JPS61248529A - 樹脂層の製造方法 - Google Patents
樹脂層の製造方法Info
- Publication number
- JPS61248529A JPS61248529A JP60088826A JP8882685A JPS61248529A JP S61248529 A JPS61248529 A JP S61248529A JP 60088826 A JP60088826 A JP 60088826A JP 8882685 A JP8882685 A JP 8882685A JP S61248529 A JPS61248529 A JP S61248529A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- film
- resin layer
- manufacture
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/68—Organic materials, e.g. photoresists
- H10P14/683—Organic materials, e.g. photoresists carbon-based polymeric organic materials, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
Landscapes
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体装置もしくは実装基板の製造方法(二係
り、特(:ポリイミド膜を半導体ウエーノ為もしくは実
装基板上にコーティングする方法の改善に関する。
り、特(:ポリイミド膜を半導体ウエーノ為もしくは実
装基板上にコーティングする方法の改善に関する。
集積回路半導体素子の萬密度、高速度化が急速C:進展
している中で、信号の高速伝搬のため、半導体基板もし
くに実装基板に誘電率の低い絶縁膜が要求される。また
保護膜としてもたとえばMOf9ダイナミックRAM或
はCCD (Charge CoupjadDevic
e )など(ニパッケージ材料からのα線照射C二よる
ソフト・エラーが発生し、このソフト・エラーを抑える
対策がこれからの大容置化感二とって重要な問題となる
。
している中で、信号の高速伝搬のため、半導体基板もし
くに実装基板に誘電率の低い絶縁膜が要求される。また
保護膜としてもたとえばMOf9ダイナミックRAM或
はCCD (Charge CoupjadDevic
e )など(ニパッケージ材料からのα線照射C二よる
ソフト・エラーが発生し、このソフト・エラーを抑える
対策がこれからの大容置化感二とって重要な問題となる
。
そこで半導体基板もしくは実装基板とに所定厚の低誘電
率の高分子樹脂膜例えばポリイミド(εV=3.8)を
絶縁層として形成し、信号伝搬の尚連化を計る方法がと
られている。またα線対策の一つとして保護膜をして利
用する方法もある。
率の高分子樹脂膜例えばポリイミド(εV=3.8)を
絶縁層として形成し、信号伝搬の尚連化を計る方法がと
られている。またα線対策の一つとして保護膜をして利
用する方法もある。
し刀1しながら且記ポリイミド膜にスピンコード法で5
μm〜10μmを形成するため、通常粘度が大キく、ピ
ンホールが出来やすいという欠点を有していた。
μm〜10μmを形成するため、通常粘度が大キく、ピ
ンホールが出来やすいという欠点を有していた。
本発明の目的)1刀1かる欠点を解消して、ピンホール
のない平坦度の良好な樹脂層を得ることにある。
のない平坦度の良好な樹脂層を得ることにある。
本発明は半導体基板上もしくは実装基板上にワニス状の
樹脂を塗布し、予備加熱し、その最J:層に、下層より
も粘度の小さい樹脂層を同様に塗布し、予備加熱(二よ
り所定膜厚の樹脂層を形成した後、リンゲラフィブロセ
スにより所望のパターンとし、これを高温硬化させて樹
脂層とする工程が含まれていることを特徴とする。
樹脂を塗布し、予備加熱し、その最J:層に、下層より
も粘度の小さい樹脂層を同様に塗布し、予備加熱(二よ
り所定膜厚の樹脂層を形成した後、リンゲラフィブロセ
スにより所望のパターンとし、これを高温硬化させて樹
脂層とする工程が含まれていることを特徴とする。
以下、本発明の実施例;:ついて詳細;;説明する。
通常の半導体ウェーへプロセス(二よって形成された半
導体素子を具備してなる半導体基板上にポリアミド溶液
(17000P)をスピンコード法によって、全面5二
被覆した後、温度約150℃で約15分間低温乾燥し溶
剤を蒸発させてポリアミド膜を形成し、引続いて同様の
方法にてそれを溶剤でうすめ、十分の一程度の粘度(2
00CP)t: l、たちのを塗布し、予備加熱して1
0戸 の膜厚のポリアミド膜を形成する。次いで通常の
フォトプロセスを用いてゴム系のネガ・レジスト膜をポ
リアミド膜によって被覆された半導体基板上の所望館域
ζ二形成し該ネガ・レジスト膜をマスクとしてヒドラジ
ン等力1らf(るエツチング液を用いる通常のウェット
・エンチング法により上記ポリアミドllX7Lの辿択
エツチングを行って所望パターンのポリアミド保護膜を
形成する。次いでこのポリアミド保護膜を温度450℃
時間約30分間制温硬化させ該ポリアミド保護膜を充分
にキュアさせてポリイミド保護膜とする。
導体素子を具備してなる半導体基板上にポリアミド溶液
(17000P)をスピンコード法によって、全面5二
被覆した後、温度約150℃で約15分間低温乾燥し溶
剤を蒸発させてポリアミド膜を形成し、引続いて同様の
方法にてそれを溶剤でうすめ、十分の一程度の粘度(2
00CP)t: l、たちのを塗布し、予備加熱して1
0戸 の膜厚のポリアミド膜を形成する。次いで通常の
フォトプロセスを用いてゴム系のネガ・レジスト膜をポ
リアミド膜によって被覆された半導体基板上の所望館域
ζ二形成し該ネガ・レジスト膜をマスクとしてヒドラジ
ン等力1らf(るエツチング液を用いる通常のウェット
・エンチング法により上記ポリアミドllX7Lの辿択
エツチングを行って所望パターンのポリアミド保護膜を
形成する。次いでこのポリアミド保護膜を温度450℃
時間約30分間制温硬化させ該ポリアミド保護膜を充分
にキュアさせてポリイミド保護膜とする。
鼠との様な本発明ζ:よれば、ピンホールのない平坦度
の良好な樹脂膜が得られる。
の良好な樹脂膜が得られる。
代理人 弁理士 則 近 憲 佑
(ばか1名)
Claims (1)
- 半導体基板上もしくは実装基板上にワニス状の樹脂溶
液を塗布し、予備加熱によつて樹脂膜を形成し、その上
に下層で塗布した該樹脂よりも粘度の小さいものを最上
層に塗布して所定膜厚のパターンとし、次いで該樹脂層
を高温硬化させて絶縁膜や保護膜とする樹脂層の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60088826A JPS61248529A (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | 樹脂層の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60088826A JPS61248529A (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | 樹脂層の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61248529A true JPS61248529A (ja) | 1986-11-05 |
