JPS61277208A - 誘電体基板およびその製造法 - Google Patents
誘電体基板およびその製造法Info
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- JPS61277208A JPS61277208A JP60119253A JP11925385A JPS61277208A JP S61277208 A JPS61277208 A JP S61277208A JP 60119253 A JP60119253 A JP 60119253A JP 11925385 A JP11925385 A JP 11925385A JP S61277208 A JPS61277208 A JP S61277208A
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- H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/022—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はマイクロ波受信平面アンテナの作製に好適な誘
電体基板およびその製造法に関する。
電体基板およびその製造法に関する。
（従来の技術）
マイクロ波受信平面アンテナとしてはシート状誘電体基
材の片面に電解銅箔から成るパターン状のストリップ導
体が、他面に電解銅箔から成る地導体が各々積層され、
更に所望によシ地導体上に繊維強化プラスチック板或い
はアルミニウム板等から成る補強体を設けた構造を有す
るものが知られている。而して、この平面アンテナにお
いては、電解銅箔における鏡面とは反対の面が誘電体基
材側になるように積層されている。
材の片面に電解銅箔から成るパターン状のストリップ導
体が、他面に電解銅箔から成る地導体が各々積層され、
更に所望によシ地導体上に繊維強化プラスチック板或い
はアルミニウム板等から成る補強体を設けた構造を有す
るものが知られている。而して、この平面アンテナにお
いては、電解銅箔における鏡面とは反対の面が誘電体基
材側になるように積層されている。
（発明が解決しようとする問題点）
マイクロ波受信平面アンテナに要求される重要な特性と
して誘電率、誘電正接が小さなことが挙げられる。
して誘電率、誘電正接が小さなことが挙げられる。
そして、との７シテナにおける誘電率、誘電正接はアン
テナを構成する誘電体基材に左右されることが知られて
いる。
テナを構成する誘電体基材に左右されることが知られて
いる。
また、このアンテナにおいては誘電体基材と、ストリッ
プ導体および地導体を形成する銅箔との接着強度につい
ても配慮が必要である。
プ導体および地導体を形成する銅箔との接着強度につい
ても配慮が必要である。
ところで、従来、このアンテナの作製に用いられる誘電
体基板における基材としてはプラスチック！−内にガラ
スクロスを埋設せしめたものが有シ、これらは（ａ）ガ
ラスクロスにエポキシ樹脂粉末を散布塗工し、次いでこ
の散布塗工を施したガラスクロス同志を積層する方法、
或いは（ｂ）ガラスクロスにフッ素樹脂ディスバージ冒
ンを浸漬塗工して乾燥し、次いでこの浸漬塗工を施した
ガラスクロス同志を積層する方法により得られている。
体基板における基材としてはプラスチック！−内にガラ
スクロスを埋設せしめたものが有シ、これらは（ａ）ガ
ラスクロスにエポキシ樹脂粉末を散布塗工し、次いでこ
の散布塗工を施したガラスクロス同志を積層する方法、
或いは（ｂ）ガラスクロスにフッ素樹脂ディスバージ冒
ンを浸漬塗工して乾燥し、次いでこの浸漬塗工を施した
ガラスクロス同志を積層する方法により得られている。
しかしながら、ＪＩＳ Ｃ６４８１に基づく試験試料
を作製し、これらの誘電率および誘電正接をｌ ＭＨｚ
で測定してみると、前記（ａ）法によって得られる誘電
体基材は比誘電率が約４〜５、誘電正接が約０．０１〜
０．０３であＬ（ｂ）法によって得られる誘電体基材板
は比誘電率が約２．２〜２．８、誘電正接が約０．００
１〜０．００３でめシ、これら両特性には未だ改善すべ
き余地がある。
を作製し、これらの誘電率および誘電正接をｌ ＭＨｚ
で測定してみると、前記（ａ）法によって得られる誘電
体基材は比誘電率が約４〜５、誘電正接が約０．０１〜
０．０３であＬ（ｂ）法によって得られる誘電体基材板
は比誘電率が約２．２〜２．８、誘電正接が約０．００
１〜０．００３でめシ、これら両特性には未だ改善すべ
き余地がある。
上記（ａ）法における誘電体基°材では、プラスチック
成分として誘電率、誘電正接の大きなエポキシ樹脂を用
いている為、これら両特性が小さくならない。その反面
