JPS61272968A - 化合物半導体素子 - Google Patents

化合物半導体素子

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Publication number
JPS61272968A
JPS61272968A JP60114222A JP11422285A JPS61272968A JP S61272968 A JPS61272968 A JP S61272968A JP 60114222 A JP60114222 A JP 60114222A JP 11422285 A JP11422285 A JP 11422285A JP S61272968 A JPS61272968 A JP S61272968A
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JP
Japan
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layer
onto
nickel
chromium alloy
evaporated
Prior art date
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Pending
Application number
JP60114222A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsutomu Uemoto
勉 上本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS61272968A publication Critical patent/JPS61272968A/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
    • H10D64/62—Electrodes ohmically coupled to a semiconductor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
    • H10D62/85—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group III-V materials, e.g. GaAs

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  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は高速半導体素子又は発光又は受光素子として
使用される化合物半導体素子に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
金（Ａｕ）、インジウム（Ｉｎ）等の金属材料は容易に
半導体中に拡散して半導体の特性を劣化させる。
このためＡｕやＩｎ等の金属を電極どする場合％Ａｕや
Ｉｎ等の金属の拡散の障壁となる金ａｔ−，半導体とＡ
ｕやＩｎ等の金属層との間に被着する必要がある。
従来のシリコンを用いた半導体では、ニッケル（Ｎｉ）
又は白金（Ｐｔ）が障壁用金属として用いられてきた。
しかし、Ｎｉ　、Ｐｔは高融点金属であるため、電子ビ
ーム蒸着か、スパッタ法でしか実用的な被着法がなかつ
友。ところで、熱的に不安定で。
酸又はアルカリに弱いものが多い化合物半導体において
は、電子ビーム蒸着法では蒸着時に入る酸化膜中の損傷
を回復できない、スパッタ法ではリフトオフ法が使えず
エツチングでしかパターンが形成できないという欠点が
あるため、Ｎｉ、Ｐｔは使用できない場合が多かった。
また、これ以外のチタニウム（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）
ではＡｕ、Ｉｎに対、する障壁効果が少なく％　１００
℃以下でしか、金属被着後のプロセスが行なえないとい
う欠点があった。
〔発明の目的〕
本発明は上記の欠点を解決し、リフトオフ法で抵抗加熱
性蒸着ができ、しかもＡｕ等の半導体中に深い準位を形
成する金属の拡散を防ぐことのできる金ｍｔ−半導体素
゛子に被着可能とした化合物半導体素子を提供するもの
である。
〔発明の概要〕
本発明は高純度ニッケルクロム合金を、半導体基板とＡ
ｕ等の金！Ｆ４Ｗｊとの間に設け、抵抗加熱蒸着法等で
も容易に形成可能とした化合物半導体素子である。
〔発明の効果〕
本発明によ５Ａｕ、Ｉｎ等の半導体特性及びダイオード
特性劣化を起こす金属の拡散が防げ、半導体装置の従来
より高温での製作、使用が可能と々った。
〔発明の実施例〕
第１図は本発明を用いたダイオードの断面図である。ア
ンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）基板上にＺｎを拡散
し、ＰＩＦｊｔ形成した後、低温ＣＶＤ法にてＳ　ｉ　
０２膜を形成した。その後５ｉｏ２膜をエツチングし、
しかる後、ポジ形レジストを用い、リフトオフ法にてＮ
ｌとＣｒの比が８０チ及び２０チのニッケルークロム合
金ｆ　Ａ　ｕ　ｆ抵抗加熱蒸着し、電極を形成した。こ
の後２００℃で１時間加熱し九後のダイオード特性ｔ−
調べた結果、第２図の曲線２１のようになった。尚比較
の尭為に従来のクロム及び金を用いて電極を形成し、そ
の後２００℃で１時間加熱した後のダイオード特性（２
々を第２図に合せて記載し友、この第２図からである。
本発明のダイオードの対熱性が向上したことが判る。
〔発明の他の実施例〕
ニッケルクロム合金は実施例に示す様な基板に直接接触
する必要はな（、Ｃｒ等を第一層目に蒸着した上に蒸着
してもよい５また。ニッケルクロム合金上にはＡ　ｔ＋
だけでなく、ＴＩ等を蒸着した後ＡＵＬを被着しても良
い、また、本発明における最上層の金［層はＡｕ以外％
Ｔｎ、Ａｔ等の金属にも有効である。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明を用い念ダイオードの断面図、第２図
は２０００でベークしたときの従来法と、本発明のダイ
オード特性を示し九図である。 １１・・・ｎ形Ｉｎ８ｂ基板％　１２・・・Ｐ領域、１
３・・・ニッケルクロム合金層、１４・・・Ａｕ層、１
５・・・Ｓ　ｉ　０２膜。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 化合物半導体を用いた半導体素子において、ダイオード
    上に接する金属層としてニクロム層を用い、そのニクロ
    ム層を含む多層膜を電極とすることを特徴とする化合物
    半導体素子。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04199681A (ja) * 1990-11-29 1992-07-20 Fujitsu Ltd 半導体装置
DE10329364A1 (de) * 2003-06-30 2005-02-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektrischer Kontakt für ein optoelekronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04199681A (ja) * 1990-11-29 1992-07-20 Fujitsu Ltd 半導体装置
DE10329364A1 (de) * 2003-06-30 2005-02-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektrischer Kontakt für ein optoelekronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10329364B4 (de) * 2003-06-30 2007-10-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektrischer Kontakt für ein optoelekronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung

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