JPS61278526A - 導電性溶液及び該溶液からの導電性製品の形成法 - Google Patents
導電性溶液及び該溶液からの導電性製品の形成法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G61/12—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G61/122—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides
- C08G61/123—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides derived from five-membered heterocyclic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L65/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
- H01B1/12—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances organic substances
- H01B1/124—Intrinsically conductive polymers
- H01B1/127—Intrinsically conductive polymers comprising five-membered aromatic rings in the main chain, e.g. polypyrroles, polythiophenes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
1、発明の分野
本発明はポリ(置換複素環式化合物)、特にポリ(置換
チオフェン)の新規な導電体、及び導電体又は非導電体
の係る重合体から成る溶液に関する。本発明の他の局面
は本発明の溶液を用いて、フィルム、繊維及び被覆を含
めて導電性重合体製品を形成する方法及び係る溶液を導
電性液体として使用する方法に関する。
チオフェン)の新規な導電体、及び導電体又は非導電体
の係る重合体から成る溶液に関する。本発明の他の局面
は本発明の溶液を用いて、フィルム、繊維及び被覆を含
めて導電性重合体製品を形成する方法及び係る溶液を導
電性液体として使用する方法に関する。
2 従来技術
最近、重合体系の導電性に大きな興味が持たれるように
なってきている。例えば、米国特許第4.321)14
号及び同第4442.187号は少なくとも1つの主鎖
の一部又は全部に共役構造を持つ共役重合体、例えばポ
リアセチレン、ポリフェニレン及びポリ(フェニレンス
ルフィトゞ)に関する。最近、これらの主鎖が共役構造
の重合体を電子受容体ドーパント(dopant)及び
/又は電子供与体ドーパントにより制御された方法で化
学的にドープ(dope)処理すると導電性の重合体を
製造できることが発見された。米国特許第4,222,
903号及び同第4.204216号にドーeング操作
及び代表的なドープ処理重合体が記載されている。
なってきている。例えば、米国特許第4.321)14
号及び同第4442.187号は少なくとも1つの主鎖
の一部又は全部に共役構造を持つ共役重合体、例えばポ
リアセチレン、ポリフェニレン及びポリ(フェニレンス
ルフィトゞ)に関する。最近、これらの主鎖が共役構造
の重合体を電子受容体ドーパント(dopant)及び
/又は電子供与体ドーパントにより制御された方法で化
学的にドープ(dope)処理すると導電性の重合体を
製造できることが発見された。米国特許第4,222,
903号及び同第4.204216号にドーeング操作
及び代表的なドープ処理重合体が記載されている。
導電性重合体の一般的な分野においては、これらの主鎖
が共役構造の重合体の1つをそれが良好な導電体(導電
率=〜10 −100オーム ・醐 )になる程度まで
ドープ処理し、次いでこの重合体を任意の溶剤系に溶解
するのは非常に困難であると考えられている。米国特許
第445′2.727号はド−プ処理された硫黄含有又
は酸素含有芳香族重合体を含有する新規な重合体溶液?
開示する。
が共役構造の重合体の1つをそれが良好な導電体(導電
率=〜10 −100オーム ・醐 )になる程度まで
ドープ処理し、次いでこの重合体を任意の溶剤系に溶解
するのは非常に困難であると考えられている。米国特許
第445′2.727号はド−プ処理された硫黄含有又
は酸素含有芳香族重合体を含有する新規な重合体溶液?
開示する。
この溶液の溶剤は、三弗化砒素、三弗化燐、五弗化燐、
三塩化燐、三弗化硼素などのような、−100℃〜+1
00℃の間の少なくとも1つの温度について大気圧下で
は液相をなすルイス酸ハライドに限られる。これらの溶
液を用いて、例えばその溶液を支持体上にキャスティン
グし、溶剤全除去すれば重合体製品となすことができる
。この溶液と方法はこの技術分野にかなりの進歩をもた
らすものであるが、しかしこれらには使用しなければな
らない特定の溶剤のコストとその高い環境反応性及び毒
性、及びドーズ処理されたキャスト成形導電体の環境不
安定性に由来する経済的及び実施上の欠点がある。
三塩化燐、三弗化硼素などのような、−100℃〜+1
00℃の間の少なくとも1つの温度について大気圧下で
は液相をなすルイス酸ハライドに限られる。これらの溶
液を用いて、例えばその溶液を支持体上にキャスティン
グし、溶剤全除去すれば重合体製品となすことができる
。この溶液と方法はこの技術分野にかなりの進歩をもた
らすものであるが、しかしこれらには使用しなければな
らない特定の溶剤のコストとその高い環境反応性及び毒
性、及びドーズ処理されたキャスト成形導電体の環境不
安定性に由来する経済的及び実施上の欠点がある。
ポリアルキルチオフェンについては主として電気化学的
1合で製造された数種の導電性重合体が知られている。
1合で製造された数種の導電性重合体が知られている。
このような導電性重合体製品示すると、ポリ(3−メチ
ルチオフェン〕及びボリ(3,4−ジメチルチオフェン
)が6る。アール・ジエー・ウォルト−r ン(R,J
、Waltman )、ジエー・バーボン(J 、 B
argon )及びニー・エフ・ディアズ(A 、 F
、 Diaz )のJ−Phys、 Chem−、1
983,87t1459−1463; ジー・ツアリ
o ン(G 、 Tourillon)、デー・ゴブリ
アー(D 、 Govrier)、エフ・ガーニア(F
−Garnier )及びデー・ビイベン(D 、Vi
ven)のJ、Phys、 Chem−、198488
,1049−1051:エフ・ホック(S 、 Hot
ta)、ティー・ホサカ(T。
ルチオフェン〕及びボリ(3,4−ジメチルチオフェン
)が6る。アール・ジエー・ウォルト−r ン(R,J
、Waltman )、ジエー・バーボン(J 、 B
argon )及びニー・エフ・ディアズ(A 、 F
、 Diaz )のJ−Phys、 Chem−、1
983,87t1459−1463; ジー・ツアリ
o ン(G 、 Tourillon)、デー・ゴブリ
アー(D 、 Govrier)、エフ・ガーニア(F
−Garnier )及びデー・ビイベン(D 、Vi
ven)のJ、Phys、 Chem−、198488
,1049−1051:エフ・ホック(S 、 Hot
ta)、ティー・ホサカ(T。
Ho5aka)及びダプリュ−−シモツ? (W 、
Shimo−tsuma)のSyn、 Metals、
、 1983.6t 3)7−3)8を参照されたい。
Shimo−tsuma)のSyn、 Metals、
、 1983.6t 3)7−3)8を参照されたい。
しかし、電気化学的に製造した重合体は溶剤、例えばア
セトニトリル、プロピレンカーボネート、テトラヒドロ
フラン、ジクロロメタン、ジメチルホルムアミド、ニト
ロベンゼン、ニトロプロパン、トルエン等に溶解しない
。溶液形又は可塑化された形態で存在しないと、これら
のポリ(アルキルチオフェン)の導電体からある種の製
品、特に半導体性及び導電性の重合体フィルム、繊維及
び被柵の経済的な形成能は著しく制限される。事実、こ
れら電気化学的方法はフィルXの厚さが最大でも約20
0OAの均質な重合体フィルムしか与えないと報告され
ている。粉末付着物はこれより厚いフィルムに成長させ
ようという試みにおいて得られる。(ジー・ツアリロン
及びz7−ガーニアのJ、 Po1y、 Sci、 P
o1y、 Phys。
セトニトリル、プロピレンカーボネート、テトラヒドロ
フラン、ジクロロメタン、ジメチルホルムアミド、ニト
ロベンゼン、ニトロプロパン、トルエン等に溶解しない
。溶液形又は可塑化された形態で存在しないと、これら
のポリ(アルキルチオフェン)の導電体からある種の製
品、特に半導体性及び導電性の重合体フィルム、繊維及
び被柵の経済的な形成能は著しく制限される。事実、こ
れら電気化学的方法はフィルXの厚さが最大でも約20
0OAの均質な重合体フィルムしか与えないと報告され
ている。粉末付着物はこれより厚いフィルムに成長させ
ようという試みにおいて得られる。(ジー・ツアリロン
及びz7−ガーニアのJ、 Po1y、 Sci、 P
o1y、 Phys。
la8.1984,22.33−39を参照されたい。
)未置換ポリチオフェンはドーピングで[[に導電性の
コンプレックスを形成するが、これらは通常の環境(空
気又は水蒸気を含有)では安定でない。しかし、電気化
学的に製造し九導電性のポリ(3−メチルチオフェン)
は環境上安定である。
コンプレックスを形成するが、これらは通常の環境(空
気又は水蒸気を含有)では安定でない。しかし、電気化
学的に製造し九導電性のポリ(3−メチルチオフェン)
は環境上安定である。
(ジー・ツアリロン及びエフ・ガーニアのJ。
1馳旦処m工狸シ」独シェ上却!工匹加狐エジエユ」寛
虫−・19B3,130,2042−3を参照されたい
。)従って、環境上安定なポリ(置換複素環式化合物)
、例えばポリ(置換チオフェン)の導電体及び半導体の
工業的にX要な規模での製造を容易にし、そのドーピン
グプロセスを容易にし、そして特にポリ(置換複素環式
化合物)の半導体性種及び導電他種の成形品、例えばフ
ィルム、繊維及び被覆を形成する加工技術を開発する経
済的に魅力的な技術についてのニーズが存在する。
虫−・19B3,130,2042−3を参照されたい
。)従って、環境上安定なポリ(置換複素環式化合物)
、例えばポリ(置換チオフェン)の導電体及び半導体の
工業的にX要な規模での製造を容易にし、そのドーピン
グプロセスを容易にし、そして特にポリ(置換複素環式
化合物)の半導体性種及び導電他種の成形品、例えばフ
ィルム、繊維及び被覆を形成する加工技術を開発する経
済的に魅力的な技術についてのニーズが存在する。
発明の要約
フィルム形成を可能にする大きさの分子量を有するポリ
(置換複素環式化合物)のある種の重合体は各種の一般
的な有機溶剤に溶解せしめることができ、かつ各種の電
子ドーパントでドープ処理すると導電性のキャスティン
グフィルム被覆及び他の導電性重合体製品に有用な電子
導電性溶液を形成させることができることが見い出され
7’C+更に詳しくは、本発明の1つの態様は有機溶剤
及びフィルム形成性分子量を有するドーグ処理された単
独重合体又は共重合体から成る導電性の溶液であって、
該1合体は式 (式中、nは自然数であυ;0及びmは閤−又は異なる
自然数で、m対0の比はゼロから無限大まで変わること
ができ;Ro はアルキル、アルケニル、アルコキシ、
アルカノイル、アルキルチオ、アリールオキシ、アルキ
ルチオアルキル、アルキルスルフィニルアルキル、アル
キルスルホニルアルキル、アルキルアリール、アリール
アルキル、シクロアルキル、アルキルスルフィニル、ア
ルコキシアルキル、アルキルスルホニル、アリール、ア
リールチオ、シクロアルケニル、アリールスルフィニル
、アルコキシカルボニル若しくはアリールスルホニル基
、又は1個又は2個以上のスルホン酸、ハロゲン、ニト
ロ、シアン、カルボン酸若しくはエポキシの置換成分で
置換されたアルキル基であり;R2、R3及びR4は同
−又は異なる原子又は基であって、水素若しくはその同
位体、メチル又はRo であるか;或いはR□とR2の
置換基若しくIr1R3とR4の置換基が一緒になって
アルキレン基若しくはアルケニレン基を形成し、かくし
て所望によって硫黄、スルフィニル、スルホニル及び酸
素より成る群から選ばれる1個若しくは2個以上の二価
のへテロ原子を含んでいてもよい3−14−15−16
−若しくは7−尚の芳香族炭素環又は脂環式炭素環を完
成しており;そしてX□及びX2は同−又は異なる原子
又は基であって、S、01Se 、 NRs又はPF3
である。但し、R5は水素、アルキル又はアリールであ
る。) で表わされる前記導電性溶液に関する、この溶液は、そ
の溶液から溶剤なドープ処理された1合体か固化するま
で除去する本発明の方法の1つを使用して導電性の製品
を形成するのに好適に用いることができる。
(置換複素環式化合物)のある種の重合体は各種の一般
的な有機溶剤に溶解せしめることができ、かつ各種の電
子ドーパントでドープ処理すると導電性のキャスティン
グフィルム被覆及び他の導電性重合体製品に有用な電子
