JPS61263726A - 可撓性基板の処理方法 - Google Patents
可撓性基板の処理方法Info
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- JPS61263726A JPS61263726A JP61066091A JP6609186A JPS61263726A JP S61263726 A JPS61263726 A JP S61263726A JP 61066091 A JP61066091 A JP 61066091A JP 6609186 A JP6609186 A JP 6609186A JP S61263726 A JPS61263726 A JP S61263726A
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- Laminated Bodies (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Shaping By String And By Release Of Stress In Plastics And The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の背景〕
基板に電子部品を表面取付する技術が今日の市場におい
て受は入れられつつあり、そして製造コストを低減する
恒久的要求が考えられるので、電子工業の分野で、電気
部品を基板に表面取付するに用いるプロセスにおいて耐
剛性および耐高温性である可撓性基板の必要性が高まっ
ている。この可撓性基板は、その基板への部品の表面取
付が今日の市場においてより競争に耐え得るように現在
入手可能な可撓性基板より安価なものでなければならな
い。
て受は入れられつつあり、そして製造コストを低減する
恒久的要求が考えられるので、電子工業の分野で、電気
部品を基板に表面取付するに用いるプロセスにおいて耐
剛性および耐高温性である可撓性基板の必要性が高まっ
ている。この可撓性基板は、その基板への部品の表面取
付が今日の市場においてより競争に耐え得るように現在
入手可能な可撓性基板より安価なものでなければならな
い。
所定の表面取付用途に適しておりそして大量生産操作に
おける表面取付技術に対する自動化プロセス技術に関し
て耐剛性および耐高温性である、電子工業において現在
用いられている可撓性基板用の材料はＫＡＰＴＯＮ＠
（イー、アイ、デュポン・デネモアス社（Ｅ、１．Ｄｕ
Ｐｏｎｔ ＤｅＮｅ＋ｗｏｕｒｓ Ｃｏｒｐ、）の商標
〕のような材料を含んでいる。現在知られている可撓性
基板材料は表面取付適用に要求される操作パラメータに
応じ得るが、他の市販され入手可能な材料、例えばポリ
エチレンテレフタレート（商業的にはＭＹＬＡＲ＠とし
て知られている雪ＭＹＬＡＲ＠はイー、アイ、デュポン
・デネモアス社の商標である）と比べ高価である。
おける表面取付技術に対する自動化プロセス技術に関し
て耐剛性および耐高温性である、電子工業において現在
用いられている可撓性基板用の材料はＫＡＰＴＯＮ＠
（イー、アイ、デュポン・デネモアス社（Ｅ、１．Ｄｕ
Ｐｏｎｔ ＤｅＮｅ＋ｗｏｕｒｓ Ｃｏｒｐ、）の商標
〕のような材料を含んでいる。現在知られている可撓性
基板材料は表面取付適用に要求される操作パラメータに
応じ得るが、他の市販され入手可能な材料、例えばポリ
エチレンテレフタレート（商業的にはＭＹＬＡＲ＠とし
て知られている雪ＭＹＬＡＲ＠はイー、アイ、デュポン
・デネモアス社の商標である）と比べ高価である。
表面取付適用において可撓性基板としてＭＹＬＡＲ＠の
ような安価なフィルム材料を使甲し得るということは電
子工業にとって重要な外゛耶合である。
ような安価なフィルム材料を使甲し得るということは電
子工業にとって重要な外゛耶合である。
本発明は、安価なプラスチックフィルム材料、例えばＩ
’１ＹＬＡＲ＠の基板を有意な物理的寸法変化または劣
化を伴わずに耐高温性にし得る前記プラスチックフィル
ム材料の処理方法に関する。
’１ＹＬＡＲ＠の基板を有意な物理的寸法変化または劣
化を伴わずに耐高温性にし得る前記プラスチックフィル
ム材料の処理方法に関する。
物理的寸法変化の制限の要件は、基板に取付られた電気
回路部品のインテグリテイ−が処理の間その電気的イン
テグリテイ−および物理的インテグリテイ−を維持し得
るためにとりわけ重要であ法で取付られて基板上に設け
