JPS6126366A - 画像読取装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は画像読取装置に係り、特に入射した光の情報を
蓄積する手段を有する画像読取装置に関する。

本発明はファクシミリ等の画像読取部に適用される。

［従来技術］ 第７図は従来の画像読取装置の回路図である。

ただし、ここでは９個の光センサを有する光センサアレ
イの場合を一例として取り上げる。

同図において、光センサＥ１〜Ｅ９は、３個で１ブロッ
クを構成し、３ブロックで光センサアレイを構成してい
る。光センサＥ１〜Ｅ９に各々対応しているコンデンサ
０１〜Ｃ９、スイッチングトランジスタＴ１〜Ｔ９も同
様である。

各光センサＥ１〜Ｅ９の一方の電極（共通電極）は電源
１０１に接続され、他方の電極（個別電極）は各々コン
デンサＣ１−Ｃ９を介して接地されている。

また、光センサＥ１〜Ｅ９の各ブロック内で同一順番を
有する個別電極は、各々スイッチングトランジスタＴ１
〜Ｔ９を介して、共通線１０２〜１０４のひとつに接続
されている。

詳細に言えば、各ブロックの第１のスイッチングトラン
ジスタＴｌ、Ｔ４、Ｔ７が共通線１０２に、各ブロック
の第２のスイッチングトランジスタＴ２、Ｔ５、Ｔ８が
共通線１０３４．：、そして各ブロックの第３のスイッ
チングトランジスタＴ３、Ｔ６、Ｔ９が共通線１０４に
、それぞれ接続されている。

共通線１０２〜１０４は、各々スイッチングトランジス
タＳＴＩ〜ＳＴ３を介して、アンプ１０５に接続されて
いる。

またスイッチングトランジスタＴ１〜Ｔ９のゲート電極
はブロック毎に共通に接続され、それぞれシフトレジス
タ１０６の並列出力端子に接続されている。シフトレジ
スタ１０６の並列出力端子からは所定のタイミングで順
次ハイレベルが出力されるから、スイッチングトランジ
スタＴ１〜Ｔ９はブロック毎に順次オン状態となる。

また、スイッチングトランジスタＳＴＩ〜ＳＴ３の各ゲ
ート電極はシフトレジスタ１０７の並列出力端子に各々
接続され、この並列出力端子からハイレベルが所定のタ
イミングで順次出力されることで、スイッチングトラン
ジスタＳＴＩ〜ＳＴ３が順次オン状態となる。

さらに、スイッチングトランジスタＳＴＩ〜ＳＴ３の共
通に接続された端子は放電用のスイッチングトランジス
タＣＴＩを介して接地され、スイッチングトランジスタ
ＣＴＩのゲート電極は端子１０８に接続されている。

このような構成を有する従来の画像読取装置の動作を簡
単に説明する。

光セン°すＥｌ−Ｅ’９に光が入射すると、その強度に
応じて電源１０１からコンデンサＣｌ−Ｃ９に電荷が蓄
積される。

続いて、シフトレジスタ１０６および１０７からそれぞ
れのタイミングで順次ハイレベルが出方されるが、いま
両レジスタの第１の並列出方端子からハイレベルが出力
されたとする。

すると、第１のブロックのスイッチングトランジスタＴ
　１−Ｔ３と共通線１０２に接続されたスイッチングト
ランジスタＳＴＩがオン状態となり、コンデンサＣ１に
蓄積されている電荷が、スイッチングトランジスタＴ１
、共通線１０２、そしてスイッチングトランジスタＳＴ
Ｉを通って、アンプ１０５へ入力し、画像情報として出
方される。

コンデンサＣ１に蓄積されている電荷が読み出されると
、端子１０８にハ、イレベルが印加され、スイッチング
トランジスタＣＴＩがオン状態と雇る。これによって、
コンデンサＣ１の残留電荷は、スイッチングトランジス
タＴ１、共通線１０２、スイッチングトランジスタＳＴ
Ｉ、ソしてスイッチングトランジスタＣＴＩを通して完
全に放電される。

続いて、シフトレジスタ１０６の第１の並列出力をハイ
レベルにしたままで、シフトレジスタ１０７を順次シフ
トさせスイッチングトランジスタＳＴ２、Ｓｒ１を順に
オン状態とする。これによって、コンデンサＣ２および
Ｃ３に関して上記の読み出しおよび放電動作を行ない、
それらに蓄積されている情報を順次読み出す。