導電性溶液を形成させることができることが見い出され
7’C+更に詳しくは、本発明の1つの態様は有機溶剤
及びフィルム形成性分子量を有するドーグ処理された単
独重合体又は共重合体から成る導電性の溶液であって、
該1合体は式 (式中、nは自然数であυ;0及びmは閤−又は異なる
自然数で、m対0の比はゼロから無限大まで変わること
ができ;Ro はアルキル、アルケニル、アルコキシ、
アルカノイル、アルキルチオ、アリールオキシ、アルキ
ルチオアルキル、アルキルスルフィニルアルキル、アル
キルスルホニルアルキル、アルキルアリール、アリール
アルキル、シクロアルキル、アルキルスルフィニル、ア
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、アルコキシカルボニル若しくはアリールスルホニル基
、又は1個又は2個以上のスルホン酸、ハロゲン、ニト
ロ、シアン、カルボン酸若しくはエポキシの置換成分で
置換されたアルキル基であり;R2、R3及びR4は同
−又は異なる原子又は基であって、水素若しくはその同
位体、メチル又はRo であるか;或いはR□とR2の
置換基若しくIr1R3とR4の置換基が一緒になって
アルキレン基若しくはアルケニレン基を形成し、かくし
て所望によって硫黄、スルフィニル、スルホニル及び酸
素より成る群から選ばれる1個若しくは2個以上の二価
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−若しくは7−尚の芳香族炭素環又は脂環式炭素環を完
成しており;そしてX□及びX2は同−又は異なる原子
又は基であって、S、01Se 、 NRs又はPF3
である。但し、R5は水素、アルキル又はアリールであ
る。) で表わされる前記導電性溶液に関する、この溶液は、そ
の溶液から溶剤なドープ処理された1合体か固化するま
で除去する本発明の方法の1つを使用して導電性の製品
を形成するのに好適に用いることができる。
本発明のもう1つの局面は、(α)有機溶剤;及び(b
iフィルム形成性分子量を有する単独重合体又は共重合
体から成る溶液であって、この1合体は式(式中、nは
自然数であり;0及びmは同−又は異なる自然数で、m
対0の比はゼロから無限大まで変わることができ;R1
はアルキル、アルケニル、アルコキシ、アルカノイル、
アルキルチオ、アリールオキシ、アルキルチオアルキル
、アルキルスルフィニルアルキル、アルキルスルホニル
アルキル、アルキルアリール、アリールアルキル、シク
ロアルキル、アルキルスルフィニル、アルキルスルホニ
ル、アリール、アルコキシカルボニル、アリールチオ、
シクロアルケニル、アリールスルフィニル、アルコキシ
アルそル若しくはアリールスルホニル基、又は1個若し
くは2個以上のスルホン酸、ハロゲン、ニトロ、シアノ
、カルボン酸若しくはエポキシの置換成分で置換′され
たアルキル基であ5 ; R2、R3及びR4は同〒又
は異なる原子又は基であって、水素若しくはその同位体
、メチル又はR□であるか;あるいはR1とR2の置換
基若しくはR3とR4の置換基が一緒になってアルキレ
ン基若しくはアルケニレン基を形成し、かくして所望に
よって硫黄、スルフィニル、スルホニル及ヒ酸素より成
る群から選ばれる1個若しくは2個以上の二価のへテロ
原子を含んでいて本よい3−14−15−16−若しく
は7−員炭素環を完成しており;そしてX□及びX2は
同−又は異なる原子又は基であって、S%o1Se s
NRs又はPF3である。但し、R5は水素、アルキ
ル又はアリールである。) で表わされる前記溶液に関する。この溶液は溶剤を中性
重合体が固化するまで除去し、次いで適当な電子受容体
ドーパントを使用してドープ処理して前記単独重合体又
は共重合体の導電体又は半導体から構成される製品を形
成することによって導電性製品を形成するのに好適に用
いることができる。
iフィルム形成性分子量を有する単独重合体又は共重合
体から成る溶液であって、この1合体は式(式中、nは
自然数であり;0及びmは同−又は異なる自然数で、m
対0の比はゼロから無限大まで変わることができ;R1
はアルキル、アルケニル、アルコキシ、アルカノイル、
アルキルチオ、アリールオキシ、アルキルチオアルキル
、アルキルスルフィニルアルキル、アルキルスルホニル
アルキル、アルキルアリール、アリールアルキル、シク
ロアルキル、アルキルスルフィニル、アルキルスルホニ
ル、アリール、アルコキシカルボニル、アリールチオ、
シクロアルケニル、アリールスルフィニル、アルコキシ
アルそル若しくはアリールスルホニル基、又は1個若し
くは2個以上のスルホン酸、ハロゲン、ニトロ、シアノ
、カルボン酸若しくはエポキシの置換成分で置換′され
たアルキル基であ5 ; R2、R3及びR4は同〒又
は異なる原子又は基であって、水素若しくはその同位体
、メチル又はR□であるか;あるいはR1とR2の置換
基若しくはR3とR4の置換基が一緒になってアルキレ
ン基若しくはアルケニレン基を形成し、かくして所望に
よって硫黄、スルフィニル、スルホニル及ヒ酸素より成
る群から選ばれる1個若しくは2個以上の二価のへテロ
原子を含んでいて本よい3−14−15−16−若しく
は7−員炭素環を完成しており;そしてX□及びX2は
同−又は異なる原子又は基であって、S%o1Se s
NRs又はPF3である。但し、R5は水素、アルキ
ル又はアリールである。) で表わされる前記溶液に関する。この溶液は溶剤を中性
重合体が固化するまで除去し、次いで適当な電子受容体
ドーパントを使用してドープ処理して前記単独重合体又
は共重合体の導電体又は半導体から構成される製品を形
成することによって導電性製品を形成するのに好適に用
いることができる。
本発明の溶液を本発明の方法に用いると、例えば空気に
安定で、フリー・スタンディング性かっ可撓性の繊維及
びフィルムのような、あらゆる形状の導電性製品が得ら
れる。
安定で、フリー・スタンディング性かっ可撓性の繊維及
びフィルムのような、あらゆる形状の導電性製品が得ら
れる。
発明の詳しい記述
本発明の前記両溶液は2つの本質的成分から成る。溶液
の1つの本質的成分はフィルムの形成を可能にする大き
さの分子量を有する単独重合体又は共重合体で、これら
重合体は式 を有する。但し、式中、0、n s m %R□、R2
、R3、R4、R5、X□及びX2は前記の通シである
。
の1つの本質的成分はフィルムの形成を可能にする大き
さの分子量を有する単独重合体又は共重合体で、これら
重合体は式 を有する。但し、式中、0、n s m %R□、R2
、R3、R4、R5、X□及びX2は前記の通シである
。
このような重合体種の実例は置換z5−チオ7エンジイ
ル化合物の単独1合体及び共重合体である。こ\で、4
5−チオフェンジイル部分は3−メチルテオフエン、3
−メチル−4−ブチルチオフェン、3−エテルチオフェ
ンs 34−ジエチルチオフェン、3−ブトキシエテル
チオ7エン、3−メチル−4−エトキシメチルチオフェ
ン、3−メチルチオメチルチオフェン、3−シタノイル
チオフェン、3−フェノキシチオフェン、3−メチルス
ルホニルチオフェン、3−ベンジルテオ7工ン、3−フ
ェネチルチオフェン、3−プロピル−4−メチルチオフ
ェン、3−オクチルチオフェン、3−ブトキシチオフェ
ン、3−(フェニルチオ)チオフェン、3−メトキシチ
オフェン、3−(2,4−シメチルフエニル)チオフェ
ン、3−フェニルチオフェン、 3−−10ビルチオ
フエン、3−ペンチルチオフェン、3−へキシルチオフ
ェン、3−メチル−4−イソプロピルチオフェン、3−
(2,4−tメトキシフェニル)チオフェン、3−(2
−フェニルエチル)チオフェン、3−4オインテルテオ
フエン、3−ブトキシメチルチオフェン、3−プロビル
チオメチルテオフエン、3−(1−ブテニル)チオフェ
ン、3−シクロヘキシルチオフェン、3−ブタノイルチ
オフェン、3−(フェニルスルホニル)チオフェン)、
3−クロロメチルチオフェン、3−(see−ブチル)
チオフェン、3−ノニルテオフエン、3−デシルチオフ
ェン、3−イソプロピルチオフェン、44−ジプロピル
チオフェン、3−ドデシルチオフェン、3−シトキシチ
オフェン、R4−(L4−ズタンジイル)チオフェン、
&4−(L2−エタンジイル)チオフェン、3−シクロ
はメチルチオフェン、3.4−C−(ジヒドロチェニル
)チオフェン、3−はンジルテオフエン、 3−7’ロ
ボキシカルボエルテオフエン、3−(ナフチルチオ)チ
オフェン、3−sec−プチルテオフエン%3− (3
−フェニルブチル)チオフェン、a 4−9 テュウテ
リオテオフエン、3−(3−ブテニル)チオフェン、3
−(34−エポキシブチル)チオフェン等より成る群か
ら選ばれる。
ル化合物の単独1合体及び共重合体である。こ\で、4
5−チオフェンジイル部分は3−メチルテオフエン、3
−メチル−4−ブチルチオフェン、3−エテルチオフェ
ンs 34−ジエチルチオフェン、3−ブトキシエテル
チオ7エン、3−メチル−4−エトキシメチルチオフェ
ン、3−メチルチオメチルチオフェン、3−シタノイル
チオフェン、3−フェノキシチオフェン、3−メチルス
ルホニルチオフェン、3−ベンジルテオ7工ン、3−フ
ェネチルチオフェン、3−プロピル−4−メチルチオフ
ェン、3−オクチルチオフェン、3−ブトキシチオフェ
ン、3−(フェニルチオ)チオフェン、3−メトキシチ
オフェン、3−(2,4−シメチルフエニル)チオフェ
ン、3−フェニルチオフェン、 3−−10ビルチオ
フエン、3−ペンチルチオフェン、3−へキシルチオフ
ェン、3−メチル−4−イソプロピルチオフェン、3−
(2,4−tメトキシフェニル)チオフェン、3−(2
−フェニルエチル)チオフェン、3−4オインテルテオ
フエン、3−ブトキシメチルチオフェン、3−プロビル
チオメチルテオフエン、3−(1−ブテニル)チオフェ
ン、3−シクロヘキシルチオフェン、3−ブタノイルチ
オフェン、3−(フェニルスルホニル)チオフェン)、
3−クロロメチルチオフェン、3−(see−ブチル)
チオフェン、3−ノニルテオフエン、3−デシルチオフ
ェン、3−イソプロピルチオフェン、44−ジプロピル
チオフェン、3−ドデシルチオフェン、3−シトキシチ
オフェン、R4−(L4−ズタンジイル)チオフェン、
&4−(L2−エタンジイル)チオフェン、3−シクロ
はメチルチオフェン、3.4−C−(ジヒドロチェニル
)チオフェン、3−はンジルテオフエン、 3−7’ロ
ボキシカルボエルテオフエン、3−(ナフチルチオ)チ
オフェン、3−sec−プチルテオフエン%3− (3
−フェニルブチル)チオフェン、a 4−9 テュウテ
リオテオフエン、3−(3−ブテニル)チオフェン、3
−(34−エポキシブチル)チオフェン等より成る群か
ら選ばれる。
本発明の実施の際に用いるのに好ましい重合体は、上記
の式において: m%n及び0は前記の通フでロシ; R□が炭素原子数2〜約12個のアルキル、例えばエチ
ル、プロピル、インプロピル、n−ブチル、 5ec−
ブチル、イソブチル、n+”!’ンメチ、イソペンチル
、気−インテル、tert−にメチル、n−ヘキ−7に
、n−オクチル、n−ノニル、n−デシル及びn−)’
デシル:フェニル;アルキルフェニル、例、tば34−
ジメチルフェニル、4−、T’?ルフェニル、4−エチ
ルフェニル及ヒ4− fテルフェニル;フェニルアルキ
ル、例えばベンジル、フエネエテル;炭素原子数1〜約
12個のアルコキシ、例えばメトキシ、エトキシ及びプ
ロポキシ;炭素原子数1〜12個のアルカノイル、例え
ばホルミル、アセチル及びプロピニル;炭素原子数1〜
12個のアルキルチオ、例えばメチルチオ、エテルチオ
、プロピルチオ、ト9デシルチオ及びブチルチオ;炭素
原子数1〜約12個のアルケニル、例えばアリル、ビニ
ル及び3−ブテニル;又はエポキシ、スルホン酸、ニト
ロ、シアノ、カルボン酸若しくはハロゲン置換基で置換
されたフェニル及びアルキル、例えばトリフルオロメチ
ル、3.4−エポキシブチル、シアノメチル、2−ニト
ロエテル、3)’ロロプロビル、4−ニトロフェニル、
−CH2SH2CH・2So3H及び−CH2CH2C
H2Co□Hであり;R2、R3及びR4が同−又は異
なる原子又は基であって、水素、メチル若しくはR□で
あるか;又はR1とR2置換基若しくはR3とR4置換
基が一緒になって炭素原子数2〜20個のアルキレン鎖
若しくはアルケニレン鎖を形成することができ、かくし
て1個若しくは2個以上のへテロ原子、すなわち酸素若
しくは硫黄を含んでいてもよい4−15−若しくは6−
員環系を光取しているもの、例えばL4−ズタンジイル
、L2−エタンジイル、−CH2SCH2−又は−〇H
2O0H2−であり;そしてxl及びX2が同−又は異
なる原子又は!であって、s、O,又はNR5である; 単独重合体及び共重合体である。
の式において: m%n及び0は前記の通フでロシ; R□が炭素原子数2〜約12個のアルキル、例えばエチ
ル、プロピル、インプロピル、n−ブチル、 5ec−
ブチル、イソブチル、n+”!’ンメチ、イソペンチル
、気−インテル、tert−にメチル、n−ヘキ−7に
、n−オクチル、n−ノニル、n−デシル及びn−)’
デシル:フェニル;アルキルフェニル、例、tば34−
ジメチルフェニル、4−、T’?ルフェニル、4−エチ
ルフェニル及ヒ4− fテルフェニル;フェニルアルキ