られている電気回路部品が有意な物理的応力を受けて、
基板上に設けられた回路パスまたは他の回路素子の電気
的連続性の破断が生ずることがある。従って、可撓性基
板はその物理的寸法を変化させずにその必要な処理を受
けることが極めて重要である。 以下余白〔発明の概要
〕 本発明は、第１軸および第２軸に配向された分子結合を
有するプラスチックフィルム材料から実質的になる基板
を有意な物理的寸法変化を伴わずに耐高温性にし得る可
撓性基板の処理方法である。
回路部品のインテグリテイ−が処理の間その電気的イン
テグリテイ−および物理的インテグリテイ−を維持し得
るためにとりわけ重要であ法で取付られて基板上に設け
られている電気回路部品が有意な物理的応力を受けて、
基板上に設けられた回路パスまたは他の回路素子の電気
的連続性の破断が生ずることがある。従って、可撓性基
板はその物理的寸法を変化させずにその必要な処理を受
けることが極めて重要である。 以下余白〔発明の概要
〕 本発明は、第１軸および第２軸に配向された分子結合を
有するプラスチックフィルム材料から実質的になる基板
を有意な物理的寸法変化を伴わずに耐高温性にし得る可
撓性基板の処理方法である。
本発明は、基板を周囲温度から処理温度まで上げその際
処理温度はプラスチックフィルム材料の分子結合をラン
ダム化するに十分に高い温度である工程、前記プラスチ
ックフィルム材料中の実質的に全ての分子結合をランダ
ム化するに十分な処理時間にわたって前記基板を前記処
理温度に保持する工程、および前記基板を周囲温度まで
実質的に冷却させる工程を含んでいる。
処理温度はプラスチックフィルム材料の分子結合をラン
ダム化するに十分に高い温度である工程、前記プラスチ
ックフィルム材料中の実質的に全ての分子結合をランダ
ム化するに十分な処理時間にわたって前記基板を前記処
理温度に保持する工程、および前記基板を周囲温度まで
実質的に冷却させる工程を含んでいる。
本発明の第２の態様として、プラスチックフィルム材料
の温度を周囲温度から処理温度まで上げる前にプラスチ
ックフィルム材料の分子結合の２つの軸に実質的に垂直
な軸に沿って圧縮力を加え、そしてこの圧縮力を前記プ
ラスチックフィルム材料が周囲温度まで実質的に冷却す
るまでプロセスを通して維持する。
の温度を周囲温度から処理温度まで上げる前にプラスチ
ックフィルム材料の分子結合の２つの軸に実質的に垂直
な軸に沿って圧縮力を加え、そしてこの圧縮力を前記プ
ラスチックフィルム材料が周囲温度まで実質的に冷却す
るまでプロセスを通して維持する。
従って、本発明の目的は、プラスチックフィルムを昇温
に物理的寸法の変化なしで耐え得るようにすることによ
って、そのプラスチックフィルムを、基板に電気部品を
表面搭載する自動プロセスにおける激しく高い温度に耐
え得るようにする、プラスチックフィルムの処理方法を
提供することである。
に物理的寸法の変化なしで耐え得るようにすることによ
って、そのプラスチックフィルムを、基板に電気部品を
表面搭載する自動プロセスにおける激しく高い温度に耐
え得るようにする、プラスチックフィルムの処理方法を
提供することである。
本発明のその他の目的および特徴は、本発明の好ましい
態様を説明する添付図面を参照すれば、以下の詳細な説
明および特許請求の範囲の記載から明らかであろう。
態様を説明する添付図面を参照すれば、以下の詳細な説
明および特許請求の範囲の記載から明らかであろう。
第１図を参照すると、プラスチック基板を選択する（ブ
ロック１０）。本発明の方法により処理することを一般
的に意図したプラスチックフィルムは、長さし、幅Ｗで
長さに対する長さの変化（Ｌに対するΔＬ）の比と幅に
対する幅の変化（Ｗに対するΔＷ）の比が一定になるよ
うな仕方で同時延伸されて２軸配向している。
ロック１０）。本発明の方法により処理することを一般
的に意図したプラスチックフィルムは、長さし、幅Ｗで
長さに対する長さの変化（Ｌに対するΔＬ）の比と幅に
対する幅の変化（Ｗに対するΔＷ）の比が一定になるよ
うな仕方で同時延伸されて２軸配向している。
このような配向のシートを拘束しないで加熱すると収縮
する。しかしながら、その初期体積は最終体積と等しく
なければならず、また長さしと幅Ｗはもとの延伸量に比
例して収縮するであろうから、基板の厚さＴは一定の体
積を保つために上記に対応して増大する。本発明が、基
板に装置を表面搭載する自動プロセスの間に被ると予想
される昇温下の基板の処理の際に、防止しようと意図す
