JPS61269896A - 薄膜発光素子 - Google Patents
薄膜発光素子Info
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- JPS61269896A JPS61269896A JP60110423A JP11042385A JPS61269896A JP S61269896 A JPS61269896 A JP S61269896A JP 60110423 A JP60110423 A JP 60110423A JP 11042385 A JP11042385 A JP 11042385A JP S61269896 A JPS61269896 A JP S61269896A
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- thin film
- layer
- light emitting
- dielectric constant
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は薄膜発光素子に関するもので、特に絶縁層の構
造を改良することによシ、高輝度、低電圧、高信頓性を
達成したものである。
造を改良することによシ、高輝度、低電圧、高信頓性を
達成したものである。
以下では、薄膜発光素子を薄膜ＥＬ素子と記載すること
がある。
がある。
従来の薄膜ＥＬ素子の基本的な断面構造を第２図に示す
。第２図に基づいて薄膜ＥＬ素子の構造を具体的に説明
すると、ガラス基板１上にＩｎｚＯｓｐＳｎ０２等の透
明電極２、さらにその上に積層してＹｚＯｓ ｅ Ｓ
’ｓ Ｎａ ｅ Ｓｉｇｈ等からなる第１絶縁層３がス
パッタリングあるいは電子ビーム蒸着失等によシ形成さ
れる。第１絶縁層３の上には、発光層４が形成される。
。第２図に基づいて薄膜ＥＬ素子の構造を具体的に説明
すると、ガラス基板１上にＩｎｚＯｓｐＳｎ０２等の透
明電極２、さらにその上に積層してＹｚＯｓ ｅ Ｓ
’ｓ Ｎａ ｅ Ｓｉｇｈ等からなる第１絶縁層３がス
パッタリングあるいは電子ビーム蒸着失等によシ形成さ
れる。第１絶縁層３の上には、発光層４が形成される。
この発光層は黄橙色の発光の場合にはｚｕｓ中に付加剤
としてＭｎをドープした焼結ペレットを成子ビームある
いはスパッタリングすることによって形成される。その
他に、発光層を形成するための焼結ベレットとしては、
ＺｎＳ中に付加剤としてＴｂＦｓ、’ｒｂＰ（発光色：
緑）、ＳｍＦｓ（発光色：赤）、ＴｍＦ’３（発光色：
青）をドープしたものなどがある。発光層４上には第１
絶縁層３と同様な材質から成る第２絶縁層５が積層され
、更にその上にλｔ、Ａｕ等から成る背面電極６が蒸着
形成される。透明電極２と背面電極６との間に交流電源
が接続され、薄膜ｇＬ素子が駆動される。このような２
．［絶縁構造の薄膜ＥＬ素子は、現在既に一部では市販
されているが、まだ発光輝度が低い、駆動電圧が高い、
発光効率が低い、さらに素子の信頼性が低いなどの問題
がある。このため、高輝度化、低電圧化、高効率化及び
高信頼化などの発光緒特性向上を目標に、精力的に研究
開発がなされているのが現状である。
としてＭｎをドープした焼結ペレットを成子ビームある
いはスパッタリングすることによって形成される。その
他に、発光層を形成するための焼結ベレットとしては、
ＺｎＳ中に付加剤としてＴｂＦｓ、’ｒｂＰ（発光色：
緑）、ＳｍＦｓ（発光色：赤）、ＴｍＦ’３（発光色：
青）をドープしたものなどがある。発光層４上には第１
絶縁層３と同様な材質から成る第２絶縁層５が積層され
、更にその上にλｔ、Ａｕ等から成る背面電極６が蒸着
形成される。透明電極２と背面電極６との間に交流電源
が接続され、薄膜ｇＬ素子が駆動される。このような２
．［絶縁構造の薄膜ＥＬ素子は、現在既に一部では市販