ル、例えばベンジル、フエネエテル;炭素原子数1〜約
12個のアルコキシ、例えばメトキシ、エトキシ及びプ
ロポキシ;炭素原子数1〜12個のアルカノイル、例え
ばホルミル、アセチル及びプロピニル;炭素原子数1〜
12個のアルキルチオ、例えばメチルチオ、エテルチオ
、プロピルチオ、ト9デシルチオ及びブチルチオ;炭素
原子数1〜約12個のアルケニル、例えばアリル、ビニ
ル及び3−ブテニル;又はエポキシ、スルホン酸、ニト
ロ、シアノ、カルボン酸若しくはハロゲン置換基で置換
されたフェニル及びアルキル、例えばトリフルオロメチ
ル、3.4−エポキシブチル、シアノメチル、2−ニト
ロエテル、3)’ロロプロビル、4−ニトロフェニル、
−CH2SH2CH・2So3H及び−CH2CH2C
H2Co□Hであり;R2、R3及びR4が同−又は異
なる原子又は基であって、水素、メチル若しくはR□で
あるか;又はR1とR2置換基若しくはR3とR4置換
基が一緒になって炭素原子数2〜20個のアルキレン鎖
若しくはアルケニレン鎖を形成することができ、かくし
て1個若しくは2個以上のへテロ原子、すなわち酸素若
しくは硫黄を含んでいてもよい4−15−若しくは6−
員環系を光取しているもの、例えばL4−ズタンジイル
、L2−エタンジイル、−CH2SCH2−又は−〇H
2O0H2−であり;そしてxl及びX2が同−又は異
なる原子又は!であって、s、O,又はNR5である; 単独重合体及び共重合体である。
本発明の実施において使用するのに特に好ましい1合体
は、前記の式においてR□、R2、R3及びR4が同−
又は異なる原子又は基であって、水素又はアルキルであ
るが、但しR1及びR3のうちの少なくとも1個は炭素
原子数3〜約12個のアルキルでアシ:そしてX□及び
X2が同−又は異なる原子であって、硫黄又は酸素であ
る単独重合体及び共重合体である。
は、前記の式においてR□、R2、R3及びR4が同−
又は異なる原子又は基であって、水素又はアルキルであ
るが、但しR1及びR3のうちの少なくとも1個は炭素
原子数3〜約12個のアルキルでアシ:そしてX□及び
X2が同−又は異なる原子であって、硫黄又は酸素であ
る単独重合体及び共重合体である。
これらの特に好ましい態様のうちで、最も好ましい態様
は置換チオフェンの単独重合体及び共重合体を用い、そ
の場合その構造式において置換基R工及びR3が、その
内の少なくとも1個が炭素原子数4〜12個のアルキル
であるという条件で同−又は異なるアルキル基であり、
セしてR2及びR4が水素である態様である。実験によ
ると、本発明における使用に特に有用な共重合体は3−
(n−ブチル)チオフェンと3−メチルチオフェンとの
共重合体であることが証明された。
は置換チオフェンの単独重合体及び共重合体を用い、そ
の場合その構造式において置換基R工及びR3が、その
内の少なくとも1個が炭素原子数4〜12個のアルキル
であるという条件で同−又は異なるアルキル基であり、
セしてR2及びR4が水素である態様である。実験によ
ると、本発明における使用に特に有用な共重合体は3−
(n−ブチル)チオフェンと3−メチルチオフェンとの
共重合体であることが証明された。
有用な共重合体及び単独重合体は当業者に周知の常用の
化学的方法及び電気化学的方法を用いて製造することが
できる。例えば、このような重合体は対応する45−ジ
ノ・口(ブロモ又はヨード)単量体をマグネシウム金属
及びN1−触媒によりテトラヒト90フラン又は他のエ
ーテル系溶媒中で処理することによって化学的に装造す
ることができる。この方法はエム・コバヤシ(M 、
Kobayashi )、ジエー・チェノ(J、Che
n)、ティー・シー・チャンク(T 、 C、Chun
g)、エフーモラz x (F a Moraes)、
ニー・ジエー・ヒーガー(A 、J −Heeger
)及びエアーウド/l/ CF 、 Wudl)のS
、 Metalg、 1984e9.77−86 及
びテ4−・フイ・’r−rtモト(T、Y。
化学的方法及び電気化学的方法を用いて製造することが
できる。例えば、このような重合体は対応する45−ジ
ノ・口(ブロモ又はヨード)単量体をマグネシウム金属
及びN1−触媒によりテトラヒト90フラン又は他のエ
ーテル系溶媒中で処理することによって化学的に装造す
ることができる。この方法はエム・コバヤシ(M 、
Kobayashi )、ジエー・チェノ(J、Che
n)、ティー・シー・チャンク(T 、 C、Chun
g)、エフーモラz x (F a Moraes)、
ニー・ジエー・ヒーガー(A 、J −Heeger
)及びエアーウド/l/ CF 、 Wudl)のS
、 Metalg、 1984e9.77−86 及
びテ4−・フイ・’r−rtモト(T、Y。
Yamamoto)、ケー・サネテカ(K 、 5an
echika )及びワイ・ヤマモト(Y 、 Yat
namoto )のBull、 Chem。
echika )及びワイ・ヤマモト(Y 、 Yat
namoto )のBull、 Chem。
Soc、 Japn・、 1983.56.1497−
1502 K非常に詳しく記載されている。これらの文
献を本発明で引用、参照するものとする。置換チオフェ
ンの有用な共重合体及び単独重合体はまた適尚な単量体
又は単量体混合物の、生成導電性重合体が不溶性で、溶
液から陽極に被覆として分離、析出する溶剤/電解質系
における陽極酸化/重合によって電気化学的に製造する
こともできる。
1502 K非常に詳しく記載されている。これらの文
献を本発明で引用、参照するものとする。置換チオフェ
ンの有用な共重合体及び単独重合体はまた適尚な単量体
又は単量体混合物の、生成導電性重合体が不溶性で、溶
液から陽極に被覆として分離、析出する溶剤/電解質系
における陽極酸化/重合によって電気化学的に製造する
こともできる。
本発明の溶液の第二の本質的成分は有機溶剤である。実
際、本発明の驚くべき局面の1つはト9−プ処理された
及び/又は中性形のポリ(置換複素環式化合物)は一般
的な有機溶剤に溶解可能であること、及び米国特許第4
452.727号に記載されるルイス酸ハライrのよう
な溶剤は必要とされないことである。使用される溶剤の
タイプは極性溶剤から非極性溶剤まで広範囲にわたって
変えることができる。一般に、本発明の実施に使用する
ことができる溶剤は双他子能率がゼロより大きく、かつ
約5以下で、かつ誘電率が約70未満のものである。有
用な溶剤を例示すると、スルトン(sultones)
、側光tdプロパンスルトン、ブタンスルトン、ペンタ
ンスルトン等:アルキルアルカンスルホネート、例えば
メチルメタンスルホネート、エチルメタンスルホネート
、メチルメタンスルホネート、プロピルエタンスルホネ
ート等;線状及び環状エーテル、例えばL2−ジメトキ
シエタン、ジメトキシメタン、ジオキサン、グライム類
(glymes) 、 ジグライム類、テトラヒト9
0フラン、2−メチルテトラヒト90フラン、アニソー
ル、ジエチルエーテル等;ニトリル、例えばアセトニト
リル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、ベンゾニト
リル等;炭化水素、例えばシクロヘキサン、ペンタン、
ヘキサン及びシクロペンタン;ハロカーボン、例えば四
塩化炭素、ジクロロメタン及びL2−ジクロロエタン;
芳香族系溶剤、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、
ニトロベンゼン等;ケトン、側光ば4−メチル−2−ペ
ンタノン、メチルエチルケトン、アセトン等;カーボネ
ート、例えばプロ♂レンカーボネート、ジメチルカーボ
ネート、エチレンカーボネート等:エステル、例えばギ
酸メチル、酢酸メチル、γ−ブチロラクトン、酢酸エチ
ル等;ニトロアルカン、例えばニトロメタン、ニトロエ
タン、ニトロプロパン等;アミド、例えばジメチルホル
ムアミド、ジメチルチオホルムアミド”、N、N−ジメ
チルアセトアミド、N−メチルピロリジノン等;有機燐
化合物、例えばヘキサメチルホスホロアミP1ジエチル
ホスフェート、トリエチルホスファイト、トリメチルホ
スフェート等;及び有機硫黄化合物、例えばスルホラン
、メチルスルホラン、゛ジメチルスルホン、ジメチルス
ルホキシド、ジメチルスルホラン、グリコールサルファ
イド、テトラエテルスルファミド等がある。このような
有機溶剤の混合物、例えばスルホランとアセトニトリル
の混合物も使用することができる。
際、本発明の驚くべき局面の1つはト9−プ処理された
及び/又は中性形のポリ(置換複素環式化合物)は一般
的な有機溶剤に溶解可能であること、及び米国特許第4
452.727号に記載されるルイス酸ハライrのよう
な溶剤は必要とされないことである。使用される溶剤の
タイプは極性溶剤から非極性溶剤まで広範囲にわたって
変えることができる。一般に、本発明の実施に使用する
ことができる溶剤は双他子能率がゼロより大きく、かつ
約5以下で、かつ誘電率が約70未満のものである。有
用な溶剤を例示すると、スルトン(sultones)
、側光tdプロパンスルトン、ブタンスルトン、ペンタ
ンスルトン等:アルキルアルカンスルホネート、例えば
メチルメタンスルホネート、エチルメタンスルホネート
、メチルメタンスルホネート、プロピルエタンスルホネ
ート等;線状及び環状エーテル、例えばL2−ジメトキ
シエタン、ジメトキシメタン、ジオキサン、グライム類
(glymes) 、 ジグライム類、テトラヒト9
0フラン、2−メチルテトラヒト90フラン、アニソー
ル、ジエチルエーテル等;ニトリル、例えばアセトニト
リル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、ベンゾニト
リル等;炭化水素、例えばシクロヘキサン、ペンタン、
ヘキサン及びシクロペンタン;ハロカーボン、例えば四
塩化炭素、ジクロロメタン及びL2−ジクロロエタン;
芳香族系溶剤、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、
ニトロベンゼン等;ケトン、側光ば4−メチル−2−ペ
ンタノン、メチルエチルケトン、アセトン等;カーボネ
ート、例えばプロ♂レンカーボネート、ジメチルカーボ
ネート、エチレンカーボネート等:エステル、例えばギ
酸メチル、酢酸メチル、γ−ブチロラクトン、酢酸エチ
ル等;ニトロアルカン、例えばニトロメタン、ニトロエ
タン、ニトロプロパン等;アミド、例えばジメチルホル
ムアミド、ジメチルチオホルムアミド”、N、N−ジメ
チルアセトアミド、N−メチルピロリジノン等;有機燐
化合物、例えばヘキサメチルホスホロアミP1ジエチル
ホスフェート、トリエチルホスファイト、トリメチルホ
スフェート等;及び有機硫黄化合物、例えばスルホラン
、メチルスルホラン、゛ジメチルスルホン、ジメチルス
ルホキシド、ジメチルスルホラン、グリコールサルファ
イド、テトラエテルスルファミド等がある。このような
有機溶剤の混合物、例えばスルホランとアセトニトリル
の混合物も使用することができる。
任意の特定の状況の下で使用する溶剤は主としてR□、
R2、R3及び/又はR4の各種置換基の極性及び/又
は重合体の状態、すなわちド−プ処理されたものである
か、それとも未ドープ処理重合体であるかに依存して選
択される。一般に、重合体の置換基の極性が大きければ
大きいほど、またドーピングのレベルが高ければ高いほ
どその重合体は誘電率及び双極子能率が(前記規定範囲
内で)よシ大きい溶剤を必要とする。逆に、置換基の極
性が小さければ小さいほど、またドーピングレベルが低
ければ低いほど、その重合体は誘電率及び双極子能率が
(前記規定範囲内で)よシ低い溶剤を必要とする。
R2、R3及び/又はR4の各種置換基の極性及び/又
は重合体の状態、すなわちド−プ処理されたものである
か、それとも未ドープ処理重合体であるかに依存して選
択される。一般に、重合体の置換基の極性が大きければ
大きいほど、またドーピングのレベルが高ければ高いほ
どその重合体は誘電率及び双極子能率が(前記規定範囲
内で)よシ大きい溶剤を必要とする。逆に、置換基の極
性が小さければ小さいほど、またドーピングレベルが低
ければ低いほど、その重合体は誘電率及び双極子能率が
(前記規定範囲内で)よシ低い溶剤を必要とする。
一般に、、)”−プ処理重合体及び/又は比較的に極性
の置換基を持つ重合体と共に使用するために選ばれる溶
剤は通常的0.3〜約5.0、好ましくは約z5〜約5
.0の双極子能率と約20〜約70、好ましくは約20
〜約65の誘電率を持つものである。このような溶剤の
実例を挙げると、線状及び環状エーテル、例えばテトラ
ヒドロフラン、テトラヒドロピラン、2−メチルテトラ
ヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジグライム、グライ
ム等;ハロカーボン、例工ばオロロホルム5l−2−”
クロロエタン、ジクロロメタン等;アミド、例えばジメ
チルホルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミド1N
−メチルピロリドン等;置換芳香族化合物、例エバキシ
レン、アニソール、トルエン等;ニトリル、例工ばアセ
トニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリル、フテ
