JPH01148782A - 単結晶引き上げ用石英ルツボ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、シリコン単結晶等の単結晶引き上げ　　　゛
用石英ルツボに関する。

〔従来の技術〕

従来、シリコン半導体単結晶の製造は、容器中で多結晶
シリコンを溶融し、高純度の単結晶シリコン（種結晶）
先端を浸して、回転させながら引き上げ、種結晶と同じ
方位を持つｌｉｔ結晶を成長させる、いわゆるチョクラ
ルスキー法が広く行われている。

この単結晶引き上げに使用される容器としては通常、石
英ルツボが使用されているが、これについては製法上の
理由による外観上の違いから、透明石英ルツボと、生地
内に微小な気泡を多量に含有している為不透明もしくは
半透明な外観を有する石英ルツボがある（以下、半透明
石英ルツボと呼ぶ）。

半透明石英ルツボは、粉体を原料として１重用する事に
より透明石英ルツボよりも高強度な物が容易に製造でき
、また大口径の物か比較的低コストで製造てきること、
更に含有する微小気泡により透明石英ルツボよりも均一
な熱分布か得られる事から、工業的に広く利用されてい
る。

しかし、従来の半透明石英ルツボには単結晶の製造時に
、（１）シはしば単結晶化が不安定になって欠陥か生じ
て、ｌ’ｆＬ結晶の収率を低下させる。

（２）引き上げ時の高温に対する形状の安定性が不十分
で、例えは、この石英ルツボを支えているカーボンサセ
プターの形状に沿って変形を起こす等の問題が有る。

引き上げ時の単結晶化が不安定になる原因としては、引
き上げ設備・条件の他にも種々の要因が考えられている
。本発明者の検討によれば、以下の３点か石英ルツボに
起因している主な事項であると言える。

第一は、従来の半透明石英ルツボは、その含有する気泡
の大きさや存在密度が必すしも均一でなく、特に円筒部
に於いてバラツキか見られ、この気泡の存在密度のバラ
ツキが外部ヒーターからの熱の伝達をかえって不均一に
して、シリコン融液の対流を乱し、単結晶化を阻害して
いることである。

第二は、高温時に於けるシリコン融液と石英ガラスの反
応により、内表面か侵食されて表面が荒れたり、更に侵
食が進んで内部の微小気泡が露出した場合等にも単結晶
化が不安定になることである。即ち、シリコン融液の液
面に当たる部分のルツボの表面か荒れていることによっ
て、原料の減少による液面の降下がスムースに行われず
、液面が振動することにより結晶成長を阻害することで
ある。更に、石英ガラスの表面の微細な突起、傷等が高
温の加熱により結晶化反応の核となってクリス１〜パラ
イトの斑点を生じ、この結晶がシリコン融液中に落下す
る現象が起こり結晶成長を阻害することがあるが、侵食
により内表面が荒れた場合には、この結晶化反応の核と
なる点が数多く発生ずることである。

発明者の検討によれば、上記の様な侵食は石英ガラスの
組織的な不均一性により助長されることが推定された。

第三は、石英ルツボが引き上げ時の高温に長時間さらさ
れることにより、部分的な変形を起こしたりした場合に
も、シリコン融液の対流が乱ｔして単結晶化が阻害され
ることである。

石英ルツボについては従来幾つかの発明か為されている
。例えば、米［ｉｌ　’Ｉ−：＃許４，５２８，１６３
号には、天然石英粒子で外側を形成し、内側を合成石英
粒子でライニングし、このライニング層の表面に平滑な
薄い非晶質層を形成した石英ルツボが記載されている。

又、米国特許４，４１６，６８０号および４．６３２，
６８６号には石英ルツボ中の気泡を減少させる方法とし
て、外側を減圧にして溶融する製造方法か３己栽されて
いる。

更に、特開昭５９−２１３６９７号にはルツボを内面か
ら長時間加熱、若しくは透明石英管を溶融して円筒部の
一部を透明管と為し、少なくとも原料融；夜と接する部
分をｌ　ｍｍ以上の厚さの透明石英ガラス層とすること
が記載されている。

〔発明か解決しようとする問題点〕

ところか、米匡Ｉ特許４，５２８，１６３号のものは、
その内外層を同時に溶融するものであるため内側部に合
成石英を使用したことによる特性の向上げみられるが、
その内側部に多数の気泡、空隙か残存することか避けら
れず、単結晶引上げ時に溶融物が気泡、空隙の孔に捕捉
され、引上げ操作か著しく妨げられる。

