JPS61267355A

JPS61267355A - 半導体パツケ−ジ組立工程での外装処理方法

Info

Publication number: JPS61267355A
Application number: JP60109993A
Authority: JP
Inventors: Tetsuya Hojo; 徹也北城
Original assignee: Fuji Plant Kogyo Kk
Current assignee: Fuji Plant Kogyo Kk
Priority date: 1985-05-21
Filing date: 1985-05-21
Publication date: 1986-11-26

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】イ　発明の目的ａ　産業上の利用分野本発明は半導体パッケージ組立工程で、ボンティング・
モールディング後にリードフレームのアククーリードへ
半田・錫等を外装処理する方法に関するものである。

ｂ　従来の技術半導体パッケージ組立工程において、リードフレームの
アウターリードへ半田・錫により外装処理を施すのは、
その半導体パッケージを後にプリント基板上のパターン
ヘマウントするのに半田後工程を行なう際、その半田後
工程を効率的にかつ精度よく行えるようにするだめであ
る。

この外装処理方法として、従来から２つの方法が行われ
ている。捷ず１つめは半田（錫）メッキ法であり、これ
は薄く均一なメッキ膜が得られるという特徴かある。ま
だ２つめは浸漬法（ティップ法）で、これは半導体パッ
ケージのアウターリードを半田（錫）洛中に浸漬させる
ものであり、半導体組立ライン中への組込みを目さして
提案されたものである。

Ｃ発明が解決しようとする問題点上記従来手段のうち半田（錫）メッキ法は、メッキ工程
で必然的に生ずる排液・排気の処理等、クリーン度が要
求される半導体パッケージ組立工程とは異質な作業環境
を伴なう。そのためこの外装処理方法では、組立ライン
中に入れて一貫作業を行なうことができない。そこで外
部のメッキ専業者に発注したり、別棟としたメッキ工場
で外装処理をしている例もある。しかしそれでは、極め
て均一・高精度が要求される半導体パ・ンケージとして
品質管理・製品管理の面で完全性を期することができな
い。捷た半田（錫）メッキしたものには、光沢剤の如き
有機剤を含むので、その濡れ性にやや問題があるととも
に、化学雰囲気中で性能に悪影響を及ぼすおそれもある
。

他方浸漬法は、アウターリードだけを半田（錫）浴に浸
漬させるため、アウターリードが両側に突出したり、　
Ｉ　、Ｐタイプの半導体パッケージで、しかもカッティ
ング後その各アウターリードが直角状にベンティングさ
れた形状のものでないと処理できない。同様の理由で、
アウターリードが平面的なフラットタイプのものは処理
不可能である１　　　から、この方法は汎用性・生産性
に欠けるものである。

またこの浸漬法では、付着する膜厚の調節が難しく不均
一になるし、必要以上に厚い膜厚となりがちである。こ
れでは被膜が、リード間にブリッジ状に付着したり、プ
リント基板へマウンティング時にアウターリードが装入
用孔へ入らないこともある。さらに半田（錫）浴の表面
に浮遊している酸化膜がリードに付着して、半田］（錫
）の濡れ性を害したり、また半田（錫）浴の高熱雰囲気
が半導体回路に何らかの影響を及ぼす可能性もある、等
の問題点がある。

本発明は上記した従来の外装処理方法が有する問題点を
解決しようとするものである。即ちその目的とするとこ
ろは、半導体パッケージのアククーリードへの半田（＠
）膜を、均一で薄く、高質・高純度で濡れ性もよく形成
でき、捷だり、１．Ｐタイプは勿論のことフラットタイ
プのものも、かつ１個ずつではなく同時に多数個を処理
でき、しかも無公害・コンパクトな設備で、半導体パッ
ケージ組立ライン中に組込むことができ、その結果半導
体パッケージ組立の生産性・経済性の向上と、品質の安
定性を高められるような、半導体バッグージ組立工程で
の外装処理方法を提供することにある。

口　発明の構成ａ　問題点を解決するための手段本発明に係る外装処理方法は、モールディング後のリー
ドフレーム（５）のアウターリード（１）両面に、パウ
ダー状またはペースト状とした外装処理材料（３）が薄
く均一に仮定着されたスタンプ（２）を押捺して、該外
装処理材料（３）をアウターリード（１）両面に転写さ
せ、その後リフロー処理して各アウターリード＋１）の
外周面に外装処理材料（３）の薄く均一な膜（４）を形
成させるものである。

