JPS6126589A - 単結晶引上機の原料供給装置 - Google Patents
単結晶引上機の原料供給装置Info
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- JPS6126589A JPS6126589A JP14479084A JP14479084A JPS6126589A JP S6126589 A JPS6126589 A JP S6126589A JP 14479084 A JP14479084 A JP 14479084A JP 14479084 A JP14479084 A JP 14479084A JP S6126589 A JPS6126589 A JP S6126589A
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Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、シリコンなどの単結晶金融液から引き上げる
機械のルツ、ボ内ヘランプ（塊）状の半導体原料を供給
するための装置に関するものである。
機械のルツ、ボ内ヘランプ（塊）状の半導体原料を供給
するための装置に関するものである。
薄、
〔発明の技術的背景とその問題〕
△
単結晶引上機は、ルツボ内の融液を引き上げ終ると、引
上げられた単結晶を機外へ取出すと共に、次回の引上げ
のためにルツボ内へ原料を供給する。
上げられた単結晶を機外へ取出すと共に、次回の引上げ
のためにルツボ内へ原料を供給する。
この原料供給時にルツボを常温近くまで冷却すると、ル
ツボは一般に石英で作られているため、残留している半
導体原料と前記石英の熱膨張係数の差によりルツボが破
壊されてしまう。そこで、ルツボの温度を残留融液がわ
ずかに固化する程度ま ０での温度低下に止める
と共に、不活性ガス雰囲気を保ち、例えば、底を開閉可
能にした筒状の原料供給装置内にランプ状の原料を入れ
て、前記のルツボの上方に搬入し、底を開いて原料をル
ツボ内へ供給するようにした装置が提案されている。と
ころで、このような原料供給装置は、ルツボ内への供給
時に不純物を混入しないことが重要である。
ツボは一般に石英で作られているため、残留している半
導体原料と前記石英の熱膨張係数の差によりルツボが破
壊されてしまう。そこで、ルツボの温度を残留融液がわ
ずかに固化する程度ま ０での温度低下に止める
と共に、不活性ガス雰囲気を保ち、例えば、底を開閉可
能にした筒状の原料供給装置内にランプ状の原料を入れ
て、前記のルツボの上方に搬入し、底を開いて原料をル
ツボ内へ供給するようにした装置が提案されている。と
ころで、このような原料供給装置は、ルツボ内への供給
時に不純物を混入しないことが重要である。
このため、従来は、原料供給装置の原料に接触する部分
を石英ガラスや５１３Ｎ４などの比較的硬度が高く、耐
腐蝕性に富む材料で形成していたが、特に原料がランプ
状の場合には、多少の擦過は避けられず、不純物混入の
原因となったり、またＳｉ３Ｎ４は硬度が高いため石英
ガラスなどに比較すれば擦過は少ないが、高価であるな
どの欠点を有し′ていた。
を石英ガラスや５１３Ｎ４などの比較的硬度が高く、耐
腐蝕性に富む材料で形成していたが、特に原料がランプ
状の場合には、多少の擦過は避けられず、不純物混入の
原因となったり、またＳｉ３Ｎ４は硬度が高いため石英
ガラスなどに比較すれば擦過は少ないが、高価であるな
どの欠点を有し′ていた。
本発明の目的は、シリコンの単結晶引上げ用の原料供給
装置として適し、比較的安価に製作できて不純物混入の
問題のない原料供給装置を提供するにある。
装置として適し、比較的安価に製作できて不純物混入の
問題のない原料供給装置を提供するにある。
かかる目的を達成するための本発明は、原料供給装置の
原料が接触する部分の内壁面を、多結晶シリコン、アモ
ルファスシリコン層−ｔ［覆Ｌｉものである。なお、前
記被覆ｇｃＶＤ法やＰＶＤ法で行えば、非常に高い硬度
の被覆層となるため、シリコンに限らず他の半導体原料
の供給用としても使用し得るものである。
原料が接触する部分の内壁面を、多結晶シリコン、アモ
ルファスシリコン層−ｔ［覆Ｌｉものである。なお、前
記被覆ｇｃＶＤ法やＰＶＤ法で行えば、非常に高い硬度
の被覆層となるため、シリコンに限らず他の半導体原料
の供給用としても使用し得るものである。
以下本発明の一実施例を示す図面について説明する。１
は単結晶引上機に設置されているルツボである。２は本
発明による原料供給装置で、筒状の本体３を有し、同本
体３の下端には軸４を中心にしてロッド５により開閉さ
れる２枚のフタロが設けられている。本体３の図示しな
い上端は吊り具などにより支持され、単結晶引上機のル