、（ｂ）法による誘電体基材ではプラスチック成分とし
ては誘電率、誘電圧接ともに非常に小さなフッ素樹脂を
用いているものの、価格的には高価でアシ、その上、ガ
ラスクロスへのディスページコン浸漬塗工後の乾燥、焼
成温度が３５０〜４００℃と非常に高く、同様に、誘電
体基材のプレス成形にも高温度が必要であシ、設備的に
も非常に高価となるため、使用用途も限られたものとな
っている。
成分として誘電率、誘電正接の大きなエポキシ樹脂を用
いている為、これら両特性が小さくならない。その反面
、（ｂ）法による誘電体基材ではプラスチック成分とし
ては誘電率、誘電圧接ともに非常に小さなフッ素樹脂を
用いているものの、価格的には高価でアシ、その上、ガ
ラスクロスへのディスページコン浸漬塗工後の乾燥、焼
成温度が３５０〜４００℃と非常に高く、同様に、誘電
体基材のプレス成形にも高温度が必要であシ、設備的に
も非常に高価となるため、使用用途も限られたものとな
っている。
これら従来法によって得られる誘電体基材の誘電率、誘
電正接が充分でない他の理由としては、誘電体基材にお
いてガラスクロスを構成する繊維束内部への樹脂の浸透
が不充分であり、樹脂の浸透していない部分が不均一に
点在することに帰因していることも考えられる。
電正接が充分でない他の理由としては、誘電体基材にお
いてガラスクロスを構成する繊維束内部への樹脂の浸透
が不充分であり、樹脂の浸透していない部分が不均一に
点在することに帰因していることも考えられる。
従って、本発明の目的は、誘電率および誘電圧接の小さ
な誘電体基板を提供することにある。
な誘電体基板を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明者達は、先ず、誘電体基材の誘電率および誘電圧
接を改良すべく、種々検討の結果、ガラスクロスの内部
にポリエチレン（以下、ＰＥと称す）を含浸せしめると
共にＰＥによシ該クロス表面を覆わしめ、更にこのＰＥ
を架橋せしめることによシ、その目的が達せられること
を見出した。
接を改良すべく、種々検討の結果、ガラスクロスの内部
にポリエチレン（以下、ＰＥと称す）を含浸せしめると
共にＰＥによシ該クロス表面を覆わしめ、更にこのＰＥ
を架橋せしめることによシ、その目的が達せられること
を見出した。
ところで、誘電体基板は誘電体基材の両面に銅箔を接合
せしめた構造を有するものであるが、ガラスクロスの内
部にＰＫを含浸せしめると共にＰＥによシ該クロス表面
を覆わしめ、更にこのＰＫを架橋せしめた上記誘電体基
材は、電解銅箔における鏡面の反対面との接着強度が小
さいという新たな問題が生じた。
せしめた構造を有するものであるが、ガラスクロスの内
部にＰＫを含浸せしめると共にＰＥによシ該クロス表面
を覆わしめ、更にこのＰＫを架橋せしめた上記誘電体基
材は、電解銅箔における鏡面の反対面との接着強度が小
さいという新たな問題が生じた。
本発明者達はこの問題についても更に検討を重ね、架橋
せしめた超高分子量ポリエチレン（以下、ＵＨＰＥと称
す）を介して誘電体基材と電解銅箔を接合せしめること
によシ、充分な接着強度が得られることをも見出した。
せしめた超高分子量ポリエチレン（以下、ＵＨＰＥと称
す）を介して誘電体基材と電解銅箔を接合せしめること
によシ、充分な接着強度が得られることをも見出した。
本発明はこれら知見に基づいて完成されたもので、新規
な構造を有する誘電体基板を提供する。
な構造を有する誘電体基板を提供する。
即ち、本発明は、ガラスクロスと、このガラスクロスに
含浸され且つ表面を覆う架橋ＰＥ層とから成る誘電体基
材の両面に、架橋されたＵＨＰＥ層を介して電解銅箔が
接合されておシ、該銅箔はその鏡面の反対面が架橋ＵＨ
ＰＥＨＪと接していることを特徴とする誘電体基板であ
る。
含浸され且つ表面を覆う架橋ＰＥ層とから成る誘電体基
材の両面に、架橋されたＵＨＰＥ層を介して電解銅箔が
接合されておシ、該銅箔はその鏡面の反対面が架橋ＵＨ
ＰＥＨＪと接していることを特徴とする誘電体基板であ
る。
本発明において用いられる誘電体基材は、ガラスフロス
の内部にＰＥが含浸されると共に、このクロス表面には
ＰＫ薄層が形成され、しかもクロスの内部および表面上
に存在するＰＥが架橋さ−れているものである。
の内部にＰＥが含浸されると共に、このクロス表面には
ＰＫ薄層が形成され、しかもクロスの内部および表面上
に存在するＰＥが架橋さ−れているものである。
とのＰＥの架橋度は、ＰＥとガラスクロスとの密着力向
上効果、基材と電解銅箔との間に介在せしめられるＵＨ
ＰＥ層との接着力、或いは基材を２枚以上重ね合わせ、
これらを接合せしめる場合における基材同志の接着力等