されているが、まだ発光輝度が低い、駆動電圧が高い、
発光効率が低い、さらに素子の信頼性が低いなどの問題
がある。このため、高輝度化、低電圧化、高効率化及び
高信頼化などの発光緒特性向上を目標に、精力的に研究
開発がなされているのが現状である。
この種の薄膜ＥＬ素子は一例として特開昭５８−２１６
３９１号公報、特開昭５２−１２９２９６号公報等に記
載されている。
３９１号公報、特開昭５２−１２９２９６号公報等に記
載されている。
このような薄膜ＢＬ素子特性の目標を達成する方法とし
ては、いかに高品質な絶縁層を作製するか、或いはいか
に最適な絶縁膜構成を選択するかにある。何故ならば、
薄膜ｇＬ素子の発光は、発光層に約１０’￥／Ｃｒｒ１
の１界が印加されることによシ起るものであシ、そのた
めにはそれ以上の絶縁破壊強度を有する絶縁層を必要と
するからである。
ては、いかに高品質な絶縁層を作製するか、或いはいか
に最適な絶縁膜構成を選択するかにある。何故ならば、
薄膜ｇＬ素子の発光は、発光層に約１０’￥／Ｃｒｒ１
の１界が印加されることによシ起るものであシ、そのた
めにはそれ以上の絶縁破壊強度を有する絶縁層を必要と
するからである。
ところで、上記４８縁層材料としては、従来ｓｉｏ。
ＳｉＯ２＊ ＹｚＯｓｔ Ａｔ４０３ｓ ５ｉｓＮ４等
が用いられているが、これらの絶縁層材料は比誘電率が
小さいために、絶縁層にかかる印加電圧の分圧分が極め
て大きくなる。したがって、発光層を発光させるために
は極めて高い駆動電圧が必要となる欠点がある。
が用いられているが、これらの絶縁層材料は比誘電率が
小さいために、絶縁層にかかる印加電圧の分圧分が極め
て大きくなる。したがって、発光層を発光させるために
は極めて高い駆動電圧が必要となる欠点がある。
そこで、駆動電圧を下げる方法として、ＳｉＯ２よシも
比誘電率が大きいＴａｘ ０！１．Ｐ ’）Ｔ １０ｓ
。
比誘電率が大きいＴａｘ ０！１．Ｐ ’）Ｔ １０ｓ
。
８ｒＴｉＯｓｐ ＰｂＴｉＯｓ、 ＢａＴａ２０ｇを用
いた薄膜ＥＬ素子が検討されているが、発光前のエージ
ング処理（ＺｕＳ 中に付加剤、例えばＭｕ、 ＴｂＦ
’３゜８ｍＦ３ 、 ＴｍＦｓ などを均一拡散させ
るための工程）で、絶縁破壊が起こりやすく、画素が破
壊してしまう問題がある。
いた薄膜ＥＬ素子が検討されているが、発光前のエージ
ング処理（ＺｕＳ 中に付加剤、例えばＭｕ、 ＴｂＦ
’３゜８ｍＦ３ 、 ＴｍＦｓ などを均一拡散させ
るための工程）で、絶縁破壊が起こりやすく、画素が破
壊してしまう問題がある。
また、これらの絶縁層は、一般に生成条件によって誘電
特性が大きく変化し、多くの場合組成がずれ、充填密度
の低下及びピンホール、マイクロクラック等の欠陥が生
じ、その結果絶縁破壊電圧及び耐湿特性の劣化などが生
じ、薄膜ＥＬ素子の寿命特性に与える影響が大きい問題
があることがわかった。
特性が大きく変化し、多くの場合組成がずれ、充填密度
の低下及びピンホール、マイクロクラック等の欠陥が生
じ、その結果絶縁破壊電圧及び耐湿特性の劣化などが生
じ、薄膜ＥＬ素子の寿命特性に与える影響が大きい問題
があることがわかった。
本発明の目的は、従来の薄膜ＢＬ素子が有する絶縁層の
欠点を除去し、素子特性及び信頼性が飛躍的に向上した
新規な薄膜ＦＪＬ素子を提供することにある。
欠点を除去し、素子特性及び信頼性が飛躍的に向上した
新規な薄膜ＦＪＬ素子を提供することにある。
本発明は、従来の薄膜ＥＬ素子の絶縁層の問題点を解決
すべく検討をした結果、高輝度、低電圧及び信頼性の高
い薄膜ＥＬ素子を得るためには、絶縁層の少なくとも一
方を２層構造にし、か・つその絶縁層の材料として比誘
電率の大小のものを組合せるか、或いは絶縁破壊強度の
大きいものと小さいものを組合せることにより達成され
ることを見出した。
すべく検討をした結果、高輝度、低電圧及び信頼性の高
