JPS61260697A - 分布反射型半導体レ−ザ - Google Patents
分布反射型半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS61260697A JPS61260697A JP10236785A JP10236785A JPS61260697A JP S61260697 A JPS61260697 A JP S61260697A JP 10236785 A JP10236785 A JP 10236785A JP 10236785 A JP10236785 A JP 10236785A JP S61260697 A JPS61260697 A JP S61260697A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- distributed reflection
- reflection type
- type semiconductor
- waveguide layer
- Prior art date
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- Granted
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、主として光通信等の光源に用いられる分布
反射型半導体レーザに関する。
反射型半導体レーザに関する。
分布反射型半導体レーザ（ＤＢＲレーザ）は、利得媒質
を有する活性導波路と、特定の波長のみを選択的に反射
する回折格子を有する外部導波路とを結合して構成した
もので、高速直接変調時においても単−縦モードで発振
する利点がある。第５図は、従来の分布反射型半導体レ
ーザの構成を示す断面図であり、この図において１はｎ
ＪｎＰ基板、２は１ｎＧａΔｓＰ活牲導波路層、３はｎ
−ＩｎＰクラッド層、４は０−１ｎＧａＡｓＰキャップ
層、５は＋ｎ Ｇａ Ａｓ Ｐ外部導波路層、６はｎ−
１ｎＰクラッド層、７はクラッド層６の上面に形成され
た回折格子、８はＳｉＯ２保護膜、９゜１０は各々Ａｕ
／Ｓｒｌ電極である。また、矢印Ｙは光射出方向を示す
。
を有する活性導波路と、特定の波長のみを選択的に反射
する回折格子を有する外部導波路とを結合して構成した
もので、高速直接変調時においても単−縦モードで発振
する利点がある。第５図は、従来の分布反射型半導体レ
ーザの構成を示す断面図であり、この図において１はｎ
ＪｎＰ基板、２は１ｎＧａΔｓＰ活牲導波路層、３はｎ
−ＩｎＰクラッド層、４は０−１ｎＧａＡｓＰキャップ
層、５は＋ｎ Ｇａ Ａｓ Ｐ外部導波路層、６はｎ−
１ｎＰクラッド層、７はクラッド層６の上面に形成され
た回折格子、８はＳｉＯ２保護膜、９゜１０は各々Ａｕ
／Ｓｒｌ電極である。また、矢印Ｙは光射出方向を示す
。
ところで、現在、チッピング工程（レーザ素子を半導体
ウェハから小さく切出す工程）はへき開またはワイヤー
ソー等による切断によって行われている。この場合、へ
き開は作業性の点で優れているが、切出された素子がフ
ァブリペロモードによる発振を起こしやすい欠点がある
。一方、ワイヤーソー等によって切断した場合は、素子
のファブリペロモードによる発振をかなり抑制すること
ができるが、作業性が悪く、切出しに手間がかかる欠点
がある。なお、ワイヤーソー等によって切断した場合も
、ファブリペロモードによる発振を完全になくすことは
不可能である。
ウェハから小さく切出す工程）はへき開またはワイヤー
ソー等による切断によって行われている。この場合、へ
き開は作業性の点で優れているが、切出された素子がフ
ァブリペロモードによる発振を起こしやすい欠点がある
。一方、ワイヤーソー等によって切断した場合は、素子
のファブリペロモードによる発振をかなり抑制すること
ができるが、作業性が悪く、切出しに手間がかかる欠点
がある。なお、ワイヤーソー等によって切断した場合も
、ファブリペロモードによる発振を完全になくすことは
不可能である。
この発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、分布反
射型レーザの７？ブリペロモードによる発振を略完全に
抑ａｉ＋Ｉ ？ｊることができ、しかもチッピングを作
業性のよいへき開によって行うことができる分布反射型
半導体レーデを提供することを目的としている。
射型レーザの７？ブリペロモードによる発振を略完全に
抑ａｉ＋Ｉ ？ｊることができ、しかもチッピングを作
業性のよいへき開によって行うことができる分布反射型
半導体レーデを提供することを目的としている。
この発明は、外部導波路の一部に折曲部を形成したこと
を特徴としてる。
を特徴としてる。
外部導波路の一部に折曲部を形成したことにより、素子
の両端面による反射光が帰還増幅されず、したがって、
素子をへき開にＪ、ってつｌハがら切出しても、切出さ
れた素子がファブリペロモードによって発振することが
ほとんどない。