ロニトリル等;スルホキシド及び他の硫黄含有溶剤、例
えばジメチルスルホキシド等;ニトロ置換−アルカン及
び芳香族化合物、例えばニトロメタン、ニトロプロパン
、ニトロベンゼン等;及びカーボネート、例えばプロピ
レンカーボネート、エチレンカーボネート等がある。
の置換基を持つ重合体と共に使用するために選ばれる溶
剤は通常的0.3〜約5.0、好ましくは約z5〜約5
.0の双極子能率と約20〜約70、好ましくは約20
〜約65の誘電率を持つものである。このような溶剤の
実例を挙げると、線状及び環状エーテル、例えばテトラ
ヒドロフラン、テトラヒドロピラン、2−メチルテトラ
ヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジグライム、グライ
ム等;ハロカーボン、例工ばオロロホルム5l−2−”
クロロエタン、ジクロロメタン等;アミド、例えばジメ
チルホルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミド1N
−メチルピロリドン等;置換芳香族化合物、例エバキシ
レン、アニソール、トルエン等;ニトリル、例工ばアセ
トニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリル、フテ
ロニトリル等;スルホキシド及び他の硫黄含有溶剤、例
えばジメチルスルホキシド等;ニトロ置換−アルカン及
び芳香族化合物、例えばニトロメタン、ニトロプロパン
、ニトロベンゼン等;及びカーボネート、例えばプロピ
レンカーボネート、エチレンカーボネート等がある。
に選ばれる溶剤は約0〜約3.0、好ましくは約O〜約
2.0の双極性能率と約2.0〜約35、好ましくは約
2.0〜約20の誘電率を有するものである。
2.0の双極性能率と約2.0〜約35、好ましくは約
2.0〜約20の誘電率を有するものである。
このような溶剤の実例を挙げると、ハロカーボン、例え
ばクロロメタン等;芳香族系溶剤、例えばトルエン、キ
シレン、インゼン等;線状及び環状エーテル、例えばジ
メトキシエタン、テトラヒドロフラン等;炭化水素、例
えばヘキサン、はフラン、シクロヘキサン等;エステル
、例えば酢酸エチル、ギ酸メチル等;スルホキシド9、
例えばジメチルスルホキシド等;環状及び線状アミド、
例えばジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドン、
N、N−ジメチルアセトアミド等;及びケトン、例えば
アセトン等がある。
ばクロロメタン等;芳香族系溶剤、例えばトルエン、キ
シレン、インゼン等;線状及び環状エーテル、例えばジ
メトキシエタン、テトラヒドロフラン等;炭化水素、例
えばヘキサン、はフラン、シクロヘキサン等;エステル
、例えば酢酸エチル、ギ酸メチル等;スルホキシド9、
例えばジメチルスルホキシド等;環状及び線状アミド、
例えばジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドン、
N、N−ジメチルアセトアミド等;及びケトン、例えば
アセトン等がある。
本発明の一方の溶液は第三の本質的成分を含むが、それ
は電子y 、eント容質である。このド−パントの目
的は重合体なドープ処理し、重合体を溶液としても、ま
たその溶液から誘導される固体製品としても導電性にす
ることである。一般に、このような溶質は1合体に添加
されると重合体を同時参加性の不均化により中性及びア
ニオン性の両ドーパント溶質種にイオン化させる化合物
から誘導される。本発明の実施において使用するための
ドーパントは広範囲にわたって変えることができ、そし
て例えは米国特許第4442.187号及び同第432
L1)4号に詳細に記載されるもののような、導電性又
は半導体重合体を形成するために主鎖が共役構造の重合
体をドーピングする際に使用するのにこの技術分野で公
知となっているそのような物質であることができる。上
記米国特許も本発明に引用、参照するものとする。この
ような有用なドープぞントは電子供与体ドープセント及
び電子受容体ド−パントであることができる。有用な電
子受容体ド−パントな例示すると、工2、AsF %A
JCI13、No 塩及びNO2塩(例えば、N0Br
4、N0PF’6、N08bF6、NOA s F s
、N0CH3S03、N02Bl’、、No2PF’、
、No□Asl’6、No2SbF6及びNO□CF3
5O3)、HCl04、)(No 3、H2SO4、p
−)ルエンスルホン酸(TsOH) 、過酸化ヘンジイ
ル、CH3S03f(、81)3、Br2、(F’5O
3) 2、FSO3kl。
は電子y 、eント容質である。このド−パントの目
的は重合体なドープ処理し、重合体を溶液としても、ま
たその溶液から誘導される固体製品としても導電性にす
ることである。一般に、このような溶質は1合体に添加
されると重合体を同時参加性の不均化により中性及びア
ニオン性の両ドーパント溶質種にイオン化させる化合物
から誘導される。本発明の実施において使用するための
ドーパントは広範囲にわたって変えることができ、そし
て例えは米国特許第4442.187号及び同第432
L1)4号に詳細に記載されるもののような、導電性又
は半導体重合体を形成するために主鎖が共役構造の重合
体をドーピングする際に使用するのにこの技術分野で公
知となっているそのような物質であることができる。上
記米国特許も本発明に引用、参照するものとする。この
ような有用なドープぞントは電子供与体ドープセント及
び電子受容体ド−パントであることができる。有用な電
子受容体ド−パントな例示すると、工2、AsF %A
JCI13、No 塩及びNO2塩(例えば、N0Br
4、N0PF’6、N08bF6、NOA s F s
、N0CH3S03、N02Bl’、、No2PF’、
、No□Asl’6、No2SbF6及びNO□CF3
5O3)、HCl04、)(No 3、H2SO4、p
−)ルエンスルホン酸(TsOH) 、過酸化ヘンジイ
ル、CH3S03f(、81)3、Br2、(F’5O
3) 2、FSO3kl。
Fe(ClO4)a、FeC1a、Fe (OTs )
3及びE’5(CH3S03)3であり、これらはド
ーパント溶質、例えば工、″″、NO3−1BII’4
−1PF、−1As k e−1SbF6−1CF’3
SO3″″、ClO4″″、−0Ts、 bOa−1
c6a5co□−1Br a ”’、CH3S03−及
びF e (/l 4−を含有するドープ処理重合体を
もたらす。他の有用な電子受容体ド−パントにLiCI
O4、LiBF4、Li A e F’ a、NaPF
’ 6、Bu、NCl0.、Bu 4 N0Ts、Bu
4NCF3SO3、LiCF3SO3、Ag0Tθ 等
のような電解質塩がある。これらは、電気化学電池の陽
極における単独重合体又は共重合体の電気化学的酸化で
その重合体をド−プ処理するために適当な溶剤に溶解し
て使用することができる。
3及びE’5(CH3S03)3であり、これらはド
ーパント溶質、例えば工、″″、NO3−1BII’4
−1PF、−1As k e−1SbF6−1CF’3
SO3″″、ClO4″″、−0Ts、 bOa−1
c6a5co□−1Br a ”’、CH3S03−及
びF e (/l 4−を含有するドープ処理重合体を
もたらす。他の有用な電子受容体ド−パントにLiCI
O4、LiBF4、Li A e F’ a、NaPF
’ 6、Bu、NCl0.、Bu 4 N0Ts、Bu
4NCF3SO3、LiCF3SO3、Ag0Tθ 等
のような電解質塩がある。これらは、電気化学電池の陽
極における単独重合体又は共重合体の電気化学的酸化で
その重合体をド−プ処理するために適当な溶剤に溶解し
て使用することができる。
有用な電子供与体ドーノミントも大幅に変えることがで
き、これには米国特許第4321)14号及び同第44
42.187号に詳細に記載されるものがある。適当な
電子供与体ドーパントの実例はアルカリ金属(Ll、N
a、 K%Rb及びCo)ナフタリト9及びペンゾフエ
ノンケテル(benzophenonsketyx)の
テトラ−アルキルアンモニウム堝である。
き、これには米国特許第4321)14号及び同第44
42.187号に詳細に記載されるものがある。適当な
電子供与体ドーパントの実例はアルカリ金属(Ll、N
a、 K%Rb及びCo)ナフタリト9及びペンゾフエ
ノンケテル(benzophenonsketyx)の
テトラ−アルキルアンモニウム堝である。
電子受容体ドーパントが本発明の実施において使用する
のに好ましい。いかなる理論でもしばりたいとは思わな
いが、電子受容体ドーパントでドープ処理された重合体
より構成される固体製品は空気に対して一層安定である
と考えられる。本発明の実施において使用するのに特に
好ましい本のは次のト―パント溶質:工、−1CF3S
O3−1Of(3SO3−1℃′″ T2O−1Fe(
J’−1SbF’6−1Pli’6−1BF’4−1c
go4−及びPhCO2−を含有するド−プ処理1合体
をもたらす電子受容体ドーパントである。
のに好ましい。いかなる理論でもしばりたいとは思わな
いが、電子受容体ドーパントでドープ処理された重合体
より構成される固体製品は空気に対して一層安定である
と考えられる。本発明の実施において使用するのに特に
好ましい本のは次のト―パント溶質:工、−1CF3S
O3−1Of(3SO3−1℃′″ T2O−1Fe(
J’−1SbF’6−1Pli’6−1BF’4−1c
go4−及びPhCO2−を含有するド−プ処理1合体
をもたらす電子受容体ドーパントである。
中性の共重合体又は単独重合体及び有機溶剤を含有する
本発明の溶液、並びにドープ処理重合体及び有機溶剤を
含有する本発明のもう1つの溶液における1合体と溶剤
の割合は臨界的ではなく、大幅に変えることができる。
本発明の溶液、並びにドープ処理重合体及び有機溶剤を
含有する本発明のもう1つの溶液における1合体と溶剤
の割合は臨界的ではなく、大幅に変えることができる。
しかし、その指針が本発明において特に有用な溶液を得
るのに重要であると考えられる。液体としての量はそれ
がいかなる量であってもド−プ処理又は未ド−プ処理重
合体と少なくとも粘稠なゲルを形成するから、一般に、
溶液量に対する割合としての溶剤量が臨界的なものであ
るとは考えられない。本発明のこれらの粘稠溶液の態様
は導電性回路のスクリーン印刷用及び支持体に対する厚
いフィルム被優の塗布用に特に有用である。他の用途に
はしかしながらそのゲル又は溶液の粘度をゲル又は溶液
がかなシ短時間で、例えば30分以下で容器の形状又は
金型と一致するように少なくとも十分に流動する点まで
下げるのに十分な液体溶剤を用いるのが好ましい。好ま
しくは、溶剤は溶液の粘度を約2000センチボイズ以
下、更に好ましくは約1〜約1000センチポイズまで
下げるのに十分な量で存在する。
るのに重要であると考えられる。液体としての量はそれ
がいかなる量であってもド−プ処理又は未ド−プ処理重
合体と少なくとも粘稠なゲルを形成するから、一般に、
溶液量に対する割合としての溶剤量が臨界的なものであ
るとは考えられない。本発明のこれらの粘稠溶液の態様
は導電性回路のスクリーン印刷用及び支持体に対する厚
いフィルム被優の塗布用に特に有用である。他の用途に
はしかしながらそのゲル又は溶液の粘度をゲル又は溶液
がかなシ短時間で、例えば30分以下で容器の形状又は
金型と一致するように少なくとも十分に流動する点まで
下げるのに十分な液体溶剤を用いるのが好ましい。好ま
しくは、溶剤は溶液の粘度を約2000センチボイズ以
下、更に好ましくは約1〜約1000センチポイズまで
下げるのに十分な量で存在する。
ドープ処理単独重合体又は共重合体の溶液中で用いられ
るド−ノソント景も臨界的だとは考えられず、大幅に変
えることができる。一般に、ドーパントの使用量は半導
体又は導電体であるドープ処理重合体(固体形又は溶液
の双方)を与えるのに十分な量でおる。一般に、ドーパ
ントの使用量は導を率が(溶液又は固体形のいずれであ
っても)約10 オーム ・鋼 に等しいか、それより
大きいド−プ処理重合体を与えるのに少なくとも十分な
量である。上限導電率は臨界的ではないが、通常は達成
可能の最大導電率が七゛れに当てられる。
るド−ノソント景も臨界的だとは考えられず、大幅に変
えることができる。一般に、ドーパントの使用量は半導
体又は導電体であるドープ処理重合体(固体形又は溶液
の双方)を与えるのに十分な量でおる。一般に、ドーパ
ントの使用量は導を率が(溶液又は固体形のいずれであ
っても)約10 オーム ・鋼 に等しいか、それより
大きいド−プ処理重合体を与えるのに少なくとも十分な
量である。上限導電率は臨界的ではないが、通常は達成
可能の最大導電率が七゛れに当てられる。
本発明の好ましい態様において、ドーパントの使用量は
導電率が約10 オーム ・口 に等しいか、それよジ
大きいドープ処理1合体を与えるのに少なくとも十分な
量であり、そして特に好ましい態様においては、導電率
が約10 オーム 。
導電率が約10 オーム ・口 に等しいか、それよジ
大きいドープ処理1合体を与えるのに少なくとも十分な
量であり、そして特に好ましい態様においては、導電率
が約10 オーム 。
備−1に等しいか、それより大きいド−プ処理重合体を
与えるのに少なくとも十分な量である。これらの特に好