を考慮し、ゲル分率（測定法は後述）を１０％以上好ま
しくは２０〜９０％とする。
上効果、基材と電解銅箔との間に介在せしめられるＵＨ
ＰＥ層との接着力、或いは基材を２枚以上重ね合わせ、
これらを接合せしめる場合における基材同志の接着力等
を考慮し、ゲル分率（測定法は後述）を１０％以上好ま
しくは２０〜９０％とする。
誘電体基材の構成材料としてのＰＩは、低密度、中密度
或いは高密度ＰＥのいずれも使用できる。
或いは高密度ＰＥのいずれも使用できる。
この誘電体基材はその一枚を用い、その両面に架橋ＵＨ
ＰＥ層を介して電解銅箔を接合してもよく、或いは該基
材の２枚以上を重ね合わせ、この重ね合わされた基材の
両面に架橋ＵＨＰＥ層を介して銅箔を接合してもよい。
ＰＥ層を介して電解銅箔を接合してもよく、或いは該基
材の２枚以上を重ね合わせ、この重ね合わされた基材の
両面に架橋ＵＨＰＥ層を介して銅箔を接合してもよい。
誘電体基材と電解銅箔を接合させるための架橋ＵＨＰＥ
層は、ハイゼツクスミリオン（三井石油化学社製）、ホ
スタレンＧＵＲ（ヘキスト社製）等の商品名で市販され
ているＵＨＰＥによル形成できる。
層は、ハイゼツクスミリオン（三井石油化学社製）、ホ
スタレンＧＵＲ（ヘキスト社製）等の商品名で市販され
ているＵＨＰＥによル形成できる。
ＵＨＰＢＨの架橋度は、誘電体基材および電解銅箔との
接着力を大きなものとするため、そのデル分率を３０〜
１００％とするのが好適である。
接着力を大きなものとするため、そのデル分率を３０〜
１００％とするのが好適である。
ＵＨＰＥはその分子量が約５０万以上（粘度法による測
定値）であシ、一般のポリエチレンのそれが約１０万以
下であるのに比べ大きな値を示すものである。
定値）であシ、一般のポリエチレンのそれが約１０万以
下であるのに比べ大きな値を示すものである。
一方、架橋ＵＨＰＥ層を介して誘電体基材と接合せしめ
られる銅箔としては電解銅箔が特に限定されることなく
用いられる。
られる銅箔としては電解銅箔が特に限定されることなく
用いられる。
電解電箔はその製造時にド°ラム（ロール）Ｋ接する面
（鏡面）は光沢を有し且つ表面の凹凸度合が小さく、該
鏡面の反対面（以下、粗面と称す）は光沢を有せず且つ
表面の凹凸度が鏡面に比べ大きいものであシ、本発明に
おりては電解銅箔の粗面が架橋ＵＨＰＥ層側になるよう
にして接合する。
（鏡面）は光沢を有し且つ表面の凹凸度合が小さく、該
鏡面の反対面（以下、粗面と称す）は光沢を有せず且つ
表面の凹凸度が鏡面に比べ大きいものであシ、本発明に
おりては電解銅箔の粗面が架橋ＵＨＰＥ層側になるよう
にして接合する。
本発明者達は誘電体基材の両面に銅箔を接合せしめた構
造の誘電体基板から得られるマイクロ波受信平面アンテ
ナの動作利得向上についても探究の結果、誘電体基材に
向き合う銅箔表面の粗さを小さくすることにより、その
目的が達成せられることを見出したばかりでなく、これ
を理論的にも解明したので、以下に説明する。
造の誘電体基板から得られるマイクロ波受信平面アンテ
ナの動作利得向上についても探究の結果、誘電体基材に
向き合う銅箔表面の粗さを小さくすることにより、その
目的が達成せられることを見出したばかりでなく、これ
を理論的にも解明したので、以下に説明する。
銅箔表面粗さを考慮した場合の鋼損失α′Ｃは下記（１
）式によって表わされる。
）式によって表わされる。
α’ｃ ＝ ａａ （１＋” ｔａｎ−’ （１，４（
−ｅ−）２Ｊ ） −−−−＝−（１）π ところで、銅箔表面の凹凸を模式的に示すと第２図のと
ｐりである。第２図に示す銅箔Ｋにおいては、誘電体層
に対応する表面に微小な凹凸が連続状に存在している。
−ｅ−）２Ｊ ） −−−−＝−（１）π ところで、銅箔表面の凹凸を模式的に示すと第２図のと
ｐりである。第２図に示す銅箔Ｋにおいては、誘電体層
に対応する表面に微小な凹凸が連続状に存在している。
図中ｑは銅箔表面における微細な凹凸の山と谷の垂直距
離の平均値を示し、ｐは同様に隣接する山と山または谷
と谷の水平距離の平均値を示している。
離の平均値を示し、ｐは同様に隣接する山と山または谷
と谷の水平距離の平均値を示している。
ここで、σは導電率、Ｒｓは表面抵抗であｌ）、Ｒｓは
下記（４）式で示される。
下記（４）式で示される。
上記（４）式中のμ０は透磁率、ｆは周波数である。
次に、（４）式を（３）式に代入し、（５）式を得る。
（５）式に銅の物性値σ＝５．８１Ｘ１０”（Ω−１・
１−１）を代入し、μを真空透磁率ｐｏ ＝ ４ ｗ
Ｘ １０−’（Ｈｅｎｒｙ／（Ｘ）とみなし、更Ｋｆに
は放送衛星に使用される代表値として１１．９５ＧＨｚ
を用いると、３ ＝ ｏ、６ｏ５（μｍ）となる。