い薄膜ＥＬ素子を得るためには、絶縁層の少なくとも一
方を２層構造にし、か・つその絶縁層の材料として比誘
電率の大小のものを組合せるか、或いは絶縁破壊強度の
大きいものと小さいものを組合せることにより達成され
ることを見出した。
まず、本発明者らは発光層に発光が黄橙色を呈すＺｎＳ
：Ｍｎ０．５μｍを用い、絶縁層に比誘電率が小さＶｓ
Ｓ ｉ０２ （ｇ、 ＝ ４０ ） ０．５μｍ ｔ
−用いて薄膜ＫＬ素子を作製した。その結果、駆動電圧
ｔｌ−３０１以上にしても発光が認められなかった。し
かし、絶縁層に５ｆＯｚを用いた場合は、画素の絶縁破
壊がまったく起こらなかった。このことは、比誘電率が
小さい材料は絶縁破壊電圧が大きいことを意味する。そ
こで、次に比誘電率が大きい３ｒ’ｌ’１０ｓ（６ｒ＝
１４０）を用いて薄膜ＢＬ素子を作製した結果駆動電圧
は約１００”／と低下が認められたが、エージング処理
中に画素の破壊が著しいことがわかった。このことは、
比誘電率が大きい材料は、駆動電圧の低下は期待される
が、絶縁破壊電圧が小さいために、素子の信頼性を低下
させることがわかった。
：Ｍｎ０．５μｍを用い、絶縁層に比誘電率が小さＶｓ
Ｓ ｉ０２ （ｇ、 ＝ ４０ ） ０．５μｍ ｔ
−用いて薄膜ＫＬ素子を作製した。その結果、駆動電圧
ｔｌ−３０１以上にしても発光が認められなかった。し
かし、絶縁層に５ｆＯｚを用いた場合は、画素の絶縁破
壊がまったく起こらなかった。このことは、比誘電率が
小さい材料は絶縁破壊電圧が大きいことを意味する。そ
こで、次に比誘電率が大きい３ｒ’ｌ’１０ｓ（６ｒ＝
１４０）を用いて薄膜ＢＬ素子を作製した結果駆動電圧
は約１００”／と低下が認められたが、エージング処理
中に画素の破壊が著しいことがわかった。このことは、
比誘電率が大きい材料は、駆動電圧の低下は期待される
が、絶縁破壊電圧が小さいために、素子の信頼性を低下
させることがわかった。
そこで、本発明者らは、絶縁層として比誘電率が大きい
材料と小さい材料すなわち、絶縁破壊電圧の大小を組合
せ、積層構造にすることによシそれぞれの特徴を生かせ
るのではないかと推定した。
材料と小さい材料すなわち、絶縁破壊電圧の大小を組合
せ、積層構造にすることによシそれぞれの特徴を生かせ
るのではないかと推定した。
その結果を第３〜５図に示す。第３図は比誘電率が大き
いＳ ｒ′１１１Ｑ３（ｅ、 ＝１４０ ）と比誘電率
が小さい８ｉ０ｚ（ε、±４０１を積層し、２１４１膜
にした場合の絶縁層の電圧−″＃Ｉｌ流特性（ｖ−１％
性）を示す。このＶ−１特性から、絶縁膜のもれ電流及
び絶縁破壊電圧（もれ電流が急激に立上がった電圧）を
読みとることができる。絶縁層のもれ電流としてはでき
るだけ小さい方が良い。何故ならば、薄膜ＢＬ素子にし
た場合、発光層に電流が流れ、・発光層の劣化を促進す
るからである。
いＳ ｒ′１１１Ｑ３（ｅ、 ＝１４０ ）と比誘電率
が小さい８ｉ０ｚ（ε、±４０１を積層し、２１４１膜
にした場合の絶縁層の電圧−″＃Ｉｌ流特性（ｖ−１％
性）を示す。このＶ−１特性から、絶縁膜のもれ電流及
び絶縁破壊電圧（もれ電流が急激に立上がった電圧）を
読みとることができる。絶縁層のもれ電流としてはでき
るだけ小さい方が良い。何故ならば、薄膜ＢＬ素子にし
た場合、発光層に電流が流れ、・発光層の劣化を促進す
るからである。
この図から明らかなように、Ｓ ｒＴ ｉｔｓ （０−
５μｍ）のもれ電流は大きく、絶縁破壊電圧も小さいこ
七がわかる。そこで、８１０２０．１０μｍを積層した
。
５μｍ）のもれ電流は大きく、絶縁破壊電圧も小さいこ
七がわかる。そこで、８１０２０．１０μｍを積層した
。
本発明の２層構造５ｒＴｉＯｓ （０，４μｍ）、Ｓ
ｉ （ｈ（０，１０ｐｍ ）絶縁膜（以下、３ｒＴｉＯ
ｓ ／５ｆｏｘ膜と表わす）のもれ電流はＳｉｎｇを用
いることによシ、Ｔａ＊Ｏｓ膜のそれに比較して非常に