ましい態様の内でも、ド−パントの量が導電率約10
オーム ・cm 又はそれ以上のド−プ処理1合体を
形成するのに少なくとも十分な量でおる本発明の態様が
盾も好ましい。
与えるのに少なくとも十分な量である。これらの特に好
ましい態様の内でも、ド−パントの量が導電率約10
オーム ・cm 又はそれ以上のド−プ処理1合体を
形成するのに少なくとも十分な量でおる本発明の態様が
盾も好ましい。
適用できるならばどれであっても、本質的成分である共
重合体若しくは単独重合体、ドーパント及び溶剤、又は
共重合体若しくは単独重合体及び溶剤に加えて、本発明
の溶液はその溶液に溶解し、又は溶解しない他の任意の
成分を含んでいることができる。このような任意成分の
性状は大幅に変えることができ、そしてこれにli重合
体製品に含めるものとして当業者に知られる物質がある
。溶解可能の成分の場合、溶液又は最後にその溶液から
キャスティングされた製品の物理的又は機械的性質を変
えるような物質が存在することができる。
重合体若しくは単独重合体、ドーパント及び溶剤、又は
共重合体若しくは単独重合体及び溶剤に加えて、本発明
の溶液はその溶液に溶解し、又は溶解しない他の任意の
成分を含んでいることができる。このような任意成分の
性状は大幅に変えることができ、そしてこれにli重合
体製品に含めるものとして当業者に知られる物質がある
。溶解可能の成分の場合、溶液又は最後にその溶液から
キャスティングされた製品の物理的又は機械的性質を変
えるような物質が存在することができる。
このような物質の例に他の通常の重合体、例えばポリア
クリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレンオ
キシト、ホリステレン、ナイロン、セルロースアセテー
トフチレート、酢酸セルロース、ポリフェニレンオキシ
ド及び同様の重合体がある。非可溶性の第四成分の場合
、溶液からの導電性重合体のキャスト用支持体を形成し
、又は充てんする物質が存在することができる。これら
の第四成分には他の導電性1合体、ポリアセチレンのよ
りなド−ピングすると導電性になる他の重合体、グラフ
ァイト、金属導体、強化用繊維及び不活性光てん材(例
えは、クレー及びガラス)がある。
クリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレンオ
キシト、ホリステレン、ナイロン、セルロースアセテー
トフチレート、酢酸セルロース、ポリフェニレンオキシ
ド及び同様の重合体がある。非可溶性の第四成分の場合
、溶液からの導電性重合体のキャスト用支持体を形成し
、又は充てんする物質が存在することができる。これら
の第四成分には他の導電性1合体、ポリアセチレンのよ
りなド−ピングすると導電性になる他の重合体、グラフ
ァイト、金属導体、強化用繊維及び不活性光てん材(例
えは、クレー及びガラス)がある。
本発明の溶液を形成する方法は重要でなく、大幅に変え
ることができる。例えば、ドープ処理単独重合体又は共
重合体を含有する本発明の溶液を形成する1つの好まし
い方法は1合体、ド−パント及び液体としての溶剤を同
時に反応させる方法である。かくして、例えば、固体粉
末としてのポリ(3−エチルチオフェン)、液体として
のトルエン及び固体としてのヨー素を混合容器に導入す
ることによって、ドープ処理重合体の溶液が速やかに形
成され、この溶液から導電性重合体をキャスト成形する
ことができる。このような混合の条件は、十分量のヨー
素を用いて所望量の重合体をド−プ処理し、かつ十分量
の溶剤を用いて溶液の粘度を操作可能のレベルまで下げ
る限りで重要なものではない。ドープ処理重合体を含有
する本発明の溶液を調製する別の方法はまず重合体と溶
剤を混合し−この混合で両成分は均質な溶液を形成する
か、又はほとんど決っていないが選択した溶剤に応じて
2相系のままとなっているー、次いでその溶液又は2相
系にドーパントを添加する方法である。かくして、例え
ば、ポリ(3−(n−ブチル)チオフェン)粉末をアセ
トニトリル溶剤と混合する場合、粉末は正常条件下では
長期間にわたって溶剤中にそのままになっている、すな
わち懸濁している。この懸濁液にヨー素のようなドーパ
ントを添加すると、粉末はドープ処理され、そのドープ
処理重合体は次いでほとんど瞬間的に溶液になる。同様
に、ポリ(3−(n−ブチル)チオフェン)はトルエン
又はニトロプロパンに添加することができ、ヨー素のよ
うなドーノぐント!添加することができる溶液を形成す
る。ドープ処理単独重合体又は共重合体を含有する本発
明の溶液を形成する第二の別法は溶剤の一部からドーパ
ント溶質を形成する方法であり、その場合重合体の溶質
が存在していてもよいし、あるいは続いて重合体の溶質
を添加してもよい。かくして、例えばポリ(3−(n−
ブチル)チオフェン)をCF3SO3Hのような溶剤に
添加すると、CF3SO3−でド−プ処理された重合体
の溶液が生成する。ドープ処理1合体?含有する溶液を
形成する更に他の方法は目的1合体に対応する単量体又
は単量体類(目的の単独電合体又は共重合体が可溶の溶
剤に溶解されている)を強ルイスドーパント、例えばA
s F s、Fθcllso+塩及びNO□ 塩で処理
してドープ処3% 塊重合体の溶液を形成するか、又は単量体若しくは単量
体混合物を溶剤/電解質系中での陽極酸化/重合に付し
て直接溶液としてのドープ処理重合体を形成する方法で
ある。
ることができる。例えば、ドープ処理単独重合体又は共
重合体を含有する本発明の溶液を形成する1つの好まし
い方法は1合体、ド−パント及び液体としての溶剤を同
時に反応させる方法である。かくして、例えば、固体粉
末としてのポリ(3−エチルチオフェン)、液体として
のトルエン及び固体としてのヨー素を混合容器に導入す
ることによって、ドープ処理重合体の溶液が速やかに形
成され、この溶液から導電性重合体をキャスト成形する
ことができる。このような混合の条件は、十分量のヨー
素を用いて所望量の重合体をド−プ処理し、かつ十分量
の溶剤を用いて溶液の粘度を操作可能のレベルまで下げ
る限りで重要なものではない。ドープ処理重合体を含有
する本発明の溶液を調製する別の方法はまず重合体と溶
剤を混合し−この混合で両成分は均質な溶液を形成する
か、又はほとんど決っていないが選択した溶剤に応じて
2相系のままとなっているー、次いでその溶液又は2相
系にドーパントを添加する方法である。かくして、例え
ば、ポリ(3−(n−ブチル)チオフェン)粉末をアセ
トニトリル溶剤と混合する場合、粉末は正常条件下では
長期間にわたって溶剤中にそのままになっている、すな
わち懸濁している。この懸濁液にヨー素のようなドーパ
ントを添加すると、粉末はドープ処理され、そのドープ
処理重合体は次いでほとんど瞬間的に溶液になる。同様
に、ポリ(3−(n−ブチル)チオフェン)はトルエン
又はニトロプロパンに添加することができ、ヨー素のよ
うなドーノぐント!添加することができる溶液を形成す
る。ドープ処理単独重合体又は共重合体を含有する本発
明の溶液を形成する第二の別法は溶剤の一部からドーパ
ント溶質を形成する方法であり、その場合重合体の溶質
が存在していてもよいし、あるいは続いて重合体の溶質
を添加してもよい。かくして、例えばポリ(3−(n−
ブチル)チオフェン)をCF3SO3Hのような溶剤に
添加すると、CF3SO3−でド−プ処理された重合体
の溶液が生成する。ドープ処理1合体?含有する溶液を
形成する更に他の方法は目的1合体に対応する単量体又
は単量体類(目的の単独電合体又は共重合体が可溶の溶
剤に溶解されている)を強ルイスドーパント、例えばA
s F s、Fθcllso+塩及びNO□ 塩で処理
してドープ処3% 塊重合体の溶液を形成するか、又は単量体若しくは単量
体混合物を溶剤/電解質系中での陽極酸化/重合に付し
て直接溶液としてのドープ処理重合体を形成する方法で
ある。
中性重合体を含有する本発明の溶液は単に重合体を重合
体可溶性の溶剤に溶解することによって調製することが
できる。例えば、ポリ(3−(n−ブチル)チオフェン
)の溶液は単に所望とされる量の重合体を重合体可溶性
の溶剤、例えばトルエン又はニトロプロノぐンに添加す
ることによって都合よく調製することができる。
体可溶性の溶剤に溶解することによって調製することが
できる。例えば、ポリ(3−(n−ブチル)チオフェン
)の溶液は単に所望とされる量の重合体を重合体可溶性
の溶剤、例えばトルエン又はニトロプロノぐンに添加す
ることによって都合よく調製することができる。
本発明の溶液を使用する方法として色々のものが意図さ
れている。まず、導電性のドープ処理重合体及び中性重
合体の両者の溶液に関しては、溶液から溶剤を除去して
共重合体又は単独1合体を固化させることが意図されて
いる。ドープ処理重合体の場合、過剰量のドーパント前
駆体は、もし存在するならば、所望とされる適当な従来
法で溶液から除去することができる。溶剤は常用の溶剤
除去を用いて溶液から除去することができるが、蒸発で
除去するのが好ましい。別法として、溶剤とドーパント
前駆物質はそnらがドープ処理重合体より実質的に可溶
性である抽出剤で抽出することによっても除去すること
ができる。
れている。まず、導電性のドープ処理重合体及び中性重
合体の両者の溶液に関しては、溶液から溶剤を除去して
共重合体又は単独1合体を固化させることが意図されて
いる。ドープ処理重合体の場合、過剰量のドーパント前
駆体は、もし存在するならば、所望とされる適当な従来
法で溶液から除去することができる。溶剤は常用の溶剤
除去を用いて溶液から除去することができるが、蒸発で
除去するのが好ましい。別法として、溶剤とドーパント
前駆物質はそnらがドープ処理重合体より実質的に可溶
性である抽出剤で抽出することによっても除去すること
ができる。
重合体の加工分野の自業者なら分かる通り、溶液から溶
剤を除去して重合体製品を形成できるこの能力は広範囲
の形状と大きさケ持つ製品の製造を可能にする。かくし
て、例えば、ある表面に広げられた本発明の溶液から揮
発物金除去することによって任意、所望の厚さを持つフ
ィルムを製造することができる。また、この溶液をグイ
から押し出すことによって繊維又はフィルムを作ること
もできる。同様に、様々の形状を持つ金型に入っている
溶液から揮発物を除去することによって、金型と形状が
一致する成形製品を製造することができる。溶液がその
最後の流動状態から最終製品に移行する間に若干の収縮
が生ずるかもしれないことは分かると思うが、このよう
な収縮は溶液から重合体を成形する際に通常考慮されて
いるものである。本発明はまた、溶液を一旦形成してか
ら、溶剤の部分的除去又は実質的な除去ケある表面又は
金型に溶液を置く前に行い、最終的な溶剤の排出tその
表面又は金型中で行う態様も意図するものである。また
、第四の又は追加の可溶性成分な溶液に導入する場合、
それら成分がもし揮発性でないならば、それらも成形製
品中に存在する態様も意図されている。第四成分が不揮
発性の液体であると、揮発性成分の除去でド−プ処理導
電性重合体又は未ド−プ処理中性重合体の新しい液体又
は可塑化された状態のものが模ることくなる。追加成分
が揮発性であると、その重合体の発泡体が形成されるこ
とがある。
剤を除去して重合体製品を形成できるこの能力は広範囲
の形状と大きさケ持つ製品の製造を可能にする。かくし
て、例えば、ある表面に広げられた本発明の溶液から揮
発物金除去することによって任意、所望の厚さを持つフ
ィルムを製造することができる。また、この溶液をグイ
から押し出すことによって繊維又はフィルムを作ること
もできる。同様に、様々の形状を持つ金型に入っている
溶液から揮発物を除去することによって、金型と形状が
一致する成形製品を製造することができる。溶液がその
最後の流動状態から最終製品に移行する間に若干の収縮
が生ずるかもしれないことは分かると思うが、このよう
な収縮は溶液から重合体を成形する際に通常考慮されて
いるものである。本発明はまた、溶液を一旦形成してか
ら、溶剤の部分的除去又は実質的な除去ケある表面又は
金型に溶液を置く前に行い、最終的な溶剤の排出tその
表面又は金型中で行う態様も意図するものである。また
、第四の又は追加の可溶性成分な溶液に導入する場合、
それら成分がもし揮発性でないならば、それらも成形製
品中に存在する態様も意図されている。第四成分が不揮
発性の液体であると、揮発性成分の除去でド−プ処理導
電性重合体又は未ド−プ処理中性重合体の新しい液体又
は可塑化された状態のものが模ることくなる。追加成分
が揮発性であると、その重合体の発泡体が形成されるこ
とがある。
溶液がドープ処理重合体!含有する本発明の態様におい
て、導電性又は半導体性製品は溶剤が除去されると形成
される。しかし、溶液が中性重合体な含有している本発
明の態様においては、製品を導電性又は半導体性にする
には得られた製品!適当なドーパントと接触はせなけれ
ばならない。
て、導電性又は半導体性製品は溶剤が除去されると形成
される。しかし、溶液が中性重合体な含有している本発
明の態様においては、製品を導電性又は半導体性にする
には得られた製品!適当なドーパントと接触はせなけれ
ばならない。
例えば、中性のポリ(3−(n−ブチル)チオフェン)
の溶液はこの重合体を溶剤、例えはテトラヒドロフラン
、トルエン又はニトロプロパンに溶解することによって