ツボ１上に対して搬出入されるようになっている。
は単結晶引上機に設置されているルツボである。２は本
発明による原料供給装置で、筒状の本体３を有し、同本
体３の下端には軸４を中心にしてロッド５により開閉さ
れる２枚のフタロが設けられている。本体３の図示しな
い上端は吊り具などにより支持され、単結晶引上機のル
ツボ１上に対して搬出入されるようになっている。
前記本体３およびフタロの内壁面には、ＣＶＤ法やＰＶ
Ｄ法などにより形成された多結晶シリコンまたはアモル
ファスシリコンの被覆膜７が設置られている。なお、Ｃ
ＶＤ法により被覆膜７を形成する場合は、下地表面形状
が継承されるため、本体３やフタロの内壁面を研磨加工
しておけば、滑らかな表面の被覆膜７とすることができ
、内部に入れられた原料８との摩擦を小さくできる。ま
た、減圧ＣＶＤ法によれば、筒状の本体３の内壁面に対
しても均一性のよい被覆膜７が得られ、さらに、プラズ
マ放電を用いたＣＶＤ法によれば、２００〜３００℃の
低温状態にて被覆膜７を形成することが可能となシ、本
体３やフタロの材質すなわち被覆膜７に対する母材の材
質に熱膨張の大きなものも使用し得る。
Ｄ法などにより形成された多結晶シリコンまたはアモル
ファスシリコンの被覆膜７が設置られている。なお、Ｃ
ＶＤ法により被覆膜７を形成する場合は、下地表面形状
が継承されるため、本体３やフタロの内壁面を研磨加工
しておけば、滑らかな表面の被覆膜７とすることができ
、内部に入れられた原料８との摩擦を小さくできる。ま
た、減圧ＣＶＤ法によれば、筒状の本体３の内壁面に対
しても均一性のよい被覆膜７が得られ、さらに、プラズ
マ放電を用いたＣＶＤ法によれば、２００〜３００℃の
低温状態にて被覆膜７を形成することが可能となシ、本
体３やフタロの材質すなわち被覆膜７に対する母材の材
質に熱膨張の大きなものも使用し得る。
ＣＶＤ法やＰＶＤ法で形成した多結晶シリコンおよびア
モルファスシリコンの被１膜７ば、”ビッカース硬度が
１５００〜２０００ Ｋｇ／ｃＪと高く、高純度、高融
点であり、組織も緻密で物体への接着性が良く、比較的
安価にできる。
モルファスシリコンの被１膜７ば、”ビッカース硬度が
１５００〜２０００ Ｋｇ／ｃＪと高く、高純度、高融
点であり、組織も緻密で物体への接着性が良く、比較的
安価にできる。
また、本体３やフタらの母材の材質は、取扱いに際して
さびなどが混入しないようにステンレス０ 鋼
とするか、さらには多結晶シリコンおよびアモルファス
シリコンとの熱膨張の差を小さく押えるためにチタンな
いしはチタン化合物の蒸着膜をはさむか、さらには母材
そのものをチタンないしはチタン合金にすることが好ま
しい。
さびなどが混入しないようにステンレス０ 鋼
とするか、さらには多結晶シリコンおよびアモルファス
シリコンとの熱膨張の差を小さく押えるためにチタンな
いしはチタン化合物の蒸着膜をはさむか、さらには母材
そのものをチタンないしはチタン合金にすることが好ま
しい。
本発明による原料供給装置２は、前述したよりｆｘ多結
晶ン＋）コンマタはアモルファスシリコンの被覆膜７を
設けたので、原料８金入れ、フタロを開いてルツボ１内
へ供給する際、原料８が本体３やフタロの内壁面を擦過
しても、該被覆膜７の硬度は非常に高いため、傷を生じ
たり、−！、た原料８が内壁面に食込んでブリッジを起
こして落下不良を生じたりすることもない。
晶ン＋）コンマタはアモルファスシリコンの被覆膜７を
設けたので、原料８金入れ、フタロを開いてルツボ１内
へ供給する際、原料８が本体３やフタロの内壁面を擦過
しても、該被覆膜７の硬度は非常に高いため、傷を生じ
たり、−！、た原料８が内壁面に食込んでブリッジを起
こして落下不良を生じたりすることもない。
壕り、原料８がシリコンの場合は、被覆膜７を原料８が
若干削り取るようなことがあっても、被覆膜７が高純度
のシリコンであるため、全く問題がない。
若干削り取るようなことがあっても、被覆膜７が高純度
のシリコンであるため、全く問題がない。
以上述べたように本発明によれば、半導体原料がランプ
状のものであっても不純物を混入することなく単結晶引
上機のルツボへ供給することができ、装置も比較的安価
に製作できる。
状のものであっても不純物を混入することなく単結晶引
上機のルツボへ供給することができ、装置も比較的安価
に製作できる。
図は本発明の一実施例を示す要部縦断面図である。
１・・・ ルツボ、 ２・・・ 原料供給装置、３・
・・ 本体、 ら・・・ ツク、 ７・・・ 被覆
膜、８・・・ 原料。
・・ 本体、 ら・・・ ツク、 ７・・・ 被覆
膜、８・・・ 原料。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、単結晶引上機のルツボに対する原料供給装置におい