こうして、第１ブロックの情報の読み出しが終了すると
、シフトレジスタ１０６を順次シフトさせ、第２そして
第３ブロックの情報の読み出しを上記と同様に行なう。

このように、コンデンサＣ，１−Ｃ９に蓄積された情報
はシリアルに読み出され、アンプ１０５から画像情報と
して出力される。

第７図に示される従来の画像読取装置は、電荷蓄積用の
コンデンサ０１〜Ｃ９を有しているために、出力信号を
大きくすることができる。

また、光センサＥ１〜Ｅ９、コンデンサ０１〜Ｃ９およ
びスイッチングトランジスタＴ１〜Ｔ９を、薄膜半導体
によって同一基板上に形成した場合、外部回路との接続
点の数を少なくすることができる等の利点を有している
。

しかしながら、薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）はオン状態
での抵抗が高い、という特性を有している。そのために
、コンデンサＣ１−Ｃ９の容量とそれに対応するスイッ
チングトランジスタＴ１〜Ｔ９の抵抗値によって決定さ
れる時定数が大きくなり、さらに共通線１０２〜１０４
およびスイッチングトラフ９フフ３丁１〜ＳＴ３の寄生
容量や抵抗等によって、コンデンサ０１〜Ｃ９の放電時
間がながくなる。したがって、このような従来の画像読
取装置では、情報の読み取り動作に時間がかかる、いう
問題点を有していた。

さらに、従来の画像読取装置は、コンデンサＣ１−Ｃ９
の各々について、その都度、読み取り後の放電動作を必
要とするために、十分な高速動作が行なえないという問
題点も有していた。

［発明の目的］ 本発明は上記従来の問題点に鑑み成されたものであり、
その目的は高速で動作させることができ、且つ外部回路
との接続点の少ない構成を有する画像読取装置を提供す
ることにある。

［発明の概要］ 上記目的を達成するために、本発明は 複数ブロック分の情報を蓄積できる第２のコンデンサと
、第２のコンデンサの各々と並列に接続されブロック毎
に動作する放電用スイッチングトランジスタと、第２の
コンデンサからブロック毎の情報を時系列的に取り出す
スイッチングトランジスタと、を有することを特徴とす
る。

［発明の実施例］ 以下７本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。

第１図は、本発明による画像読取装置の一実施例の回路
図である。ただし、ここでは１２個の光センサを有する
場合を一例として取り上げる。

同図において、光センサＥｌ−Ｅ１２は、後述するよう
に、３個で１ブロックを構成し、２ブロックで１グルー
プを構成している。たとえば、光センサＥｌ−Ｅ３は第
１プロ・、り、光センサＥ４〜Ｅ６は第２ブロックであ
り、光センサＥ１〜Ｅ６は第１グループである。光セン
サＥｌ〜Ｅ１２の各々対応して接続されている充電流蓄
積用のコンデンサ０１〜Ｃ１２、スイッチングトランジ
スタＴｌ−Ｔ１２も同様である。

各光センサＥ１〜Ｅ１２の一方の電極（共通電極）は電
源１０１に接続され、一定の電圧が印加されている。

光センサＥ１〜Ｅ１２の他方の電極（個別電極）は、各
々スイッチングトランジスタＴ１〜Ｔ１２の一方の主電
極に接続されるとともに、各々コンデンサ０１〜Ｃ１２
を介して接地されている。

スイッチングトランジスタＴ１〜Ｔ１２のゲート電極は
、３個ずつ、すなわちブロック毎に共通に接続され、各
々がシフトレジスタ２０１の並列出力端子５ｌ−３４に
接続されている。シフトレジスタ２０１の並列出力端子
３ｌ−Ｓ４からは所定のタイミングで順次ハイレベルが
出力されるから、スイッチングトランジスタＴｌ−ＴＬ
２はブロック毎に順次オン状態となる。

スイッチングトランジスタＴ１〜Ｔ１２の他方の主電極
は、各グループでの同一順番にあるものが各々共通線２
０２〜２０７に接続されて１７）る。

たとえば、各グループ内での第２のスイ・２チングトラ
ンジスタＴ２およびＴ８は共通線２０３に接続されてい
る。

共通線２．０２〜２０７は、各々スイッチングトランジ
スタＳＴＩ〜ＳＴ６を介して、アンプ１０５に接続され
ている。

スイッチングトランジスタＳＴＩ〜ＳＴ３およびＳＴ４
〜ＳＴ６の各ゲート電極は、シフトレジスタ２０８およ
びシフトレジスタ２０９の並列出力端子Ｓ５〜ＳＬＯに
各々接続され、これら並列出力端子からハイレベルが所
定のタイミングで順吹出力されることで、スイッチング
トランジスタＳＴＩ〜ＳＴ６が順次オン状態となる。