１−１）を代入し、μを真空透磁率ｐｏ ＝ ４ ｗ
Ｘ １０−’（Ｈｅｎｒｙ／（Ｘ）とみなし、更Ｋｆに
は放送衛星に使用される代表値として１１．９５ＧＨｚ
を用いると、３ ＝ ｏ、６ｏ５（μｍ）となる。
ところで、電解銅箔における粗面のｐ、ｑの値は、表面
粗さ計、電顕等の測定結果からは、ｑは１〜ｌＯμ−ｐ
は１０〜３０μ惰程度である。
粗さ計、電顕等の測定結果からは、ｑは１〜ｌＯμ−ｐ
は１０〜３０μ惰程度である。
そこで、電解銅箔における一例として、ｑ＝ｓμ偽を用
いると、△＝１．４４３μ惰、従やて、α６＝１．９２
αｃ、同様に、（１”３μｆｉ、ｌ、５μｍおよび０．
７μ愕を用いると、α′Ｃは各々１．７８αｃ、１．４
０αＣおよび１．１０αＣとなる。これら結果よシ、明
らかに銅箔表面の凹凸が小さい程、銅損失は小さい事が
理論的にも実証される訳である。
いると、△＝１．４４３μ惰、従やて、α６＝１．９２
αｃ、同様に、（１”３μｆｉ、ｌ、５μｍおよび０．
７μ愕を用いると、α′Ｃは各々１．７８αｃ、１．４
０αＣおよび１．１０αＣとなる。これら結果よシ、明
らかに銅箔表面の凹凸が小さい程、銅損失は小さい事が
理論的にも実証される訳である。
上記の如く、銅箔の表面粗さを小さくすればアンテナの
動作利得が向上するが、表面粗さが小さくなると銅箔と
誘電体基材の接着強度が低下する。
動作利得が向上するが、表面粗さが小さくなると銅箔と
誘電体基材の接着強度が低下する。
本発明者達はこの点についても検討を重ね、電解銅箔の
場合には、粗面の表面粗さを１〜４．５μ惟に設定する
と、誘電率および誘電正接が小さく、アンテナとした際
の動作利得がよく、しかも誘電体基材と銅箔の接着強度
の大きな一１１＠Ｉｊ−１１■■１ｍ５ｓ■１１■■−
−誘電体基板となシ、最も好結果が得られることを知っ
た。
場合には、粗面の表面粗さを１〜４．５μ惟に設定する
と、誘電率および誘電正接が小さく、アンテナとした際
の動作利得がよく、しかも誘電体基材と銅箔の接着強度
の大きな一１１＠Ｉｊ−１１■■１ｍ５ｓ■１１■■−
−誘電体基板となシ、最も好結果が得られることを知っ
た。
第１図は本発明に係る誘電体基板を示し、厚さ約３０〜
２００μ溝のガラスクロス１と、該クロス１の内部に含
浸され且つその表面を覆う架橋ポリエチレン層２から成
る誘電体基材が２枚重ね合わされておシ、この重ね合わ
された基板の両面には、厚さ約２０〜２００μ愼の架橋
ＵＨＰＥ ７１３が配置され、更に該ＵＨＰＥ層３上層
厚上約１０〜１００μｍの電解銅箔４がその粗面５が架
橋ＵＨＰＥ層３と向き合うよ）に配置され接合一体化さ
れている。６は基材間の接着をよシ強固にするため所望
によシ装置された架橋ポリエチレン層である。
２００μ溝のガラスクロス１と、該クロス１の内部に含
浸され且つその表面を覆う架橋ポリエチレン層２から成
る誘電体基材が２枚重ね合わされておシ、この重ね合わ
された基板の両面には、厚さ約２０〜２００μ愼の架橋
ＵＨＰＥ ７１３が配置され、更に該ＵＨＰＥ層３上層
厚上約１０〜１００μｍの電解銅箔４がその粗面５が架
橋ＵＨＰＥ層３と向き合うよ）に配置され接合一体化さ
れている。６は基材間の接着をよシ強固にするため所望
によシ装置された架橋ポリエチレン層である。
本発明はこのような誘電体基板の製造に際しては、ガラ
スクロスの両面にＰＥフィルムを配置して加熱加圧する
ととＫよシ、ＰＥをガラスクロスに含浸せしめると共に
ＰＥフィルムとガラスクロスを熱圧着せしめて誘電体基
材を得、次いで該基材におけるＰＥを架橋し、その後該
基材の両面に架橋せしめたＵＨＰＥフィルムおよび電解
銅箔を、該銅箔粗面が該ＵＨＰＥフィルムと接するよう
に順次重ね合わせ、次いで加熱加圧することにより、基
材と電解銅箔を接合せしめることを特徴とするものであ
る。
スクロスの両面にＰＥフィルムを配置して加熱加圧する
ととＫよシ、ＰＥをガラスクロスに含浸せしめると共に
ＰＥフィルムとガラスクロスを熱圧着せしめて誘電体基
材を得、次いで該基材におけるＰＥを架橋し、その後該
基材の両面に架橋せしめたＵＨＰＥフィルムおよび電解
銅箔を、該銅箔粗面が該ＵＨＰＥフィルムと接するよう
に順次重ね合わせ、次いで加熱加圧することにより、基
材と電解銅箔を接合せしめることを特徴とするものであ
る。
本発明の製造法においては、先ずガラスクロスの両面に
ＰＥフィルムが配置され、これらが加熱加圧される。こ
の加熱加圧はガラスクロスの両面にＰＥフィルムを重ね
合わせ、これらをラミネーションプレス機によシ加熱加
圧する方法或いはガラスクロスの両面にＰＥをフィルム
状に溶融押出しし、次いでこれを圧延ロール間に通して
加熱加圧する方法等によシ行なうことができる。
