A publication Critical patent/JPS61248529A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/68Organic materials, e.g. photoresists
    • H10P14/683Organic materials, e.g. photoresists carbon-based polymeric organic materials, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC

Landscapes

  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は半導体装置もしくは実装基板の製造方法(二係
り、特(:ポリイミド膜を半導体ウエーノ為もしくは実
装基板上にコーティングする方法の改善に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
集積回路半導体素子の萬密度、高速度化が急速C:進展
している中で、信号の高速伝搬のため、半導体基板もし
くに実装基板に誘電率の低い絶縁膜が要求される。また
保護膜としてもたとえばMOf9ダイナミックRAM或
はCCD (Charge CoupjadDevic
e )など(ニパッケージ材料からのα線照射C二よる
ソフト・エラーが発生し、このソフト・エラーを抑える
対策がこれからの大容置化感二とって重要な問題となる
そこで半導体基板もしくは実装基板とに所定厚の低誘電
率の高分子樹脂膜例えばポリイミド(εV=3.8)を
絶縁層として形成し、信号伝搬の尚連化を計る方法がと
られている。またα線対策の一つとして保護膜をして利
用する方法もある。
し刀1しながら且記ポリイミド膜にスピンコード法で5
μm〜10μmを形成するため、通常粘度が大キく、ピ
ンホールが出来やすいという欠点を有していた。
〔発明の目的〕
本発明の目的)1刀1かる欠点を解消して、ピンホール
のない平坦度の良好な樹脂層を得ることにある。
〔発明の概要〕
本発明は半導体基板上もしくは実装基板上にワニス状の
樹脂を塗布し、予備加熱し、その最J:層に、下層より
も粘度の小さい樹脂層を同様に塗布し、予備加熱(二よ
り所定膜厚の樹脂層を形成した後、リンゲラフィブロセ
スにより所望のパターンとし、これを高温硬化させて樹
脂層とする工程が含まれていることを特徴とする。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の実施例;:ついて詳細;;説明する。
通常の半導体ウェーへプロセス(二よって形成された半
導体素子を具備してなる半導体基板上にポリアミド溶液
(17000P)をスピンコード法によって、全面5二
被覆した後、温度約150℃で約15分間低温乾燥し溶
剤を蒸発させてポリアミド膜を形成し、引続いて同様の
方法にてそれを溶剤でうすめ、十分の一程度の粘度(2
00CP)t: l、たちのを塗布し、予備加熱して1
0戸 の膜厚のポリアミド膜を形成する。次いで通常の
フォトプロセスを用いてゴム系のネガ・レジスト膜をポ
リアミド膜によって被覆された半導体基板上の所望館域
ζ二形成し該ネガ・レジスト膜をマスクとしてヒドラジ
ン等力1らf(るエツチング液を用いる通常のウェット
・エンチング法により上記ポリアミドllX7Lの辿択
エツチングを行って所望パターンのポリアミド保護膜を
形成する。次いでこのポリアミド保護膜を温度450℃
時間約30分間制温硬化させ該ポリアミド保護膜を充分
にキュアさせてポリイミド保護膜とする。
〔発明の効果〕
鼠との様な本発明ζ:よれば、ピンホールのない平坦度
の良好な樹脂膜が得られる。
代理人 弁理士 則 近 憲 佑 (ばか1名)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  半導体基板上もしくは実装基板上にワニス状の樹脂溶
    液を塗布し、予備加熱によつて樹脂膜を形成し、その上
    に下層で塗布した該樹脂よりも粘度の小さいものを最上
    層に塗布して所定膜厚のパターンとし、次いで該樹脂層
    を高温硬化させて絶縁膜や保護膜とする樹脂層の製造方
    法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6414925A (en) * 1987-07-09 1989-01-19 Fujitsu Ltd Semiconductor device
JPH05326491A (ja) * 1992-05-15 1993-12-10 Nec Corp 半導体装置の製造方法
US5719090A (en) * 1996-09-10 1998-02-17 International Business Machines Corporation Technique for forming resin-imprenated fiberglass sheets with improved resistance to pinholing

Cited By (6)

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US5858461A (en) * 1996-09-10 1999-01-12 International Business Machines Corporation Technique for forming resin-impregnated fiberglass sheets with improved resistance to pinholing
US5871819A (en) * 1996-09-10 1999-02-16 International Business Machines Corporation Technique for forming resin-impregnated fiberglass sheets with improved resistance to pinholing
US6096665A (en) * 1996-09-10 2000-08-01 International Business Machines Corporation Technique for forming resin-impregnated fiberglass sheets with improved resistance to pinholing

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