JPS61263169A - 超高周波半導体 - Google Patents
超高周波半導体Info
- Publication number
- JPS61263169A JPS61263169A JP61110765A JP11076586A JPS61263169A JP S61263169 A JPS61263169 A JP S61263169A JP 61110765 A JP61110765 A JP 61110765A JP 11076586 A JP11076586 A JP 11076586A JP S61263169 A JPS61263169 A JP S61263169A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ultra
- high frequency
- signal
- terminal
- controls
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/80—FETs having rectifying junction gate electrodes
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、信号を制御する端子と動作点を制御する端子
のそれぞれに、静電破壊防止回路として半導体の同一基
板上に構成したインダクタンスとダイオードを接続し、
信号の劣化を少なくした超高周波半導体に関する。
のそれぞれに、静電破壊防止回路として半導体の同一基
板上に構成したインダクタンスとダイオードを接続し、
信号の劣化を少なくした超高周波半導体に関する。
［従来技術］
従来の超高周波半導体は、第１図に示すように、第１ゲ
ート電極１、第２ゲート電極２を持つ電界効果トランジ
スタ（３はドレイン電極、４はソース電極）において、
信号を制御する端子２と接地間、および動作点を制御す
る端子１と接地間の両方に静電破壊防止ダイオード５を
接続して構成していた。
ート電極１、第２ゲート電極２を持つ電界効果トランジ
スタ（３はドレイン電極、４はソース電極）において、
信号を制御する端子２と接地間、および動作点を制御す
る端子１と接地間の両方に静電破壊防止ダイオード５を
接続して構成していた。
［発明が解決しようとする問題点］
上記従来の回路ではダイオード５を介して信号電流が流
れ、特に超高周波での信号の劣化が大きいという欠点が
あった。
れ、特に超高周波での信号の劣化が大きいという欠点が
あった。
従って、本発明は超高周波における信号の劣化の少ない
静電破壊防止を回路を持つ超高周波半導体を実現するこ
とを目的とする。
静電破壊防止を回路を持つ超高周波半導体を実現するこ
とを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、信号を制御する端子と、動作点を制御する１
つ以上の端子を持つ超高周波半導体の同一基板上におい
て、信号を制御する端子と接地間に超高周波で信号に影
響を与えない程度の高インピーダンスを示すインダクタ
ンスを接続し、さらに、動作点を制御する端子と接地間
にダイオードを接続し、信号に影響を与えることなく静
電破壊防止を行なうものである。
つ以上の端子を持つ超高周波半導体の同一基板上におい
て、信号を制御する端子と接地間に超高周波で信号に影
響を与えない程度の高インピーダンスを示すインダクタ
ンスを接続し、さらに、動作点を制御する端子と接地間
にダイオードを接続し、信号に影響を与えることなく静
電破壊防止を行なうものである。
［実施例コ
以下、本発明の一実施例を第２図の電界効果トランジス
タにより説明する。１は信号を制御する第１ゲート電極
、２は動作点を制御する第２ゲート電極、３はドレイン
電極、４はソース電極、５は第２ゲートを静電破壊から
防ぐダイオード、６は第１ゲートを静電破壊から防ぎ、
超高周波において信号に影響を与えない程度の高インピ
ーダンスを示すインダクタンスである。第１ゲートに導
びかれた超高周波の信号には影響がなく、静電気のよう
に信号に比べて低い周波数成分に対して６のインダクタ
ンスは低いインピーダンスを示すため短絡に近い状態と
なり、静電破壊を防止することができる。
タにより説明する。１は信号を制御する第１ゲート電極
、２は動作点を制御する第２ゲート電極、３はドレイン
電極、４はソース電極、５は第２ゲートを静電破壊から
防ぐダイオード、６は第１ゲートを静電破壊から防ぎ、
超高周波において信号に影響を与えない程度の高インピ
ーダンスを示すインダクタンスである。第１ゲートに導
びかれた超高周波の信号には影響がなく、静電気のよう
に信号に比べて低い周波数成分に対して６のインダクタ
ンスは低いインピーダンスを示すため短絡に近い状態と
なり、静電破壊を防止することができる。
第３図は、第２図に示した電界効果トランジスタの半導