ＰＥフィルムが配置され、これらが加熱加圧される。こ
の加熱加圧はガラスクロスの両面にＰＥフィルムを重ね
合わせ、これらをラミネーションプレス機によシ加熱加
圧する方法或いはガラスクロスの両面にＰＥをフィルム
状に溶融押出しし、次いでこれを圧延ロール間に通して
加熱加圧する方法等によシ行なうことができる。
ここに用いられるＰＥフィルムは低密度、中密度或いは
高密度ＰＥから形成されるフィルムのいずれも使用でき
る。これらＰＥフィルムの厚さは約２０〜２５０μ鵠が
実用的である。
高密度ＰＥから形成されるフィルムのいずれも使用でき
る。これらＰＥフィルムの厚さは約２０〜２５０μ鵠が
実用的である。
ＰＥフィルムとガラスクロスを加熱加圧する際の作業条
件は、温度がＰＥの溶融温度以上であシ、圧力は約３〜
５０ ｋｇ／Ｊ程度、加熱加圧時間は約５〜６０分程度
に設定される。
件は、温度がＰＥの溶融温度以上であシ、圧力は約３〜
５０ ｋｇ／Ｊ程度、加熱加圧時間は約５〜６０分程度
に設定される。
このようにガラスクロスの両面にＰＥフィルムを配置し
て加熱加圧することにより、ＰＥはガラスクロスに含浸
せしめられると共にＰＥフィルムとガラスクロスが熱圧
着せしめられ誘電体基材が得られる。
て加熱加圧することにより、ＰＥはガラスクロスに含浸
せしめられると共にＰＥフィルムとガラスクロスが熱圧
着せしめられ誘電体基材が得られる。
この誘電体基材は次にその構成成分であるＰＥが架橋さ
れる。ＰＥの架橋は電子線のような放射線を約０．５〜
２０Ｍｒａｄ照射したシ、予じめＰＥフィルム中に配合
せしめられたシラン化合物、ラジカル発生剤、シロキサ
ン縮合触媒の加熱加圧反応によシ行なうことができる。
れる。ＰＥの架橋は電子線のような放射線を約０．５〜
２０Ｍｒａｄ照射したシ、予じめＰＥフィルム中に配合
せしめられたシラン化合物、ラジカル発生剤、シロキサ
ン縮合触媒の加熱加圧反応によシ行なうことができる。
この架橋は主としてＰＥとガラスクロスとのｆ！着力を
向上させるために行なわれるもので、このようにＰＫの
架橋せしめられた誘電体基板は、これに応力が作用して
変形したような場合でも、ＰＫとガラスクロスとの界面
剥離を生じ難い特徴を有する。ＰＥの架橋は前記した如
く、デル分率が通常１０％以上になるように行なうが、
好ましくは２０〜９０％である。
向上させるために行なわれるもので、このようにＰＫの
架橋せしめられた誘電体基板は、これに応力が作用して
変形したような場合でも、ＰＫとガラスクロスとの界面
剥離を生じ難い特徴を有する。ＰＥの架橋は前記した如
く、デル分率が通常１０％以上になるように行なうが、
好ましくは２０〜９０％である。
このゲル分率の測定は例えば次の方法による。
誘電体基板の銅箔をエツチング等で全面除去した後、充
分に水洗し、乾燥させる。これよシ一定量の小片（Ｘ、
！ｉりを切り取り、この試料を１０５℃キシシン中（試
料に対して２００〜５００倍量程度の量とする）で、２
４時間還流後、ｒ別し、充分に乾燥させて不溶のゲル分
量（Ｙ、！ｉＦ）を求める。グいで、これをルツボ中で
灰化させガラスクロスのみの重量ＣＺＪ）を求め、下記
式によシ算出する。
分に水洗し、乾燥させる。これよシ一定量の小片（Ｘ、
！ｉりを切り取り、この試料を１０５℃キシシン中（試
料に対して２００〜５００倍量程度の量とする）で、２
４時間還流後、ｒ別し、充分に乾燥させて不溶のゲル分
量（Ｙ、！ｉＦ）を求める。グいで、これをルツボ中で
灰化させガラスクロスのみの重量ＣＺＪ）を求め、下記
式によシ算出する。
また、架橋ＰＥフィルムまたは架橋ＵＩ（ＰＥフィルム
の場合は上述の灰化処理は必要なく、ｚ＝０に相当する
。
の場合は上述の灰化処理は必要なく、ｚ＝０に相当する
。
このように本発明においては誘電体基材におけるＰＥが
架橋されるのであるが、かような積層前の該基材の架橋
は基材の厚さ方向における架橋度を均一にできる利点が
ある。
架橋されるのであるが、かような積層前の該基材の架橋
は基材の厚さ方向における架橋度を均一にできる利点が
ある。
本発明においては、上記のようにしてＰＫが架橋せしめ
られた誘電体基材の両面に、予じめ架橋せしめられたＵ
ＨＰＥフィルムおよび電解銅箔が、該銅箔の粗面をＵＨ
ＰＥフィルムと接するように重ね合わされ、加熱加圧す
ることにより、ＵＨＰＥフィルムを接着層として誘電体
基材と電解銅箔が接合される。
られた誘電体基材の両面に、予じめ架橋せしめられたＵ
ＨＰＥフィルムおよび電解銅箔が、該銅箔の粗面をＵＨ
ＰＥフィルムと接するように重ね合わされ、加熱加圧す
ることにより、ＵＨＰＥフィルムを接着層として誘電体
基材と電解銅箔が接合される。
この際、誘電体基材は１枚で用いてもよいが、所定厚み