上記構成において、外装処理材料（３）は半日または錫
であり、それを例えば３００メツシユ以下の微粒子とし
てバクグー状、捷たけペースト状としたものを用いる。

スタンプ（２）は、アウターリード（１）両面の外装処
理必要箇所に対応する形状の押、圧用面（５）とするの
がよく、例えばり、１．Ｐタイプ用の押圧用面（５）ハ
第５図の如きものとし、フラットタイプ用の押圧用面（
５）は第９図の如きものとする。

またその押圧用面（５）は、アウターリード（１）への
転写を完全にするため離型性のある材質とするのがよく
、例えばシリコン樹脂板で形成しである。他方、外装処
理するリードフレーム（４）のアウターリード（１）は
、予じめ酸化膜を除去し、フラックスを塗布しておく。

図において、（６）はモールド部である。

ｂ　　作　　　用本発明の外装処理方法の実施状態は、捷ず上下に設けた
スタンプ（２）の抑圧用面（５）に、バクグー状または
ペースト状とした外装処理材料（３）としての半日また
は錫を、薄く均一に塗布し仮定着しておく。そして外装
処理するリードフレーム（ト）のアウターリードｆＸ）
を、第１図の如く前記両スタンプ（２）の押圧用面（５
）の間に位置せしめ、第２図の如くアウターリード（１
）の両面に押捺する。これにより、両スタンプ（２）の
押圧用面（５）に仮定着したパウダー状まだはペースト
状の外装処理材料（３）は、第３図の如くアウターリー
ド（１）両面に薄く均一に転写される。その際、前記の
如く両スタンプ（２）の押圧用面（５）がｒ＠型性を有
し、他方アウターリード（１）はブラックスで粘着性か
あるので、仮定着された外装処理材料（３）の転写は完
全に行われる。なお、前記の如くスタンプ（２）の抑圧
用面（５）の形状を、アウターリード（１）両面の外装
処理必要箇所に対応する形状としてあれば、不必要部分
にまで転写が行われることがない。

次にこのリードフレーム（５）をリフロー処理中ること
により、アウターリード（１）両面に薄く均一に転写さ
れたバクグー状またはペースト状の外装処理材料（３）
が、第５図の如く延展して各アウターリード（］）の両
側面をもカバーし、各アウターリード（１）外周面に外
装処理材料（３）の薄くて均一な膜（４）が形成される
。なおスタンプ（２）の押圧用面（５）を、離型性の池
にも軟質弾性を有するもの（例えば前記のシリコン樹脂
板）さしてあれば、第４図の如く前記の押捺時にアクク
ーリード（１）のエツジ部分］　　　から側面にかけて
押え込むので、そこにも外装処理材料（３）が転写され
ている。それゆえ、リフロー処理時の延展によるアウタ
ーリード（１）外周面への被覆か一層確実に行われる。

Ｃ実施例本発明の実施例として、スタンプ（２）の押圧用面（５
）をシリコン樹脂板で形成し、外装処理材料（３）トシ
て３００メツシユのバクグー状半田を塗布して行なった
。これによると、アウターリード（１）の外周面に２５
〜３０μの薄く均一な膜（４）が形成さｈ　タ。また５
００メツシユのパウダー状半田を用いた場合には、１５
〜２０μの薄く均一な膜（４）となる。そしていずれの
場合も、スタンプ（２）の押圧用面（５）からリードフ
レーム囚のアウターリード（１ｊ面への転写は、はぼ１
００％の完全さでなされており、このスタンプ（２）を
繰返しての連続処理ができた。

ハ　発明の効果以上で明かな如く本発明の外装処理方法によれば、次の
如き効果を奏する。

ａ　半導体パッケージのアウターリードへの外装処理が
、従来と異なり薄く均一で、高質・高純度で濡れ性もよ
い半田（錫）膜で形成できる。

即ち、従来のメッキ法では光沢剤中に含まれている有機
剤のため濡れ性に問題が生じ、捷た化学的雰囲気中で悪
影響を受けるおそれもある。他方、浸漬法は半田（錫）
の膜厚が厚いものになり、そのためプリント基板へのフ
ラットが不可能となり、丑だ浸漬浴表面に浮遊の半田（
錫）の酸化膜が付着し、純度を害したり濡れ性を悪くす
る等の問題点がある。

