JPS6127623A - 光化学反応誘起用光源 - Google Patents
光化学反応誘起用光源Info
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- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/483—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using coherent light, UV to IR, e.g. lasers
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- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光励起の化学反応誘起用光源、とくに半導体
デバイス製造に有効なレーザビーム励起プロセス用の光
源にかかわる。
デバイス製造に有効なレーザビーム励起プロセス用の光
源にかかわる。
（従来技術とその問題点）
近年、半導体デバイス製造プロセスにおいては、光ＣＶ
Ｄや光エッチングなどの光励起プロセスが、光ＣＶＤや
光エッチングのごとき光誘起の化学反応を生じさせるた
めの光源としては、多くは物質に電子励起を生、じさせ
うる高出力紫外光源が用いられてきた。具体的な光源と
してはエキシマレーザ（波長１５７ｎｍ、１９３ｎｍ、
２４８ｎｍ、３０８ｎｍなど）や、Ａｒレーザ（波長５
１５ｎｍ）の第２高調波（波長２５７ｎｍ）などがよく
知られている。これらの光源をＣｒ（ＣＯ）ａ蒸気から
のガラス上へのＣｒ（ＤレーザＣＶＤに適用し数１０μ
ｍサイズの良好なＣｒ膜を得た例が、昭和５９年度春季
第３１回応用物理学関係連合講演会の講演番号３１ｐＫ
１０の講演において、積山等により発表されている。し
かしながらこのような従来の光源には、以下のごとき問
題点があった。
Ｄや光エッチングなどの光励起プロセスが、光ＣＶＤや
光エッチングのごとき光誘起の化学反応を生じさせるた
めの光源としては、多くは物質に電子励起を生、じさせ
うる高出力紫外光源が用いられてきた。具体的な光源と
してはエキシマレーザ（波長１５７ｎｍ、１９３ｎｍ、
２４８ｎｍ、３０８ｎｍなど）や、Ａｒレーザ（波長５
１５ｎｍ）の第２高調波（波長２５７ｎｍ）などがよく
知られている。これらの光源をＣｒ（ＣＯ）ａ蒸気から
のガラス上へのＣｒ（ＤレーザＣＶＤに適用し数１０μ
ｍサイズの良好なＣｒ膜を得た例が、昭和５９年度春季
第３１回応用物理学関係連合講演会の講演番号３１ｐＫ
１０の講演において、積山等により発表されている。し
かしながらこのような従来の光源には、以下のごとき問
題点があった。
まずエキシマレーザの場合には、現状では、発振出力の
維持にＦ、や又はＨＣＩのハロゲンガスの補給を必要と
するため、これらの有毒ガスを安全に取扱うためのボン
ベストッカー、使用済みの排ガス用処理装置および、外
気への排気装置、さらには、万一の事態のための遺漏検
知装置およびそれに連動した各種のインターロック機構
等を具備する必要を生ずる。このため、光源の大形化、
高コスト化、可搬性の喪失、安全管理負担の増大などが
生じ、現状では、エキシマレーザはとても実用的な光源
とは言いがたい。
維持にＦ、や又はＨＣＩのハロゲンガスの補給を必要と
するため、これらの有毒ガスを安全に取扱うためのボン
ベストッカー、使用済みの排ガス用処理装置および、外
気への排気装置、さらには、万一の事態のための遺漏検
知装置およびそれに連動した各種のインターロック機構
等を具備する必要を生ずる。このため、光源の大形化、
高コスト化、可搬性の喪失、安全管理負担の増大などが
生じ、現状では、エキシマレーザはとても実用的な光源
とは言いがたい。
一方、Ａｒレーザの第２高調波の場合には、出力がたか
だか数ｍＷと低いため、この紫外光のみでは充分な膜質
の膜形成が行えないうえ、たとえ高出力化が図れても、
連続波として発振するために、光ＣＶＤの基板上での熱
拡散により堆積膜の形状が照射光ビームの断面形状よう
も大きくなり１μｍオーダの微細な加工がほとんど困難
であった。このため、Ａｒレーザの第２高調波は、前述
のエキシマレーザのごとき、有毒ガス利用による欠点は
ないものの、やはり光ＣＶＤには適嘔ない紫外光源であ
ると判断てれる。
だか数ｍＷと低いため、この紫外光のみでは充分な膜質
の膜形成が行えないうえ、たとえ高出力化が図れても、
連続波として発振するために、光ＣＶＤの基板上での熱