また、本田特許４，４１６，６８０号および４　、６３
２　、６８６号には石英ルツボ中の気泡を真空引きして
減少させることか記載されているのみで、ルツボ壁内に
含有する気泡の大きさや存在密度については何ら考慮さ
れていない。

更に特開昭５９−２１３６９７号のものは、単に原料融
液と接する部分に透明石英ガラス層を形成して前記部分
の侵食を防止することか開示されているのみで、気泡の
大きさや存在密度等には何ら触れられていない。すなわ
ち特開昭５９−２１３６９７号には、半透明石英ガラス
層の内面を更に加熱して透明層を得る方法と透明管を溶
融して透明なリング状の部分を挟み込むことが示されて
いるが、前者の方法は石英ガラス層の内部の未／ｇ融部
分を更に溶融し、場合によってはルツボ内表面近傍に限
定して気泡を加熱膨張させて破裂させ、内部の気泡を開
放していく方法であるが、この方法では気泡の除去はほ
とんど不可能であり、又、透明石英ガラス層に多量の気
泡の痕跡か残る為、半導体引き上げにおいて特に減圧に
さらされた場合に多量の気泡か再び膨張を起こす。また
、後者の透明管を溶融する方法は、作業か煩雑でその継
目がルツボ内面を完全な滑らかな面にするのを阻害し、
また接合面の溶着を完全に行うことが難しく、さらに接
合面の両側の熱膨張係数の差により加熱冷却時に破壊が
起こり生産性か低下する。

これら先行文献には、外部ヒーターからの熱エネルギー
をルツボの内表面の全体に均一に伝達することおよびル
ツボの内面の表面状態に要求される特性等の多数の技術
的課題を同時に解決する具体策に関し、何ら開示がなさ
れていない。本発明は、ルツボ内の原料シリコンを均一
に加熱でき、その内表面が滑らかで凹凸が少なく、気泡
が溶融シリコン中に露出しなりしてクリストバライトの
発生の原因となることがなく、シリコン単結晶等の単結
晶引き上げが極めて安定して行われるような石英ルツボ
を提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

そこで、本発明においては、ルツボを直径１０〜２５０
μｍの気泡を１ＣＩ＋１当たり２０，０００個以上含む
半透明石英ガラス層と、この層の内表面に実質的に無気
泡の完全／ｇ融層を連続的に成長せしめ一体触合的に形
成された実質的に無気泡でかつ表面が平滑な透明石英ガ
ラス層と更に、半透明石英ガラス層の特に外表面近傍に
偏在する結晶質石英成分とから構成するようにした。

〔作用〕

直径が１０〜２５０μｍ、存在密度が ２０．０００個／−以上の気泡を有する半透明石英ガラ
ス層上にこれに一体融合させた無気泡で表面平滑な透明
石英ガラス層を形成する。前記直径と存在密度の気泡を
有する半透明石英ガラス層はルツボの外周を加熱するヒ
ーターからの熱を均一にルツボ内の溶融シリコンに伝達
し、溶融シリコンの滑らかな対流を乱すことがない。ま
た、前記透明石英ガラス層はクリストバライトをほとん
ど生じさせないはかりでなく、シリコン融液表面の振動
を生じさせない。

更に、半透明石英ガラス層の溶融形成に際し、外側表面
を低温に維持し、結晶質石英成分を存在せしめて高温に
おける機械的強度を高めているので、単結晶引き上げ工
程で、石英ルツボの熱変形がきわめて小さなものとする
ことかできる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例について説明する。

第１図において、本発明の石英ルツボ１は、外側の半透
明石英ガラス層２と、この層の内表面に実質的に無気泡
の完全溶融層を連続的に成長せしめ一体触合的に形成さ
れた薄い透明石英ガラス層３とからなり、前記半透明石
英ガラス層２内には、直径１０〜２５０μｍの多数の気
泡４が１ｍｌ当たり２０．０ＯＣ）ｆｉｌ］以上好まし
くはその円筒部の当該半透明ガラス層２の厚さ方向の６
０％以上の部分でＩＣｌ１ｃｍ３当たり４０，０００〜
７０．０００１固の存在密度で分布している。