調製することができる。溶剤W溶液から除去すれば、中
性重合体から構成される製品を形成することができる。
の溶液はこの重合体を溶剤、例えはテトラヒドロフラン
、トルエン又はニトロプロパンに溶解することによって
調製することができる。溶剤W溶液から除去すれば、中
性重合体から構成される製品を形成することができる。
その後、重合体製品を、中性ドープ処理重合体が溶解し
ない溶剤に溶解せしめた、例えばヨー素又はニトロンニ
ウム塩のような適当な電子受容体ド−パントに、重合体
製品を所望とされる程度までドープ処理するのに十分な
時間暴露する。重合体の上限導電率は臨界的でなく、通
常達成可能の最大導電率が上限とされる。一般に、重合
体は導電率が10 オーム ・謂 に等しくなるかそれ
よシ大きくなるまでドープ処理される。本発明の好まし
い態様において、ド−ピングは重合体の導電率が約10
オーム ・画 に等しくなるか、それより大きくなる
まで行われ、そして特に好ましい態様においては、ド−
ピングは導電率が約10 オーム ・備に等しくなるか
、それより大きくなるまで続けられる。最も好ましい態
様において、ドーピングは約10 オーム ・譚 又は
それ以上の導電率が得られるまで続けられる。
ない溶剤に溶解せしめた、例えばヨー素又はニトロンニ
ウム塩のような適当な電子受容体ド−パントに、重合体
製品を所望とされる程度までドープ処理するのに十分な
時間暴露する。重合体の上限導電率は臨界的でなく、通
常達成可能の最大導電率が上限とされる。一般に、重合
体は導電率が10 オーム ・謂 に等しくなるかそれ
よシ大きくなるまでドープ処理される。本発明の好まし
い態様において、ド−ピングは重合体の導電率が約10
オーム ・画 に等しくなるか、それより大きくなる
まで行われ、そして特に好ましい態様においては、ド−
ピングは導電率が約10 オーム ・備に等しくなるか
、それより大きくなるまで続けられる。最も好ましい態
様において、ドーピングは約10 オーム ・譚 又は
それ以上の導電率が得られるまで続けられる。
溶液中に第四の、すなわち追加の不溶性成分が存在(す
なわち、懸濁)している場合、ドープ処理重合体はその
不溶性物質のまわりに生成する、すなわちドープ処理重
合体は不溶性物質で充填される。例えは、追加成分がガ
ラス繊維である場合、傅っているfIl、#とド−プ処
理1合体の相対量に応じて、重合体な繊維で充填させる
か、繊維を重合体で含浸させるか、あるいは繊維とドー
プ処理重合体のある中間複合体を形成させる。不溶性成
分の量が侵っているドープ処理重合体よシ著しく多い系
の場合、ドープ処理1合体で被覆又は含浸式れた不溶性
成分の個々ばらばらの粒子又は形状のものができる。不
溶性成分と本発明の重合体溶液から形成した製品の例に
敏感な電子装置(マイクロプロセッサ−)用の導電性重
合体被覆ハウジング、赤外線及びマイクロ波吸収シール
ド、可撓性の導電性コネクタ、導電性のベアリング及び
ブラシ、並びに半導体性光導電体ジャンクションがある
。
なわち、懸濁)している場合、ドープ処理重合体はその
不溶性物質のまわりに生成する、すなわちドープ処理重
合体は不溶性物質で充填される。例えは、追加成分がガ
ラス繊維である場合、傅っているfIl、#とド−プ処
理1合体の相対量に応じて、重合体な繊維で充填させる
か、繊維を重合体で含浸させるか、あるいは繊維とドー
プ処理重合体のある中間複合体を形成させる。不溶性成
分の量が侵っているドープ処理重合体よシ著しく多い系
の場合、ドープ処理1合体で被覆又は含浸式れた不溶性
成分の個々ばらばらの粒子又は形状のものができる。不
溶性成分と本発明の重合体溶液から形成した製品の例に
敏感な電子装置(マイクロプロセッサ−)用の導電性重
合体被覆ハウジング、赤外線及びマイクロ波吸収シール
ド、可撓性の導電性コネクタ、導電性のベアリング及び
ブラシ、並びに半導体性光導電体ジャンクションがある
。
本発明はまた、本発明の溶液ンそのまま液体導体又は液
体半導体のいずれかとして、液体水銀!様々の装置に用
いる正にそのような方法で用いることも意図する。この
ような装置の例に、重力スィツテ、流体レベル検出装置
又はその他の電気的若しくは電子的スイッチがある。こ
のような用途はドープ処理溶液の導電性に基づくもので
あって、その導電率はトルエン中でヨー素でドープ処理
さレタポリ(3−ブチルチオフェン)の場合、比較的高
く(約10〜約10 オーム ・口 )、これはイオン
性のものではなくて主として電子性のものであると思わ
れる。
体半導体のいずれかとして、液体水銀!様々の装置に用
いる正にそのような方法で用いることも意図する。この
ような装置の例に、重力スィツテ、流体レベル検出装置
又はその他の電気的若しくは電子的スイッチがある。こ
のような用途はドープ処理溶液の導電性に基づくもので
あって、その導電率はトルエン中でヨー素でドープ処理
さレタポリ(3−ブチルチオフェン)の場合、比較的高
く(約10〜約10 オーム ・口 )、これはイオン
性のものではなくて主として電子性のものであると思わ
れる。
本発明の重合体溶液の第四の適用例は他の物質、特に電
子受容体ドー、eント単独でドープ処理することもでき
ると思われる他の主鎖が共役構造の重合体のドーピング
処理の場合である。このようなドーピングは1合体溶液
!第二の重合体製品の上にキャスティングするプロセス
の一部として行うことができるが、必ずそうする必要は
なく、溶液から導電性“重合体!キャスティングするこ
となしでも達成することができる。
子受容体ドー、eント単独でドープ処理することもでき
ると思われる他の主鎖が共役構造の重合体のドーピング
処理の場合である。このようなドーピングは1合体溶液
!第二の重合体製品の上にキャスティングするプロセス
の一部として行うことができるが、必ずそうする必要は
なく、溶液から導電性“重合体!キャスティングするこ
となしでも達成することができる。
次の実施例は本発明ン例証するために示すもので、本発
明ン限定するものと解してはならない。
明ン限定するものと解してはならない。
フェン)の製造
A、l拌されている3−ブチルチオフェン(5,6g)
のジクロロメタン(25mJ)中溶液に細かいヨー素粉
末(10,169)Y一度に全部室温で加えた。
のジクロロメタン(25mJ)中溶液に細かいヨー素粉
末(10,169)Y一度に全部室温で加えた。
製画tR(3,36d)の水(336ゴ)溶液をジクロ
ロメタンのおだやかな還流が維持されるような速度で滴
下した。3時間以上還流した後、有機層7分離し、水(
2X50mAり、チオ硫酸ナトリウム溶液(IX50m
/)で連続的に洗浄し、無水硫酸ナトリウム上で乾燥し
、そして乾燥溶液を更に蒸発嘔せて粗生成物を得、これ
lペンタン!溶離剤としだカラムクロマトグラフィー(
シリカ)で精製して純粋の2.5−ショート−3−ブチ
ルチオフェン(1),89)’&得た。
ロメタンのおだやかな還流が維持されるような速度で滴
下した。3時間以上還流した後、有機層7分離し、水(
2X50mAり、チオ硫酸ナトリウム溶液(IX50m
/)で連続的に洗浄し、無水硫酸ナトリウム上で乾燥し
、そして乾燥溶液を更に蒸発嘔せて粗生成物を得、これ
lペンタン!溶離剤としだカラムクロマトグラフィー(
シリカ)で精製して純粋の2.5−ショート−3−ブチ
ルチオフェン(1),89)’&得た。
B、工程Aのごとくして製造した2、5−ショート−3
−n−ブチルチオ7xン(3,929,0,01モル)
の撹拌されている乾燥THI’(2oy)中溶液に室温
、窒素下でマグネシウム削り屑(0,2439゜0.0
1モル)ン加えた。混合物ンー夜おだやかに還流させた
後、ジクロロ[L3−ビス(ジフェニルホスフィノ)フ
ロパンクニッケル(1)) (0,159’)l重合触
媒として一度に全部加えた。混合物を一夜還流させてか
ら濾過して細かい沈殿l除去した。
−n−ブチルチオ7xン(3,929,0,01モル)
の撹拌されている乾燥THI’(2oy)中溶液に室温
、窒素下でマグネシウム削り屑(0,2439゜0.0
1モル)ン加えた。混合物ンー夜おだやかに還流させた
後、ジクロロ[L3−ビス(ジフェニルホスフィノ)フ
ロパンクニッケル(1)) (0,159’)l重合触
媒として一度に全部加えた。混合物を一夜還流させてか
ら濾過して細かい沈殿l除去した。
F液!蒸発嘔せて粗生成物を得、これを次にエタノール
でソックスレー積出した。重合体を溶離剤としてCH2
(J2(0,89)を使用して短かいカラム(シリカ)
を通して更に精製した。
でソックスレー積出した。重合体を溶離剤としてCH2
(J2(0,89)を使用して短かいカラム(シリカ)
を通して更に精製した。
C6工程Bの如くして製造したポ’) (3−n−ブチ
ルチオフェン)(0,19)の撹拌でれているジクロロ
メタン(5−)中溶液に過剰量のヨー素をジクロロメタ
ン中に言む溶液を一度に全部加えた。
ルチオフェン)(0,19)の撹拌でれているジクロロ
メタン(5−)中溶液に過剰量のヨー素をジクロロメタ
ン中に言む溶液を一度に全部加えた。
黒色の固体が直ちに沈殿した。更に5分間撹拌した後、
固体を濾過し、ニトロメタンで数回洗浄し、次いで真空
乾燥した。黒色固体をKBrダイを用いて直径7W+の
平板状ベレットにプレス成形した。
固体を濾過し、ニトロメタンで数回洗浄し、次いで真空
乾燥した。黒色固体をKBrダイを用いて直径7W+の
平板状ベレットにプレス成形した。
間隔1醪のフォア−イン−ラインプローブ(four−
in −1ine probe )を用いて導電率を測
定した。
in −1ine probe )を用いて導電率を測
定した。
外側の2つのプローブはケースレー・モデル(Keit
hley Modem) 225 の定電流源に接続
した。
hley Modem) 225 の定電流源に接続
した。
内側の2つのプローブは電圧測定用のケースレ−・モデ
ル616エレクトロメーターに接続した。
ル616エレクトロメーターに接続した。
ペレットの導電率は式δ=41・十を用いて3.16オ
ーム ・傭 と計算てれた。但し、@d”は試料の厚さ
く0.09cyt)であり、呵”は両性側プローブを通
過する定電流(1mA)であり、”V”は2つの内側プ
ローブを横切る測定された電圧降下(0,7754mV
)である。
ーム ・傭 と計算てれた。但し、@d”は試料の厚さ
く0.09cyt)であり、呵”は両性側プローブを通
過する定電流(1mA)であり、”V”は2つの内側プ
ローブを横切る測定された電圧降下(0,7754mV
)である。
実施例2(比較):ヨー素ド−プ処理ポリ(3−メチル
テオフエン)の製造 実施例1の操作を用いて、ジクロロメタン(60d)に
溶解した3−メチルチオフェン(9,829)をヨー素
(25,49)と反応させて1989の45−ショート
−3−メチルチオフェンを得、その79を順次乾燥テト
ラヒドロフラン中でマグネシウムの削り屑(0,486
9)で処理し、続いてジクロロ〔L3−ビス−(ジフェ
ニルホスフィノ)−プロパン〕ニッケル([1(0,3
9)の存在下で還流させてポリ(3−メチルチオフェン
)の懸濁液を形成した。次に、ポリ(3−メチルチオフ
ェン)(0,39)の撹拌されているジクロロメタン(
15−)中懸濁液を過剰量のヨー素をジクロロメタン中
に含む溶液で処理してヨー素ドープ処理ポリ(3−メチ
ルチオフェン)を製造した。ドープ処理重合体を懸濁液
から単離し、その導電率を測定すると、2.7オーム
・備 であった。
テオフエン)の製造 実施例1の操作を用いて、ジクロロメタン(60d)に
溶解した3−メチルチオフェン(9,829)をヨー素
(25,49)と反応させて1989の45−ショート
−3−メチルチオフェンを得、その79を順次乾燥テト
ラヒドロフラン中でマグネシウムの削り屑(0,486
9)で処理し、続いてジクロロ〔L3−ビス−(ジフェ
ニルホスフィノ)−プロパン〕ニッケル([1(0,3
9)の存在下で還流させてポリ(3−メチルチオフェン
)の懸濁液を形成した。次に、ポリ(3−メチルチオフ
ェン)(0,39)の撹拌されているジクロロメタン(
15−)中懸濁液を過剰量のヨー素をジクロロメタン中
に含む溶液で処理してヨー素ドープ処理ポリ(3−メチ
ルチオフェン)を製造した。ドープ処理重合体を懸濁液
から単離し、その導電率を測定すると、2.7オーム
・備 であった。
実施例1の操作を用いて、ジクロロメタン(25d)に
溶解した3−エテルチオフェン(4,499)をヨー素
(10,169)と反応させて10.29の45−ショ
ート−3−エチルチオフェン3.649を得、これを順
次乾燥テトラヒドロフラン中でマグネシウム削シ屑(0
,2439)で処理し、続いてジクロロ〔L3−ビス−
(ジフェニルホスフィノ)−プロパン〕ニッケル(Il
l (0,259)の存在下で還流させてポリ(3−エ
テルチオフェン)に重合させた。
溶解した3−エテルチオフェン(4,499)をヨー素
(10,169)と反応させて10.29の45−ショ
ート−3−エチルチオフェン3.649を得、これを順
次乾燥テトラヒドロフラン中でマグネシウム削シ屑(0
,2439)で処理し、続いてジクロロ〔L3−ビス−
(ジフェニルホスフィノ)−プロパン〕ニッケル(Il
l (0,259)の存在下で還流させてポリ(3−エ
テルチオフェン)に重合させた。
ポリ(3−エテルチオフェン)(0,39)の撹拌され