共通線２０２〜２０７は、それぞれ転送電荷蓄積用のコ
ンデンサＣＣＩ〜ＣＣ６を介して接地され、且つ放電用
のスイッチングトランジスタＣＴ１〜ＣＴ６を介して接
地されている。

コンデンサＣＣｌ−ＣＣ６の容量はコンデンサ０１〜Ｃ
１２のそれよりも十分大きくとっておく。

スイッチングトランジスタＣＴＩ〜ＣＴ６の各ゲート電
極は、３個ずつ共通に接続され、各々端子Ｓｌｌおよび
Ｓ１２に接続されている。したがって、端子Ｓｌｌ又は
５１２にハイレベルが印加されることで、スイッチング
トランジスタＣＴ１〜ＣＴ３またはＣＴ４〜ＣＴ６がオ
ン状態となり、共通線２０２〜２０４または共通線２０
５〜２０７が接地されることになる。

次に、このような構成を有する本実施例の動作を、第２
図に示すタイミングチャートを用いて説明する。

まず、光セジサＥ１〜Ｅ１２に光が入射すると、その強
度に応じて電源１０１からコンデンサ０１〜Ｃ１２に電
荷が蓄積される。

そして、まずシフトレジスタ２０１の並列出力端子Ｓ１
からハイレベルが出力され、スイッチングトランジスタ
ＴＩ−Ｔ３がオン状態になる［第２図（ａ）］。

スイッチングトランジスタＴＩ−Ｔ３がオン状態となる
ことで、第１ブロックのコンデンサＣ１〜Ｃ３に蓄積さ
れていた電荷が、それぞれコンデンサＣＣｌ−ＣＣ５へ
転送される。

第１ブロックの情報が転送された時点で、今度はシフト
レジスタ２０１の出力端子Ｓ２からハイレベルが出力さ
れ、スイッチングトランジスタＴ４〜Ｔ６がオン状態に
なる［第２図（ｂ）］。これによって、第２ブロックの
コンデンサ０４〜Ｃ６に蓄積されていた電荷が、それぞ
れコンデンサＣＣ４〜ＣＣ６へ転送される。

第２ブロックの転送動作と並行して、シフトレジスタ２
０８の出力端子３５〜Ｓ７から順次ハイレベルが出力す
る［第２図（ｅ）〜（ｇ）］。

これによって、スイッチングトンンジスタ５５Ｔ１〜Ｓ
Ｔ３が順次オン状態となり、コンデンサＣＣ１〜ＣＣ３
へ転送され蓄積された第１ブロックの光情報がアンプ１
０５を通って時系列的に読み出される。

第１ブロックの情報が読み出されると、端子Ｓ１１にハ
イレベルが印加され、スイッチングトランジスタＣＴＩ
−ＣＴ３が同時にオン状態となる［第２図（ｋ）］。

これによって、コンデンサＣＣｌ−ＣＣ５の残留電荷が
完全に放電される。

コンデンサＣＣＩ〜ＣＣ３の残留電荷が完全に放電され
た時点で、シフトレジスタ２０１がシフトし、並列出力
端子Ｓ３からハイレベルが出力される［第２図（Ｃ）］
。

これによって、スイッチングトランジスタＴ７〜Ｔ９が
オン状態になり、第３ブロックのコンデンサ０７〜Ｃ９
に蓄積されている電荷がコンデンサＣＣｌ−ＣＣ５へ転
送される。

この第３ブロックの情報の転送動作と並行して、シフト
レジスタ２０９の並列出力端子５８〜３１０から順次ハ
イレベルが出力される［第２図（ｈ）〜（ｊ）］。

これによって、スイッチングトランジスタＳＴ４〜ＳＴ
６が順次オン状態となり、コンデンサＣＣ４〜ＣＣ６に
転送され蓄積された第２ブロックの情報が時系列的に読
み出される。