このような半透明石英ガラス層２における多数の気泡４
の存在により、外部ヒーターからのルツボ内面への熱エ
ネルギーの伝達が均一となり、熱源のムラ、あるいはル
ツボの肉厚のバラツキによる温度ムラも低減することか
できる。

この結果、単結晶引き上げ時において、原料多結晶融液
か、ルツボの内面全域において一定した熱履歴を受け、
単結晶引き上げか極めて安定して行われる。

前記半透明石英ガラス層２中の気泡４の数が前記範囲を
外れた場合すなわち、気泡の数が少ない場合は、熱の拡
散か不十分であるし、逆に気泡４か多すぎるとガラス自
体の強度の低下をもならずばかりでなく、高温下での気
泡同士の融着による巨大な気泡の発生等の不都合を生じ
る。

前記透明石英ガラス層３における実質的に無気泡である
という基準は、通常の半導体用透明石英ガラスに比べて
その含有する気泡か極めて少ないということである。通
常の半導体用石英ガラスは、肉眼で観察しうる程度の大
きさの１００μｍ〜１柑程度の気泡、及び光を当てて気
泡による散乱によって観察か可能な程度の微小な気泡を
大量に含んでいる７本発明における無気泡の具体的な例
としては、倍率３０倍のｍ微鏡の視野的８−の範囲で、
６個の未使用の石英ルツボを各ルツボにつき側壁内表面
４ケ所、底部１ケ所の計５ケ所で総計３０ケ所について
観察した結果、直径２０μｍ以上の気泡か２〜３ケ所で
わずかに認められる程度である。その１例として、前記
３０ケ所の測定点で直径２０μｍ以上の気泡が２個見ら
れたのは１ケ所、１個見られたのは２ケ所であり、気泡
の存在密度は０．１３個／　８　＋＋Ｊ　（１−に換算
すると約１．６個／４）であり、極めて均質性の高い層
となっている。

この透明石英ガラス層としては、上記の通りガラスの組
織的にも極めて均質な物が使用されている。この透明石
英ガラス層の存在によりシリコン融液との接触界面にお
いて、ルツボ内表面か反応によって侵食された場合にも
、透明層自体が活性中心や反応を促進しうる構造的な要
因を持っていない為、均一かつ遅い反応しか起こらず、
クリストバライトが（ｍかしか生じないで新たに生成す
る表面の平滑性を維持しており、常に安定したシリコン
融液とルツボの界面を得ることが可能である。

この為、長時間に亙る引き上げでも安定した品質を保証
することかできる。尚、この透明石英ガラス層はルツボ
の使用が完全に終了するまで必要であり、このためには
少なくとも０，３間、実際には０．８〜１胴以上である
ことが望ましい。又、ルツボの各部分においてはシリコ
ン融液と接触する時間が異なるので、例えば、円筒部の
上の方は薄く底へ向かって厚さが増すなどこれに合わせ
た透明石英ガラス層の厚さの分布を設けることも可能で
ある。

前記半透明石英ガラス層２中には、好ましくは結晶質石
英成分か混在し、より好ましくは、半透明石英ガラス層
中の外表面近傍に結晶質石英成分が同作する。

該結晶質石英成分は、半透明石英ガラス層２中に粒子状
に分散して存在し、これによってルツボの使用時、例え
ばシリコンの融点である１４５０°Ｃ近辺での耐変形性
が大幅に向上する。もし、ルツボとこれを支えるカーボ
ンサセプターとの間に隙間か有った場合でもルツボ内に
装入された原料シリコンの荷重によってルツボが変形す
るということがなくなる。

すなわち、１４５０℃のような高温でルツボを長時間使
用しているとき、ルツボに局部的な変形やゆがみがもた
らされると、その変形部分でルツボ内面への熱エネルギ
ーの伝達が他の部分と異なってくる。そのなめ、原料融
液はルツボ内面の部分部分で異なった熱履歴を受けるこ
ととなり、その結果融液の対流に乱れを生じ、単結晶引
き上げが、不安定になる。また、ルツボの変形自体単結
晶引き上げにトラブルを与える６ 次に本発明の石英ルツボを製造する一例を以下に説明す
る。ます、使用する原料粉としては天然水晶等の精製さ
れた粉体が使用される。この粉体を回転しているルツボ
製造用型内に供給し、遠心力によって所定の厚さに層を
形成した後、内側からアーク放電等の手段によって溶融
を開始する。

