JPH0243761A - マイクロ波モノリシツク集積回路装置 - Google Patents
マイクロ波モノリシツク集積回路装置Info
- Publication number
- JPH0243761A JPH0243761A JP63193943A JP19394388A JPH0243761A JP H0243761 A JPH0243761 A JP H0243761A JP 63193943 A JP63193943 A JP 63193943A JP 19394388 A JP19394388 A JP 19394388A JP H0243761 A JPH0243761 A JP H0243761A
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- JP
- Japan
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- bias
- bonding pad
- integrated circuit
- wire
- mim capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5445—Dispositions of bond wires being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. parallel arrangements
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
- H10W72/5475—Dispositions of multiple bond wires multiple bond wires connected to common bond pads at both ends of the wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高周波帯で使用されるマイクロ波モノリシッ
ク集積回路装置に係わり、特にその００７４７７回路に
関するものである。
ク集積回路装置に係わり、特にその００７４７７回路に
関するものである。
従来、この種のマイクロ波モノリシック集積回路装置に
用いられる００７４７７回路は、第３図に示すようにマ
イクロ波モノリシック集積回路１の外部に配設されたタ
ンパンコン２と、マイクロ波モノリシック集積回路（以
下ＭＭＩＣと称する）１に形成されたＤＣバイアスボン
ディングパッド３とがボンディングワイヤ４によ多接続
され、このタンパンコン２には外部からＤＣバイアス電
流ｌを入出力させるＤＣバイアスワイヤ５が接続されて
構成されている。
用いられる００７４７７回路は、第３図に示すようにマ
イクロ波モノリシック集積回路１の外部に配設されたタ
ンパンコン２と、マイクロ波モノリシック集積回路（以
下ＭＭＩＣと称する）１に形成されたＤＣバイアスボン
ディングパッド３とがボンディングワイヤ４によ多接続
され、このタンパンコン２には外部からＤＣバイアス電
流ｌを入出力させるＤＣバイアスワイヤ５が接続されて
構成されている。
上述した従来の００７４７７回路は、ボンディングワイ
ヤ４によシボンデイングパッド３とタンパンコン２とを
接続しているため、ボンディングワイヤ４のインダクタ
ンスによシボンデイングバツド３の接地が不十分となる
とともにボンディングワイヤ４の長さのばらつきによシ
、特にバイアス線路を整合回路に使用している場合には
高周波特性が大きく変化することがあシ、また、タンパ
ンコン２を使用しているため、面積が広く必要となシ、
費用本かかるという問題があった。
ヤ４によシボンデイングパッド３とタンパンコン２とを
接続しているため、ボンディングワイヤ４のインダクタ
ンスによシボンデイングバツド３の接地が不十分となる
とともにボンディングワイヤ４の長さのばらつきによシ
、特にバイアス線路を整合回路に使用している場合には
高周波特性が大きく変化することがあシ、また、タンパ
ンコン２を使用しているため、面積が広く必要となシ、
費用本かかるという問題があった。
したがって本発明は、前述した従来の問題に鑑みてなさ
れたものでおり、その目的は、小面積および低費用でボ
ンディングワイヤのインダクタンスおよびボンディング
ワイヤ長のばらつきによる高周波特性の影響を軽減させ
たマイクロ波モノリシック集積回路装置を提供すること
にある。
れたものでおり、その目的は、小面積および低費用でボ
ンディングワイヤのインダクタンスおよびボンディング
ワイヤ長のばらつきによる高周波特性の影響を軽減させ
たマイクロ波モノリシック集積回路装置を提供すること
にある。
本発明のマイクロ波モノリシック集積回路装置は、ＭＭ
ＩＣのポンディングパッドの近傍にメタルインシュレー
タメタル（以下ＭＩＭと称する）キャパシタを設けると
ともにこのＭＩＭキャパシタを接地する接地手段を有し
て構成される。
ＩＣのポンディングパッドの近傍にメタルインシュレー
タメタル（以下ＭＩＭと称する）キャパシタを設けると