拡散により堆積膜の形状が照射光ビームの断面形状よう
も大きくなり１μｍオーダの微細な加工がほとんど困難
であった。このため、Ａｒレーザの第２高調波は、前述
のエキシマレーザのごとき、有毒ガス利用による欠点は
ないものの、やはり光ＣＶＤには適嘔ない紫外光源であ
ると判断てれる。
これに対し、より実用的な紫外光源の一候補と「レーザ
薄膜形成装置」の実施例の説明のなかでＣｒ（Ｇｏ）ａ
を用いる場合について記述されている。
薄膜形成装置」の実施例の説明のなかでＣｒ（Ｇｏ）ａ
を用いる場合について記述されている。
しかし、その場合、光臨に関してこれ以上の具体的な記
述はなく、もちろんレーザＣＶＤの結果についても触れ
られていない。
述はなく、もちろんレーザＣＶＤの結果についても触れ
られていない。
ＱスイッチＮｄ：固体レーザの第４高偶波を実用的な元
ＣＶＤ用光源に用いる場合には、まず第４高調波の高出
力化を図ることが重要である。その場合は、高調波への
変換効率を高めるために、ピークパワーの高いパルス励
起ＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレーザを用いることが一般的
に考えられる。この構成のもとでは、くり返し速度約５
０ Ｉ’ｌｚ ＋ピークパワー約１００ｆｆｌ 、パル
ス幅約Ｉｏｎｓの第４高調波を得るのが、はぼ一般的な
特性上の限界である。
ＣＶＤ用光源に用いる場合には、まず第４高調波の高出
力化を図ることが重要である。その場合は、高調波への
変換効率を高めるために、ピークパワーの高いパルス励
起ＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレーザを用いることが一般的
に考えられる。この構成のもとでは、くり返し速度約５
０ Ｉ’ｌｚ ＋ピークパワー約１００ｆｆｌ 、パル
ス幅約Ｉｏｎｓの第４高調波を得るのが、はぼ一般的な
特性上の限界である。
これらの特性の特徴は、パルス幅やくり返し速度はエキ
シマレーザの特性とほぼ同じで、ピークパワーは３桁程
度エキシマレーザよりも低いことである。しかし、ピー
クパワーの差についても、ビーム断面積の差を考慮して
単位面積当りのパワー密度を比べれば１両光源は＃１ぼ
同程度と言いうる。
シマレーザの特性とほぼ同じで、ピークパワーは３桁程
度エキシマレーザよりも低いことである。しかし、ピー
クパワーの差についても、ビーム断面積の差を考慮して
単位面積当りのパワー密度を比べれば１両光源は＃１ぼ
同程度と言いうる。
このため、同一の光学系で物質に照射した場合の照射強
度に関しては、はぼエキシマレーザ基みの特性がこの第
４高調波によって得られる。従って光ＣＶＤに用いた場
合の効果もほぼ同等と期待され、実際、前記のＣｒ（Ｃ
ｏ）ｓガスからのＣｒのＣＶＤの場合について確認てれ
ている。このため、エキシマレーザの装置構成上の前述
の欠点がなく、光ＣＶＤ％性はエキシマレーザと同等と
いう光源が。
度に関しては、はぼエキシマレーザ基みの特性がこの第
４高調波によって得られる。従って光ＣＶＤに用いた場
合の効果もほぼ同等と期待され、実際、前記のＣｒ（Ｃ
ｏ）ｓガスからのＣｒのＣＶＤの場合について確認てれ
ている。このため、エキシマレーザの装置構成上の前述
の欠点がなく、光ＣＶＤ％性はエキシマレーザと同等と
いう光源が。
パルス励起ＱスイッチＹＡＧレーザの第４高調波光によ
り、従来得られていた。
り、従来得られていた。
しかし、この第４高調波光を用いた場合でも、数ミクロ
ンからザブミクロンに至る微小領域へのＣＶＤ特性はエ
キシマレーザを用いた場合と同様不充分であった。即ち
、このＣｒ（ＣＯ）ｅからのＣｒの堆積の場合などでは
、光が光分解だけでなく、堆積膜の加熱作用を誘起しな
いと、金属光沢を有する良好な膜質を形成できないこと
が５０Ｈｚのエキシマレーザを用いた実験で判明してい
た（前述の５９年春季応用物理学関係連合講演会、講演
番号３１ｐＫ１０）が、このパルス励起ＹＡＧレーザの
第４高調波を用いた場合でも、同様の結果が得られた。
ンからザブミクロンに至る微小領域へのＣＶＤ特性はエ
キシマレーザを用いた場合と同様不充分であった。即ち
、このＣｒ（ＣＯ）ｅからのＣｒの堆積の場合などでは
、光が光分解だけでなく、堆積膜の加熱作用を誘起しな
いと、金属光沢を有する良好な膜質を形成できないこと
が５０Ｈｚのエキシマレーザを用いた実験で判明してい
た（前述の５９年春季応用物理学関係連合講演会、講演
番号３１ｐＫ１０）が、このパルス励起ＹＡＧレーザの
第４高調波を用いた場合でも、同様の結果が得られた。