小さくなり改善されていることがわかる。第４図は８ｒ
ＴｉＯｓ／８ｉ０１２層膜の見掛けの比誘電率を求めた
ものである。これから明らかなように、８ｒＴｉＯｓと
５ｆＯｚとの膜厚比をかえることにより、Ｓｒ′Ｉ”ｉ
０ｓ／３ｉ０ａ膜の見掛けの比誘電率は５ｉｏｚと５ｒ
Ｔｉｏｓの比誘電率の間で任意にコントロールでき、任
意の、駆動電圧の素子が作成できることがわかった。
ｉ （ｈ（０，１０ｐｍ ）絶縁膜（以下、３ｒＴｉＯ
ｓ ／５ｆｏｘ膜と表わす）のもれ電流はＳｉｎｇを用
いることによシ、Ｔａ＊Ｏｓ膜のそれに比較して非常に
小さくなり改善されていることがわかる。第４図は８ｒ
ＴｉＯｓ／８ｉ０１２層膜の見掛けの比誘電率を求めた
ものである。これから明らかなように、８ｒＴｉＯｓと
５ｆＯｚとの膜厚比をかえることにより、Ｓｒ′Ｉ”ｉ
０ｓ／３ｉ０ａ膜の見掛けの比誘電率は５ｉｏｚと５ｒ
Ｔｉｏｓの比誘電率の間で任意にコントロールでき、任
意の、駆動電圧の素子が作成できることがわかった。
第５図に比ｆｓ電電率異なる絶縁層を用いた場合の駆動
電圧と絶縁層の厚みとの関係を示す。絶縁層のピンホー
ルをなくするためには、絶縁層の厚みとしては後で述べ
石が０．５μｍ以上必要であることを確認しており、か
つ駆動電圧を１５０Ｖ以下にするための比誘電率は３０
以上にする必要があることがわかった。
電圧と絶縁層の厚みとの関係を示す。絶縁層のピンホー
ルをなくするためには、絶縁層の厚みとしては後で述べ
石が０．５μｍ以上必要であることを確認しており、か
つ駆動電圧を１５０Ｖ以下にするための比誘電率は３０
以上にする必要があることがわかった。
以上の結果から、２層膜の比誘電率は３０以上必要であ
り、この比誘電率を得るためには２層膜のどちらかの材
料の比誘電率’ｔ−４０以上にする必要があることがわ
かった。
り、この比誘電率を得るためには２層膜のどちらかの材
料の比誘電率’ｔ−４０以上にする必要があることがわ
かった。
さらに、比誘電率の大小の材料を積層し、２層絶縁膜に
した場合、どちらの絶縁膜を下層にしても基本的には”
ｌ−１４Ｉ性及び比誘電率は変化しないことを確認した
。しかし、本発明者らは、薄膜ＥＬ素子を作製する場合
、作製工程において電極（透明電極、背面電極）と絶縁
層との間で、はく離する現象が時々認められた。その原
因について検討した結果、比ｇｉｔ率が大きい材料はど
、電極との密着力が小さいことを明らかにした。その結
果を第６図に示す。これから明らかなように、比誘電率
が１５以上になると比誘電率が小さい材料の約１／２程
度になる。この結果から、本発明では２１１絶縁膜にす
る場合は、電極側に比誘電率が小さい、つまシ１５以下
のものを採用する。したがって、発光層は比誘！を率の
大きいもので挾む構造にする。このような、構成にする
ことにより、はく離は皆無になり、それぞれの絶縁層の
特徴を十分にひきだせることを明らかにした。
した場合、どちらの絶縁膜を下層にしても基本的には”
ｌ−１４Ｉ性及び比誘電率は変化しないことを確認した
。しかし、本発明者らは、薄膜ＥＬ素子を作製する場合
、作製工程において電極（透明電極、背面電極）と絶縁
層との間で、はく離する現象が時々認められた。その原
因について検討した結果、比ｇｉｔ率が大きい材料はど
、電極との密着力が小さいことを明らかにした。その結
果を第６図に示す。これから明らかなように、比誘電率
が１５以上になると比誘電率が小さい材料の約１／２程
度になる。この結果から、本発明では２１１絶縁膜にす
る場合は、電極側に比誘電率が小さい、つまシ１５以下
のものを採用する。したがって、発光層は比誘！を率の
大きいもので挾む構造にする。このような、構成にする
ことにより、はく離は皆無になり、それぞれの絶縁層の
特徴を十分にひきだせることを明らかにした。
また、本発明では、従来の単独絶縁膜ではピンホールが
