JPS61266541A - 銅基合金 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は電子機器用、主として半導体のＩＪ　　ｐＳ７
レーム用材料として用いられる銅基合金に関するもので
ある。

（従来の技術） 半導体のリードフレーム用材料としては、一般にＦｅ−
Ｎｉ系の４２７αイが使用されてきた力；、集積回路の
高密度化に伴って１９５アロイ等の銅系合金が広く用い
られる様になってきている。

（発明が解決しようとする問題点） しかし、４２アロイは高価格であシ、また昨今の高密度
集積化に伴って要求される熱放散性に劣るという欠点を
有する。−万、熱放散性に優れる銅系合金においても、
１９４７０イ等の安価な合金は機械強度が不足しており
、比較的高強度を有する１９５アロイはＣＯ′ｆ！ｆ：
含有するために高価であるという難点がある。

（問題点を解決するための手段） 本発明は、前記４２了ロイ及び銅系合金の欠点を改善す
るためになされたもので、安価な構成元素によシ１９５
７０イ相当の熱放散性と高強度を有する銅基合金を提供
するものである。

一般に銅系合金において、高強度・高導電性という相反
する特性を得るためには、１９４アロイ等の固溶硬化を
主体とした合金では困難であり、これらの特性を得るた
めには時効硬化や複合材化、化合物による分散強化等の
方法を用いる必要がある。しかし、前者の時効硬化や複
合材化では、低価格という目的は達成し難い。

即ち本発明は、後者の化合物分散強化を利用したもので
あシ、その成分中Ｎｉ　、　Ａ４　Ｐの範囲は、金属間
化合物の生成に必要な最小量全下限とし、導電性を著し
く損うことのない量を上限として定めた。Ｍｇ　、　Ｍ
ｎ　、　Ｓｉは金属間化合物の生成を助長する効果と脱
酸剤としての効果を有し、Ｚｎは脱酸剤としての効果の
他にはんだめっきを施した場合の拡散層生成による剥離
を抑制することを目的としたものである。またＢ、　Ｃ
ｒ　、　Ｚｒは耐熱性と強度の向上を目的としたもので
ある。

（作　用） 本発明によれば、上述の添加元素Ｎｉ、Ａｔ、Ｐによｊ
）　Ｎｉ　−Ａｋ　＊　Ｎｉ−Ａｔ、　Ｎｉ　−Ｐ等の
金属間化合物を組織中に均一に分散生成させ、導電率の
低下を抑えつつ合金の強度向上を達成することが可能と
なるのである。

（実施例） 以下実施例によｐ本発明を具体的に説明する。

実施例１〜４．比較例１〜５ 次表１に示す各圧延材を得る几めの各試料を、大気中高
周波炉にて溶製し、得られた鋳塊は熱間圧延を行った後
、表裏面に面側を施した。次に冷間圧延と焼鈍を繰ｐ返
し加え、各々最終圧態率３７チで厚さ０．２５■の圧延
上ｐ材を得た。

得られた各材料の成分分析を行うと共にそれらの特性を
調べ結果を同表１に示した。

上表の結果によれば、本発明合金は導電率３３〜４１　
％　ｌＡＣ３，硬度１４８〜１７５’を示しチオ９、比
較例４の如き従来合金の安価代替材として使用可能な特
性を有していることがわかる。

また本発明合金は、主用途として半導体のり−Ｐフレー
ム用と記載したが、従来のりん青銅に相当する強度と数
倍の導電性を有しかつ安価な組成であることから、コネ
クター等の電子機器用材料としても極めて有用である。

（発明の効果） 上記説明及び実施例から明らかなように、本発明によれ
ば、より安価な組成で１９５７０イ相当ノ強度と４２７
０イよシもはるかに優れた導電性を有する半導体のＩＪ
−１’；ｙレーム用材料が得られ、その工業的利用効果
は極めて大きい。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）重量％にて０．１〜２％のＮｉ、０．１〜３％の
   Ａｌ及び０．０１〜０．１５％のＰと残部Ｃｕ及び不可
   避の不純物よりなる銅基合金。
2. （２）前記成分に０．１〜１％のＭｇ、０．０１〜０．
   ６％のＭｎ、０．０１〜０．６％のＳｉ、０．０１〜０
   ．１％のＺｎ、０．０１〜０．１％のＢ、０．０１〜１
   ．０％のＣｒ、０．０１〜０．３％のＺｒの内１種又は
   ２種以上を含み、その含有量の合計が０．０１〜１．５
   ％からなる特許請求の範囲（１）項記載の銅基合金。