るものは、このような物理的寸法変化である。
する。しかしながら、その初期体積は最終体積と等しく
なければならず、また長さしと幅Ｗはもとの延伸量に比
例して収縮するであろうから、基板の厚さＴは一定の体
積を保つために上記に対応して増大する。本発明が、基
板に装置を表面搭載する自動プロセスの間に被ると予想
される昇温下の基板の処理の際に、防止しようと意図す
るものは、このような物理的寸法変化である。
第１図のブロック１０で指示したように基板を選択した
ら、次いで基板を処理温度に昇温する（ブロック１２）
。処理温度としては基板の２軸配向の分子結合を不規則
化するのに十分な高温を選択する。勿論、処理温度は基
板が破損する温度より低く保たれなければならない。
ら、次いで基板を処理温度に昇温する（ブロック１２）
。処理温度としては基板の２軸配向の分子結合を不規則
化するのに十分な高温を選択する。勿論、処理温度は基
板が破損する温度より低く保たれなければならない。
例えば、ＭＹＬＡＲ（Ｅ、１．デュポンデネモアス社の
商標）プラスチックフィルムは約２５０℃で溶融する。
商標）プラスチックフィルムは約２５０℃で溶融する。
本発明の実施に便利な処理温度は２０５℃であることが
見い出された。しかしながら、本発明は処理温度として
その温度に限定されない。
見い出された。しかしながら、本発明は処理温度として
その温度に限定されない。
シートを処理温度に昇温した後（第１図、ブロック１２
）、その温度に処理時間保持する（第１図、ブロック１
４）。この処理時間は基板の２軸配向構造の分子結合の
実質的にすべてが不規則化されるのに十分な時間である
。
）、その温度に処理時間保持する（第１図、ブロック１
４）。この処理時間は基板の２軸配向構造の分子結合の
実質的にすべてが不規則化されるのに十分な時間である
。
第１図のブロック１４に指示する工程の実施に適当な処
理時間は一般的に２時間である。しかしながら、勿論、
本発明の範囲をこの処理時間に限定することは意図して
いない。
理時間は一般的に２時間である。しかしながら、勿論、
本発明の範囲をこの処理時間に限定することは意図して
いない。
処理時間を経過して第１図のブロック１４で表わされる
工程が完了した後、基板を放冷しく第１図、ブロック１
６）、処理を終える。
工程が完了した後、基板を放冷しく第１図、ブロック１
６）、処理を終える。
本発明の処理により基板の当初の２軸配向の「記憶」は
消去される。その後、基板は電気部品を組付ける取扱い
および関連する操作の際少なくとも上記処理温度に昇温
し、その際の、長さしまたは幅Ｗの収縮はあるとしても
無視することができる。本発明の方法による処理に供し
たプラスチックフィルム基板は、少なくとも処理温度ま
での温度で更に収縮する記憶が取り除かれている。
消去される。その後、基板は電気部品を組付ける取扱い
および関連する操作の際少なくとも上記処理温度に昇温
し、その際の、長さしまたは幅Ｗの収縮はあるとしても
無視することができる。本発明の方法による処理に供し
たプラスチックフィルム基板は、少なくとも処理温度ま
での温度で更に収縮する記憶が取り除かれている。
昇温された処理温度における基板材料のこの記憶の消去
は回路の通路を可撓性基板にスクリーン印刷あるいはそ
の他の方法で形成する場合に極めて重要である。基板の
その後の処理において長さし、幅Ｗあるいはその両方の
寸法が変化すると、基板材料の物理的変位により回路ト
レースが電気的に切断され、それによってそうした回路
トレースを伴なう回路が操作不能になる。
は回路の通路を可撓性基板にスクリーン印刷あるいはそ
の他の方法で形成する場合に極めて重要である。基板の
その後の処理において長さし、幅Ｗあるいはその両方の
寸法が変化すると、基板材料の物理的変位により回路ト
レースが電気的に切断され、それによってそうした回路
トレースを伴なう回路が操作不能になる。
従って、大量生産操作のための表面取付は技術に包含さ
れる自動化プロセスの高温に耐えられるとは、従来考え
られなかったより廉価なプラスチック材料が、本発明の
方法によってまさに、寸法変化を被らずにそのような温
度に耐えられるようになることを意味する。その結果、
ＫＡＰＴＯＮ＠のようなより高価で特殊な材料は、より
廉価な材料により置き換えることができるが、その置き
換えは従来不可能と思われていた。
れる自動化プロセスの高温に耐えられるとは、従来考え
られなかったより廉価なプラスチック材料が、本発明の
方法によってまさに、寸法変化を被らずにそのような温