体基板上での構成例である。１は第１ゲート電極、２は
第２ゲート電極、３はドレイン電 ４極、４はソース電
極、５はダイオード電極、６はインダクタンス、７は接
地金属パターンである。
体基板上での構成例である。１は第１ゲート電極、２は
第２ゲート電極、３はドレイン電 ４極、４はソース電
極、５はダイオード電極、６はインダクタンス、７は接
地金属パターンである。
６のダイオード電極は、ボンディングなどにより７の金
属パターンを介して４のソース電極に接続サレテイル。
属パターンを介して４のソース電極に接続サレテイル。
８はダイオードを形成するための能動層、９は電界効果
トランジスタを形成するための能動層、１ｏは半絶縁性
半導体基板である。
トランジスタを形成するための能動層、１ｏは半絶縁性
半導体基板である。
［効果コ
以上説明したごとく本発明によれば、信号を制御する端
子と、動作点を制御する１つ以上の端子を持つ超高周波
半導体基板上において、信号を制御する端子と接地間に
超高周波で高インピーダンスを示すインダクタンスを接
続し、さらに、動作点を制御する端子と接地間にダイオ
ードを接続することにより、信号に影響を与えることな
く静電破壊防止を行なうことができる。
子と、動作点を制御する１つ以上の端子を持つ超高周波
半導体基板上において、信号を制御する端子と接地間に
超高周波で高インピーダンスを示すインダクタンスを接
続し、さらに、動作点を制御する端子と接地間にダイオ
ードを接続することにより、信号に影響を与えることな
く静電破壊防止を行なうことができる。
また１周波数によって任意のインダクタンスを選ぶこと
により、最適な形状に構成することができる。
により、最適な形状に構成することができる。
第１図は、従来の超高周波半導体の静電破壊防止対策回
路である。 第２図は、本発明によるインダクタンスを用いた超高周
波半導体の静電破壊防止対策回路である。 第３図は、第２図の半導体基板上での形成例である。 １・・・信号を制御する第１ゲート電極、２・・・動作
点を制御する第２ゲート電極、３・・・ドレイン電極、
４・・・ソース電極、５・・・ダイオード、６・・・イ
ンダクタンス、７・・・接地金属パターン、８・・・ダ
イオードを形成するための能動層、９・・・電界効果ト
ランジスタを形成するための能動層、１０・・・半絶縁
性半導体基板。 す １ｆｊｒ 国 慕 ３５ａ
路である。 第２図は、本発明によるインダクタンスを用いた超高周
波半導体の静電破壊防止対策回路である。 第３図は、第２図の半導体基板上での形成例である。 １・・・信号を制御する第１ゲート電極、２・・・動作
点を制御する第２ゲート電極、３・・・ドレイン電極、
４・・・ソース電極、５・・・ダイオード、６・・・イ
ンダクタンス、７・・・接地金属パターン、８・・・ダ
イオードを形成するための能動層、９・・・電界効果ト
ランジスタを形成するための能動層、１０・・・半絶縁
性半導体基板。 す １ｆｊｒ 国 慕 ３５ａ
Claims (1)
- １、信号を制御する端子と、動作点を制御する１つ以上
の端子を持つ超高周波半導体において、信号を制御する
端子と接地間にインダクタンスを接続し、動作点を制御
する端子と接地間にダイオードを設けたことを特徴とす
る超高周波半導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61110765A JPS61263169A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 超高周波半導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61110765A JPS61263169A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 超高周波半導体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61263169A true JPS61263169A (ja) | 1986-11-21 |
Family
ID=14544005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61110765A Pending JPS61263169A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 超高周波半導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61263169A (ja) |
-
1986
- 1986-05-16 JP JP61110765A patent/JPS61263169A/ja active Pending
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