JPS6127637A - 半導体ウエハ乾燥装置 - Google Patents
半導体ウエハ乾燥装置Info
- Publication number
- JPS6127637A JPS6127637A JP14810984A JP14810984A JPS6127637A JP S6127637 A JPS6127637 A JP S6127637A JP 14810984 A JP14810984 A JP 14810984A JP 14810984 A JP14810984 A JP 14810984A JP S6127637 A JPS6127637 A JP S6127637A
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- JP
- Japan
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- wafer
- carbon dioxide
- semiconductor wafer
- heated
- drying
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F26—DRYING
- F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
- F26B21/00—Arrangements for supplying or controlling air or other gases for drying solid materials or objects
- F26B21/40—Arrangements for supplying or controlling air or other gases for drying solid materials or objects using gases other than air
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は半導体ウェハを熱風を用いて乾燥させる半導体
ウェハ乾燥装置に関するものである。
ウェハ乾燥装置に関するものである。
（従来技術）
従来、洗浄後のぬれた半導体ウェハを熱風を用いて乾燥
させる装置は、空気を加熱しこの加熱された空気を半導
体ウェハ表面に平行な層流状態にせしめて半導体ウェハ
と接触させるととＫよシ行なわれていた。このことを電
子材料雑誌（Ｊｏｕｒ−ｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａ１ｇ第８巻、屑６（１９７９）
Ｐ、８５５−８６４）を例にとって説明する。
させる装置は、空気を加熱しこの加熱された空気を半導
体ウェハ表面に平行な層流状態にせしめて半導体ウェハ
と接触させるととＫよシ行なわれていた。このことを電
子材料雑誌（Ｊｏｕｒ−ｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａ１ｇ第８巻、屑６（１９７９）
Ｐ、８５５−８６４）を例にとって説明する。
第１図を参照しながら説明する。ウェハ支持台６を乾燥
室（図示せず）に挿入し、２．．５ｍ／秒の冷風を当て
て、始めの１分間で半導体ウェハ５の表面に付着してい
る水のうち大部分のものを取シ除く。空気はＲＩＯｏ
ｔ ｓ型の送風機１で供給し、３個Ｘ３個直列・並列配
列のカートリッジ・フィルター２で濾過する。これで０
２μｍより大きな粒子はｔｏｏｌｐ別される。１分間の
送風後、カートリッジ・ヒーター３で空気１４を約１０
０℃に加熱する。乾燥は２〜３分間で完了する。ウェハ
支持台６を乾燥室から取出す。以上の手順で乾燥を行ガ
う。
室（図示せず）に挿入し、２．．５ｍ／秒の冷風を当て
て、始めの１分間で半導体ウェハ５の表面に付着してい
る水のうち大部分のものを取シ除く。空気はＲＩＯｏ
ｔ ｓ型の送風機１で供給し、３個Ｘ３個直列・並列配
列のカートリッジ・フィルター２で濾過する。これで０
２μｍより大きな粒子はｔｏｏｌｐ別される。１分間の
送風後、カートリッジ・ヒーター３で空気１４を約１０
０℃に加熱する。乾燥は２〜３分間で完了する。ウェハ
支持台６を乾燥室から取出す。以上の手順で乾燥を行ガ
う。
ところで半導体製造技術の動向として、現在新しい製造
ラインでは５吋ウェハが主体であシ、生産効率の一層の
向上を図る上から６吋つエノ・へ移行しようとしている
。６吋位の大口径になると一枚のウェハの重量が大きく
なシ、従ってその熱容量も大きくなる。ウェノ・の熱容
量が大きくなると従来技術の熱風を用いた乾燥方法では
、ｉｏｏ℃に加熱した熱風を当てても半導体ウエノ・に
接触すると熱風の温度が小口径半導体ウエノ・の場合よ
りもよけいに下がるので水分の蒸発に時間がかがシ乾燥
が遅れてしみになシやずいという問題点がある。
ラインでは５吋ウェハが主体であシ、生産効率の一層の
向上を図る上から６吋つエノ・へ移行しようとしている
。６吋位の大口径になると一枚のウェハの重量が大きく
なシ、従ってその熱容量も大きくなる。ウェノ・の熱容
量が大きくなると従来技術の熱風を用いた乾燥方法では
、ｉｏｏ℃に加熱した熱風を当てても半導体ウエノ・に
接触すると熱風の温度が小口径半導体ウエノ・の場合よ
りもよけいに下がるので水分の蒸発に時間がかがシ乾燥
が遅れてしみになシやずいという問題点がある。