しかし本発明では、純粋なパウダー状またはペースト状
の外装処理材料を、薄く均一にスタンプに仮定着してお
き、それをアウターリードに転写しその後リフローシて
被膜させるものである。

それゆえ従来と異なり、薄くて均一な膜が形成できるし
、不純物が混ることがなく高質・高純度で濡れ性もよく
、しかも化学的雰囲気中でも悪影響を受けぬ外装処理が
できるものである。

ｂ　半導体パッケージのタイプ・形状がいかなるもので
あっても、また多数のものを同時に外装処理できる。即
ち、従来はメッキ法ではともがく浸漬法はアウターリー
ドを浸漬浴中に漬ける関係上、リードがベンティングさ
れたり、１．Ｐタイプのものだけが処理でき、フラット
タイプは処理できない。またり、１．Ｐタイプでも、カ
ッティング・ベンディング後の単体にしてからの処理と
なるだめ、生産性が悪いという問題点もある。

しかし本発明では、仮定着したバクグー状まだはペース
ト状の外装処理材料を転写するものであるから、リード
フレームにモールディング後は直ちに処理できる。それ
ゆえ、フラットタイプのものは勿論のこと、Ｄ、１．Ｐ
タイプのものもカッティング・ベンディングする前に多
数の半導体パッケージが１つのリードフレームに並んで
いる状態で外装処理でき、汎用性があるとともに生産性
・均一性に優れたものである。

Ｃこの外装処理方法は、半導体パッケージ組立工程のラ
イン中に組込み可能で、一貫作業ができるので、品質管
理・製品管理の完全を期すことができ、また生産性・経
済性を向上できる。即ち、従来のメッキ法は排液・排気
の処理等、クリーン度を要求される半導体パッケージ組
立工程とは異質な作業環境のため、一貫生産ラインに組
込めなかった。そこで従来は別棟のメッキ工場で外装処
理したり、外部のメッキ専業者に発注しているが、品質
管理・生産管理を充分に行ない得ない。

しかし本発明では、外装処理の装置はコンパクトである
し、捷た排液・排気処理等の問題がないため、半導体パ
ッケージ組立工程のライン中に組込むことができる。し
だがって、１つの工場内で半導体パッケージの組立一貫
作業ができ、品質管理・製品管理で完全性を期すことが
できるとともに、生産性・経済性も大幅に向上できるも
のである。

【図面の簡単な説明】

第１図は転写前の状態の正面図、第２図は転写時の正面
図、第３図は転写後のリードフレームの正面図、第４図
は第２図のＩＶ−、ｌＶ拡大断面図、第５図はりフロー
処理後のアウターリードの拡大１　　　縦断側面図、第
６図はり、１．Ｐタイプ用スタンプの底面図、第７図は
り、　Ｉ　、Ｐタイプの外装処理後の平面図、第８図は
り、１．Ｐタイプの半導体パッケージの斜視図、第９図
はフラットタイプ用スタンプの底面図、第１０図はフラ
ットタイプの半導体パッケージの平面図である。図面符引Ａ）−・・リードフレーム、（１）・・・アウ
ターリード、（２）・・・スタンプ、（３）・・・外装
処理材料、（４）・・・膜、（５）・・・押圧用面。）１ｚ　　−ノ転　　　　　　　転０　　　　　　　ぐ転　　　　転

Claims

【特許請求の範囲】〔１〕パウダー状またはペースト状とした外装処理材料
（３）を、スタンプ（２）の押圧用面（５）に薄く均一
に仮定着させておき、モールディング後のリードフレー
ム（Ａ）のアウターリード（１）両面に前記スタンプ（
２）を押捺して転写させ、その後リフロー処理して前記
外装処理材料（３）を延展させることにより、アウター
リード（１）外周面に外装処理材料（３）の薄くて均一
な膜（４）を形成させる、半導体パッケージ組立工程で
の外装処理方法。