発生し、素子使用時（発光動作）において、空気中の水
分が侵入し、素子の信頼性が劣る問題があるが、本発明
の２層絶縁膜にすることによシ、この問題を解決した。
発生し、素子使用時（発光動作）において、空気中の水
分が侵入し、素子の信頼性が劣る問題があるが、本発明
の２層絶縁膜にすることによシ、この問題を解決した。
この結果を下表に示す。
表
この表はピンホール密度ｔ−調べた結果であるが、異種
の絶縁層を積層することにより、ピンホール密度は単層
膜に比較して１桁少なくなることがわかる。
の絶縁層を積層することにより、ピンホール密度は単層
膜に比較して１桁少なくなることがわかる。
以上、ＥＬ用絶縁層としては比誘電率が大小（絶縁破壊
電圧の大小）のものを組合せた２層絶縁層にすることに
よる特徴を述べたが、これを採用することによシ、低成
圧、高傷頼性の薄膜３Ｌ素子が提供される。
電圧の大小）のものを組合せた２層絶縁層にすることに
よる特徴を述べたが、これを採用することによシ、低成
圧、高傷頼性の薄膜３Ｌ素子が提供される。
第１図は本発明の１実施例を示す薄膜ＥＬ素子を利用し
た表示パネルの断面構成図である。以下、第１図の工程
順に従がって説明する。
た表示パネルの断面構成図である。以下、第１図の工程
順に従がって説明する。
コーニング＋７０５９ｉうｘ基板１上に、８ｎ０２及び
ＩｎｚＯｓ等から成る透明電極２を膜厚２０００ Ａ程
度で、面積抵抗が１０〜２ｏΩ／口になるように形成す
る。形成方法としては、スパッタリンク法あるいは電子
ビーム蒸着法が最適である。スパッタリング法で形成す
る場合の条件としては、反応ガスとしてＡｒ＋１０ｗｔ
＊Ｑ２を用い、ターゲットにＳｎ６るいはＩｎを用いて
リアクティブスパッタリングすればよい。
ＩｎｚＯｓ等から成る透明電極２を膜厚２０００ Ａ程
度で、面積抵抗が１０〜２ｏΩ／口になるように形成す
る。形成方法としては、スパッタリンク法あるいは電子
ビーム蒸着法が最適である。スパッタリング法で形成す
る場合の条件としては、反応ガスとしてＡｒ＋１０ｗｔ
＊Ｑ２を用い、ターゲットにＳｎ６るいはＩｎを用いて
リアクティブスパッタリングすればよい。
次に、ＥＬ素子に必要な所定の電極パターンにするには
、透明電極２をフォトエツチング技術を用いて、帯状に
平行配列にエツチングする。その際の透明電極のエツチ
ング液としては、ＨＣｌ−ＨＮＯｓ系エツチング液など
を用いればよい。
、透明電極２をフォトエツチング技術を用いて、帯状に
平行配列にエツチングする。その際の透明電極のエツチ
ング液としては、ＨＣｌ−ＨＮＯｓ系エツチング液など
を用いればよい。
上記透明電極２の上に、まず比誘電率が小さい密着絶縁
層７であるＳ ｉｏｚ ’ｋ Ｏ−１μｍ形成スル。
層７であるＳ ｉｏｚ ’ｋ Ｏ−１μｍ形成スル。
ついで、その上に比誘電率が大きい（絶縁破壊電圧が小
さい）主絶縁層８のＳ ｒＴ ｒ Ｏｓ （’ ｒ ＝
１４０ ）Ｑ、４μｍｔ−形成し、第１絶縁層３が完了
する。引き続いて、Ｚｎ８：Ｍｎ焼結体を電子ビーム蒸
着させ発光層４を形成し、続いて基板温度を５５００に
上げて、真空熱処理をする。この熱処理によシ、ＺｕＳ
中に付加剤であるＭｎを均一に拡散させる。
さい）主絶縁層８のＳ ｒＴ ｒ Ｏｓ （’ ｒ ＝
１４０ ）Ｑ、４μｍｔ−形成し、第１絶縁層３が完了
する。引き続いて、Ｚｎ８：Ｍｎ焼結体を電子ビーム蒸
着させ発光層４を形成し、続いて基板温度を５５００に
上げて、真空熱処理をする。この熱処理によシ、ＺｕＳ
中に付加剤であるＭｎを均一に拡散させる。
発光層４の上に第２絶縁層５を形成する。この第２絶縁
層は第１絶縁層と同じく、まず比誘電率が大きい主絶縁
層８を形成し、引続いてその上に比１！ｊ電車が小さめ
密着絶縁層７を形成する。最後に、密着絶縁層７の上に
、背面電極６を形成する。この背面電極６はＡｔあるい
はＳｎ０ｗ系の透明導電膜でよい。