の両端面による反射光が帰還増幅されず、したがって、
素子をへき開にＪ、ってつｌハがら切出しても、切出さ
れた素子がファブリペロモードによって発振することが
ほとんどない。
〔実施例〕
第１図はこの発明の一実施例による分布反射型半導体レ
ーザの断面図、第２図は同半導体レーザの斜視図である
。なお、第１図に示づ“半導体レーザの長手方向が結晶
軸＜０１１＞の方向である。
ーザの断面図、第２図は同半導体レーザの斜視図である
。なお、第１図に示づ“半導体レーザの長手方向が結晶
軸＜０１１＞の方向である。
この実施例による半導体レーザは第２図から明らかなよ
うに埋込み構造となっている。また、この半導体レーザ
が第５図に示す従来のものと異なる点は、外部導波路層
５の端部に折曲部５ａ（第１図参照）が形成されている
点である。
うに埋込み構造となっている。また、この半導体レーザ
が第５図に示す従来のものと異なる点は、外部導波路層
５の端部に折曲部５ａ（第１図参照）が形成されている
点である。
次に、この半導体レーザの製造過程を第３図を参照して
説明する。まず、第３図（イ）に示すようにｎ−１ｎＰ
Ｗ板１上にＩｎ Ｑａ ＡＳ Ｐ活性導波路層２、ｎ−
１ｎＰクラツド槽３、Ｐ−Ｉｎ Ｇａ ＡｓＰキャップ
槽４を順次エピタキシャル成長によって形成する。次に
上述したキャップ層４の上面の、第１図に示寸活＋ｌｌ
導波路層２に対応する部分に耐エツチング保護膜を形成
し、他の部分を基板１に至るまでエツチングでる（第３
図（ロ））。
説明する。まず、第３図（イ）に示すようにｎ−１ｎＰ
Ｗ板１上にＩｎ Ｑａ ＡＳ Ｐ活性導波路層２、ｎ−
１ｎＰクラツド槽３、Ｐ−Ｉｎ Ｇａ ＡｓＰキャップ
槽４を順次エピタキシャル成長によって形成する。次に
上述したキャップ層４の上面の、第１図に示寸活＋ｌｌ
導波路層２に対応する部分に耐エツチング保護膜を形成
し、他の部分を基板１に至るまでエツチングでる（第３
図（ロ））。
この場合、エッチャントの選択により端面が傾斜面とな
る。次に、第３図（ハ）に示すように、上記のエツチン
グにより露出した基板１の上面の端部に、エツチングに
よって数μｍ幅の凹７７ｉ１ａを形成する。次に、第３
図（ニ）に示すように、（ハ）の基板１の上面に、Ｉｎ
ＧａＡｓ、Ｐ外部導波路層５をエピタキシャル成長によ
って形成する。
る。次に、第３図（ハ）に示すように、上記のエツチン
グにより露出した基板１の上面の端部に、エツチングに
よって数μｍ幅の凹７７ｉ１ａを形成する。次に、第３
図（ニ）に示すように、（ハ）の基板１の上面に、Ｉｎ
ＧａＡｓ、Ｐ外部導波路層５をエピタキシャル成長によ
って形成する。
ここで、（ハ）の工程により基板１の上面に凹溝１８が
形成されていることから、（ニ）の工程において外部導
波路層５の端部に折曲部５ａが形成される。次に、外部
導波路層５の上面にｎ−１ｎＰクラッド層６をエピタキ
シャル成長によって形成する（第３図（ニ））。この場
合、表面が略平坦になるように厚みを制御する。次いで
クラッド層６の上面にエツチングによって回折格子７を
形成する（第３図（ニ））。次に第３図（ニ）のものの
上面の左端から右端にわたってストライプ状の耐エツチ
ング保護膜を形成してエツチングを行い、第３図（ホ）
（光射出方向から見た図）に示す断面逆メジ状のストラ
イプ構造を形成する。次に、第３図（へ）に示すように
、ストライプ構造の両脇にｐ−１ｎＰ第１埋込層１２．
ｎ−ＩｎＰ第２埋込層１３を順次エピタキシャル成長さ
せる。これにより、活性導波路層２および外部導波路層
５が埋込まれる。次に第１図に示ｔｓ：ｏｚ（または−
５＝ Ｓ！ ３ Ｎａ ）保護膜８を形成し、次いで△ｕ／７
ｎ電極９．Ａｕ／Ｓｎ電極１ｏを形成する。最後に、両
端面をへき開してチッピングを完了する。ここで、右端
のへき開面は、第１図に示されるように折曲部を完全に
残すような位置に形成しなくてもよい。つまり、導波路
層に曲がりがあればよいのだから、折曲部の途中に形成
してもよいわけである。
形成されていることから、（ニ）の工程において外部導
波路層５の端部に折曲部５ａが形成される。次に、外部
導波路層５の上面にｎ−１ｎＰクラッド層６をエピタキ
シャル成長によって形成する（第３図（ニ））。この場
合、表面が略平坦になるように厚みを制御する。次いで
クラッド層６の上面にエツチングによって回折格子７を
形成する（第３図（ニ））。次に第３図（ニ）のものの
上面の左端から右端にわたってストライプ状の耐エツチ
ング保護膜を形成してエツチングを行い、第３図（ホ）
（光射出方向から見た図）に示す断面逆メジ状のストラ
イプ構造を形成する。次に、第３図（へ）に示すように
、ストライプ構造の両脇にｐ−１ｎＰ第１埋込層１２．
ｎ−ＩｎＰ第２埋込層１３を順次エピタキシャル成長さ
せる。これにより、活性導波路層２および外部導波路層
５が埋込まれる。次に第１図に示ｔｓ：ｏｚ（または−
５＝ Ｓ！ ３ Ｎａ ）保護膜８を形成し、次いで△ｕ／７
ｎ電極９．Ａｕ／Ｓｎ電極１ｏを形成する。最後に、両
