JPS61270840A - 半導体ウエハ−の温度測定方法 - Google Patents
半導体ウエハ−の温度測定方法Info
- Publication number
- JPS61270840A JPS61270840A JP60112717A JP11271785A JPS61270840A JP S61270840 A JPS61270840 A JP S61270840A JP 60112717 A JP60112717 A JP 60112717A JP 11271785 A JP11271785 A JP 11271785A JP S61270840 A JPS61270840 A JP S61270840A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- semiconductor wafer
- wafer
- temperature measurement
- elongation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体ウニ・・−が熱により膨張することを利
用し、半導体ウェハーの温度に対する伸びを検出するこ
とにより、その時の温度を求める方法である。現在ウェ
ハーの温度を直接測定する方法として次の様な方法があ
る。
用し、半導体ウェハーの温度に対する伸びを検出するこ
とにより、その時の温度を求める方法である。現在ウェ
ハーの温度を直接測定する方法として次の様な方法があ
る。
■極細の熱電対をウェハーに取付けて測温する方法。
■光高温計等を用い、ウェハーから直接輻射さ几る光の
色温度や輻射量全測定する方法。
色温度や輻射量全測定する方法。
以上の方法が一般的であるが、まず■に対しては熱電対
の使用および接着材の使用による汚染の問題、取りつけ
時間がかかるなど欠点があった。
の使用および接着材の使用による汚染の問題、取りつけ
時間がかかるなど欠点があった。
次に■であるが、高速加熱する場合、輻射炉を用い昇温
を行−でｍ ｆｒ−どの時にウェハー裏面ｒり撓射さｎ
る赤外線を半導体センサーにより電気信号に変え温度に
変換するのが一般的である。
を行−でｍ ｆｒ−どの時にウェハー裏面ｒり撓射さｎ
る赤外線を半導体センサーにより電気信号に変え温度に
変換するのが一般的である。
欠点は炉より輻射さｎる光量がウェハー自体より輻射さ
ｎる光景よりも相対的に多く充分な精度が得らｔないこ
とにある。この様な方法に対し本発明畝半導体ウェハー
の径方向の熱膨張を差動トランス等により検出し、その
伸びを温度に換算する方法である。
ｎる光景よりも相対的に多く充分な精度が得らｔないこ
とにある。この様な方法に対し本発明畝半導体ウェハー
の径方向の熱膨張を差動トランス等により検出し、その
伸びを温度に換算する方法である。
シリコンウェハーの温度に対する伸びは、ウェハーの２
０’Ｃの時の長さをＬＯとし、伸びをΔＬとすると、−
例として、 １２７°Ｃで ΔＬ／ＬＯ＝０．００３３％５２７°Ｃ
で ΔＬ／ＬＯ＝０．１８１係１１２７’Ｃで ΔＬ／
ＬＯ＝ ０．４４８チという値、膨張針により求めるこ
とができた。
０’Ｃの時の長さをＬＯとし、伸びをΔＬとすると、−
例として、 １２７°Ｃで ΔＬ／ＬＯ＝０．００３３％５２７°Ｃ
で ΔＬ／ＬＯ＝０．１８１係１１２７’Ｃで ΔＬ／
ＬＯ＝ ０．４４８チという値、膨張針により求めるこ
とができた。
またこの温度間は単調に膨張し、収縮は見らｎながった
。よって、ΔＬとＬＯが入力さｎｎばΔＬ／Ｌｏを計算
し、その伸び率に対する温度を逆に参照することにより
、半導体ウェハーの温度を求めることができる。
。よって、ΔＬとＬＯが入力さｎｎばΔＬ／Ｌｏを計算
し、その伸び率に対する温度を逆に参照することにより
、半導体ウェハーの温度を求めることができる。
今回面について説明すると、半導体ウェハ＝（１）は石
英製骨はピン（９）、２本の石英製ガイドピン（１ｏａ
）（１０ｂ）および石英製検出棒（２）によって炉（８
）の中に保持さ１ている。
英製骨はピン（９）、２本の石英製ガイドピン（１ｏａ
）（１０ｂ）および石英製検出棒（２）によって炉（８
）の中に保持さ１ている。
ウェハーのオリエンテーショナルフラット部α荀は石英
製受はピン（９）に当念るように位置合せが行わｎる。
製受はピン（９）に当念るように位置合せが行わｎる。
炉（８）に電流が流几ヒーターより熱が半導体ウェハー
（１）に供給さｎる。このとき半導体ウェハー（１）は
温度が上昇するにつｎて伸び、石英製検出棒（２）を介
し差動トランスのコアー（４）を動かす。このとき差動
トランスのコイル（５）および伸び検出回路←υはコア
ー（４）の移動量を電気信号として出力する。
（１）に供給さｎる。このとき半導体ウェハー（１）は
温度が上昇するにつｎて伸び、石英製検出棒（２）を介
し差動トランスのコアー（４）を動かす。このとき差動
トランスのコイル（５）および伸び検出回路←υはコア
ー（４）の移動量を電気信号として出力する。
しゅう動軸受（３）は、このときの動きを石英製検出棒
（２）等の保持と動きが滑らかになるような役目を果た
す。
（２）等の保持と動きが滑らかになるような役目を果た
す。
バネ（６）は石英製検出棒（２）をある一定の力でウェ
ハーに押しつける役目をする。
ハーに押しつける役目をする。
伝
ペースプレート（７）は、高熱暢導率をもつアルミニウ
ム等の金Ｉｓヲ水冷したものを用いる。
ム等の金Ｉｓヲ水冷したものを用いる。