特に１０μｍ以下の微小領域への堆積では。
加熱効果をあげるべく１パルス当りのエネルギーを増大
させると、堆積膜に照射光自身による損傷を生じてしま
い、良好な膜が得られなかった。
させると、堆積膜に照射光自身による損傷を生じてしま
い、良好な膜が得られなかった。
（発明の目的）
本発明の目的は、かくのごとき従来の光ＣＶＤ光源の欠
点を除去し、′４Ｉ小領域への良好な光ＣＶＤ膜の形成
を可能とする光ＣＶＤ用の光源を提供することにある。
点を除去し、′４Ｉ小領域への良好な光ＣＶＤ膜の形成
を可能とする光ＣＶＤ用の光源を提供することにある。
（発明の構成）
本発明の光源は、連続励起ＱスイッチＮｄ固体レーザと
紫外域高調波の発生器とから構成されている。
紫外域高調波の発生器とから構成されている。
（本発明の作用原理）
従来の、加熱作用を必要とする元ＣＶＤで微小領域に良
好な膜を形成する場合７重要なポイントのひとつは堆積
膜の冷却過程を検討することである。ガラス上へのＣｒ
（Ｃｏ）ｅからのＣｒの堆積の場合、照射レーザ光を吸
収するのは堆積したＣｒ膜自身のみである。大面積に堆
積させる場合の堆積膜の冷却は膜の垂直方向への１次元
の熱伝導で考えれば良い。これに対し、微小領域への堆
積では。
好な膜を形成する場合７重要なポイントのひとつは堆積
膜の冷却過程を検討することである。ガラス上へのＣｒ
（Ｃｏ）ｅからのＣｒの堆積の場合、照射レーザ光を吸
収するのは堆積したＣｒ膜自身のみである。大面積に堆
積させる場合の堆積膜の冷却は膜の垂直方向への１次元
の熱伝導で考えれば良い。これに対し、微小領域への堆
積では。
堆積膜面内方向への熱拡散も相対的に顕著に生ずる。即
ち、３次元の熱伝導が生じ、実効的に堆積膜の冷却効果
が高まる。この状況は、基板の熱拡散長よシも堆積膜の
サイズの方が小さい数μｍ領域への堆積の場合に、より
顕著になる。このような、従来技術に対する問題点の考
察に基づき、本発明においては従来のパルス励起Ｑスイ
ッチＹＡＧレーザの第４高調波に代え、連続励起Ｑスイ
ッチＮｄ：固体レーザと紫外域の高調波、なかでも連続
励起超音波（ＡＯ）ＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレーザの出
射光の第４高調波（波長２６６ｎｍ）を光源としている
。この差により、紫外光の特性としては、パルスエネル
ギーが約３桁小さく、パルス幅が１桁強拡がり、第４高
調波への変換効率も１桁以上小さくなるなどの、一般用
途には不利な特性となる。しかし、パルスのくり返し速
度は逆に１〜２桁も高くなるため、照射する１パルス肖
りのピーク、強度を堆積膜光損傷のしきい値以下に充分
押えて、なおかつ、１パルス当りの入力不足をくシ返し
速度の向上による充分な加熱積分効果で補うことができ
る。しかも、この加熱積分効果は、堆積膜に対してＣＶ
Ｄ温度以下の定常的な昇温効果をもたらすごとくできる
ので、実際のＣＶＤが生ずるのは１個々の入射パルスに
よる過渡的な温度上昇時のみに限定でき、その結果、得
られる堆積膜のパターンは、定常的加熱時に見られる拡
がシを伴うことなく、光照射部を忠実に反映した精細な
パターンが形成できる８ （実施例） 以下図面を用いて、本発明の実施例を詳細に説明する。
ち、３次元の熱伝導が生じ、実効的に堆積膜の冷却効果
が高まる。この状況は、基板の熱拡散長よシも堆積膜の
サイズの方が小さい数μｍ領域への堆積の場合に、より
顕著になる。このような、従来技術に対する問題点の考
察に基づき、本発明においては従来のパルス励起Ｑスイ
ッチＹＡＧレーザの第４高調波に代え、連続励起Ｑスイ
ッチＮｄ：固体レーザと紫外域の高調波、なかでも連続
励起超音波（ＡＯ）ＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレーザの出
射光の第４高調波（波長２６６ｎｍ）を光源としている
。この差により、紫外光の特性としては、パルスエネル
ギーが約３桁小さく、パルス幅が１桁強拡がり、第４高
調波への変換効率も１桁以上小さくなるなどの、一般用
途には不利な特性となる。しかし、パルスのくり返し速
度は逆に１〜２桁も高くなるため、照射する１パルス肖
りのピーク、強度を堆積膜光損傷のしきい値以下に充分
押えて、なおかつ、１パルス当りの入力不足をくシ返し
速度の向上による充分な加熱積分効果で補うことができ
る。しかも、この加熱積分効果は、堆積膜に対してＣＶ
Ｄ温度以下の定常的な昇温効果をもたらすごとくできる
ので、実際のＣＶＤが生ずるのは１個々の入射パルスに