また近年、集積回路が高密度化、高速化するに伴なって
従来とは異なった半導体ウニノーの加工方法が要求され
ている。即ち半導体ウエノ・表面にはは垂直に微細な深
い溝を反応性スパッタエツチングを利用して加工形成し
、この微細な深い溝を絶縁物で埋めることによシ素子分
離を行なうことや、前記の微細な深い溝の内壁に絶縁膜
を形成することにより実効的に面積を増大させることに
よって容量の大容量化をはかることが行なわれている。
従来とは異なった半導体ウニノーの加工方法が要求され
ている。即ち半導体ウエノ・表面にはは垂直に微細な深
い溝を反応性スパッタエツチングを利用して加工形成し
、この微細な深い溝を絶縁物で埋めることによシ素子分
離を行なうことや、前記の微細な深い溝の内壁に絶縁膜
を形成することにより実効的に面積を増大させることに
よって容量の大容量化をはかることが行なわれている。
これらの半導体ウェ／’１表面にほぼ垂直に加工形成さ
れた微細な深い溝の内壁を、従来の熱風による乾燥方法
で乾燥すると微細な深い溝の内部に付着している水分の
蒸発速度が十分に速くないので乾燥が不十分になシしみ
になシやずいという問題点があった。
れた微細な深い溝の内壁を、従来の熱風による乾燥方法
で乾燥すると微細な深い溝の内部に付着している水分の
蒸発速度が十分に速くないので乾燥が不十分になシしみ
になシやずいという問題点があった。
（発明の目的）
本発明の目的は従来の熱風を用いた乾燥技術では乾燥が
不十分な大口径半導体ウエノ・及び半導体ウェハ表面に
ほぼ垂直に加工形成された倣細な深い溝を有する半導体
ウエノ・の乾燥に効果的な熱風を用いた乾燥装置を提供
することである。
不十分な大口径半導体ウエノ・及び半導体ウェハ表面に
ほぼ垂直に加工形成された倣細な深い溝を有する半導体
ウエノ・の乾燥に効果的な熱風を用いた乾燥装置を提供
することである。
（発明の構成）
本発明の半導体ウエノ１を熱風を用いて乾燥させる半導
体ウェハ乾燥装置は、空気よりも定圧モル熱容量の大き
い気体を加熱し、該加熱した気体を半導体ウェハ表面に
平行な層流状態にして前記半導体ウェノ・と接触せしめ
て、該半導体ウエノ・の乾燥を行なうことを特徴とする
半導体ウエノ・乾燥装置である。
体ウェハ乾燥装置は、空気よりも定圧モル熱容量の大き
い気体を加熱し、該加熱した気体を半導体ウェハ表面に
平行な層流状態にして前記半導体ウェノ・と接触せしめ
て、該半導体ウエノ・の乾燥を行なうことを特徴とする
半導体ウエノ・乾燥装置である。
（作用）
本発明によれば、空気よりも定圧モル熱容量の大きい気
体を加熱して用いるので、水のように蒸発潜熱の大きい
物質に対しても短時間で蒸発させることが出来る。
体を加熱して用いるので、水のように蒸発潜熱の大きい
物質に対しても短時間で蒸発させることが出来る。
（発明の効果）
本発明は、空気よりも定圧モル熱容量の大きい気体を加
熱して用いることによって、空気を用いる従来技術では
付着した水分の乾燥が不十分な熱容量の大きい大口径半
導体ウェノ・及び半導体ウェハ表面にほぼ垂直に加工形
成された微細な深い溝を有する付着水分の多い半導体ウ
エノ・の熱風乾燥を短時間で行なうことが出来る効果が
ある。
熱して用いることによって、空気を用いる従来技術では
付着した水分の乾燥が不十分な熱容量の大きい大口径半
導体ウェノ・及び半導体ウェハ表面にほぼ垂直に加工形
成された微細な深い溝を有する付着水分の多い半導体ウ
エノ・の熱風乾燥を短時間で行なうことが出来る効果が
ある。
（実施例）
第２図を診照しながら説明する。ウエノ・支持台６を乾
燥室（図示せず）に挿入し、２．５ｍ１秒の２酸化炭素
１５の温風を当てて、始めの１分間で半導体ウェハに付
着している大部分の水を除く。
燥室（図示せず）に挿入し、２．５ｍ１秒の２酸化炭素
１５の温風を当てて、始めの１分間で半導体ウェハに付
着している大部分の水を除く。
２酸化炭素１５は肋ｏｔｓ型の送風機１で供給し、３個
×３個直列・並列配列のカートリッジΦフィルター２で
濾過する。これで０．２μｍより大きな粒子は１００％
戸別される。１分間の送風後、カートリッジ・ヒーター
３で２酸化炭素１５を約ｌＯＯ℃に加熱する。乾燥は２
〜３分間で妻子する。ウェハ支持台を乾燥室から引出し
乾燥が完了する。
×３個直列・並列配列のカートリッジΦフィルター２で
濾過する。これで０．２μｍより大きな粒子は１００％
戸別される。１分間の送風後、カートリッジ・ヒーター
３で２酸化炭素１５を約ｌＯＯ℃に加熱する。乾燥は２
〜３分間で妻子する。ウェハ支持台を乾燥室から引出し
乾燥が完了する。
上記の乾燥方法を用いて半導体ウェハの表面にほぼ垂直
な微細な深い溝の部分にＭＯＳダイオードを形成し少数
キャリア発生ライフタイムを測定したところ従来法に比
較して発生ライフタイムが約２倍長く良好な結果が得ら
れた。
な微細な深い溝の部分にＭＯＳダイオードを形成し少数
キャリア発生ライフタイムを測定したところ従来法に比
較して発生ライフタイムが約２倍長く良好な結果が得ら
れた。
尚本実施例では２酸化炭素１５は外部に排出せずに循還
させて使用した。ウェハ支持台を乾燥室に挿入時と引出
時に若干の２酸化炭素が失なわれるので２酸化炭素供給
部１３がもうけられている。
させて使用した。ウェハ支持台を乾燥室に挿入時と引出
時に若干の２酸化炭素が失なわれるので２酸化炭素供給
部１３がもうけられている。
