JPS61259545A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS61259545A JPS61259545A JP10192185A JP10192185A JPS61259545A JP S61259545 A JPS61259545 A JP S61259545A JP 10192185 A JP10192185 A JP 10192185A JP 10192185 A JP10192185 A JP 10192185A JP S61259545 A JPS61259545 A JP S61259545A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法にかかり、特に金属配
線の形成方法、中でも多層金属配線の平坦化に関するも
のである。
線の形成方法、中でも多層金属配線の平坦化に関するも
のである。
従来、多層配線の平坦化技術としては、シリカフィルム
法、エッチバック法、バイアススパッタ法などがあり、
いずれも金属配線形成後、層間絶縁膜を平坦化するもの
である。
法、エッチバック法、バイアススパッタ法などがあり、
いずれも金属配線形成後、層間絶縁膜を平坦化するもの
である。
上述した従来の平坦化技術は、金属配線を形成した後絶
縁物層を被着し、種々の方法により絶縁物層と、金属配
線の高さを近すけ段差を減少させる・又は、段差をなだ
らかにする技術であり、いずれも工程が複雑かつ制御性
の低いものである。
縁物層を被着し、種々の方法により絶縁物層と、金属配
線の高さを近すけ段差を減少させる・又は、段差をなだ
らかにする技術であり、いずれも工程が複雑かつ制御性
の低いものである。
例えばシリカフィルム法では、完壁な平坦面を得ること
は出来ず、シリカフィルムを用いるためゴミやクラック
が発生しやすい欠点がある。また、エッチバック法では
、高く積み上げた絶縁物やフォトレジストを除去するの
に時間がかかるのと、残留絶縁物の高を制御するのが困
難という欠点がある。なお、いずれの場合も上層配線面
の平坦化のみでコンタクト孔又は、スルーホールに関し
ては別途テーパーエッチ等を行なう必要がある。
は出来ず、シリカフィルムを用いるためゴミやクラック
が発生しやすい欠点がある。また、エッチバック法では
、高く積み上げた絶縁物やフォトレジストを除去するの
に時間がかかるのと、残留絶縁物の高を制御するのが困
難という欠点がある。なお、いずれの場合も上層配線面
の平坦化のみでコンタクト孔又は、スルーホールに関し
ては別途テーパーエッチ等を行なう必要がある。
本発明の半導体装の製造方法は、基板」二の一生表面上
に金属配線を形成する工程において、配線間絶縁物層を
被着する工程と、前記絶′縁物層をパターニングする工
程と、金属被膜を被着する工程と、該金属被膜表面に不
動態を形成する蝕刻液にて該金属被膜表面を物理的にこ
すりながら蝕刻する工程を含むことを特徴とする。
に金属配線を形成する工程において、配線間絶縁物層を
被着する工程と、前記絶′縁物層をパターニングする工
程と、金属被膜を被着する工程と、該金属被膜表面に不
動態を形成する蝕刻液にて該金属被膜表面を物理的にこ
すりながら蝕刻する工程を含むことを特徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
まずシリコン基板１０】に拡散領域１０２を形成し、シ
リコン酸化膜１０３にコンタクト孔を形成した後、第１
層目配線間絶縁膜としてシリコン窒化膜１０４を被着す
る（第１図（Ａ））。次に第１層目配線を形成する領域
のシリコン窒化膜１０４を写真蝕刻法を用いて除去した
後、第１層目配線用アルミニウム膜１０５を蒸着法又は
スパッタリング法等にて被着する（第１図（＋３） ）
。続いて緩衝１（Ｆ液を用いてアルミニウム膜１０５を
物理的に表面を擦りながらエツチングする。この時、ア
ルミニウム膜１０５の表面には緩衝１４Ｆ液による不動
態が形成されエツチングが進行しなくなるが、モヘアブ
ラシ等で表面を擦ることにより、この不動態が容易に取
除かれ再びエツチングが進行する。
リコン酸化膜１０３にコンタクト孔を形成した後、第１
層目配線間絶縁膜としてシリコン窒化膜１０４を被着す
る（第１図（Ａ））。次に第１層目配線を形成する領域
のシリコン窒化膜１０４を写真蝕刻法を用いて除去した
後、第１層目配線用アルミニウム膜１０５を蒸着法又は
スパッタリング法等にて被着する（第１図（＋３） ）
。続いて緩衝１（Ｆ液を用いてアルミニウム膜１０５を
物理的に表面を擦りながらエツチングする。この時、ア
ルミニウム膜１０５の表面には緩衝１４Ｆ液による不動
態が形成されエツチングが進行しなくなるが、モヘアブ
ラシ等で表面を擦ることにより、この不動態が容易に取
除かれ再びエツチングが進行する。
この様にエツチングを行なうことにより配線間絶縁膜で
あるシリコン窒化膜１０４上のアルミニウム膜１０５は
エツチングされるが、配線領域のアルミニウムＭ １０
５は、不動態が除去されないたＷ）ｘッチングされず残
り、結局アルミニウム膜１０５はシリコン窒化膜１０４
に埋込まれた形となる（第１図（Ｑ ）。同、アルミニ
ウム膜１０５０□ 表面の不動態は、水洗により容
易に除去できる。
