JPS6127901B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、加圧接触形半導体装置の主電極板
の位置決め構造に関するものである。

この明細書での「主電極板」にはゲートリード
が挿通される貫通孔を有するものも含むものとす
る。

以下、半導体制御整流装置を例にとつて説明を
行う。

第１図は従来の加圧接触形半導体制御整流装置
の一例の要部の縦断面図である。第１図におい
て、１はPNPN構造を有する半導体基体であるシ
リコンウエハー、２はアルミニウム蒸着層からな
りシリコンウエハー１の一方の主面の中心部上に
形成されたゲート電極、３はアルミニウム蒸着層
からなりゲート電極２が形成された主面上にゲー
ト電極２を取り囲んで形成された一方の主電極で
あるカソード電極、４はシリコンと熱膨張係数が
ほぼ等しい材料であるモリブデン、タングステン
などからなり、シリコンウエハー１の他方の主面
にろう付けされたアノード電極、５は金属弾性体
からなり金属弾性体のばね力により一端がゲート
電極２に加圧接触させられるゲートリード、６は
絶縁体からなりゲートリード５を後述のカソード
リングおよびカソード銅ブロツクと接触しないよ
うに支持するゲート支持棒、７はシリコンと熱膨
張係数がほぼ等しい材料であるモリブデン、タン
グステン、鉄・ニツケル系合金などからなりカソ
ード電極３に加圧接触させられる主電極板である
カソードリング、８はカソードリング７に加圧接
触させられる一方の主電極導電体であるカソード
銅ブロツク、９はアノード電極４に加圧接触させ
られる他方の主電極導電体であるアノード銅ブロ
ツクである。

ゲートリード５とゲート電極２およびカソード
リング７とカソード電極３は、互いの位置がずれ
ないように位置決めされなければならない。この
ため、従来の半導体制御整流装置では、カソード
銅ブロツク８の中心部にあけた孔によりゲート支
持棒６を位置決めし、ゲート支持棒６の外周でカ
ソードリング７を位置決めしていた。しかしなが
ら、上記従来の構造では、各構成部分を順次組み
立てる際、カソードリング７がゲート支持棒６か
ら外れて移動し易く、移動したカソードリング７
がゲート電極２とゲート電極３とを短絡する難点
があつた。

この発明は、上記の点に鑑みてなされたもので
あり、主電極板の周辺部に主電極導電体の外周を
取り囲みこの主電極導電体に位置決めされる周壁
を設けることによつて、主電極板の位置ずれが生
じないようにした加圧接触形半導体装置を提供す
ることを目的としたものである。

以下、この発明を半導体制御整流装置に適用し
た実施例に基づいて、この発明を説明する。

第２図はこの発明による加圧接触形半導体制御
整流装置の一実施例の要部の縦断面図である。第
２図において、第１図と同一符号は第１図にて示
したものと同様のものを表わしている。７ａはシ
リコンと熱膨張係数がほぼ等しいモリブデン、タ
ワグステン、鉄・ニツケル系合金などからなり周
辺にカソード銅ブロツク８の外周を取り囲む周壁
を有しこの周壁の内周面からカソード銅ブロツク
８の外周面に突接するように設けられた少なくと
も三つの突出部７１によつてカソード銅ブロツク
８に位置決めされているカソードリングである。
第３図は第２図の実施例のカソードリングの平面
図である。

実施例の構造では、各構成部分を順次組み立て
る際、カソードリング７ａがカソード銅ブロツク
から外れないため、カソードリング７ａが移動し
て、ゲート電極２とカソード電極３とが短絡する
とか、ずれのため部分的にシリコンウエハ１に過
圧接させられてシリコンウエハ１が割れたりこれ
にクラツクが入るなどの不具合を完全に防ぐこと
ができる。従つて、実施例の半導体制御整流装置
は信頼度の高いものとなる。また、組立作業が容
易である。さらに、カソードリング７ａがゲート
支持棒６で位置決めされる必要がないため、モリ
ブデン、タングステンなど高価な材料を使用する
カソードリング７ａに薄板を用いることができる
から、安価に作製することができる。

上記の実施例においては、この発明を半導体制
御整流装置に適用した場合について述べたが、こ
の発明は、電力用ダイオード、トライアツク、逆
導通サイリスタなどのスタツド形または平形の加
圧接触形半導体装置に広く適用することができる
ものである。

以上説明したように、この発明による加圧接触
形半導体装置においては、主電極板が、その周辺
部に主電極導電体の外周を取り囲みこの主電極導
電体に位置決めされる周壁を有するから、主電極
板が位置ずれして、主電極と他の電極とが短絡し
たり、主電極板が半導体基体に部分的に過圧接さ
せられて、半導体基体が割れたりこれにクラツク
が入るなどの不具合を完全に防ぐことができる。
また、主電極板に薄板を用いることができる。従
つて、この発明による加圧接触形半導体装置は、
信頼性の高いものとなり、組み立てが容易であ
り、かつ価格が低下する。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の加圧接触形半導体制御整流装置
の一例の要部の縦断面図、第２図はこの発明によ
る加圧接触形半導体制御整流装置の一実施例の要
部の縦断面図、第３図は第２図の実施例のカソー
ドリングの平面図である。 図において、１はシリコンウエハ（半導体基
体）、３はカソード電極（主電極）、７，７ａはカ
ソードリング（主電極板）、７１は突出部、８は
カソード銅ブロツク（主電極導電体）である。な
お、図中同一符号はそれぞれ同一または相当部分
を示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 少なくとも一つのPN接合を有する半導体基
   体、この半導体基体の一主面上に設けられた主電
   極、上記半導体基体の材料と熱膨張係数がほぼ等
   しい材料からなり上記主電極に加圧接触させられ
   る主電極板、およびこの主電極板に加圧接触させ
   られる主電極導電体を備えたものにおいて、上記
   主電極板における上記主電極導電体側の面に、主
   電極導電体に向つて立ち上がり主電極導電体の側
   壁に当つて位置決めされる立ち上がり壁を設けた
   ことを特徴とする加圧接触形半導体装置。 ２ 主電極板の周壁がその内周に主電極導電体の
   外周面に係止される突出部を少なくとも３個有す
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
   加圧接触形半導体装置。 ３ 主電極板がゲートリードを挿通させる貫通孔
   を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項
   または第２項記載の加圧接触形半導体装置。