第２ブロックの情報が読み出されると、端子Ｓ１２にハ
イレベルが印加され、スイッチングトランジスタＣＴ４
〜ＣＴ６が同時にオン状態となる［第２図（〕）］。

これによって、コンデンサＣＣ４〜ＣＣ６の残留電荷が
完全に放電ξれる。

以下同様に、コンデンサＣＣＩ〜ＣＣ３に蓄積されてい
る第３ブロックの情報の読み出しおよび放電動作［第２
図（ｅ）〜（ｇ）、（ｋ）］　と並行して、第４ブロッ
クのコンデンサＣＩＯ〜Ｃ１２の電荷がコンデンサＣＣ
４〜ＣＣ６へ転送される［第２図（ｄ）］。

そして、コンデンサＣＣ４〜ＣＣ６に蓄積された第４ブ
ロックの情報は、第１ブロックの情報をコンデンサＣＣ
Ｉ〜ＣＣ３へ転送する間に、読み出される、というよう
け、以上述べた動作が繰り返され、光情報が時系列的に
読み出される。

このように、コンデンサＣｌ−Ｃ１２に蓄積された情報
の転送をブロック毎に行なうことで、従来は各々につい
て１２回必要であった転送および放電動作を、本実施例
では、４回に削減することができ、全体として読み取り
時間を短縮することができる。

また、次ブロックの情報の転送動作と並行して、前プロ
・ンクの情報の読み出しおよび残留電荷の放電を行なう
ことができ、全体として動作時間をさらに短縮すること
ができる。

なお、本実施例では、１２個の光センサを４つのブロッ
クに分けて説明したが、これに限定されるものではない
。所望の個数の光センサを所望の数のブロックに分けて
構成することは、本実施例から容易に行なうことができ
る。

第３図は、本発明の第２実施例の回路図である。ただし
、光センサＥ１〜Ｅ１８、光電流蓄積用のコンデンサ０
１〜Ｃ１８、スイッチングトランジスタＴ１〜Ｔ１８の
うち、Ｅ１ＯＮＥ１８、Ｃｌ０−Ｃ１８、ＴＩＯ〜Ｔ１
８は図示されていない。

同図において、光センサＥ１〜Ｅ１８、光電流蓄積用の
コンデンサＣｌ−Ｃ１８およびスイッチングトランジス
タＴ１〜Ｔ１８の構成は、第１図と略同じであるから説
明は省略する。ただし、本実施例では、３ブロックで１
グループを形成しており、各グループで同一順番を有す
るスイッチングトランジスタの主電極が、各々共通線４
０２〜４１０に接続されている。

スイッチングトランジスタＴ１〜Ｔ１８の各ゲート電極
はブロック毎に共通に接続され、各々シフトレジスタ４
０１の並列出力端子Ｂ１〜Ｂ６に接続されている。

また、共通線４０２〜４１０は転送電荷蓄積用のコンデ
ンサＣＣｌ　”　ＣＣ９を介して接地され、且つ放電用
のスイッチングトランジスタＣＴＩ〜ＣＴ９を介して接
地されている。

放電用のスイッチングトランジスタＣＴＩ〜ＣＴ９のゲ
ート電極は、３個ずつ共通に接続され、各々端子Ｈ１〜
Ｈ３に接続されている。

共通線４０２〜４１０は、スイッチングトランジスタＳ
ＴＩ〜ＳＴ９を介して、アンプ１０５に接続され、スイ
ッチングトランジスタＳＴＩ〜ＳＴ９のゲート電極は、
シフトレジスタ４１１〜４１３の各並列出力端子Ｄ１〜
Ｄ９に各々接続されている。

次に、このような構成を有する本実施例の動作を、第４
図のタイミングチャートを用いて簡単に説明する。

まず、シフトレジスタ４０１の出力端子Ｂ１から、ハイ
レベルが出力され、スイッチングトランジスタＴ１〜Ｔ
３がオン状態となる［第２図（ａ）　　コ　。

スイッチングトランジスタＴ１〜Ｔ３がオン状態となる
ことで、第１ブロックのコンデンサＣ１〜Ｃ３に蓄積さ
れていた電荷が、それぞれコンデンサＣＣＩ〜ＣＣ３へ
転送される。

第１ブロックの情報が転送された時点で、今度はシフト
レジスタ４０１の出力端子Ｂ２からハイレベルが出力さ
れ、スイッチングトランジスタＴ４〜Ｔ６がオン状態に
なる［第２図（ｂ）］。これによって、第２ブロックの
コンデンサ０４〜Ｃ６に蓄積されていた電荷が、それぞ
れコンデンサＣＣ４〜ＣＣ６へ転送される。