端面をへき開してチッピングを完了する。ここで、右端
のへき開面は、第１図に示されるように折曲部を完全に
残すような位置に形成しなくてもよい。つまり、導波路
層に曲がりがあればよいのだから、折曲部の途中に形成
してもよいわけである。
以上がこの発明の実施例による半導体レーザの製造工程
である。上述したように、この実施例による半導体レー
ザは外部導波路層５の端部に折曲部５ａが設けられてい
るので、両端の結晶面が相対向することがなく、この結
束、いわゆるファブリペロ共振器が形成されず、ファブ
リペロモードによる発振を起こすことがない。
である。上述したように、この実施例による半導体レー
ザは外部導波路層５の端部に折曲部５ａが設けられてい
るので、両端の結晶面が相対向することがなく、この結
束、いわゆるファブリペロ共振器が形成されず、ファブ
リペロモードによる発振を起こすことがない。
なお、導波路層２，５の組成と発振波長との関係は次の
通りである。
通りである。
また、この発明はこの他にｐ・ＩｎＰ基板を用い、前記
の構造のｐとｎを全て逆にした構造、およびＩｎＰ系の
結晶組成のみならｉｉ’、ＧａＡＳ基板を用いた短波長
側のＧａＡｓ、−／ＧａＡｌＡＳ系の結晶組成に対して
も勿論適用可能である。
の構造のｐとｎを全て逆にした構造、およびＩｎＰ系の
結晶組成のみならｉｉ’、ＧａＡＳ基板を用いた短波長
側のＧａＡｓ、−／ＧａＡｌＡＳ系の結晶組成に対して
も勿論適用可能である。
また、この発明を半導体ＪＪ根板上複数の光素子が形成
された光集積回路に適用する揚台には、第４図に示すよ
うに、両側に回折格子面を有する構造とする。この場合
、光取出し面は、図のように折曲部５ａと反対側である
。
された光集積回路に適用する揚台には、第４図に示すよ
うに、両側に回折格子面を有する構造とする。この場合
、光取出し面は、図のように折曲部５ａと反対側である
。
以上述べたように、この発明による半導体レーザはチッ
ピングをへき開によって行った場合においてもファブリ
ペロモードによる発振が起こらず、したがって、チッピ
ングを作業性のよいへき開によって行うことができる効
果が１りられる。
ピングをへき開によって行った場合においてもファブリ
ペロモードによる発振が起こらず、したがって、チッピ
ングを作業性のよいへき開によって行うことができる効
果が１りられる。
第１図、第２図は各々この発明の一実施の構成を示す断
面図および斜視図、第３図は同実施例の製造工程を示す
図、第４図は本発明の他の実施例の構成を示す断面図、
第５図は従来の分布反射型半導体レーザの構成を示す断
面図である。 ２・・・・・・活性導波路層、５・・・・・・外部導波
路層、５ａ・・・・・・析曲部。
面図および斜視図、第３図は同実施例の製造工程を示す
図、第４図は本発明の他の実施例の構成を示す断面図、
第５図は従来の分布反射型半導体レーザの構成を示す断
面図である。 ２・・・・・・活性導波路層、５・・・・・・外部導波
路層、５ａ・・・・・・析曲部。
Claims (1)
- 利得媒質を有する活性導波路と、回折格子を有する外部
導波路とが結合されてなる分布反射型半導体レーザにお
いて、前記外部導波路の一部に折曲部を形成してなる分
布反射型半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10236785A JPS61260697A (ja) | 1985-05-14 | 1985-05-14 | 分布反射型半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10236785A JPS61260697A (ja) | 1985-05-14 | 1985-05-14 | 分布反射型半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61260697A true JPS61260697A (ja) | 1986-11-18 |
| JPH0158678B2 JPH0158678B2 (ja) | 1989-12-13 |
Family
ID=14325486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10236785A Granted JPS61260697A (ja) | 1985-05-14 | 1985-05-14 | 分布反射型半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61260697A (ja) |
-
1985
- 1985-05-14 JP JP10236785A patent/JPS61260697A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0158678B2 (ja) | 1989-12-13 |
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