度に耐えられるようになることを意味する。その結果、
ＫＡＰＴＯＮ＠のようなより高価で特殊な材料は、より
廉価な材料により置き換えることができるが、その置き
換えは従来不可能と思われていた。
第２図を参照すると、本発明の第２の態様が開示される
。第２図により説明される方法の態様は、材料の長さし
、幅Ｗ、及び厚さＴが高温処理中に有意に変化しないこ
とを保証する必要がある大量生産操作において遭遇せら
れる表面取付は技術の高温に耐えられるプラスチック基
板の製造を意図する。
。第２図により説明される方法の態様は、材料の長さし
、幅Ｗ、及び厚さＴが高温処理中に有意に変化しないこ
とを保証する必要がある大量生産操作において遭遇せら
れる表面取付は技術の高温に耐えられるプラスチック基
板の製造を意図する。
第２図において、基板を選択する（第２図のブロック２
０）。選択された基板（ブロック２０）は、本発明のこ
の第２の態様では、第１図のブロック１０において意図
される材料と同一タイプであることが意図される。すな
わち、プラスチックフィルムであり、これは製造中に、
長さし１幅Ｗでもって、長さに対する長さの変化（Ｌに
対するΔＬ）の比と幅に対する幅の変化（Ｗに対するΔ
Ｗ）の比が一定になるような、フィルムが同時に延伸さ
れる方法で、２軸配向される。基板を選択（ブロック２
０）したら、その基板に圧縮力をかける（ブロック２２
）。圧縮力は、基板材料の２軸配向の２つの軸により定
められた平面に実質的に垂直な軸に沿って適用され、ま
た水平度を調節して基板材料が処理温度ではみ出てくる
のを防止する。
０）。選択された基板（ブロック２０）は、本発明のこ
の第２の態様では、第１図のブロック１０において意図
される材料と同一タイプであることが意図される。すな
わち、プラスチックフィルムであり、これは製造中に、
長さし１幅Ｗでもって、長さに対する長さの変化（Ｌに
対するΔＬ）の比と幅に対する幅の変化（Ｗに対するΔ
Ｗ）の比が一定になるような、フィルムが同時に延伸さ
れる方法で、２軸配向される。基板を選択（ブロック２
０）したら、その基板に圧縮力をかける（ブロック２２
）。圧縮力は、基板材料の２軸配向の２つの軸により定
められた平面に実質的に垂直な軸に沿って適用され、ま
た水平度を調節して基板材料が処理温度ではみ出てくる
のを防止する。
従って、基板材料の厚さＴは、この発明の方法を実施し
ている間は拘束される。厚さＴはそれに適用される圧縮
力のために増加することができず、基板の長さしも幅Ｗ
も基板の体積が一定のままでなければならないので減少
できない、圧縮力の適用後、基板は、圧縮力をなお適用
したまま、処理温度まで昇温される（第２図のブロック
２４）。
ている間は拘束される。厚さＴはそれに適用される圧縮
力のために増加することができず、基板の長さしも幅Ｗ
も基板の体積が一定のままでなければならないので減少
できない、圧縮力の適用後、基板は、圧縮力をなお適用
したまま、処理温度まで昇温される（第２図のブロック
２４）。
その処理温度は、基板材料の分子結合をランダム化する
のに十分なだけ高い、もちろん、処理温度は、基板が破
壊する水準より低く保たなければならない。
のに十分なだけ高い、もちろん、処理温度は、基板が破
壊する水準より低く保たなければならない。
基板は、処理時間中（第２図のブロック２６）はその処
理温度で保持される。その処理時間は、基板材料の分子
結合の実質的にすべてをランダム化するのに十分な時間
である。圧縮力は、第２図のブロック２６で表わされる
処理時間を通じて保持されて、基板材料の厚さＴを制限
する。
理温度で保持される。その処理時間は、基板材料の分子
結合の実質的にすべてをランダム化するのに十分な時間
である。圧縮力は、第２図のブロック２６で表わされる
処理時間を通じて保持されて、基板材料の厚さＴを制限
する。
本発明のこの第２の態様のための処理温度についての代
表的温度は２０５℃であり、本発明のこの第２の態様の
ための代表的処理時間は２時間である。しかしながら、
この開示は、その処理温度またはその処理時間に限定す
ることをいかなる点においても意図しない。
表的温度は２０５℃であり、本発明のこの第２の態様の
ための代表的処理時間は２時間である。しかしながら、
この開示は、その処理温度またはその処理時間に限定す
ることをいかなる点においても意図しない。
処理時間の経過後直ちに基板を最初の周囲温度まで冷却
させ（第２図のブロック２８）、そして基板が最初の周