伸び検出回路住υより出力さｎた伸び△Ｌは長さ入力回
路（１３より入力さｔた信号ＬＯにより演算回路（１２
１で演算を行い出力さｎる。
路（１３より入力さｔた信号ＬＯにより演算回路（１２
１で演算を行い出力さｎる。
本発明の実施例をあげると、５インチのシリコンウェハ
ーに校正さｎたり西メルーアルメル熱電対をアルミナ系
接着剤により取りつけ、１０００’Ｃまで毎分１００’
Ｃで昇温させて比較したところ、５０°Ｃから１０００
’Ｃの温度範囲において１０’Ｃ以内の誤差で一致した
。
ーに校正さｎたり西メルーアルメル熱電対をアルミナ系
接着剤により取りつけ、１０００’Ｃまで毎分１００’
Ｃで昇温させて比較したところ、５０°Ｃから１０００
’Ｃの温度範囲において１０’Ｃ以内の誤差で一致した
。
第１図は本発明の側面図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体ウェハーの熱膨張を利用し、ウェハーの伸びを測
定することにより温度を検出する。 この検出した温度を利用した半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60112717A JPS61270840A (ja) | 1985-05-25 | 1985-05-25 | 半導体ウエハ−の温度測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60112717A JPS61270840A (ja) | 1985-05-25 | 1985-05-25 | 半導体ウエハ−の温度測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61270840A true JPS61270840A (ja) | 1986-12-01 |
Family
ID=14593752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60112717A Pending JPS61270840A (ja) | 1985-05-25 | 1985-05-25 | 半導体ウエハ−の温度測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61270840A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04148545A (ja) * | 1990-10-11 | 1992-05-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 光照射加熱基板の温度測定装置 |
| JPH07505744A (ja) * | 1992-04-15 | 1995-06-22 | マティリアルズ リサーチ コーポレイション | 処理装置チャンバ内におけるウェーハ膨張の光学的測定による半導体ウェーハ温度決定 |
| WO2002069393A1 (en) * | 2001-02-24 | 2002-09-06 | Jiwoo Techniques Korea | Device for detecting wafer positioning failure on semiconductor processing device and method thereof |
| KR100861090B1 (ko) | 2007-07-09 | 2008-09-30 | 세메스 주식회사 | 열처리 장치 |
| JP2009212199A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Canon Anelva Corp | 基板表面温度計測方法、及び、これを用いた基板処理装置 |
-
1985
- 1985-05-25 JP JP60112717A patent/JPS61270840A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04148545A (ja) * | 1990-10-11 | 1992-05-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 光照射加熱基板の温度測定装置 |
| JPH07505744A (ja) * | 1992-04-15 | 1995-06-22 | マティリアルズ リサーチ コーポレイション | 処理装置チャンバ内におけるウェーハ膨張の光学的測定による半導体ウェーハ温度決定 |
| WO2002069393A1 (en) * | 2001-02-24 | 2002-09-06 | Jiwoo Techniques Korea | Device for detecting wafer positioning failure on semiconductor processing device and method thereof |
| KR100861090B1 (ko) | 2007-07-09 | 2008-09-30 | 세메스 주식회사 | 열처리 장치 |
| JP2009212199A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Canon Anelva Corp | 基板表面温度計測方法、及び、これを用いた基板処理装置 |
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