になるように２枚以上を重ね合わせて用いることができ
る。また、誘電体基材を２枚以上重ね合わせて用いると
きは、基材間に接着性材料、例えば架橋ＰＥフィルム（
ゲル分率２０〜１００゛％）を介在させることができる
。
になるように２枚以上を重ね合わせて用いることができ
る。また、誘電体基材を２枚以上重ね合わせて用いると
きは、基材間に接着性材料、例えば架橋ＰＥフィルム（
ゲル分率２０〜１００゛％）を介在させることができる
。
誘電体基材と電解銅箔とを接合させるためのＵＨＰＥフ
ィルムは、厚さが通常２０〜２００μ惰であシ、電子線
の照射等によシ架橋されている。このＵＨＰＩフィルム
の架橋度は接着性の観点から、デル分率が約３０〜１０
０％−になるように行なうのが好ましいものである。而
して、上記デル分率を有する架橋ＵＨＰＥフィルムは、
他の条件にもよるが、電子線の照射量を通常０．１〜１
０ Ｍｒａｄとすることによシ得られる。
ィルムは、厚さが通常２０〜２００μ惰であシ、電子線
の照射等によシ架橋されている。このＵＨＰＩフィルム
の架橋度は接着性の観点から、デル分率が約３０〜１０
０％−になるように行なうのが好ましいものである。而
して、上記デル分率を有する架橋ＵＨＰＥフィルムは、
他の条件にもよるが、電子線の照射量を通常０．１〜１
０ Ｍｒａｄとすることによシ得られる。
誘電体基材と電解銅箔を架橋ＵＨＰＥフィルムを介して
接合する際の作業条件は、誘電体基材を構成するＰＥの
架橋度、ＵＨＰ Ｅフィルムの架橋度等に応じて適宜設
定できるが、通常は温度１４５〜２００℃、圧力５〜３
０に９／ｅ４、加熱加圧時間５〜６０分である。
接合する際の作業条件は、誘電体基材を構成するＰＥの
架橋度、ＵＨＰ Ｅフィルムの架橋度等に応じて適宜設
定できるが、通常は温度１４５〜２００℃、圧力５〜３
０に９／ｅ４、加熱加圧時間５〜６０分である。
このようにして得られる誘電体基板は、ガラスクロスを
構成する繊維束内にＰＥが充分に浸透しており、この誘
電体基板は、後述の実施例からも明らかであるが、誘電
率と誘電正接が共に小さく、絶縁材料として有用である
。この理由は必らずしも明らかではないが、ガラスクロ
スの両面にＰＥフィルムを配置して加熱加圧した際、Ｐ
Ｋが溶融し、この溶融ＰＥに圧力が作用することにより
、ＰＥのガラスクロスの繊維束内への含浸が促進される
ためと推論される。
構成する繊維束内にＰＥが充分に浸透しており、この誘
電体基板は、後述の実施例からも明らかであるが、誘電
率と誘電正接が共に小さく、絶縁材料として有用である
。この理由は必らずしも明らかではないが、ガラスクロ
スの両面にＰＥフィルムを配置して加熱加圧した際、Ｐ
Ｋが溶融し、この溶融ＰＥに圧力が作用することにより
、ＰＥのガラスクロスの繊維束内への含浸が促進される
ためと推論される。
（実施例）
以下、実施例によシ本発明を更に詳細に説明する。
実施例１
厚さ１００μ鴨のガラスクロスの両面に、密度０．９２
のＰＥから成る５０μ儒のＰＥフィルムを配置し、ラミ
ネーションプレス機により、 温度１６５℃、圧力１０
ｋｇ／−ｊの条件で１０分間加熱加圧し、ＰＥをガラス
クロスの内部に含浸せしめると共にＰＥフィルムとガラ
スクロスを熱圧着せしめて、厚さ１４５μ惟の誘電体基
材を得る。
のＰＥから成る５０μ儒のＰＥフィルムを配置し、ラミ
ネーションプレス機により、 温度１６５℃、圧力１０
ｋｇ／−ｊの条件で１０分間加熱加圧し、ＰＥをガラス
クロスの内部に含浸せしめると共にＰＥフィルムとガラ
スクロスを熱圧着せしめて、厚さ１４５μ惟の誘電体基
材を得る。
次に、この誘電体基材に６．５ Ｍ ｒａｄの電子線を
照射してＰＥを架橋せしめる（ゲル分率５５％）。
照射してＰＥを架橋せしめる（ゲル分率５５％）。
一方、これとは別に分子４７７３１００万のＵＨＰＥか
ら成形された厚さ１３０μ惟のＵＨＰ Ｅシートに、３
Ｍｒａｄの電子線を照射して架橋する（ゲル分率９８％
）。
ら成形された厚さ１３０μ惟のＵＨＰ Ｅシートに、３
Ｍｒａｄの電子線を照射して架橋する（ゲル分率９８％
）。
その後、ＰＥを架橋せしめた誘電体基材２枚を重ね合わ
せ、この重ね合わされた基材の両面に前記の架橋ＵＨＰ
Ｅフィルムおよび厚さ３５μ惰の電解銅箔（粗面の表面
粗さ３μ惰）を、該銅箔の粗面がＵＨＰＥフィルム側に
なるように順次配置せしめる。
せ、この重ね合わされた基材の両面に前記の架橋ＵＨＰ
Ｅフィルムおよび厚さ３５μ惰の電解銅箔（粗面の表面
粗さ３μ惰）を、該銅箔の粗面がＵＨＰＥフィルム側に
なるように順次配置せしめる。
なお、前記誘電体基材間には、密度０．９２の前記ＰＫ
から成形し、５Ｍｒａｄ Ｏ電子線照射により架橋せし