この段階で、半透明石英ガラス層２が形成されるが、こ
の時、溶融条件を制御して形成した粉体層全体をガラス
化することなく、又、必要に応じて型の外部を冷却する
ことによって余分な熱を奪い前記半透明石英ガラス層２
の外表面近傍に結晶質石英成分を残留させることか可能
である。

本発明に於いては、気泡の大きさ及び存在密度か前記範
囲、即ち直径１０〜２５０μｍ、存在密度か２０，００
０個／ａ１１以上で有ることが必要であり、好ましくは
、半透明石英ガラス層の厚さ方向の６０％以上の部分で
４０．０００〜７０．０００個／ｄであることが必要で
あるが、これは原料粉として結晶水を含まない結晶質石
英の粉体を使用し、その粒度分布を３００〜１００μｍ
の範囲に制御して、加熱溶融条件をコントロールするこ
とによって達成できる。

本発明における透明石英ガラス層は、成型された粉体層
に望ましい高品質な石英ガラス層を内装して溶融し一体
化するか、粉体の追加溶融によって一体触合的に形成す
ることができる。この様にして形成された透明層は、気
泡の痕跡ら存在しない為減圧下でＷｌ張することも無い
。特に水晶粉末を回転金型内に供給して遠心力によって
型の壁に外壁石英粉末層の予備成形体を作り、次いで石
英粉末をアーク放電等の高温ガス雰囲気中を通過させて
半溶融状態の粉末を放電エネルギーによって外壁石英粉
末層の内面に連続的に付着せしめ実質的に無気泡の完全
溶融層を設層すれば、外壁石英粉末層とその内面の透明
層とか同時溶融により付着し合うので所望の厚さを有す
る無気泡の透明石英ガラス層がしっかりと半透明石英ガ
ラス層上に形成される。

夫叫」 次に本発明の実験例について説明する。

先ず、前述の方法により、原料粉体を調製して、直径１
４インチの本発明の石英ルツボ（本発明試料１．２）を
作製した。

また、比較のため直径１４インチの石英ルツボ（比較試
料１．２）を作製した。

これらの石英ルツボの気泡直径、気泡存在密度および半
透明石英ガラス層中の結晶質石英成分の有無を表１に示
す。

また、石英ルツボの外表面および厚さ方向に１ｍｍ研削
した箇所のＸ線回折の結果を第２図に示す２上記の試料
について、以下の実験を行なった。

（実験例１） 気泡の存在の効果を調べるため、通常の単結晶引き上げ
装置に本発明試料１，２、比較試料１゜２の各ルツボを
セットし、空焼きを行ってルツボ内面の温度のバラツキ
を調べた。

その結果、設定温度に対して、本発明試料１では±３°
Ｃ１本発明試料２では±５°Ｃの範囲に入っていたのに
対し、比較試料１では±１０℃、比較試料２では±１３
℃のバラツキがみられた。これにより、本発明のルツボ
は全体的に均一に加熱され、すなわち均一な熱伝達か行
なわれることが判る。

特に、比較試料２では、その温度変化は、曲の３試料が
緩やかな曲線状に連続的な変化を示したのと対照的に、
急激な温度変化がみられた。これは、比較試料２の気泡
密度が１．３，０００個／−から６０’、０００（１］
／−の範囲で大きなバラツキがあり、熱伝達か均一に行
なわれていないからである。

（実験例２） 半透明石英ガラス層中の結晶質石英成分の効果を調べる
ため、本発明試料１，２および比較試料１．２について
耐熱性の比較を行った。すなわち、ルツボを円筒部と底
部の変曲部分で１０ｍｍの隙間かできるカーボンサセプ
ターに入れ、ルツボ内に１０に＋ｒの多結晶シリコンを
入れ１４５０°Ｃで溶解し２０時間保持しな。

その結果、本発明試料１および２は変形が小さく、前記
隙間は、それぞれ８ｍｍ＋および７　ｍｍになったたけ
であるが、比較試料１および２は底部の変形が大きく、
前記隙間が２　ｍｍおよび１柑となり、大きく変形した
。