層は第１絶縁層と同じく、まず比誘電率が大きい主絶縁
層８を形成し、引続いてその上に比１！ｊ電車が小さめ
密着絶縁層７を形成する。最後に、密着絶縁層７の上に
、背面電極６を形成する。この背面電極６はＡｔあるい
はＳｎ０ｗ系の透明導電膜でよい。
以上のようにして得られた本発明のＥＬ素子に、ＩＫＨ
ｚ正弧波の電圧を加えることによシ、十分をエージング
処理を行なった後、ＥＬ素子の寿命特性を測定した。そ
の結果を第７図に示す。この第７図はエージング後の発
光輝度（初期輝度）を１００として、連ｌ１ＩｌＩＪｈ
作経験した場合の輝度を表わしたものであシ、図中の屋
１は絶縁層が従来技術で作成されたＳｒＴ！Ｏｓ単層膜
ＥＬ素子の特性である。
ｚ正弧波の電圧を加えることによシ、十分をエージング
処理を行なった後、ＥＬ素子の寿命特性を測定した。そ
の結果を第７図に示す。この第７図はエージング後の発
光輝度（初期輝度）を１００として、連ｌ１ＩｌＩＪｈ
作経験した場合の輝度を表わしたものであシ、図中の屋
１は絶縁層が従来技術で作成されたＳｒＴ！Ｏｓ単層膜
ＥＬ素子の特性である。
本発明の絶縁層を２層構造ＥＬ素子（＆２）は、絶縁層
のピンホール及びクラックが防止され、寿命が伸びてい
ることがわかる。
のピンホール及びクラックが防止され、寿命が伸びてい
ることがわかる。
さらに、第８図は薄膜ＥＬディスプレイの画素破壊率と
エージング時の印加電圧との関係を示したものである。
エージング時の印加電圧との関係を示したものである。
図中の逼１は第１図に示した従来の絶縁層が単層膜の場
合であるが、本発明のＥＬディスプレイはエージング中
の画素破壊が起こらないことがよくわかる。
合であるが、本発明のＥＬディスプレイはエージング中
の画素破壊が起こらないことがよくわかる。
さらに、２層絶縁膜としてＰｂＴｉ０ｓ（ε、＝１２０
）／８ｉ０ｚ（ε、＝４）の組合せたｇＬ、素子を炸裂
し、緒特性を調べた結果、高信頼性が得られることを確
認し、上述と同様な効果があることを明らかにしている
。
）／８ｉ０ｚ（ε、＝４）の組合せたｇＬ、素子を炸裂
し、緒特性を調べた結果、高信頼性が得られることを確
認し、上述と同様な効果があることを明らかにしている
。
以上述べたように、本発明によれば絶縁層の欠点を解消
し、素子の信頼性を高めることができる。
し、素子の信頼性を高めることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は従来
の薄膜ＥＬ素子の断面図、第３図は本発明の２層絶縁膜
の電流−電圧特性図、第４図は２眉毛縁膜（５ｒＴｉＯ
ｓ ／Ｓ ｉＯｉ ）の比誘電率を示すＪ＃性１図、第
５図は駆動電圧と絶縁層の厚みとの関係を示す特性図、
第６図は電極に対する絶縁膜の密着力を示す特性図、第
７図は本発明のＥＬ素子の寿命特性図、第８図は本発明
のＥＬ素子の画素破壊率を示す特性図である。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３・・・第１
絶縁層、４・・・発光層、５・・・第２絶縁層、６・・
・背面電極、７芥３ 目 電圧＜Ｖ） 茅４ 目 Ｏσ、２ σ・４ ρ、乙 σ、８
ｔθ茅５目 は抹層硝冴み（７領） 茅６ 図 比誘＠李 茅８ 口 ｌθ ｌθ２ ／θ３電ｆｉ＜ｖ
）
の薄膜ＥＬ素子の断面図、第３図は本発明の２層絶縁膜
の電流−電圧特性図、第４図は２眉毛縁膜（５ｒＴｉＯ
ｓ ／Ｓ ｉＯｉ ）の比誘電率を示すＪ＃性１図、第
５図は駆動電圧と絶縁層の厚みとの関係を示す特性図、
第６図は電極に対する絶縁膜の密着力を示す特性図、第
７図は本発明のＥＬ素子の寿命特性図、第８図は本発明
のＥＬ素子の画素破壊率を示す特性図である。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３・・・第１
絶縁層、４・・・発光層、５・・・第２絶縁層、６・・