よる過渡的な温度上昇時のみに限定でき、その結果、得
られる堆積膜のパターンは、定常的加熱時に見られる拡
がシを伴うことなく、光照射部を忠実に反映した精細な
パターンが形成できる８ （実施例） 以下図面を用いて、本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は、本発明の光源の構成図である。
Ｎｄ：ＹＡＧレーザ１からの基本波（波長１．０６μｍ
ＩｒＬ）光は１位相整合状態のＳＨＧ結晶２により第２
高調波（ＳＨ，波長０．５３μｍ）光に変換される。Ｎ
ｄ：ＹＡＧレーザ１は、連続的にＫｒアークランプで励
起されており、共振器内のＡＯＱスイッチ素子により。
ＩｒＬ）光は１位相整合状態のＳＨＧ結晶２により第２
高調波（ＳＨ，波長０．５３μｍ）光に変換される。Ｎ
ｄ：ＹＡＧレーザ１は、連続的にＫｒアークランプで励
起されており、共振器内のＡＯＱスイッチ素子により。
１ｋｔｌｚ前後の高速繰返し速度でＱスイッチ発振を繰
返している。Ｑスイッチ発振を制御するＱスイ、チトリ
ガー回路は、各種の自動制御信号によシ外部からの制御
が可能な外部トリガ一端子を有している。Ｎｄ：ＹＡＧ
レーザ１の出力は、後段の波長変換を容易にすべくＴＥ
ＭｏｏモードでＩＯＷ程度の高出力発振が可能な構成を
有している。ＳＨＧ結晶としては、高効率な波長変換が
可能なＯＤＡやＫＴＰを用いるのが有効で、ＳＨ光への
変換効率としては１０％以上が得られ、ＳＨ光の平均パ
ワーとして最大ＩＷ程度の特性が実現できる。得られた
ＳＨ先は、位相整合状態のＦＨＧ結晶３によりさらに２
倍の周波数（半分の波長）の第４高調波（ＦＨ、波長２
６６ｎｍ）光に変換される。ＦＨＧ結晶としては、ＫＤ
Ｐを用することが望ましい。その場合ＳＨ光からＦＨ−
Ｘへの変換効率としては、ＦＨＧ結晶への集光状態や、
結晶の均一性、さらには重水素置換率などによシ異なる
ものの、５〜１０％程度が実現できるので、最大平均出
力５０〜１ｏｏｍＷのパルス列のＦＨ元が得られる。そ
の出力のうちからプリズムなどの波長選択素子４により
、ＰＨｆｆ、のみをとり出す。
返している。Ｑスイッチ発振を制御するＱスイ、チトリ
ガー回路は、各種の自動制御信号によシ外部からの制御
が可能な外部トリガ一端子を有している。Ｎｄ：ＹＡＧ
レーザ１の出力は、後段の波長変換を容易にすべくＴＥ
ＭｏｏモードでＩＯＷ程度の高出力発振が可能な構成を
有している。ＳＨＧ結晶としては、高効率な波長変換が
可能なＯＤＡやＫＴＰを用いるのが有効で、ＳＨ光への
変換効率としては１０％以上が得られ、ＳＨ光の平均パ
ワーとして最大ＩＷ程度の特性が実現できる。得られた
ＳＨ先は、位相整合状態のＦＨＧ結晶３によりさらに２
倍の周波数（半分の波長）の第４高調波（ＦＨ、波長２
６６ｎｍ）光に変換される。ＦＨＧ結晶としては、ＫＤ
Ｐを用することが望ましい。その場合ＳＨ光からＦＨ−
Ｘへの変換効率としては、ＦＨＧ結晶への集光状態や、
結晶の均一性、さらには重水素置換率などによシ異なる
ものの、５〜１０％程度が実現できるので、最大平均出
力５０〜１ｏｏｍＷのパルス列のＦＨ元が得られる。そ
の出力のうちからプリズムなどの波長選択素子４により
、ＰＨｆｆ、のみをとり出す。
こうして得られたＦＨ元は、レーザＣＶＤセル内の基板
上に集光され、良好なＣＶＤ膜を形成するのに用いられ
た。第２図は、この光源を光ＣＶＤの用途に用いた場合
の装量構成の概念図である。
上に集光され、良好なＣＶＤ膜を形成するのに用いられ
た。第２図は、この光源を光ＣＶＤの用途に用いた場合
の装量構成の概念図である。
ＦＨ元を集光レンズ５によりＣＶＤセル６内の基板７０
表面に照射する。セル内はＡｒバッファガスで稀釈され
たＣｒ（Ｃｏ）ｅ蒸気で満たされているため。
表面に照射する。セル内はＡｒバッファガスで稀釈され
たＣｒ（Ｃｏ）ｅ蒸気で満たされているため。
ＦＨ元による前述の光分解効果と、加熱効果とによｔ）
Ｃｒ金属膜が堆積する。この構成により、従来のエキシ
マレーザ光やパルス励起ＱスイッチＹＡＧレーザの第４
高調波光を用いた場合には得られなかった、数μｍ径の
微小領域の良好なＣｒ膜の形成が石英の基板７の上で実
現し、最小径として１μｍまで可能なことが確認されて
いる。得られたＣｒ膜の基板への付着力は非常に高く、
膜質も充分緻密で遮光性や導電性を有することが確認さ
れた。
Ｃｒ金属膜が堆積する。この構成により、従来のエキシ
マレーザ光やパルス励起ＱスイッチＹＡＧレーザの第４
高調波光を用いた場合には得られなかった、数μｍ径の