また、本発明試料１，２、比較試料１．２について、ル
ツボ外径を１５０州となるように作製し、これらを輪切
りにして長さ２■の管状とし、電気炉内に壁面を下にし
て立て、１３００’Ｃで１８時間加熱して、管の直径の
変化を調べた結果、比較試料１および２はつぶれて直径
か約３０＋ｎ＋ｎおよび約３５ｍｍ変化したが、本発明
試料１では約７　ｍｍ、本発明試料２では約８ｍｍ小さ
くなったのみであり、結晶質石英成分はルツボの強度を
著しく増大させることか判る６ （実験例３） 本発明に係る透明石英ガラス層の効果を調べるなめ、単
結晶引き上げによるルツボ内表面の表面粗さの変化を測
定した。すなわち、本発明試料１および比較試料１を使
用して５０時間の単結晶成長を行った後のルツボの内表
面の粗さを測定した。

測定は触針式表面粗さ計（■小板研究所製）で行った。

第３図には、使用面の本発明試料１の表面粗さ、第４図
には、単結晶成長を行った後の本発明試料１の表面粗さ
、第５図には、単結晶成長を行った後の比較試料１の表
面粗さの測定結果を示す。

各図から明らかなように、本発明の石英ガラスルツボは
使用後においても最大粗さ２９μｍとかなり平滑な内表
面を維持しているが、従来のルツボではその粗さか本発
明ルツボの約３倍になり、これによって本発明のルツボ
においてはシリコンの溶融面の乱れが生じにくくなるこ
とが判る。

また、結晶成長終了後のルツボ内表面の点火透の状態を
第６Ａ図および第６Ｂ図に示す。

第６Ａ図は本発明試料１の内表面、第６Ｂ図は比較試料
１の内表面を示すものである。これによれは、本発明の
ルツボの内表面には、クリストバライトの発生か従来の
ものに比較して著しく少なくなることが判る。すなわち
、本発明の石英ルツボの内面は極めて均質であり、結晶
化反応の核となる突起等が少ないなめ、クリストバライ
トによる点火透の発生が少ない。

（実験例１１） 次に本発明の石英ルツボを使用した場合のシリコン単結
晶製造の成績を示す。

製造条件は、アルゴン雰囲気下で減圧（１０ｍｂ）で直
径１．５０　ｍｍ、長さ７０ａｎの単結晶インゴットを
各ルツボて２本ずつ連続して製造した。

製造した単結晶インゴットについて、その単結晶化率の
平均値を求めた。その結果を表２に示す。

表２　単結晶インゴットの単結晶化率 衣２に示される結果より、本発明のルツボは常に安定し
た単結晶製造をもならすことが明らかである。

次に上記のシリコン単結晶の引き上げに用いた、本発明
の石英ルツボおよび従来の石英ルツボの透明石英ガラス
層中の直径２０μｍ以上の気泡数を表３に示し、また、
直胴部と底部の縦断面の状態を第７図および第８図に示
す。

表３　単結晶引き上げ後の石英ルツボの物性＊上記の気
泡数は６個の石英ルツボを倍率３０倍の顕微鏡の視野的
８−の範囲で、１個のルツボにつき内壁部４ケ所、底部
１ケ所の計５ケ所で総計３０ケ所にて測定した。

ここで注意を要するのは、石英ルツボは約１４５０°Ｃ
の高温で長時間、しかも減圧状態で加熱されているため
、たとえその使用前に無気泡とみなされても、この藺々
の気泡が石英ガラスの軟化のなめに膨張し、観察が容易
になることである。

すなわち、石英ルツボ製造時に石英ガラス層に溶封され
ている気泡は、大気圧下の雰囲気ガス（石英ルツボ製造
が空気中で行われる場合には空気）で充填されており、
高温度減圧下では当然ながら膨張する。しかしなから、
表３および第７Ａ図、第７Ｂ図に示されるように本発明
による石英ルツボは、使用後においてもその内表面に明
瞭な無気泡の透明石英ガラス層を有している。一方、従
来法による石英ルツボは、シリコン単結晶の引き上げ前
には内表面にある程度無気泡の薄い透明石英ガラスＪＧ
ｉＮを有しているかシリコン単結晶の引き上げ時に気泡
が膨張し、これらか相互に融合して粗大化し、このため
、シリコン単結晶の引き上げ後の石英ルツボ内表面に明
瞭な気泡の密集状態かみられる（表３および第８Ａ図、
第８Ｂ図）。