２酸化炭素の冷却部は特にもうけてないが２酸化炭素中
に含まれる水分除去の効率を上げる必要のある時は設置
することが出来る。また乾燥室に挿入する半導体ウェハ
は１枚づつ処理しても良いし多数枚バッチ処理すること
も出来る。
に含まれる水分除去の効率を上げる必要のある時は設置
することが出来る。また乾燥室に挿入する半導体ウェハ
は１枚づつ処理しても良いし多数枚バッチ処理すること
も出来る。
（発明のまとめ）
本発明は半導体ウェハを熱風を用いて乾燥させる半導体
ウェハ乾燥装置であって、空気よりも定圧モル熱容量の
大きい気体を加熱して用いることによって、水のように
蒸発潜熱の大きい物質が付着した熱容量の大きい大口径
半導体ウェノ・及び表面にほぼ垂直に加工形成された微
細な深い溝を有する付着水分の多い半導体ウェハの熱風
乾燥をじみをつくらずに短時間で行うことが出来る。
ウェハ乾燥装置であって、空気よりも定圧モル熱容量の
大きい気体を加熱して用いることによって、水のように
蒸発潜熱の大きい物質が付着した熱容量の大きい大口径
半導体ウェノ・及び表面にほぼ垂直に加工形成された微
細な深い溝を有する付着水分の多い半導体ウェハの熱風
乾燥をじみをつくらずに短時間で行うことが出来る。
第１図は従来の半導体ウェハの熱風乾燥装置の模式図、
第２図は本発明の実施例である半導体ウェハの熱風乾燥
装置の模式図である。 ｌ・・・・・・Ｒｏｏｔｓ型送風機、２・・・・・・カ
ートリッジ・フィルター、３・・・・・・カートリッジ
・ヒーター、５・・・・・・ウェハ、６・・・・・・ウ
ェノ・支持台、７・−・・・・熱電対。 １３・・・・・・２酸化炭素供給部、１４・・・・・・
空気、１５・・・・−・２酸化炭素。 ＊ １ ■ り
第２図は本発明の実施例である半導体ウェハの熱風乾燥
装置の模式図である。 ｌ・・・・・・Ｒｏｏｔｓ型送風機、２・・・・・・カ
ートリッジ・フィルター、３・・・・・・カートリッジ
・ヒーター、５・・・・・・ウェハ、６・・・・・・ウ
ェノ・支持台、７・−・・・・熱電対。 １３・・・・・・２酸化炭素供給部、１４・・・・・・
空気、１５・・・・−・２酸化炭素。 ＊ １ ■ り
Claims (1)
- 半導体ウェハを熱風を用いて乾燥させる半導体ウェハ
乾燥装置に於いて、空気よりも定圧モル熱容量の大きい
気体を加熱し、該加熱した気体を半導体ウェハ表面に平
行な層流状態にして前記半導体ウェハと接触せしめて、
該半導体ウェハの乾燥を行なうことを特徴とする半導体
ウェハ乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14810984A JPS6127637A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | 半導体ウエハ乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14810984A JPS6127637A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | 半導体ウエハ乾燥装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6127637A true JPS6127637A (ja) | 1986-02-07 |
Family
ID=15445446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14810984A Pending JPS6127637A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | 半導体ウエハ乾燥装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6127637A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6369235A (ja) * | 1986-09-10 | 1988-03-29 | Tokuda Seisakusho Ltd | 熱風発生装置 |
| JPH0186234U (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-07 | ||
| CN113990779A (zh) * | 2021-10-27 | 2022-01-28 | 宁晋松宫电子材料有限公司 | 一种插片机气帘 |
-
1984
- 1984-07-17 JP JP14810984A patent/JPS6127637A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6369235A (ja) * | 1986-09-10 | 1988-03-29 | Tokuda Seisakusho Ltd | 熱風発生装置 |
| JPH0186234U (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-07 | ||
| CN113990779A (zh) * | 2021-10-27 | 2022-01-28 | 宁晋松宫电子材料有限公司 | 一种插片机气帘 |
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