囲温度まで冷却した後、圧縮力をそこから解除する（第
２図のブロック３θ）。処理はこれで完了する。
させ（第２図のブロック２８）、そして基板が最初の周
囲温度まで冷却した後、圧縮力をそこから解除する（第
２図のブロック３θ）。処理はこれで完了する。
本発明の第２の態様の適用によって、基板の当初の２軸
配向の「記憶」は消去される。それ以後は、フィルムは
、高温操作の別の処理及び関連する処理の問掛くとも上
記処理温度まで昇温することができ、その間における長
さＬまたは幅Ｗの収縮は、たとえあったとしても、その
ような別の処理の間に厚さＴの拘束がない場合において
も、無視できる程度のものである。
配向の「記憶」は消去される。それ以後は、フィルムは
、高温操作の別の処理及び関連する処理の問掛くとも上
記処理温度まで昇温することができ、その間における長
さＬまたは幅Ｗの収縮は、たとえあったとしても、その
ような別の処理の間に厚さＴの拘束がない場合において
も、無視できる程度のものである。
この発明の方法による処理の間の長さしおよび幅Ｗの収
縮を予期して、最終製品基板に対して望まれるよりも大
きい長さしおよび幅Ｗをもって基板を構成する必要がな
いということが、本発明のこの第２の態様の重要な帰結
である。圧縮力（第２図のブロック２２）により厚さＴ
を制限することによって、基板の厚さＴが処理の間に変
化するのが防止され、基板の容積は一定に保持されるは
ずであるから、長さしおよび幅Ｗのいずれもこの発明の
方法の実施の間に変化し得ないのである。
縮を予期して、最終製品基板に対して望まれるよりも大
きい長さしおよび幅Ｗをもって基板を構成する必要がな
いということが、本発明のこの第２の態様の重要な帰結
である。圧縮力（第２図のブロック２２）により厚さＴ
を制限することによって、基板の厚さＴが処理の間に変
化するのが防止され、基板の容積は一定に保持されるは
ずであるから、長さしおよび幅Ｗのいずれもこの発明の
方法の実施の間に変化し得ないのである。
従うて、フィルムの元の二軸配向の「記憶」は長さし、
幅Ｗまたは厚さＴのいずれにも変化を生ずることなく消
去される。そして、基板はさらに少なくとも処理温度ま
での昇温において取り扱うことができ、そのような取り
扱いの間における長さし、幅Ｗまたは厚さＴの変化はも
しあったとしても無視可能なものとなる。
幅Ｗまたは厚さＴのいずれにも変化を生ずることなく消
去される。そして、基板はさらに少なくとも処理温度ま
での昇温において取り扱うことができ、そのような取り
扱いの間における長さし、幅Ｗまたは厚さＴの変化はも
しあったとしても無視可能なものとなる。
上記においては、本発明の好ましい態様について、詳細
な図面および特定の例をもって説明してきたけれども、
これらは説明の目的のためにのみ開示されているのであ
って、本発明の方法は開示された詳細および条件に限定
されるものではなく、本発明の精神を逸脱することなく
さまざまな変更が行われ得るということを理解されたい
。
な図面および特定の例をもって説明してきたけれども、
これらは説明の目的のためにのみ開示されているのであ
って、本発明の方法は開示された詳細および条件に限定
されるものではなく、本発明の精神を逸脱することなく
さまざまな変更が行われ得るということを理解されたい
。
第１図は本発明の好ましい態様のフローダイヤグラムで
あり、第２図は本発明の第２の態様のフローダイヤグラ
ムである。 １０．２０・・・基板、 １２．２４・・・処理温
度に昇温、１６．２８・・・周囲温度に放冷 。
あり、第２図は本発明の第２の態様のフローダイヤグラ
ムである。 １０．２０・・・基板、 １２．２４・・・処理温
度に昇温、１６．２８・・・周囲温度に放冷 。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、第１の軸および第２の軸に沿って配向された分子結
合を有するプラスチックフィルム材料から実質的になる
柔軟な基板に対して、有意の物理的寸法変化を生ずるこ
となく、昇温に耐えることを可能にするための、可撓性
基板の処理方法であつて、 前記基板を周囲温度から前記分子結合をランダムにする
のに十分な程度に高い処理温度に昇温する工程、 前記基板を前記処理温度において、前記基板中の前記分
子結合の実質的に全部のランダム化を行うのに十分な処
理時間の間保持する工程、および前記基板を前記周囲温
度まで放冷する工程、を含む方法。 ２、さらに、 前記基板に、前記第１の軸および前記第２の軸と実質的
