JPS61276329A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS61276329A JPS61276329A JP11913385A JP11913385A JPS61276329A JP S61276329 A JPS61276329 A JP S61276329A JP 11913385 A JP11913385 A JP 11913385A JP 11913385 A JP11913385 A JP 11913385A JP S61276329 A JPS61276329 A JP S61276329A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tube
- reaction tube
- semiconductor manufacturing
- manufacturing equipment
- silicon substrate
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体基板、特にシリコン基板に導体、半
導体および絶縁体の膜を形成する半導体製造装置に関す
るものである。
導体および絶縁体の膜を形成する半導体製造装置に関す
るものである。
論２図は従来の半導体製造装置の一例を示す概豐図で、
１はシリコン基板、２は前記シリコン基板１をのせるポ
ート、３は反応管、４はガス４人口、５は排気口、６は
前記反応−Ｗ３の周囲に設けられた外部加熱ヒータであ
る。また第３図はシリコン基板１の大口径化に対応して
命考えられた縦型の反応管３を有する半導体製造１ｌＲ
ｔｉｌｌの′ＩＩｔ要図で、第２図と同一符号は同一部
分を示している。
１はシリコン基板、２は前記シリコン基板１をのせるポ
ート、３は反応管、４はガス４人口、５は排気口、６は
前記反応−Ｗ３の周囲に設けられた外部加熱ヒータであ
る。また第３図はシリコン基板１の大口径化に対応して
命考えられた縦型の反応管３を有する半導体製造１ｌＲ
ｔｉｌｌの′ＩＩｔ要図で、第２図と同一符号は同一部
分を示している。
次に動作について説明する。
反応管３の内部において、ボート２の上にのせられたシ
リコン基板１には、熱酸化の場合には酸素、水蒸気ある
いは水素と酸素が、また減圧下およびプラズマ状悪化で
の膜形成の場合にはシラン。
リコン基板１には、熱酸化の場合には酸素、水蒸気ある
いは水素と酸素が、また減圧下およびプラズマ状悪化で
の膜形成の場合にはシラン。
ジクロールシラン、７ンモニ７、−酸イビ炭木、ホスフ
ィン等のガスがガス導入口４から供給され、外部加熱ヒ
ータ６によって熱反応が生じられ、シリコン基板１上に
各種導体膜、半導体膜および絶縁膜が形成される。
ィン等のガスがガス導入口４から供給され、外部加熱ヒ
ータ６によって熱反応が生じられ、シリコン基板１上に
各種導体膜、半導体膜および絶縁膜が形成される。
上記のような従来の半導体製造装置は、シリコン基＆１
を反応管３内に挿入し、導入するガスの流量を制御して
均質な膜を形成することが必襞であった。またシリコン
基板１の口径が大きくなると反応管３の口径を大きくす
る必要があるが、高温の熱処理反応においては外部加熱
ヒータ６の自重による変形という問題があり、このため
第３図に示した縦形の反応管３を有する半導体製造装置
スの上昇によつ【、反応管３内の上部のシリコン基板１
は下部のシリコン基板１に比べて高温のガスにさらされ
るため、熱分布が不均一となるほか、反応管３内上部と
下部のガス密度が異なり、同時に多量のシリコン基板１
に膜形成を行う場合、反応管３内上部と下部で反応速度
の違いＫよる膜質の差異が生じるという問題点があった
。
を反応管３内に挿入し、導入するガスの流量を制御して
均質な膜を形成することが必襞であった。またシリコン
基板１の口径が大きくなると反応管３の口径を大きくす
る必要があるが、高温の熱処理反応においては外部加熱
ヒータ６の自重による変形という問題があり、このため
第３図に示した縦形の反応管３を有する半導体製造装置
スの上昇によつ【、反応管３内の上部のシリコン基板１
は下部のシリコン基板１に比べて高温のガスにさらされ
るため、熱分布が不均一となるほか、反応管３内上部と
下部のガス密度が異なり、同時に多量のシリコン基板１
に膜形成を行う場合、反応管３内上部と下部で反応速度
の違いＫよる膜質の差異が生じるという問題点があった
。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、同時に多量の大口径シリコン基板上に均一な膜を
形成することができる半導体製造装置を得ることを目的
とする。
ので、同時に多量の大口径シリコン基板上に均一な膜を
形成することができる半導体製造装置を得ることを目的
とする。
〔問題点を解決すうための手段〕
この発明に係る半導体製造装置は、内部で導体。
半導体および絶縁体の膜形成を行う縦形の反応管の上部
の口径を下部に対して次第に広くし、この次第に広くな
る反応管の周囲に沿って外部加熱ヒータを設けたもので
ある。
の口径を下部に対して次第に広くし、この次第に広くな
る反応管の周囲に沿って外部加熱ヒータを設けたもので
ある。
この発明においては、反応管の上部の口径が下部に対し
て次第に広くなっているので、この反応管内上部と下部
のガス密度の相異がなくなるほかこの反応管上部では外
部加熱ヒータとシリコン基板との距離が開き、高温のガ
スの上昇に伴う局部的な温度上昇が緩和される。
て次第に広くなっているので、この反応管内上部と下部
のガス密度の相異がなくなるほかこの反応管上部では外
部加熱ヒータとシリコン基板との距離が開き、高温のガ
スの上昇に伴う局部的な温度上昇が緩和される。
第１図はこの発明の半導体製造装置の一実施例を示す概
景図で、第２図と同一符号は同一部分を示し、３０は上
部の口径が下部に対して次第に広がった形状の反応管、
６０は前記反応管３０の周囲に設けた外部加熱ヒータで
ある。
景図で、第２図と同一符号は同一部分を示し、３０は上
部の口径が下部に対して次第に広がった形状の反応管、
６０は前記反応管３０の周囲に設けた外部加熱ヒータで
ある。
次に、この発明の半導体製造装置の動作について説明す
る。
る。
まず、ガス導入口４からガスが導入され、外部加熱ヒー
