JPS61264762A - 薄膜トランジスタおよびその製造方法 - Google Patents

薄膜トランジスタおよびその製造方法

Info

Publication number
JPS61264762A
JPS61264762A JP60106101A JP10610185A JPS61264762A JP S61264762 A JPS61264762 A JP S61264762A JP 60106101 A JP60106101 A JP 60106101A JP 10610185 A JP10610185 A JP 10610185A JP S61264762 A JPS61264762 A JP S61264762A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
semiconductor film
cdse
thin film
passivation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP60106101A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JPH0586871B2 (fr
Inventor
Tomoji Okada
岡田　智司
Yuji Kamogawa
鴨川　裕司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Noritake Itron Corp
Original Assignee
Ise Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ise Electronics Corp filed Critical Ise Electronics Corp
Priority to JP60106101A priority Critical patent/JPS61264762A/ja
Publication of JPS61264762A publication Critical patent/JPS61264762A/ja
Publication of JPH0586871B2 publication Critical patent/JPH0586871B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]

Landscapes

  • Formation Of Insulating Films (AREA)
JP60106101A 1985-05-20 1985-05-20 薄膜トランジスタおよびその製造方法 Granted JPS61264762A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60106101A JPS61264762A (ja) 1985-05-20 1985-05-20 薄膜トランジスタおよびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60106101A JPS61264762A (ja) 1985-05-20 1985-05-20 薄膜トランジスタおよびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61264762A true JPS61264762A (ja) 1986-11-22
JPH0586871B2 JPH0586871B2 (fr) 1993-12-14

Family

ID=14425124

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60106101A Granted JPS61264762A (ja) 1985-05-20 1985-05-20 薄膜トランジスタおよびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61264762A (fr)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020123753A (ja) * 2009-12-28 2020-08-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020123753A (ja) * 2009-12-28 2020-08-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US11424246B2 (en) 2009-12-28 2022-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
US12193244B2 (en) 2009-12-28 2025-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0586871B2 (fr) 1993-12-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH10247723A (ja) 半導体装置のキャパシタの製造方法
JPH07235502A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2001131741A (ja) 触媒スパッタリングによる薄膜形成方法及び薄膜形成装置並びに半導体装置の製造方法
JP3122699B2 (ja) 薄膜状半導体装置の作製方法。
JPH07122621A (ja) 多目的基板処理装置およびその動作方法および薄膜集積回路の作製方法
JPH0614548B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPS63304670A (ja) 薄膜半導体装置の製造方法
JP2002151693A (ja) ボトムゲート薄膜トランジスタとその製造方法およびエッチング装置と窒化装置
JPS61264762A (ja) 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JPH06260644A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS63119268A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS5965479A (ja) 薄膜トランジスタとその製造方法
JPS58192375A (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
JPH05331619A (ja) 薄膜作製方法および薄膜作製装置
JP3038898B2 (ja) 薄膜半導体装置の製造方法
KR100324822B1 (ko) 반도체소자의 게이트 산화막 제조방법
JP3466638B2 (ja) 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP2761579B2 (ja) 基板処理装置
JPH04186734A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH113887A (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
JPS5989436A (ja) 薄膜半導体装置の製造方法
KR100209586B1 (ko) 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 제조방법
JPH03266434A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH09116162A (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
JPH077156A (ja) 電界効果型薄膜トランジスタ