Family
ID=13953738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60088826A Pending JPS61248529A (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | 樹脂層の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61248529A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6414925A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
| JPH05326491A (ja) * | 1992-05-15 | 1993-12-10 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5719090A (en) * | 1996-09-10 | 1998-02-17 | International Business Machines Corporation | Technique for forming resin-imprenated fiberglass sheets with improved resistance to pinholing |
-
1985
- 1985-04-26 JP JP60088826A patent/JPS61248529A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6414925A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
| JPH05326491A (ja) * | 1992-05-15 | 1993-12-10 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5719090A (en) * | 1996-09-10 | 1998-02-17 | International Business Machines Corporation | Technique for forming resin-imprenated fiberglass sheets with improved resistance to pinholing |
| US5858461A (en) * | 1996-09-10 | 1999-01-12 | International Business Machines Corporation | Technique for forming resin-impregnated fiberglass sheets with improved resistance to pinholing |
| US5871819A (en) * | 1996-09-10 | 1999-02-16 | International Business Machines Corporation | Technique for forming resin-impregnated fiberglass sheets with improved resistance to pinholing |
| US6096665A (en) * | 1996-09-10 | 2000-08-01 | International Business Machines Corporation | Technique for forming resin-impregnated fiberglass sheets with improved resistance to pinholing |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107134414B (zh) | 半导体装置及其制造方法、倒装芯片型半导体装置及其制造方法 | |
| US4328262A (en) | Method of manufacturing semiconductor devices having photoresist film as a permanent layer | |
| US4163072A (en) | Encapsulation of circuits | |
| US5208066A (en) | Process of forming a patterned polyimide film and articles including such a film | |
| EP0034455B1 (en) | Semiconductor device having a protective layer, and method for producing it | |
| JP2005353644A (ja) | 半導体モジュールとその製造方法および半導体装置 | |
| JPH077104A (ja) | 有機誘電体材料の薄膜を硬化する方法 | |
| JPH10270611A (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS61248529A (ja) | 樹脂層の製造方法 | |
| EP0389195A2 (en) | A process of forming a patterned polyimide film and articles including such a film | |
| JPS60254034A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS589345A (ja) | 半導体板に半導体デバイスを製作する方法 | |
| JPH07105319B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5996133A (ja) | 基板上に絶縁層を形成する方法 | |
| JP3107250B2 (ja) | プローブヘッドの製造方法 | |
| JP2604533B2 (ja) | 低熱膨張ポリイミドを用いた半導体装置 | |
| JPS625356B2 (ja) | ||
| CN120118586A (zh) | 热固化型阻焊剂、电路板阻焊膜及其制作方法 | |
| JPS6142412B2 (ja) | ||
| JP2005294352A (ja) | 素子搭載基板およびそれを用いる半導体装置 | |
| JP3779579B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| Sashida et al. | Photosensitive polyimides with excellent adhesive property for integrated circuit devices | |
| JPS6346576B2 (ja) | ||
| JPS58223334A (ja) | 凹凸基板の平担化方法 | |
| JP2005347411A (ja) | 素子搭載基板およびそれを用いる半導体装置 |