ともにこのＭＩＭキャパシタを接地する接地手段を有し
て構成される。
本発明においては、ＭＩＣのポンディングパッドが高周
波的に短絡されることになる。
波的に短絡されることになる。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例によるマイクロ波モノリシッ
ク集積回路装置の構成を示す平面図であシ、前述の図と
同一部分には同一符号を付しである。同図において、Ｍ
ＭＩＣｌのＤＣバイアスボンディングパッド３の近傍に
は、ＭＩＭキャパシタ６が設けられ、ＤＣバイアスボン
ディングパッド３はこのＭＩＭキャパシタ６によシ高周
波的に短絡される構成となっている。すなわち、このＭ
ＩＭキャパシタ６は、その上層のメタル層がボンディン
グワイヤ４によりメタルチップキャリア７に接続されて
接地されておシ、その下層のメタル層がそれぞれスルー
ホール８ａ ｔ ａｂによシＤＣバイアスボンディング
パッド３．配線パターン９に接続され、ＤＣバイアスボ
ンディングパッド３にはＤＣバイアスワイヤ５がワイヤ
ボンディングされている。
ク集積回路装置の構成を示す平面図であシ、前述の図と
同一部分には同一符号を付しである。同図において、Ｍ
ＭＩＣｌのＤＣバイアスボンディングパッド３の近傍に
は、ＭＩＭキャパシタ６が設けられ、ＤＣバイアスボン
ディングパッド３はこのＭＩＭキャパシタ６によシ高周
波的に短絡される構成となっている。すなわち、このＭ
ＩＭキャパシタ６は、その上層のメタル層がボンディン
グワイヤ４によりメタルチップキャリア７に接続されて
接地されておシ、その下層のメタル層がそれぞれスルー
ホール８ａ ｔ ａｂによシＤＣバイアスボンディング
パッド３．配線パターン９に接続され、ＤＣバイアスボ
ンディングパッド３にはＤＣバイアスワイヤ５がワイヤ
ボンディングされている。
このような構成において、ＤＣバイアス電流Ｉは、ＤＣ
バイアスワイヤ５を介してＤＣバイアスボンディングパ
ッド３に供給され、スルーホール８ａによってＭｒＭキ
ャパシタ６の下層へ供給されてＭＩＭキャパシタ６を通
シ、さらにスルーホール８ｂによって上層の配線パター
ン９に供給されて図示しないＦＥＴ等へ供給される。こ
のとき、ＭＩＭキャパシタ６の上層メタル層はボンディ
ングワイヤ４によシメタルチップキャリア７に接地され
、高周波的に短絡されることになる。
バイアスワイヤ５を介してＤＣバイアスボンディングパ
ッド３に供給され、スルーホール８ａによってＭｒＭキ
ャパシタ６の下層へ供給されてＭＩＭキャパシタ６を通
シ、さらにスルーホール８ｂによって上層の配線パター
ン９に供給されて図示しないＦＥＴ等へ供給される。こ
のとき、ＭＩＭキャパシタ６の上層メタル層はボンディ
ングワイヤ４によシメタルチップキャリア７に接地され
、高周波的に短絡されることになる。
第２図は本発明の他の実施例であり、ＭＩＭキャパシタ
をメタライズ面によ）接地した場合の構成を示す平面図
である。同図において、第１図と異なる点は、ＭＩＭキ
ャパシタ６をＭＭＩ Ｃ１の側面メタライズ１０によシ
接地したことにある。これによって接地をより十分にと
ることができるとともに自動ボンダを使用してもボンデ
ィングワイヤ長のばらつきによるＭＭＩ Ｃ１の高周波
特性のばらつきを考慮する必要がないので、自動化によ
る費用削減が期待できる。
をメタライズ面によ）接地した場合の構成を示す平面図
である。同図において、第１図と異なる点は、ＭＩＭキ
ャパシタ６をＭＭＩ Ｃ１の側面メタライズ１０によシ
接地したことにある。これによって接地をより十分にと
ることができるとともに自動ボンダを使用してもボンデ
ィングワイヤ長のばらつきによるＭＭＩ Ｃ１の高周波
特性のばらつきを考慮する必要がないので、自動化によ
る費用削減が期待できる。
以上説明したように本発明は、ＤＣバイアスのポンディ
ングパッド近傍にＭＩＭキャパシタを設けるとともにこ
のＭＩＭキャパシタを接地する接地手段を設けたことに
よ、り、ＤＣバイアスボンディングパッドが高周波的に
短絡されるので、従来のタン７パンコンへのボンディン
グワイヤのインダクタンスによるＭＭＩＣの高周波特性
への影響およびそのボンディングワイヤ長のばらつきに
よるＭＭ Ｉ Ｃの高周波特性のばらつきが軽減され、
かつタンパンコンが不要となることにより、その所有面
私および費用を削減できる。また、ボンディングワイヤ
長のばらつきによるＭＭＩＣの高周波特性のばらつきを
考慮する必要がなくなるので、自動ボンダ使用の自動化
による費用削減が期待できるなどの極めて優れた効果が
得られる。
ングパッド近傍にＭＩＭキャパシタを設けるとともにこ
のＭＩＭキャパシタを接地する接地手段を設けたことに
よ、り、ＤＣバイアスボンディングパッドが高周波的に
短絡されるので、従来のタン７パンコンへのボンディン
グワイヤのインダクタンスによるＭＭＩＣの高周波特性
への影響およびそのボンディングワイヤ長のばらつきに
よるＭＭ Ｉ Ｃの高周波特性のばらつきが軽減され、
かつタンパンコンが不要となることにより、その所有面