タ６０によって反応管３０内が加熱されるが、この反応
管３０は上部に行くにしたがって口径が次第に広がって
いるため、外部加熱ヒータ６０とシリコン基板１との距
離も上部に行＜Ｋしたがって開き、加熱時、の熱的傾斜
を解消することができるほか、さらに、気体の対ｆｉｇ
よる反応管３０内の上部と下部でのガス密度の差異をも
なくすことができる。
タ６０によって反応管３０内が加熱されるが、この反応
管３０は上部に行くにしたがって口径が次第に広がって
いるため、外部加熱ヒータ６０とシリコン基板１との距
離も上部に行＜Ｋしたがって開き、加熱時、の熱的傾斜
を解消することができるほか、さらに、気体の対ｆｉｇ
よる反応管３０内の上部と下部でのガス密度の差異をも
なくすことができる。
従来、温度の不均一に対しては、外部加熱ヒータ６０を
分割し制御系を分けてコントロールするという方法もあ
ったが十分な効果が得られなかった。しかし、この発明
によれば均一な温度分布が容易に得られる。
分割し制御系を分けてコントロールするという方法もあ
ったが十分な効果が得られなかった。しかし、この発明
によれば均一な温度分布が容易に得られる。
なお、上記実施例では、この発明の半導体製造装置によ
って通常の酸化、拡散等により膜形成を行う場合につい
て述べたが、減圧ＣＶＤ法およびプラズマＣＶＤ法を行
うことができることは云うまでもない。
って通常の酸化、拡散等により膜形成を行う場合につい
て述べたが、減圧ＣＶＤ法およびプラズマＣＶＤ法を行
うことができることは云うまでもない。
この発明は以上説明したとおり、縦形の反応管の上部の
口径を下部に対して次第忙広くし、この次第に広くなる
反応管の周囲に沿って外部加熱ヒータを設けたので、反
応管内のシリコン基板の温度分布が均一になるうえ、ガ
ス密度も均一となり、したがって同時に多量の大口径シ
リコン基板上に均一な膜が得られるという効果がある。
口径を下部に対して次第忙広くし、この次第に広くなる
反応管の周囲に沿って外部加熱ヒータを設けたので、反
応管内のシリコン基板の温度分布が均一になるうえ、ガ
ス密度も均一となり、したがって同時に多量の大口径シ
リコン基板上に均一な膜が得られるという効果がある。
第１図はこの発明の半導体製造装置の一実施例を示す概
要図、第２図は従来の半導体製造装置の一例を示す概要
図、第３図は縦形の反応管を有する従来の半導体製造装
置を示す概要図である。 図において、３０は反応管、６０は外部加熱ヒータであ
る。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 （外２名） 第１図 第２図 ら
要図、第２図は従来の半導体製造装置の一例を示す概要
図、第３図は縦形の反応管を有する従来の半導体製造装
置を示す概要図である。 図において、３０は反応管、６０は外部加熱ヒータであ
る。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 （外２名） 第１図 第２図 ら
Claims (1)
- 内部で導体、半導体および絶縁体の膜形成を行う縦形の
反応管と、この反応管の周囲に設けた外部加熱ヒータと
を有する半導体製造装置において、前記反応管の上部の
口径を下部に対して次第に広くし、この次第に広くなる
反応管の周囲に沿つて外部加熱ヒータを設けたことを特
徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11913385A JPS61276329A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11913385A JPS61276329A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61276329A true JPS61276329A (ja) | 1986-12-06 |
Family
ID=14753752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11913385A Pending JPS61276329A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61276329A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0471227A (ja) * | 1990-07-11 | 1992-03-05 | Nec Kyushu Ltd | 減圧式気相成長装置 |
| JPH05121415A (ja) * | 1991-10-29 | 1993-05-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体基板の製造方法 |
| JP2006203243A (ja) * | 2006-03-24 | 2006-08-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50349A (ja) * | 1973-04-04 | 1975-01-06 |
-
1985
- 1985-05-31 JP JP11913385A patent/JPS61276329A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50349A (ja) * | 1973-04-04 | 1975-01-06 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0471227A (ja) * | 1990-07-11 | 1992-03-05 | Nec Kyushu Ltd | 減圧式気相成長装置 |
| JPH05121415A (ja) * | 1991-10-29 | 1993-05-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体基板の製造方法 |
| JP2006203243A (ja) * | 2006-03-24 | 2006-08-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
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