第２ブロックの転送動作と並行して、シフトレジスタ４
１１の出力端子ＤＩ−Ｄ３から順次ハイレベルが出力す
る［第２図（ｇ）〜（ｉ）］。

これによって、スイッチングトランジスタＳＴ１〜ＳＴ
３が順次オン状態となり、コンデンサＣＣ１〜ＣＣ３へ
転送され蓄積された第１ブロックの光情報がアンプ１０
５を通って時系列的に読み出される。

第１ブロックの情報が読み出された時点で、端子Ｈ１に
ハイレベルが印加され、スイッチングトランジスタＣＴ
Ｉ−ＣＴ３が同時にオン状態となリ　［第２図（ｐ）］
、コンデンサＣＣｌ−ＣＣ５の残留電荷が完全に放電さ
れる。

この放電動作と並行して、シフトレジスタ４０１の出力
端子Ｂ３からハイレベルが出力される［第２図（Ｃ）］
。

これによって、スイッチングトランジスタＴ７〜Ｔ９が
オン状態になり、第３ブロックのコンデンサ０７〜Ｃ９
に蓄積されている電荷がコンデンサＣＧ６〜ＣＣ９へ転
送される。

上記放電動作および転送動作と並行して、シフトレジス
タ４１２の出力端子Ｄ４〜Ｄ６から順次ハイレベルが出
力し［第２図（Ｄ〜（１）］、スイッチングトランジス
タＳ７４〜ＳＴ６が順次オン状態となり、第２ブロック
の情報が時系列的に読み出される。

続いて、第４ブロックの情報の転送と［第４図（ｄ）］
　、第３ブロックの情報の時系列的な読み出しと［第４
図（ｍ）〜（ｏ）］　、転送電荷蓄積用コンデンサＣＣ
４〜ＣＣ６の放電動作［第４図（ｑ）］とが並行して行
なわれ、以下同様にして、光センサＥ１〜Ｅ１８の光情
報が繰返し読み取られる。

このように、本実施例では、３ブロックで１グループを
形成しているために、あるブロックの情報の転送動作と
、前ブロックの読み出し動作と、さらに前々ブロックの
残留電荷放電動作とを並行して行なうことができ、全体
として高速動作が可能となる。

さらに、コンデンサＣ１〜１８およびＣＣＩ〜ＣＣ６の
放電時間を十分数ることができる。

なお、第１図におけるＡ部分は、第５図に示される回路
でもよい。

第５図に示される本発明の第３実施例おいて、共通線２
０２〜２０７は、各々スイッチングトランジスタＣＴＩ
〜ＣＴ６を介して接地され、スイッチングトランジスタ
ＣＴＩ−ＣＴ６のゲート電極は３個ずつ共通接続されて
各々端子５１３およびＳ１４に接続されている。　また
、共通線２０２〜２０４は、アンプＡ１〜Ａ３を介して
シフトレジスタ５０１の並列入力端子に各々接続され、
共通線２０５〜２０７は、アンプＡ４〜Ａ６を介してシ
フトレジスタ５０２の並列入力端子に各々接続されてい
る。

シフトレジスタ５０１および５０２は、それぞれシフト
パルスＳＰＩおよびＳＦ３を入力することで格納された
内容を直列に出力する。両レジスタの直列出力端子は共
通に接続されている。

このような構成を有する実施例の動作を、第６図に示す
タイミングチャートを用いて簡単に説明する。

まず、シフトレジスタ２０１の並列出力端子Ｓ１からハ
イレベルが出力され、スイッチングトランジスタＴ１〜
Ｔ３がオン状態になり［第６図（ａ）］、第１ブロック
のコンデンサ０１〜Ｃ３に蓄積されていた光情報が、そ
れぞれアンプＡ１〜Ａ３を介してシフトレジスタ５０１
に並列に入力する。

続いて、シフトレジスタ２０１がシフトし、出力端子Ｓ
２からハイレベルが出力され、スイッチングトランジス
タＴ４〜Ｔ６がオン状態になり［第６図（ｂ）］、第２
ブロックのコンデンサ０４〜Ｃ６に蓄積されていた光情
報が、それぞれアンプＡ４〜Ａ６を介してシフトレジス
タ５０２に並列に入力する。

シフトレジスタ５０２への転送動作と並行して、シフト
パルスＳＰＩがシフトレジスタ５０１へ印加され［第６
図（ｅ）］　、シフトレジスタ５０１の内容、すなわち
第１ブロックの情報を時系列的に出力する。その後、端
子Ｓ１３にハイレベルが印加され［第６図（ｇ）］、第
１ブロックのコンデンサ０１〜Ｃ３が完全に放電される
。