ているジクロロメタン(20d)中溶液を過剰量のヨー
素をジクロロメタン中に含む溶液で処理してヨー素ドー
プ処理ポリ(3−エテルチオフェン)を製造した。ド−
プ処理重合体を溶液から単離し、その導電率を測定する
と、3.5オーム ・傭 であった。
ているジクロロメタン(20d)中溶液を過剰量のヨー
素をジクロロメタン中に含む溶液で処理してヨー素ドー
プ処理ポリ(3−エテルチオフェン)を製造した。ド−
プ処理重合体を溶液から単離し、その導電率を測定する
と、3.5オーム ・傭 であった。
実施例4:安定性の研究
ポリ(3−メチルチオフェン)、ポリ(3−エテルチオ
フェン)及びポリ(3−ブチルチオフェン)のヨー素ド
ープ処理導電体の相対的溶解性を測定するために多数の
実験を行った。
フェン)及びポリ(3−ブチルチオフェン)のヨー素ド
ープ処理導電体の相対的溶解性を測定するために多数の
実験を行った。
使用した操作は次の通りであった:
小さいフラスコに1gのドープ処理重合体を入れ、続い
て10dの所望とされる溶剤を室温で添加した。ドープ
処理重合体が室温で溶解しない場合、溶剤をその沸点ま
で加温し、溶解性を記録した。これらの実験結果を次の
第1表に示す。第1において次の略号が用いられている
。
て10dの所望とされる溶剤を室温で添加した。ドープ
処理重合体が室温で溶解しない場合、溶剤をその沸点ま
で加温し、溶解性を記録した。これらの実験結果を次の
第1表に示す。第1において次の略号が用いられている
。
(α) vS”は非常に可溶性である:<b) ”S
″′は可溶性である; (C1”SS”はわずかに可溶性である:(d) ′
工”は不溶性である; (gl ”重合体重”はポリ(3−(n−ブチル)チ
オフェンである: (71”重合体■”はポリ(3−エテルチオフェン)で
ある; (、q) ″′重合体■”はポリ(3−メチルチオフ
ェン)である; (h)′″−”は評価しなかったことを示す。
″′は可溶性である; (C1”SS”はわずかに可溶性である:(d) ′
工”は不溶性である; (gl ”重合体重”はポリ(3−(n−ブチル)チ
オフェンである: (71”重合体■”はポリ(3−エテルチオフェン)で
ある; (、q) ″′重合体■”はポリ(3−メチルチオフ
ェン)である; (h)′″−”は評価しなかったことを示す。
第 I 表
1合体I
I CH2Cl2 vS S2
トルエン vS SS テトラ
ヒドロフラン vs vS4 ジメチルホ
ルムアミド vS SS アセトニトリル
エ S6 ニトロメタン 工
5S−S7 ニトロプロノン SS 8 アセトン エ 工9 酢酸エ
テル SS 工10 ヘキサン
S 881) 水
工 工12 エタノール
エ エ13 プロピレンカー
ボネート エ S14 ジメトキシエタ
ン 5S15 ジメチルスルホキシド
5816 キシレン vS817
ニトロベンゼン SS S18
M−メチルピロリドン SS S19
ジメチルアセトアミド S S20
ベンゾニトリル SS重合体■
重合体■ S SS 工 工 S SS I 工S S
工 工 88 II エ エ エ エ エ SS 工 工 S S 工 工 83 I エ エ SS 工 II ss ss エ エ エ エ エ エ エ エ エ エ ss ss ss ssS 8
8 I 工S SS −
− vS S エ エ ss ss s sss ss
s sS−− SS−− ポリ(3−ブチルチオフェン)及びポリ(″6−ニチル
テオフエン)のヨー素ドープ処理導電性コンプレックス
はテトラヒドロフラン、トルエン。
トルエン vS SS テトラ
ヒドロフラン vs vS4 ジメチルホ
ルムアミド vS SS アセトニトリル
エ S6 ニトロメタン 工
5S−S7 ニトロプロノン SS 8 アセトン エ 工9 酢酸エ
テル SS 工10 ヘキサン
S 881) 水
工 工12 エタノール
エ エ13 プロピレンカー
ボネート エ S14 ジメトキシエタ
ン 5S15 ジメチルスルホキシド
5816 キシレン vS817
ニトロベンゼン SS S18
M−メチルピロリドン SS S19
ジメチルアセトアミド S S20
ベンゾニトリル SS重合体■
重合体■ S SS 工 工 S SS I 工S S
工 工 88 II エ エ エ エ エ SS 工 工 S S 工 工 83 I エ エ SS 工 II ss ss エ エ エ エ エ エ エ エ エ エ ss ss ss ssS 8
8 I 工S SS −
− vS S エ エ ss ss s sss ss
s sS−− SS−− ポリ(3−ブチルチオフェン)及びポリ(″6−ニチル
テオフエン)のヨー素ドープ処理導電性コンプレックス
はテトラヒドロフラン、トルエン。
CH2(J2.ニトロプロパン、ニトロメタン、フロピ
レンカーボネート、ニトロベンゼン、キシレン、ジメト
キシエタン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトア
ミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリドン及
びベンゾニトリルに室温で可溶性であることが見い出さ
れ、この溶液から導電体が再キャストすることができ比
。ヨー素ドープ処理ポリ(3−メチルチオフェン)は室
温で全ての溶剤に不溶性であることが見い出されたが、
ニトロベンゼン及びN−メチルピロリドンに昇温下で溶
解し、その溶液から(冷却すると)導電体が再キャスト
された。
レンカーボネート、ニトロベンゼン、キシレン、ジメト
キシエタン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトア
ミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリドン及
びベンゾニトリルに室温で可溶性であることが見い出さ
れ、この溶液から導電体が再キャストすることができ比
。ヨー素ドープ処理ポリ(3−メチルチオフェン)は室
温で全ての溶剤に不溶性であることが見い出されたが、
ニトロベンゼン及びN−メチルピロリドンに昇温下で溶
解し、その溶液から(冷却すると)導電体が再キャスト
された。
実施例5:安定性の研究
ポリ(3−メチルチオフェン)、ポリ(3−エテルチオ
フェン)及びポリ(3−ブチルチオフェン)のヨー素ド
ープ処理コンプレックスの相対的な安定性を、それらド
ープ処理重合体を動的真空(lynamic vacu
um) に24時間付し、そして重合体の導電率を測
定することによって求めた。これらの実験結果は、ヨー
素ドープ処理コンプレックスの相対的安定性はn−グチ
ル〉エチル〉メチルの順序に従うことを示した。ブチル
誘導体は重量減がなく、その導電率も不変であった。エ
テル銹導体には中程度の重量減があり、また導電率は2
0%だけ低下した。これらに対してメチル誘導体はその
ヨー素ドーノントと導電率(く10 オーム ・口 )
をほとんど全部失った。
フェン)及びポリ(3−ブチルチオフェン)のヨー素ド
ープ処理コンプレックスの相対的な安定性を、それらド
ープ処理重合体を動的真空(lynamic vacu
um) に24時間付し、そして重合体の導電率を測
定することによって求めた。これらの実験結果は、ヨー
素ドープ処理コンプレックスの相対的安定性はn−グチ
ル〉エチル〉メチルの順序に従うことを示した。ブチル
誘導体は重量減がなく、その導電率も不変であった。エ
テル銹導体には中程度の重量減があり、また導電率は2
0%だけ低下した。これらに対してメチル誘導体はその
ヨー素ドーノントと導電率(く10 オーム ・口 )
をほとんど全部失った。
実施例6:ポリ(3−メチルチオ)チオフェンの製造
A、撹拌されている3−ブロモチオフェン(3,269
,0,02モル)の乾燥エーテル(50m/)中溶液に
一78℃(N2)で1当量のn−ブチルリチウムを滴下
し念。−78℃で1時間撹拌後、硫黄粉末(0,649
,0,02モル)を一度に全部加えた。
,0,02モル)の乾燥エーテル(50m/)中溶液に
一78℃(N2)で1当量のn−ブチルリチウムを滴下
し念。−78℃で1時間撹拌後、硫黄粉末(0,649
,0,02モル)を一度に全部加えた。
更に0.5時間撹拌後、混合物をottで加温し、そし
て過剰量のヨー化メチル(2d)を滴下し次。
て過剰量のヨー化メチル(2d)を滴下し次。
混合物を室温で0.5時間撹拌し、次いで水で急冷した
。有機層を水(2X100m/)で洗浄し、無水の硫酸
す) リウム上で乾燥し、蒸発させ、減圧蒸留(76〜
82℃)して純粋の3−メチルチオフェン(1,829
)を得た。
。有機層を水(2X100m/)で洗浄し、無水の硫酸
す) リウム上で乾燥し、蒸発させ、減圧蒸留(76〜
82℃)して純粋の3−メチルチオフェン(1,829
)を得た。
B、撹拌されている3−(メチルチオ)チオフェン(5
,2L O,04モル)のCCA4(100ml’)中
溶液にBr2(0,08モル)のCC/4 (50at
)中溶液を滴下した。混合物を室温で一夜撹拌し、次
いでチオ硫酸す) IJウムー水酸化ナトリウム水溶液
で洗浄し、無水硫酸ナトリウム上で乾燥し、濃縮して粗
生成物を得た。溶離剤としての4ンタンと共に短かいカ
ラム(シリカ)を通すと純粋の生成物(7,29)が得
られた。
,2L O,04モル)のCCA4(100ml’)中
溶液にBr2(0,08モル)のCC/4 (50at
)中溶液を滴下した。混合物を室温で一夜撹拌し、次
いでチオ硫酸す) IJウムー水酸化ナトリウム水溶液
で洗浄し、無水硫酸ナトリウム上で乾燥し、濃縮して粗
生成物を得た。溶離剤としての4ンタンと共に短かいカ
ラム(シリカ)を通すと純粋の生成物(7,29)が得
られた。
C1撹拌されているZ5−ジブロモ−3−メチルチオチ
オフェン(4,329,0,015モル)の乾燥テトラ
ヒドロ7ラン(40+m/)中溶液に室温、窒素下でマ
グネシウム削シ屑(0,3659,0,015モル)を
添加した。混合物を一夜おだやかに還流させた後、1合
触媒としてジクロロ(L3−ビス(ジフェニルホスフィ
ノ)プロパンツニッケル(l(0,25g)を一度に全
部添加した。混合物を一夜還流させ、次いで濾過して細
かい沈殿を除去した。P液を蒸発させて粗生成物を得、
これを次いでエタノールでソックスレー抽出した。重合
体を溶離剤としてCH2Cl2(0,99’)を使用す
る短かいカラム(シリカ)に通して更に精製した。
オフェン(4,329,0,015モル)の乾燥テトラ
ヒドロ7ラン(40+m/)中溶液に室温、窒素下でマ
グネシウム削シ屑(0,3659,0,015モル)を
添加した。混合物を一夜おだやかに還流させた後、1合
触媒としてジクロロ(L3−ビス(ジフェニルホスフィ
ノ)プロパンツニッケル(l(0,25g)を一度に全
部添加した。混合物を一夜還流させ、次いで濾過して細
かい沈殿を除去した。P液を蒸発させて粗生成物を得、
これを次いでエタノールでソックスレー抽出した。重合
体を溶離剤としてCH2Cl2(0,99’)を使用す
る短かいカラム(シリカ)に通して更に精製した。
D、撹拌されているポリ(3−(メチルチオ)チオフェ
ン)C0,25g)のCH2(J2(10m )溶液に
CH2CA’2中溶液として中退液量の工2を添加した
。濾過で単離した固体の沈殿なCH2Cl2で洗浄し、
真空乾燥した。固体のヨー素ドープ処理ポIJ (3−
(メチルチオ)チオフェン)の導電率ハ実施例1に記載
の方法で測定して05オーム ・l 備 であった。
ン)C0,25g)のCH2(J2(10m )溶液に
CH2CA’2中溶液として中退液量の工2を添加した
。濾過で単離した固体の沈殿なCH2Cl2で洗浄し、
真空乾燥した。固体のヨー素ドープ処理ポIJ (3−
(メチルチオ)チオフェン)の導電率ハ実施例1に記載
の方法で測定して05オーム ・l 備 であった。
撹拌されているN08bF6(200〜)のCH3N0
2(10d)中溶液にポリ(3−メチルチオフェン)(
200■)の粉末を0℃(N2)で一度に全部添加した
。固体重合体は褐色のガスを放出して直ちに青色に変っ
たが、溶剤には溶解しなかった。0℃で10分間撹拌後
、青黒色の粉末を濾過し、CH3N02及びCH2Cl
2で数回洗浄して過剰のドーパントを除去した。真空乾
燥後、粉末なKBr赤外線ダイを用いて直径7rtan
の平板状ベレットにプレス成形した。実施例1に記載の
4点プローブ法で測定してプレス成形ベレットの導電率
は2.3オーム 、。 であった。N0PF6及びN
0B1)“4で同様にドープ処理したポリ(3−メチル
チオフェン)はそれぞれ3.5オーム ・譚 及び3.
8オーム ・画 の導電率を有するドープ処理不溶性
重合体を与えた。
2(10d)中溶液にポリ(3−メチルチオフェン)(
200■)の粉末を0℃(N2)で一度に全部添加した
。固体重合体は褐色のガスを放出して直ちに青色に変っ
たが、溶剤には溶解しなかった。0℃で10分間撹拌後
、青黒色の粉末を濾過し、CH3N02及びCH2Cl
2で数回洗浄して過剰のドーパントを除去した。真空乾
燥後、粉末なKBr赤外線ダイを用いて直径7rtan
の平板状ベレットにプレス成形した。実施例1に記載の
4点プローブ法で測定してプレス成形ベレットの導電率
は2.3オーム 、。 であった。N0PF6及びN
0B1)“4で同様にドープ処理したポリ(3−メチル
チオフェン)はそれぞれ3.5オーム ・譚 及び3.