て、原料が接触する装置の内壁面を、多結晶シリコン、
アモルファスシリコン層で被覆したことを特徴とする単
結晶引上機の原料供給装置。 ２、内壁面の被覆をＰＶＤ法にて行なうことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の単結晶引上機の原料供給
装置。 ３、内壁面の被覆をＣＶＤ法にて行なうことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の単結晶引上機の原料供給
装置。 ４、被覆する部分の装置母材がステンレス鋼であること
を特徴とする特許請求の範囲第１、２または３項記載の
単結晶引上機の原料供給装置。 ５、被覆する部分の装置母材がチタンないしはその合金
であることを特徴とする特許請求の範囲第１、２または
３項記載の単結晶引上機の原料供給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14479084A JPS6126589A (ja) | 1984-07-12 | 1984-07-12 | 単結晶引上機の原料供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14479084A JPS6126589A (ja) | 1984-07-12 | 1984-07-12 | 単結晶引上機の原料供給装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6126589A true JPS6126589A (ja) | 1986-02-05 |
Family
ID=15370507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14479084A Pending JPS6126589A (ja) | 1984-07-12 | 1984-07-12 | 単結晶引上機の原料供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6126589A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5132145A (en) * | 1987-04-27 | 1992-07-21 | Societe Anonyme | Method of making composite material crucible for use in a device for making single crystals |
| EP0756024A3 (en) * | 1995-07-25 | 1997-05-21 | Memc Electronic Materials | Process for the production of a silicon melt from a polycrystalline silicon batch |
| WO1999020815A1 (en) * | 1997-10-16 | 1999-04-29 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for preparing a silicon melt from a polysilicon charge |
-
1984
- 1984-07-12 JP JP14479084A patent/JPS6126589A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5132145A (en) * | 1987-04-27 | 1992-07-21 | Societe Anonyme | Method of making composite material crucible for use in a device for making single crystals |
| EP0756024A3 (en) * | 1995-07-25 | 1997-05-21 | Memc Electronic Materials | Process for the production of a silicon melt from a polycrystalline silicon batch |
| WO1999020815A1 (en) * | 1997-10-16 | 1999-04-29 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for preparing a silicon melt from a polysilicon charge |
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