続いて、第３ブロックの情報がシフトレジスタ５０１へ
入力し［第６図（Ｃ）］　、それと並行してシフトパル
スＳＰ２がシフトレジスタ５０２へ入力し［第６図（ｆ
）］　、シフトレジスタ５０２の内容、すなわち第２ブ
ロックの情報を時系列的に出力する。その後、端子Ｓ１
４にハイレベルが印加され［第６図（ｈ）］　、第２プ
ロ、ンクのコンデンサ０４〜Ｃ６が完全に放電される。

以下同様にして、光センサＥ１〜Ｅ１２の光情報が順次
繰返して読み出される。

［発明の効果］ 以上詳細に説明したように、本発明による画像読取装置
は、 複数ブロック分の情報を蓄積できる第２蓄積手段と、第
２蓄積手段の各々に対応した放電用スイ・ンチ手段と、
第２蓄積手段から情報を時系列的に取り出す直列出力手
段とを有する。

本発明は、複数ブロック分の情報を蓄積できる第２蓄積
手段を有するために、転送、読み出し、放電の各動作を
並行して行なうことができ、全体として動作時間を短縮
することができる。

たとえば、２ブロック分の情報が蓄積できる場合は、あ
るブロックの情報の転送動作と並行して、前ブロックの
情報の読み出しおよび残留電荷の放電を行なうことがで
き、３ブロック分の情報がＭ積できる場合は、あるブロ
ックの情報の転送動作と並行して、前ブロックの情報の
読み出しと、前々ブロックの残留電荷の放電を行なうこ
とができる。

したがって、高速動作を達成できるとともに、２ブロッ
ク分の情報が蓄積できる場合は、読み取り動作に先立っ
て、転送動作を十分に時間をかけて行鍜うことができ１
．３ブロック分の情報が蓄積できる場合は、転送、読み
出し、放電の各動作を十分に時間をかけて行なうことが
できる。そのために、各動作が確実に実行でき、画像読
取の信頼性が向上する。

また、１グル一プ分の放電用スイッチ手段を有するため
に、第１および第２の蓄積手段を高速で完全放電させる
ことができ、残留電荷の影響を完全に無くすことができ
る。

さらに、第１の蓄積手段から第２の蓄積手段への情報の
転送をブロック毎に行なうために、転送に要する時間を
短縮することができ、全体として動作速度をさらに向上
させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による画像読取装置の第１実施例の回路
図、 第２図は本実施例の動作を説明するためのタイミングチ
ャート、 ８３図は本発明の第２実施例の回路図、第４図は第２実
施例の動作を説明するためのタイミングチャート、 第５図は本発明の第３実施例の回路図、第６図は第３実
施例の動作を説明するためのタイミングチャート、 第７図は従来の画像読取装置の一例を示す回路図である
。 Ｅ１〜Ｅ１８−−・光センサ、 Ｃｌ−Ｃ１８φ・拳光電流蓄積用コンデンサ、Ｔ１−Ｔ
１８，５ＴＩ−３Ｔ９＠・・スイッチングトランジスタ ＣＴＩ〜ＣＴ９・・・放電用スイッチングトランジスタ ５０１．５０２−・・シフトレジスタ ＝３６ 第４図 第５図 第６図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）複数の光電変換素子と、該複数の光電変換素子の
   各々に対応して設けられ前記光電変換素子の各出力信号
   を蓄積する第１蓄積手段と、該第１蓄積手段に蓄積され
   た信号を一定数ずつ１ブロックとして順次取り出す第１
   スイッチ手段と、を有する画像読取装置において、 前記第１スイッチ手段によって取り出さ れた１ブロックの信号の複数ブロック分を蓄積する第２
   蓄積手段と、 該第２蓄積手段の各々に対応して接続さ れた放電用スイッチ手段と、 前記第２蓄積手段に蓄積されている前記 複数ブロック分の信号の各々を時系列的に取り出す直列
   出力手段と、 を有することを特徴とする画像読取装置。
2. （２）上記第２蓄積手段はコンデンサであり、上記直列
   出力手段はスイッチングトランジスタであることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の画像読取装置。
3. （３）上記第２蓄積手段および直列出力手段は並列入力
   直列出力のシフトレジスタであることを特徴とする特許
   請求の範囲第１項記載の画像読取装置。