8オーム ・画 の導電率を有するドープ処理不溶性
重合体を与えた。
の製造
z5−ジョージオ−3,4−ジメチルチオフェンを用い
て実施例1の操作に従ってボIJ (& 4−ジメチル
チオフェン−Z5−ジイル)を製造した。
て実施例1の操作に従ってボIJ (& 4−ジメチル
チオフェン−Z5−ジイル)を製造した。
得られ次黄色の中性1合体は室温では一般的な有機溶剤
に不溶であった。実施例7の操作でN03bl’6によ
りドーピングすると、ドープ処理コンプレックスは実施
例1の方法で測定して0.5オーム ・m″″′1 の
導電率を示した。このドープ処理コンプレックスも室温
では一般的な有機溶剤に不溶性であつ九。
に不溶であった。実施例7の操作でN03bl’6によ
りドーピングすると、ドープ処理コンプレックスは実施
例1の方法で測定して0.5オーム ・m″″′1 の
導電率を示した。このドープ処理コンプレックスも室温
では一般的な有機溶剤に不溶性であつ九。
この実施例は重合体の導電体の溶液を直接与える3−ア
ルキルチオフェン単量体の重合を説明するものである。
ルキルチオフェン単量体の重合を説明するものである。
3−n−ブチルチオフェンの乾燥ニトロメタン中溶液を
2.2幽景のN08bF6の乾燥ニトロメタン中溶液で
処理すると、溶液の色が澄明から深い赤乃至深い背にゆ
つくシ変化し、かつそれに伴ってガス状副生成物が生成
した。はんの数分以内に、反応が終り、ドープ処理ポリ
(3−(n−グチル)チオフェン−45−ジイル)の深
い青色の溶液が得られ、その溶液から導電性物質がキャ
スト成形することができた。この溶液も中性のポリアセ
チレンフィルム片をドープ処理及び被覆するのに用いた
。得られた浸漬被覆フィルムは15オーム ・醐 の導
電率を示した。このフィルムもN08bF’、でドープ
処理したが、ポリ(チオフェン)で被うされなかったポ
リアセチレンフィルムを越える改良され九空気安定性を
示した。
2.2幽景のN08bF6の乾燥ニトロメタン中溶液で
処理すると、溶液の色が澄明から深い赤乃至深い背にゆ
つくシ変化し、かつそれに伴ってガス状副生成物が生成
した。はんの数分以内に、反応が終り、ドープ処理ポリ
(3−(n−グチル)チオフェン−45−ジイル)の深
い青色の溶液が得られ、その溶液から導電性物質がキャ
スト成形することができた。この溶液も中性のポリアセ
チレンフィルム片をドープ処理及び被覆するのに用いた
。得られた浸漬被覆フィルムは15オーム ・醐 の導
電率を示した。このフィルムもN08bF’、でドープ
処理したが、ポリ(チオフェン)で被うされなかったポ
リアセチレンフィルムを越える改良され九空気安定性を
示した。
この実施例は3−メチルチオフェンと3−ブチルチオフ
ェンの共1合体の製造操作を説明するものである。この
操作は色々な共単量体割合の他の共重合体の一般的操作
として使用することができる。撹拌されているz5−シ
ョート−3−ブチルチオフェン(3,509,001モ
ル)と35−ショート−3−n−ブチルチオフェン(3
,929゜0.01モル)の乾燥THF (50su)
中溶液にマグネシウム削り屑(0,4869,0,02
モル)を一度に全部加えた。−夜おだやかに還流させた
後ジクロロ〔L3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロ
パンクニッケル([1(0,39)Y一度に全部加え、
混合物を再び一夜還流させた。溶剤を蒸発させた後、残
分なエタノール中で2時間、次いで2N Hcl中で2
時間撹拌した。赤色固体を乾燥し、次いで熱エタノール
でソックスレー抽出して触媒要分(1,759)を除去
した。この物質な工2、N08bF’、、N0PF6
等ノj ウfx 一般的す)” ン)でドープ処理する
ことによって高度に導電性の、そして空気安定性の共重
合体な得ることができる。
ェンの共1合体の製造操作を説明するものである。この
操作は色々な共単量体割合の他の共重合体の一般的操作
として使用することができる。撹拌されているz5−シ
ョート−3−ブチルチオフェン(3,509,001モ
ル)と35−ショート−3−n−ブチルチオフェン(3
,929゜0.01モル)の乾燥THF (50su)
中溶液にマグネシウム削り屑(0,4869,0,02
モル)を一度に全部加えた。−夜おだやかに還流させた
後ジクロロ〔L3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロ
パンクニッケル([1(0,39)Y一度に全部加え、
混合物を再び一夜還流させた。溶剤を蒸発させた後、残
分なエタノール中で2時間、次いで2N Hcl中で2
時間撹拌した。赤色固体を乾燥し、次いで熱エタノール
でソックスレー抽出して触媒要分(1,759)を除去
した。この物質な工2、N08bF’、、N0PF6
等ノj ウfx 一般的す)” ン)でドープ処理する
ことによって高度に導電性の、そして空気安定性の共重
合体な得ることができる。
この共重合体はDMF、トルエン等のような一般的な有
機溶剤に可溶である。
機溶剤に可溶である。
製造
それぞれ60:40の単量体比を持つ3−メチルチオフ
ェン及び3−(n−オクチル)チオフェンから成る共重
合体を実施例10の方法で製造し友。この共重合体は一
般的な有機溶剤、例えばヘキサン、トルエン、THF、
アセトン等に容易に溶解し得るものであった。ニトロメ
タン溶液としてのN08bF’6によるドーピングはド
ープ処理重合体の溶液を与え念。この溶液を蒸発させる
と、導電率5オーム ・側 のキャスト成形固体を与え
た。
ェン及び3−(n−オクチル)チオフェンから成る共重
合体を実施例10の方法で製造し友。この共重合体は一
般的な有機溶剤、例えばヘキサン、トルエン、THF、
アセトン等に容易に溶解し得るものであった。ニトロメ
タン溶液としてのN08bF’6によるドーピングはド
ープ処理重合体の溶液を与え念。この溶液を蒸発させる
と、導電率5オーム ・側 のキャスト成形固体を与え
た。
実施例12:導電性重合体フィルムの成形この実施例は
3−ブチルチオチオフェンと3−メチルチオフェンの中
性共重合体の吹付塗シを説明するもので、続いてヨー累
によリドープ処理して厭、ガラス、金属及びプラスチッ
クの支持体表面に被覆した高度に導電性の被覆を得る。
3−ブチルチオチオフェンと3−メチルチオフェンの中
性共重合体の吹付塗シを説明するもので、続いてヨー累
によリドープ処理して厭、ガラス、金属及びプラスチッ
クの支持体表面に被覆した高度に導電性の被覆を得る。
3−ブチルチオフェン及び3−メチルチオフェンの共重
合体(0,259)をTHF’(10m/)に溶解する
ことによってその共重合体の溶液を調製した。これらの
溶液は十分に粘稠で、フリー・スタンディング性フィル
ムをキャスト成形することができた。
合体(0,259)をTHF’(10m/)に溶解する
ことによってその共重合体の溶液を調製した。これらの
溶液は十分に粘稠で、フリー・スタンディング性フィル
ムをキャスト成形することができた。
同様に、これらの溶液は様々の支持体(ガラス、金属、
紙、プラスチック等)の上に非常に薄いフィルムをキャ
スト又は吹付塗りするのに用いることができた。溶剤量
を深意深く制御することによって色々なパターンを紙、
ガラス又はプラスチックの支持体にうまくスクリーン印
刷するのに十分な粘度を持つ組成物を得ることができた
。これらのパターン及び被覆を続いてヨー素により、又
はニトロソニウム塩のCH2Cl2中溶液によりドープ
処理することによって高度に導電性(1〜4オーム ・
備 )とした。かくして、]IEMエシールデイン用被
覆及び低電流回路用導電性トレースが容易に成形加工す
ることができる。
紙、プラスチック等)の上に非常に薄いフィルムをキャ
スト又は吹付塗りするのに用いることができた。溶剤量
を深意深く制御することによって色々なパターンを紙、
ガラス又はプラスチックの支持体にうまくスクリーン印
刷するのに十分な粘度を持つ組成物を得ることができた
。これらのパターン及び被覆を続いてヨー素により、又
はニトロソニウム塩のCH2Cl2中溶液によりドープ
処理することによって高度に導電性(1〜4オーム ・
備 )とした。かくして、]IEMエシールデイン用被
覆及び低電流回路用導電性トレースが容易に成形加工す
ることができる。
I−一□ 1
代 理 人 弁理士 湯 浅 恭 = 1工、−ニー」
(外5名)
Claims (10)
- (1)(a)有機溶剤及び(b)フィルム形成性分子量
を持つ単独重合体又は共重合体から成る導電性溶液であ
つて、該重合体は式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、nは自然数であり;o及びmは同一又は異なる
自然数で、m対oの比はゼロから無限大まで変わること
ができ;R_1はアルキル、アルケニル、アルコキシ、
アルカノイル、アルキルチオ、アリールオキシ、アルキ
ルチオアルキル、アルキルスルフィニルアルキル、アル
キルスルホニルアルキル、アルキルアリール、アリール
アルキル、シクロアルキル、アルキルスルフィニル、ア
ルキルスルホニル、アリール、アリールチオ、シクロア
ルケニル、アリールスルフィニル若しくはアリールスル
ホニル基、又はスルホン酸、ハロゲン、ニトロ、シアノ
、カルボン酸若しくはエポキシの置換成分で置換された
アルキル基であり; R_2、R_3及びR_4は同一又は異なる原子又は基
であつて、水素、メチル若しくはR_1であるか;又は
R_1とR_2の置換基若しくはR_3とR_4の置換
基が一緒になつてアルキルン基若しくはアルケニレン基
を形成し、かくして所望によつて硫黄、スルフィニル、
スルホニル及び酸素より成る群から選ばれる1個若しく
は2個以上の二価のヘテロ原子を含んでいてもよい3−
、4−、5−、6−若しくは7−員環系を完成しており
;そしてX_1及びX_2は同一又は異なる原子又は基
であつて、2価のS、O、Se、NR_5又はPR_5
である。但し、R_5は水素、アルキル又はアリールで
ある。) で表わされることを特徴とする前記導電性溶液。 - (2)該単独重合体又は共重合体をドープ処理して導電
率が約10^−^7オーム^−^1・cm^−^1に等
しいか、それより大きい導電性重合体を形成するのに十
分な量のドーパント溶質を更に含んでいる特許請求の範
囲第(1)項記載の溶液。 - (3)該重合体がその構造式において、R_1が少なく
とも約2個の炭素原子を持つアルキルであり;R_3が
水素又はアルキルであり;R_2及びR_4が水素又は
アルキルであり;そしてX_1及びX_2が硫黄である
単独重合体又は共重合体である特許請求の範囲第(1)
項記載の溶液。 - (4)R_1が約3個乃至約12個の炭素原子を持つア
ルキルであり;R_3が1個乃至12個の炭素原子を持
つアルキルであり;そしてR_2及びR_4が水素であ
る特許請求の範囲第(3)項記載の溶液。 - (5)R_1が約4個乃至約12個の炭素原子を持つア
ルキルであり;そしてR_3が1個乃至約3個の炭素原
子を持つアルキルである特許請求の範囲第(4)項記載
の溶液。 - (6)該溶剤が約70に等しいか、それより小さい誘電
率とゼロより大きく、約5に等しいか、それより小さい
双極子能率を有している特許請求の範囲第(1)項記載
の溶液。 - (7)該溶剤が環状エーテル、線状エーテル、ハロカー
ボン、スルホン、ニトロ置換アルカン、芳香族化合物、
ニトリル化合物、炭化水素、スルホキシド、アミド及び
カーボネートより成る群から選ばれる特許請求の範囲第
(6)項に記載の溶液。 - (8)(イ)(a)有機溶剤、(b)フィルム形成性分
子量を持ち、そして式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、nは自然数であり;o及びmは同一又は異なる
自然数で、m対oの比はゼロから無限大まで変わること
ができ;R_1はアルキル、アルケニル、アルコキシ、
アルカノイル、アルキルチオ、アリールオキシ、アルキ
ルチオアルキル、アルキルスルフィニルアルキル、アル
キルスルホニルアルキル、アルキルアリール、アリール
アルキル、シクロアルキル、アルキルスルフィニル、ア
ルキルスルホニル、アリール、アリールチオ、シクロア
ルケニル、アリールスルフィニル若しくはアリールスル
ホニル基、又はスルホン酸、ハロゲン、ニトロ、シアノ
、カルボン酸若しくはエポキシの置換成分で置換された
アルキル基であり; R_2、R_3及びR_4は同一又は異なる原子又は基
であつて、水素、メチル若しくはR_1であるか;又は
R_1とR_2の置換基若しくはR_3とR_4の置換
基が一緒になつてアルキレン基若しくはアルケニレン基
を形成し、かくして所望によつて硫黄、スルフィニル、
スルホニル及び酸素より成る群から選ばれる1個若しく
は2個以上の二価のヘテロ原子を含んでいてもよい3−
、4−、5−、6−若しくは7−員環系を完成しており
;そしてX_1及びX_2は同一又は異なる原子又は基
であつて、2価のS、O、Se、NR_5又はPR_5
である。但し、R_5は水素、アルキル又はアリールで
ある。) で表わされる単独重合体又は共重合体及び(c)該重合
体をドープ処理して導電率が約10^−^7オーム^−
^1・cm^−^1に等しいか、それより大きい導電性
重合体を形成するのに十分な量のドーパント溶質から成
る導電性溶液を形成し;そして (ロ)該溶液からその溶剤を、その溶質重合体が固化し
て導電性製品を形成するごとく除去する;工程から成る
ことを特徴とする導電性製品の形成法。 - (9)(イ)(a)有機溶剤及び(b)フィルム形成性
分子量を持ち、そして式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、nは自然数であり;o及びmは同一又は異なる
自然数で、m対oの比はゼロから無限大まで変わること
ができ;R_1はアルキル、アルケニル、アルコキシ、
アルカノイル、アルキルチオ、アリールオキシ、アルキ
ルチオアルキル、アルキルスルフィニルアルキル、アル
キルスルホニルアルキル、アルキルアリール、アリール
アルキル、シクロアルキル、アルキルスルフィニル、ア
ルキルスルホニル、アリール、アリールチオ、シクロア
ルケニル、アリールスルフィニル若しくはアリールスル
ホニル基、又はスルホン酸、ハロゲン、ニトロ、シアノ
、カルボン酸若しくはエポキシの置換成分で置換された
アルキル基であり; R_2、R_3及びR_4は同一又は異なる原子又は基
であつて、水素、メチル若しくはR_1であるか;又は
R_1とR_2の置換基若しくはR_3とR_4の置換
基が一緒になつてアルキレン基若しくはアルケニレン基
を形成し、かくして所望によつて硫黄、スルフィニル、
スルホニル及び酸素より成る群から選ばれる1個若しく
は2個以上の二価のヘテロ原子を含んでいてもよい3−
、4−、5−、6−若しくは7−員環系を完成しており
;そしてX_1及びX_2は同一又は異なる原子又は基
であつて、2価のS、O、Se、NR_5又はPR_5
である。但し、R_5は水素、アルキル又はアリールで
ある。) で表わされる単独重合体又は共重合体から成る導電性溶
液を形成し; (ロ)該溶液からその溶剤を、その溶質重合体が固化す
るごとく除去し;そして (ハ)該固化重合体を電子受容体ドーパントによりドー
プ処理して導電性の固化重合体を形成する;工程から成
ることを特徴とする導電性製品の形成法。 - (10)特許請求の範囲第(8)項又は第(9)項に記
載の方法によつて形成された導電性製品。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US74013185A | 1985-05-31 | 1985-05-31 | |
| US740131 | 1985-05-31 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61278526A true JPS61278526A (ja) | 1986-12-09 |
Family
ID=24975172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12559586A Pending JPS61278526A (ja) | 1985-05-31 | 1986-05-30 | 導電性溶液及び該溶液からの導電性製品の形成法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0203438A1 (ja) |
| JP (1) | JPS61278526A (ja) |
| CA (1) | CA1284398C (ja) |
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| JPH0238419A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-07 | Katsumi Yoshino | 異方導電体の製造方法 |
| JPH02245019A (ja) * | 1989-03-17 | 1990-09-28 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体製造用組成物 |
| JPH02247219A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-03 | Showa Denko Kk | 導電性重合体組成物 |
| JPH07233244A (ja) * | 1994-11-14 | 1995-09-05 | Showa Denko Kk | 水溶性自己ドープ型導電性ポリマー及びその製造方法 |
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| KR20140093679A (ko) * | 2011-10-21 | 2014-07-28 | 플렉스트로닉스, 인크 | 산화성 중합을 통한 공액 중합체의 개선된 합성 및 관련 조성물 |
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-
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- 1986-05-16 CA CA000509410A patent/CA1284398C/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-05-30 JP JP12559586A patent/JPS61278526A/ja active Pending
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