〔発明の効果〕

本発明の石英ルツボによれば、単結晶引き上げ時に、外
部ヒーターからの熱エネルギーをルツボ内面全域に均一
に伝達できるとともに、ルツボ内表面の部分的な侵食に
よる表面粗さの発生がきわめて小さくなる。このため、
複数回の単結晶引き上げを行なっても、従来のルツボに
比べ高い単結晶化率を維持できる。また、半透明石英ガ
ラス層中に結晶質石英成分を存在せしめればルツボの耐
熱強度を著しく増大させることかできる。さらに、大気
圧下での単結晶引き上げはもちろんのこと、減圧下での
単結晶引き上げでも安定した高い単結晶化率を維持する
ことができる。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の石英ルツボの断面図、第２図は単結晶
成長前の石英ルツボのＸ線回折の結果を示す図面であり
、第２Ａ図は本発明のルツボの外表面、第２Ｂ図は本発
明のルツボの外表を１順研削した面、第２Ｃ図は従来の
ルツボの外表面、第２Ｄ図は従来のルツボの外表をｌ　
ｍｍ研削した面のそれぞれのＸ線回折の結果を示し、第
３図は本発明の石英ルツボ革結晶成長前の内表面に粗さ
を示すグラフ、第４図は本発明の石英ルツボの単結晶成
長後の内表面の粗さを示すグラフ、第５図は従来の石英
ルツボの単結晶成長後の内表面の粗さを示すグラフ、第
６Ａ図および第６Ｂ図は単結晶成長後のルツボ内表面の
点失透の状態を示す図面であり、第６Ａ図は本発明のル
ツボの内表面を、第６Ｂ図は従来のルツボの内表面をそ
れぞれ示し、第７Ａ図および第７Ｂ図は本発明のルツボ
の壁の縦断面の状態を示す図面、第８Ａ図および第８Ｂ
図は従来のルツボの壁の縦断面の＆態を示す図面である
。 １・・・石英ルツボ、２・・・半透明石英ガラス層、３
・・・透明石英ガラス層、４・・・気泡。 出願人代理人　　石　　川　　泰　　男第　　１　　図 ２θ〔°〕 第　２Ａ　図　本発明の石英ルツボのＸ線回折（外表面
）２θ〔°〕 第　２Ｂ　図　本発明の石英ルツボのＸ線回折（外表面
１喘研削）２θ〔°〕 第　２Ｃ図　従来の石英ルツボのＸ線回折（外表面）第
　２Ｄ　図　従来の石英ルツボのＸ線回折びト表面１馴
研削）ｍｍ ｔ’−”１ 本発明の石英ルツボの内表面の粗さ（＊結晶成長前）ｍ
ｍ 一 第　　４　　図　　１“１７１　ｃ”３本発明の石英ル
ツボの内表面の粗さ（単結晶成長後）ｍｍ −〒 従来の石英ルツボの内表面の粗さ（単結晶成長後）第６
Ａ図 本発明の石英ルツボの小結晶成長後の内表面第６Ｂ図 従来の石英ルツボの１を結晶成長後の内表面第７Ａ図 外側 第７Ｂ図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、直径１０〜２５０μｍの気泡を１ｃｍ＾３当たり２
   ０，０００個以上含む半透明石英ガラス層と、この層の
   内表面に一体触合的に形成された実質的に無気泡でかつ
   表面が平滑な透明石英ガラス層とからなることを特徴と
   する単結晶引き上げ用石英ルツボ。 ２、前記透明石英ガラス層は半透明石英ガラス層の予備
   成形体上に石英粉末を高温ガス雰囲気中を通して付着せ
   しめ予備成形体と同時溶融により形成されていることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項記載の単結晶引き上げ
   用石英ルツボ。 ３、前記半透明石英ガラス層中に結晶質石英成分が存在
   することを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項
   記載の単結晶引き上げ用石英ルツボ。 ４、前記半透明石英ガラス層中の外表面近傍に結晶質石
   英成分が偏在することを特徴とする特許請求の範囲第３
   項記載の単結晶引き上げ用石英ルツボ。 ５、前記半透明石英ガラス層中の気泡が、ルツボ円筒部
   の半透明石英ガラス層の厚さ方向の６０％以上の部分で
   １ｃｍ＾３当たり４０，０００〜７０，０００個である
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第４項のい
   ずれかに記載の単結晶引き上げ用石英ルツボ。