微小領域の良好なＣｒ膜の形成が石英の基板７の上で実
現し、最小径として１μｍまで可能なことが確認されて
いる。得られたＣｒ膜の基板への付着力は非常に高く、
膜質も充分緻密で遮光性や導電性を有することが確認さ
れた。
これらの特性により、従来は充分実用的な方式がなく、
実現が侍たれていたフォトマスクのピンホール欠陥の修
正技術へ、大きな効果がこの構成により実現可能と考え
られる。
実現が侍たれていたフォトマスクのピンホール欠陥の修
正技術へ、大きな効果がこの構成により実現可能と考え
られる。
以上の実施例においては、連続励起ＱスイッチＮｄ固体
レーザとしては、Ａ−ＯＱスイッチのＮｄ：ＹＡＧレー
ザを用いたが、レーザ材料としては連続発振可能な他の
材料、たとえばＮｄ：ＹＬＦやＮｄ：ＧＧＧなどの代替
材料が用いうろことは言うまでもない。また、紫外域高
調波の発生器としてはここでは第４高調波の場合を説明
したが、ＣＶＤガスの吸収波長との関連で、第３高調波
光（３５４ｎｍ）や第５高調波光（２１３ｎｍ）も用い
うろことも言うまでもない。前者の場合には、第２高調
波光（５３２ｎｍ）と基本波光（１，０６４μｍ）の和
周波発生、後者では、第４篩調波元と基本波光との和周
波発生９又は、第２高調波光と第３高調波光との和周波
発生をそれぞれ行うための位相整合された非線形光学結
晶を用いれば良い。
レーザとしては、Ａ−ＯＱスイッチのＮｄ：ＹＡＧレー
ザを用いたが、レーザ材料としては連続発振可能な他の
材料、たとえばＮｄ：ＹＬＦやＮｄ：ＧＧＧなどの代替
材料が用いうろことは言うまでもない。また、紫外域高
調波の発生器としてはここでは第４高調波の場合を説明
したが、ＣＶＤガスの吸収波長との関連で、第３高調波
光（３５４ｎｍ）や第５高調波光（２１３ｎｍ）も用い
うろことも言うまでもない。前者の場合には、第２高調
波光（５３２ｎｍ）と基本波光（１，０６４μｍ）の和
周波発生、後者では、第４篩調波元と基本波光との和周
波発生９又は、第２高調波光と第３高調波光との和周波
発生をそれぞれ行うための位相整合された非線形光学結
晶を用いれば良い。
また、本発明の具体的な適用列の説明としては、光ＣＶ
ＤのうちのＣｒの堆積について述べたが、本発明による
光源が金属のみではなく、他の絶縁体や半導体のＣＶＤ
、さんには、これらの材料の光エッチングなどの光化学
反応誘起用紫外光源としても有効である。
ＤのうちのＣｒの堆積について述べたが、本発明による
光源が金属のみではなく、他の絶縁体や半導体のＣＶＤ
、さんには、これらの材料の光エッチングなどの光化学
反応誘起用紫外光源としても有効である。
（本発明の効果）
以上述べたごとく、本発明の連続励起ＱスイッチＮｄ：
ＹＡＧレーザの高速繰返しの第４高調波光 ′
を用いると、従来の低速繰返しパルス光源や連続発振光
源では実現できない、微小領域への光化学効果及び光加
熱効果を、光損傷を避けながら高めることかできる。こ
のため、この光源を光ＣＶＤや光エッチングに適用する
と、従来になく微小な領域へ良好な加工を行うことがで
きる。
ＹＡＧレーザの高速繰返しの第４高調波光 ′
を用いると、従来の低速繰返しパルス光源や連続発振光
源では実現できない、微小領域への光化学効果及び光加
熱効果を、光損傷を避けながら高めることかできる。こ
のため、この光源を光ＣＶＤや光エッチングに適用する
と、従来になく微小な領域へ良好な加工を行うことがで
きる。
第１図は本発明の一実施例を示する構成図、第２図は本
発明の光源を九ＣＶＤ装置に用いた例を示す図である。 図中１はＱスイッチＮｄ固体レーザ、２，３は高調波発
生器、４は波長選択素子を示す。
発明の光源を九ＣＶＤ装置に用いた例を示す図である。 図中１はＱスイッチＮｄ固体レーザ、２，３は高調波発
生器、４は波長選択素子を示す。
Claims (1)
- 連続励起ＱスイッチＮｄ固体レーザと紫外域高調波の
発生器とからなることを特徴とする光化学反応誘起用光
源。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14814684A JPS6127623A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | 光化学反応誘起用光源 |
| DE8585108906T DE3584798D1 (de) | 1984-07-17 | 1985-07-16 | Anreizverfahren und vorrichtung fuer photochemische reaktionen. |