めた厚さ２００μ惟、ゲル分率４８％のフイＩレムを介
在せしめた。
から成形し、５Ｍｒａｄ Ｏ電子線照射により架橋せし
めた厚さ２００μ惟、ゲル分率４８％のフイＩレムを介
在せしめた。
次いで、これらをラミネーションプレス機によシ、温度
１７０℃、圧力１５ｋｌ？／Ｉ４の条件で３０分間加熱
加圧し、基材同志および基材と銅箔を接合せしめて誘電
体基板（試料番号ｌ）を得た。
１７０℃、圧力１５ｋｌ？／Ｉ４の条件で３０分間加熱
加圧し、基材同志および基材と銅箔を接合せしめて誘電
体基板（試料番号ｌ）を得た。
なお、電解銅箔の表面粗さは、株式会社三豊製作所製の
超１ラサ検査機、ＡＢ−２形にて測定した。
超１ラサ検査機、ＡＢ−２形にて測定した。
この誘電体基板の比誘電率、誘電正接、該基板における
銅箔と架橋ＵＨＰ Ｅ層との間の接着力および動作利得
を測定して得た結果を、下記第１表に示す。
銅箔と架橋ＵＨＰ Ｅ層との間の接着力および動作利得
を測定して得た結果を、下記第１表に示す。
比誘電率および誘電正接の測定周波数はＩＭＨｚである
。
。
また、接着力は温度２５℃、剥離速度５０Ｈ／ｍｉｎの
条件で、１８０ピーリング法によシ測定した。
条件で、１８０ピーリング法によシ測定した。
動作利得の測定に際しては、誘電体基板における一方の
銅箔をエツチングしてパターン形成してマイクロ波受信
平面アンテナを得、このアンテナの動作利得（Ｇ）を測
定した。このアンテナは４４６×４３６−１素子数＝１
６素子Ｘ３２列とした。
銅箔をエツチングしてパターン形成してマイクロ波受信
平面アンテナを得、このアンテナの動作利得（Ｇ）を測
定した。このアンテナは４４６×４３６−１素子数＝１
６素子Ｘ３２列とした。
この測定には標準アンテナと比較する方法を用いた。
第３図に示す如く、発信機（ＣＷ発振）に送信アンテナ
６を接続し、一方受信機に利得Ｇａ（ｄＢｉ）の標準ア
ンテナ７を接続し、送信波は１ＫＨｚのＡＭ変調をかけ
、送信アンテナを適当に回転させることによシ、垂直・
水平偏波を送信して、標準アンテナの振幅比を測定する
。次に、標準アンテナに代え、平面アンテナを受信機に
接続し、同様の操作によシ、平面アンテナの振幅比を測
定する。
６を接続し、一方受信機に利得Ｇａ（ｄＢｉ）の標準ア
ンテナ７を接続し、送信波は１ＫＨｚのＡＭ変調をかけ
、送信アンテナを適当に回転させることによシ、垂直・
水平偏波を送信して、標準アンテナの振幅比を測定する
。次に、標準アンテナに代え、平面アンテナを受信機に
接続し、同様の操作によシ、平面アンテナの振幅比を測
定する。
平面アンテナの動作利得Ｇ（ｄＢｌ）は次式で求められ
る。
る。
Ｇ ＝ Ｇｓ ＋ （平面アンテナの振幅比（ｄＢ））
−〔標準アンテナの振幅比（ｄＢ））＋Ｃ円偏波に対す
る補正（ｄＢ）） 上記式中の円偏波に対する補正値は３ｄＢである。
−〔標準アンテナの振幅比（ｄＢ））＋Ｃ円偏波に対す
る補正（ｄＢ）） 上記式中の円偏波に対する補正値は３ｄＢである。
粗面の表面粗さが１．５μ漢４．５μ愼および１０μ鵠
の電解銅箔を用いる以外は全て実施例１と同様に作業し
て、試料番号２．３および４の誘電体基板を得た。これ
ら基板の特性を第１表に示す。
の電解銅箔を用いる以外は全て実施例１と同様に作業し
て、試料番号２．３および４の誘電体基板を得た。これ
ら基板の特性を第１表に示す。
実施例３
誘電体基材に対する電子線照射量を２．５ Ｍｒａｄお
よび１２Ｍｒａｄとし、ＰＥのゲル分率を２０％および
７０％とする以外は全て実施例１と同様に作業して、試
料番号５および６の誘電体基板を得た。
よび１２Ｍｒａｄとし、ＰＥのゲル分率を２０％および
７０％とする以外は全て実施例１と同様に作業して、試
料番号５および６の誘電体基板を得た。
（発明の効果）
本発明は上記のように構成され、実施例からも判るよう
に、ガラスクロスにＰＥを含浸せしめると共に該クロス
の表面を薄層状に覆って、誘電体基材としているので、
誘電率、誘電正接が小さ諭という特徴がある。
に、ガラスクロスにＰＥを含浸せしめると共に該クロス
の表面を薄層状に覆って、誘電体基材としているので、
誘電率、誘電正接が小さ諭という特徴がある。
また、本発明の製造法においては、ガラスクロスの両面
にＰＥフィルムを配置し、これを加熱加圧して誘電体基
材を得るようにしたので、ガラスクロス内へのＰＥの浸
透が確実且つ充分にでき、また誘電体基材の構成成分で
あるポリエチレンを架橋し、その後基材同志を接合せし
めるようにしたので、ポリエチレンフィルムとガラスク
ロスとの密着力が向とするという特徴を有する。
にＰＥフィルムを配置し、これを加熱加圧して誘電体基
材を得るようにしたので、ガラスクロス内へのＰＥの浸