・背面電極、７芥３ 目 電圧＜Ｖ） 茅４ 目 Ｏσ、２ σ・４ ρ、乙 σ、８
ｔθ茅５目 は抹層硝冴み（７領） 茅６ 図 比誘＠李 茅８ 口 ｌθ ｌθ２ ／θ３電ｆｉ＜ｖ
）
Claims (5)
- １． 絶縁基板上に透明電極、第１絶縁層、発光層、第
２絶縁層及び背面電極を順次積層して有する薄膜発光素
子において、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層の少なく
とも一方が２層構造を有し且つ前記電極側が比誘電率１
５以下の材料にて構成され、前記発光層側が比誘電率４
０以上の材料にて構成されていることを特徴とする薄膜
発光素子。 - ２． 特許請求の範囲第１項において、前記第１絶縁層
と前記第２絶縁層のいずれも２層構造を有することを特
徴とする薄膜発光素子。 - ３． 特許請求の範囲第１項において、前記比誘電率１
５以下の材料がＳｉＯ＿２，Ｙ＿２Ｏ＿３，ＨｆＯ＿２
，Ｓｉ＿３Ｎ＿４，Ａｌ＿２Ｏ＿３の１つ以上よりなる
ことを特徴とする薄膜発光素子。 - ４． 特許請求の範囲第１項において、前記比誘電率４
０以上の材料がＴｉＯ＿２，ＰｂＮｂ＿２Ｏ＿６，Ｓｒ
ＴｉＯ＿３の１つ以上よりなることを特徴とする薄膜発
光素子。 - ５． 特許請求の範囲第１項において、前記２層構造よ
りなる絶縁層の比誘電率の合計が３０以上であることを
特徴とする薄膜発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60110423A JPS61269896A (ja) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | 薄膜発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60110423A JPS61269896A (ja) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | 薄膜発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61269896A true JPS61269896A (ja) | 1986-11-29 |
Family
ID=14535380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60110423A Pending JPS61269896A (ja) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | 薄膜発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61269896A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01177899U (ja) * | 1988-06-07 | 1989-12-19 | ||
| JPH04237994A (ja) * | 1991-01-18 | 1992-08-26 | Kenwood Corp | 薄膜ｅｌ素子の構造 |
-
1985
- 1985-05-24 JP JP60110423A patent/JPS61269896A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01177899U (ja) * | 1988-06-07 | 1989-12-19 | ||
| JPH04237994A (ja) * | 1991-01-18 | 1992-08-26 | Kenwood Corp | 薄膜ｅｌ素子の構造 |
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