| EP85108906A EP0169485B1 (en) | 1984-07-17 | 1985-07-16 | Method and apparatus for inducing photochemical reaction |
| US07/393,070 US4976930A (en) | 1984-07-17 | 1989-08-03 | Method and apparatus for inducing photochemical reaction |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14814684A JPS6127623A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | 光化学反応誘起用光源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6127623A true JPS6127623A (ja) | 1986-02-07 |
Family
ID=15446292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14814684A Pending JPS6127623A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | 光化学反応誘起用光源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6127623A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008205427A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-09-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 気相反応成長装置および気相反応成長方法 |
| US7905167B2 (en) | 2005-01-20 | 2011-03-15 | Hitachi Koki Co., Ltd. | Miter saw |
| CN108213707A (zh) * | 2018-01-26 | 2018-06-29 | 吉林大学 | 基于超声导波的激光焊熔透状态实时监测装置及方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5767161A (en) * | 1980-10-08 | 1982-04-23 | Nec Corp | Forming device for thin film by laser |
-
1984
- 1984-07-17 JP JP14814684A patent/JPS6127623A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5767161A (en) * | 1980-10-08 | 1982-04-23 | Nec Corp | Forming device for thin film by laser |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7905167B2 (en) | 2005-01-20 | 2011-03-15 | Hitachi Koki Co., Ltd. | Miter saw |
| US8161859B2 (en) | 2005-01-20 | 2012-04-24 | Hitachi Koki Co., Ltd. | Miter saw |
| JP2008205427A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-09-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 気相反応成長装置および気相反応成長方法 |
| CN108213707A (zh) * | 2018-01-26 | 2018-06-29 | 吉林大学 | 基于超声导波的激光焊熔透状态实时监测装置及方法 |
| CN108213707B (zh) * | 2018-01-26 | 2019-07-30 | 吉林大学 | 基于超声导波的激光焊熔透状态实时监测装置及方法 |
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