私および費用を削減できる。また、ボンディングワイヤ
長のばらつきによるＭＭＩＣの高周波特性のばらつきを
考慮する必要がなくなるので、自動ボンダ使用の自動化
による費用削減が期待できるなどの極めて優れた効果が
得られる。
第１図は本発明の一実施例によるマイクロ波モノリシッ
ク集積回路装置のＭＩＭキャパシタをボンディングワイ
ヤにて接地した場合の構成を示す平面図、第２図は本発
明の他の実施例によるＭＩＭキャパシタを側面メタライ
ズによシ接地した場合の構成を示す平面図、第３図は従
来のマイクロ波モノリシック集積回路装置の構成を示す
平面図である０ １・・・・マイクロ波モノリシック集積回路（ＭＭＩＣ
）、３１１・・・ＤＣバイアスポンディングバッド、４
・・・・ボンディングワイヤ、５φ・・・ＤＣバイアス
ワイヤ、６・・・・メタルインシュレータメタル（ＭＩ
Ｍ）キャパシタ、７・・・・メタルチップキャリア、８
ｍ＋８ｂ・・・φスルーホ−ル、 ・配線パターン、 ・・側 面メタライズ。
ク集積回路装置のＭＩＭキャパシタをボンディングワイ
ヤにて接地した場合の構成を示す平面図、第２図は本発
明の他の実施例によるＭＩＭキャパシタを側面メタライ
ズによシ接地した場合の構成を示す平面図、第３図は従
来のマイクロ波モノリシック集積回路装置の構成を示す
平面図である０ １・・・・マイクロ波モノリシック集積回路（ＭＭＩＣ
）、３１１・・・ＤＣバイアスポンディングバッド、４
・・・・ボンディングワイヤ、５φ・・・ＤＣバイアス
ワイヤ、６・・・・メタルインシュレータメタル（ＭＩ
Ｍ）キャパシタ、７・・・・メタルチップキャリア、８
ｍ＋８ｂ・・・φスルーホ−ル、 ・配線パターン、 ・・側 面メタライズ。
Claims (1)
- マイクロ波モノリシック集積回路のＤＣバイアスボンデ
ィングパッド近傍にメタルインシュレータメタルキャパ
シタを設けるとともにこのメタルインシュレータキャパ
シタを接地する接地手段を設け、このＤＣバイアスボン
ディングパッドを高周波的に短絡することを特徴とした
マイクロ波モノリシック集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63193943A JPH0243761A (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | マイクロ波モノリシツク集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63193943A JPH0243761A (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | マイクロ波モノリシツク集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0243761A true JPH0243761A (ja) | 1990-02-14 |
Family
ID=16316330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63193943A Pending JPH0243761A (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | マイクロ波モノリシツク集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0243761A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11929317B2 (en) | 2020-12-07 | 2024-03-12 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | Capacitor networks for harmonic control in power devices |
-
1988
- 1988-08-03 JP JP63193943A patent/JPH0243761A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11929317B2 (en) | 2020-12-07 | 2024-03-12 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | Capacitor networks for harmonic control in power devices |
| US12388007B2 (en) | 2020-12-07 | 2025-08-12 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | Capacitor networks for harmonic control in power devices |
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