に直角な第３の軸に沿って、圧縮力を適用する工程、お
よび、 前記基板を前記処理温度まで昇温する間および前記基板
が前記周囲温度まで冷却するまで、前記基板に対して前
記圧縮力を保持する工程、を含む、特許請求の範囲第１
項記載の方法。 ３、前記処理温度が前記昇温よりも低いかまたは前記昇
温と等しい温度である、特許請求の範囲第２項記載の方
法。 ４、前記処理温度が前記昇温に等しいかまたは前記昇温
よりも高い温度である、特許請求の範囲第２項記載の方
法。 ５、前記プラスチックフィルム材料が、ポリエチレンテ
レフタレートフィルムである、特許請求の範囲第２項記
載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US71627285A | 1985-03-26 | 1985-03-26 | |
| US716272 | 1985-03-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61263726A true JPS61263726A (ja) | 1986-11-21 |
Family
ID=24877396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61066091A Pending JPS61263726A (ja) | 1985-03-26 | 1986-03-26 | 可撓性基板の処理方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0196874A3 (ja) |
| JP (1) | JPS61263726A (ja) |
| KR (1) | KR860007856A (ja) |
| BR (1) | BR8601393A (ja) |
| FI (1) | FI861296A7 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6924872B2 (en) * | 1999-12-02 | 2005-08-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Flexible LCD panel fabrication method and flexible LCD panel fabrication system used for the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5874324A (ja) * | 1981-10-30 | 1983-05-04 | Toray Ind Inc | 二軸延伸ポリエステルフィルムの熱処理方法 |
Family Cites Families (2)
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|---|---|---|---|---|
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| JPS5832489A (ja) * | 1981-08-20 | 1983-02-25 | 日東電工株式会社 | 印刷回路用ポリエステルフイルム |
-
1986
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Patent Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
| JPS5874324A (ja) * | 1981-10-30 | 1983-05-04 | Toray Ind Inc | 二軸延伸ポリエステルフィルムの熱処理方法 |
Also Published As
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| EP0196874A3 (en) | 1987-09-16 |
| KR860007856A (ko) | 1986-10-17 |
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| BR8601393A (pt) | 1986-12-02 |
| FI861296A0 (fi) | 1986-03-26 |
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