透が確実且つ充分にでき、また誘電体基材の構成成分で
あるポリエチレンを架橋し、その後基材同志を接合せし
めるようにしたので、ポリエチレンフィルムとガラスク
ロスとの密着力が向とするという特徴を有する。
第１図は本発明に係る誘電体基板の実例を示す正面図、
。第２図は銅箔の表面粗さを示す模式図、第３図は動作
利得測定のための回路図である。
。第２図は銅箔の表面粗さを示す模式図、第３図は動作
利得測定のための回路図である。
Claims (5)
- （１）ガラスクロスと、このガラスクロスに含浸され且
つ表面を覆う架橋ポリエチレン層とから成る誘電体基材
の両面に、架橋された超高分子量ポリエチレン層を介し
て電解銅箔が接合されており、該銅箔はその鏡面の反対
面が超高分子量ポリエチレン層と接していることを特徴
とする誘電体基材。 - （２）誘電体基材が２枚以上重ね合わされている特許請
求の範囲第１項記載の誘電体基板。 - （３）超高分子量ポリエチレン層と接している電解銅箔
面の表面粗さが１〜４．５μｍである特許請求の範囲第
１項または第２項記載の誘電体基板。 - （４）ガラスクロスの両面にポリエチレンフィルムを配
置して加熱加圧することにより、ポリエチレンをガラス
クロスに含浸せしめると共にポリエチレンフィルムとガ
ラスクロスを熱圧着せしめて誘電体基材を得、次いで該
基材におけるポリエチレンを架橋し、その後該基材の画
面に架橋せしめた超高分子量ポリエチレンフィルムおよ
び電解銅箔を、該銅箔の鏡面の反対面が該超高分子量ポ
リエチレンフィルムと接するように順次重ね合わせ、次
いで加熱加圧することにより、基材と電解銅箔を接合す
ることを特徴とする誘電体基板の製造法。 - （５）誘電体基材に放射線を照射してポリエチレンを架
橋し、次にかようにしてポリエチレンを架橋せしめた誘
電体基材の２枚以上を重ね合わせて用いる特許請求の範
囲第４項記載の誘電体基板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60119253A JPS61277208A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 誘電体基板およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60119253A JPS61277208A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 誘電体基板およびその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61277208A true JPS61277208A (ja) | 1986-12-08 |
Family
ID=14756748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60119253A Pending JPS61277208A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 誘電体基板およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61277208A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02119404A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-07 | Dx Antenna Co Ltd | 平面アンテナ |
| JPH04192701A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-10 | Hitachi Ltd | 電子回路板及びその製法と用途 |
-
1985
- 1985-05-31 JP JP60119253A patent/JPS61277208A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02119404A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-07 | Dx Antenna Co Ltd | 平面アンテナ |
| JPH04192701A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-10 | Hitachi Ltd | 電子回路板及びその製法と用途 |
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