あるシリコン窒化膜１０４上のアルミニウム膜１０５は
エツチングされるが、配線領域のアルミニウムＭ １０
５は、不動態が除去されないたＷ）ｘッチングされず残
り、結局アルミニウム膜１０５はシリコン窒化膜１０４
に埋込まれた形となる（第１図（Ｑ ）。同、アルミニ
ウム膜１０５０□ 表面の不動態は、水洗により容
易に除去できる。
この後１〜２層間絶縁膜としてシリコン酸化膜２０３を
被着した後、写Ｘ蝕刻法によりスルーホール孔を形成す
る（第１図（Ｄ））。 以下前記と同様にして第２層目
配線間絶縁膜とし、てシリコン窒化膜２０４を被着した
後、第２層目配線を形成する領域のシリ：１ン窒化膜２
０４を写真蝕刻法を用いて除去した後、第２層目配線用
アルミニウム膜２０５を被着する（第１図（Ｅ））。続
いてアルミニウム膜２０５０表面を擦りながら緩衝ＨＦ
液を用いてエツチングして第２層目配線を形成する（第
１図（Ｆ））。この後、第３層目配線以降も同様にして
形成することができる。
被着した後、写Ｘ蝕刻法によりスルーホール孔を形成す
る（第１図（Ｄ））。 以下前記と同様にして第２層目
配線間絶縁膜とし、てシリコン窒化膜２０４を被着した
後、第２層目配線を形成する領域のシリ：１ン窒化膜２
０４を写真蝕刻法を用いて除去した後、第２層目配線用
アルミニウム膜２０５を被着する（第１図（Ｅ））。続
いてアルミニウム膜２０５０表面を擦りながら緩衝ＨＦ
液を用いてエツチングして第２層目配線を形成する（第
１図（Ｆ））。この後、第３層目配線以降も同様にして
形成することができる。
以上説明したように本発明は、不動態を生じるエツチン
グ液を用いて不要な領域の金属のみを擦ることによって
選択的に除去して配線を形成することにより、平坦な多
層配線を容易にしかも再現性良く得ることができる効果
がある。さらに本発明によると、 ■：コンタクト孔やスルホール孔ニテーパーをつける必
要が無いため、開孔工程が簡素化され、さらに素子や配
線の微細化が可能となる。
グ液を用いて不要な領域の金属のみを擦ることによって
選択的に除去して配線を形成することにより、平坦な多
層配線を容易にしかも再現性良く得ることができる効果
がある。さらに本発明によると、 ■：コンタクト孔やスルホール孔ニテーパーをつける必
要が無いため、開孔工程が簡素化され、さらに素子や配
線の微細化が可能となる。
■：配線膜厚は、配線間絶縁膜の厚さによって決るため
、平坦性を変化させることなく自由に変化させることが
できる。
、平坦性を変化させることなく自由に変化させることが
できる。
■：配線用金属膜の被着装置のステップカバレッジの悪
さは配線用金属膜を過剰に被着することにより補うこと
ができる。
さは配線用金属膜を過剰に被着することにより補うこと
ができる。
等の効果もある。
第１図は本発明の一実施例を示す縦断面図である。
１０１・・・・・・シリコン基板、１０２・川・・拡散
領域、１０３・・・・・・シリコン酸化膜、１ｏ４・・
・・・・第１層目配線間シリコン窒化膜、１０５・・・
・・・第１層目アルミニウム膜、２ｏ３・・・・・・１
〜２層間シリコン酸化膜、２０４・・・・・・第２層目
配線間シリコン窒化膜、２０５・・・・・・第２層目ア
ルミニウム膜。 ６一
領域、１０３・・・・・・シリコン酸化膜、１ｏ４・・
・・・・第１層目配線間シリコン窒化膜、１０５・・・
・・・第１層目アルミニウム膜、２ｏ３・・・・・・１
〜２層間シリコン酸化膜、２０４・・・・・・第２層目
配線間シリコン窒化膜、２０５・・・・・・第２層目ア
ルミニウム膜。 ６一
Claims (1)
- 基板上の一主表面上に一層又は多層の金属配線を形成す
るに際して、配線間絶縁物層を被着する工程と、前記絶
縁物層をパターニングする工程と、金属被膜を被着する
工程と、該金属被膜表面に不動態を形成する蝕刻液にて
該金属被膜表面を物理的にこすりながら蝕刻する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10192185A JPS61259545A (ja) | 1985-05-14 | 1985-05-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10192185A JPS61259545A (ja) | 1985-05-14 | 1985-05-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61259545A true JPS61259545A (ja) | 1986-11-17 |
Family
ID=14313371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10192185A Pending JPS61259545A (ja) | 1985-05-14 | 1985-05-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61259545A (ja) |
-
1985
- 1985-05-14 JP JP10192185A patent/JPS61259545A/ja active Pending
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